説明

Fターム[5F044KK02]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング用配線基板 (5,003) | 基板 (2,939) | 樹脂基板 (931)

Fターム[5F044KK02]の下位に属するFターム

Fターム[5F044KK02]に分類される特許

1 - 20 / 504




【課題】バンプを有する第1の部品を、当該バンプを介して第2の部品に接合してなるバンプ接合構造体の製造方法において、沈み込み量のばらつきを抑制して安定した接合が実現できるようにする。
【解決手段】バンプ13への超音波振動の印加を開始し、当該超音波振動の印加を続けながら、第1の荷重F1よりも大きい第2の荷重F2を、第1の部品10および第2の部品20に印加することにより、第1の工程の終了時点よりも更に第2の部品20側へ第1の部品10が沈み込むようにバンプ13を潰して接合させる第2の工程において、第1の部品10の第2の部品20側への沈み込みによる変位量を沈み込み量としたとき、第2の工程では、第2の工程における沈み込み量x2をモニタし、当該沈み込み量x2が所定値になった時点で、超音波振動の印加を停止し、第2の荷重F2の印加のみとする。 (もっと読む)


【課題】外観が良好な高品質のカードを提供する。
【解決手段】ICモジュール10がカード基材と一体化されてICカードが形成される。ICモジュール10は、モジュール基板11に設けられたICチップ12と、ICチップ12に電気的に接続されたアンテナ接続用端子11cと、モールド部14とを含む。アンテナ接続用端子11cは、ICモジュール10と一体化するカード基材に設けられるアンテナに、導電部材を用いて電気的に接続される。モールド部14は、チップ封止部14aと、アンテナ接続用端子11cに設けられたダム枠部14bとを有する。ダム枠部14bを設けることで、カード基材との一体化の際に用いられる導電部材の流出が抑えられ、カードの外観不良の発生が抑えられる。 (もっと読む)


【課題】微細化及び狭ピッチ化に対応して、精度良くバンプ電極を形成することができる半導体チップ接続用バンプ電極の形成方法を提供すること。
【解決手段】フリップチップ半導体パッケージ基板の半導体チップとの接続用バンプ電極2形成手段であって、前記基板の金属配線によって電極パッド8を構成し、ソルダーレジスト層7とめっきレジスト層15を一括で開口し、電極パッド8を露出させた後に給電層14を形成し電解めっきにより金属層22を形成する。次に開口の内部以外の電解めっき層22及び給電層14を除去し、めっきレジスト15を除去し、電極バンプ23を完成させる。電極バンプ23はソルダーレジスト7開口との位置ズレがなく、ソルダーレジスト7開口と同じ径で形成されるので、微細化、狭ピッチ化に適したパッケージ基板を提供できる。 (もっと読む)


【課題】 電子部品の加熱圧着時の接合条件を正確に決定する。
【解決手段】 固相線温度及び粒径が異なる複数の金属粒子3を含有する接着フィルム1を介在させて、第1の電子部品6と第2の電子部品7とを加熱圧着し、加熱圧着後の接着フィルム1中の金属粒子3の溶融状態を観察することによって、加熱圧着時の接合条件を決定する。 (もっと読む)


【課題】ボイドを抑制して高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半田からなる先端部を有する突起電極が形成された半導体チップを、接合材を介して基板上に位置合わせする位置合わせ工程と、半田溶融点よりも低い温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを接触させ、かつ、前記接合材を完全には硬化させない接触工程と、完全には硬化していない前記接合材を、加圧雰囲気下で加熱してボイドを除去するボイド除去工程と、半田溶融点以上の温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを溶融接合させる電極接合工程とを有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】接着フィルムと半導体ウエハとを貼り合わせる際のボイドを抑制し、高い接合信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着フィルムの接着剤層と半導体ウエハとを1cm以下のクリアランスで対向させる工程と、50〜100℃、10000Pa以下の加熱真空下、前記接着フィルムの接着剤層と前記半導体ウエハとを0.1〜1MPaの圧力で貼り合わせる工程と、接着剤層付きの半導体ウエハを得る工程と、前記接着剤層付きの半導体ウエハを接着剤層付きの半導体チップに個片化する工程と、前記接着剤層付きの半導体チップを実装する工程とを有し、前記接着フィルムの接着剤層は、半導体ウエハに貼り合わされる側の表面のプローブタック法で測定したタック値が、貼り合わせ温度において100gf/5mmφ以上である半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】はんだ付け対象のうちのはんだバンプが形成される表面にスズが付着することを防止すること。
【解決手段】水素ラジカル発生装置3と、浮遊物質捕獲用フィルター5とを備えている。水素ラジカル発生装置3は、はんだ付け対象10に配置されたはんだに水素ラジカルを照射する。浮遊物質捕獲用フィルター5は、その水素ラジカルが浮遊物質捕獲用フィルター5を通り抜けた後にそのはんだに照射されるように、配置される。そのはんだは、水素ラジカルに照射されたときに、表面に形成された酸化膜が除去され、そのはんだから遊離した浮遊物質を放出する。このようなリフロー処理装置は、その浮遊物質を浮遊物質捕獲用フィルター5が捕獲することにより、はんだ付け対象10の表面にその浮遊物質が堆積することを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】 エレクトロマイグレーションによる接続パッドの空隙を抑制することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】 上面に半導体素子4の搭載部1aを有する絶縁基板1と、ガラス成分を含む銅の多結晶体からなり、搭載部1aから絶縁基板1の内部にかけて形成された貫通導体3と、貫通導体3を形成している銅の結晶よりも平均粒径が大きい銅の多結晶体からなり、搭載部1aにおける貫通導体3の端面を覆うように形成された接続層2とを備えており、接続層2を形成している銅の結晶配向性が無配向であり、半導体素子4の電極5が接続層2にはんだ6を介して電気的に接続される配線基板である。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージを実装基板から取り外すリペアが容易であって、半導体パッケージと実装基板との接続部の耐衝撃性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、半導体素子4が接続された半導体パッケージ1と、実装基板2とがはんだバンプ3を介して電気的及び機械的に接続されてなり、半導体パッケージ1は、半導体素子4が接続されるとともに実装基板2と接続される半導体パッケージ用配線板5を有し、半導体パッケージ用配線板5に形成された電極パッド22のコア層11側には第1応力緩和層21が配置されており、実装基板2に形成された電極パッド33の層間絶縁層31側には第2応力緩和層34が配置されており、第1応力緩和層21の25℃の弾性率が2.5GPa以下であり、第2応力緩和層34の25℃の弾性率が3GPa以下かつ第2応力緩和層34の平面方向の25℃の熱膨張係数が8×10-6/℃以下である。 (もっと読む)


