【課題】反りの小さいフリップチップを得ることができるフリップチップ実装方法及びフリップチップ実装装置を得る。
【解決手段】フリップチップ実装方法は、ステージ上に基板５を吸着保持し、チップ吸着ブロック１に吸着保持したフリップチップ３を加熱しながら基板上に加圧し、同時に基板５をステージ側から強制冷却する。フリップチップ実装装置２１は、加熱手段２を内蔵したチップ吸着ブロック１と、基板吸着手段２７及び基板冷却手段２５を備えたステージ２３とを具備し、加熱手段２、基板吸着手段２７、及び基板冷却手段２５が同時に動作するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 はんだ接合部の応力集中を緩和しディバイスに発生する内部熱を効率的に放熱して信頼性の向上を図る。
【解決手段】 実装面２ａに接続電極６と周辺補強用ダミー電極７と中央補強用ダミー電極８が形成されたディバイス２と、接続ランド１０と周辺補強ランド１１と中央補強ランド１２とが形成されディバイス２をディバイス実装面３ａ上に実装する実装基板３とを備える。実装基板３には、中央補強ランド１２に接続される放熱ビア１４と、裏面３ｂに放熱パターン１５が形成され、中央補強ランド１２がディバイス２からの発生部を兼用して裏面３ｂからの放熱を行う。 （もっと読む）

【課題】 ベアチップへのはんだバンプ形成・インタポ−ザへの実装という製造工程を不要とするＬＳＩパッケージを提供する。
【解決手段】 ベアチップ４に設けられたベアチップＩ／Ｏ（入出力）端子３に接続する配線パタ−ン６を基板１のビルドアップ層２に形成し、ベアチップ４をＬＳＩパッケージに実装する。その際、配線パタ−ン６は基板１の外部Ｉ／Ｏ端子７に接続するように形成される。 （もっと読む）

【課題】 温度変化の大きい環境下に置かれても、異方導電性フィルムと半導体素子及び／または回路基板との接続界面に破壊が生じることなく、良好な導通特性が維持される半導体装置を提供する
【解決手段】 半導体素子３０を異方導電性フィルム１０を介して回路基板２０と電気的に接続してなる半導体装置であって、異方導電性フィルムは、絶縁性樹脂からなるフィルム基板１中に複数の導通路２が、互いに絶縁されて、フィルム基板の厚み方向に貫通してなるものであり、当該異方導電性フィルムのフィルム基板の面１ａと回路基板の基板面２１ａとの間に隙間Ｓが形成されている。 （もっと読む）