【課題】フィルム状である絶縁材料の強度を高くすることができるか又は絶縁層の強度を高くすることができ、更に絶縁材料の溶融粘度を低くして、接続構造体における導通性を良好にすることができる絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第1の電極2bを表面2aに有する第1の接続対象部材2において、複数の第1の電極2b上と複数の第1の電極2b間の隙間X上とに、複数の第1の電極2bを覆うように積層される絶縁層6Aを形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は、数平均分子量が10000以上、250000以下であるポリマーと、分子量が1000以上、10000未満である第1の硬化性化合物と、分子量が1000未満である第2の硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の最上層の保護膜のクラックを防いで、半導体装置の信頼性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ボンディングパッドBP1を長方形状とし、ボンディングパッドBP1のワイヤボンディング領域BP1wでの保護膜5の重なり幅を、ボンディングパッドBP1のプローブ領域BP1pでの保護膜5の重なり幅よりも広くなるように、ボンディングパッドBP1上の保護膜5に開口部6を形成する。 (もっと読む)


【課題】回路基板から半導体パッケージを取り外した後、半導体パッケージの再取り付けが容易である半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、回路基板と、半導体パッケージと、回路基板と前記半導体パッケージとを電気的に接続するはんだ接合部と、回路基板と半導体パッケージとの間に配置され、はんだ接合部が通る穴を有し、穴は、穴の最も狭い部分に対し半導体パッケージ側に配置された部分のはんだ接合部よりも細く形成されている板状部材とを有する。 (もっと読む)


【課題】ノーマルレジスト構造のランドを有するプリント基板において、ランド上へのはんだ塗布量のばらつきを抑制しつつ、はんだの接続信頼性を向上すること。
【解決手段】ノーマルレジスト構造のランドを有するプリント基板であって、絶縁基材の一面上に形成されたランドの側面と、ランドを外部に露出させる開口部を有して絶縁基材の一面上に形成されたソルダーレジストの開口部側壁面との対向領域に、ランドの側面及び開口部の側壁面に接しつつ絶縁基材の一面から所定の高さを有する固形状の充填部材を設けた。この充填部材は、はんだ付け時のリフローによって溶融され、且つ、ランドの表面に対する濡れ性が、はんだ付け時にランドの上面に配置されるはんだの溶融状態よりも低い樹脂材料を用いて形成される。 (もっと読む)


【課題】電極間に導電性粒子を精度よく配置でき、電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体1の製造方法では、第1の電極2bと、第1の電極2b上を覆っておりかつ第1の電極2bが部分的に露出するように複数の開口Xを有する絶縁膜2cとを表面2aに有する第1の接続対象部材2を用いて、第1の接続対象部材2の表面2a上に、硬化性成分と導電性粒子5を含む異方性導電材料により異方性導電材料層を積層する。その後、該異方性導電材料層上に第2の電極4bを表面4aに有する第2の接続対象部材4を積層し、異方性導電材料層を硬化させて硬化物層3を形成する。上記異方性導電材料の60〜150℃での最低溶融粘度は1000Pa・s以上、10000Pa・s以下である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体パッケージ基板及び半導体パッケージ基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例によると、パッドが形成されたキャリア基板を準備する段階と、前記パッドの上部に絶縁層を形成する段階と、前記キャリア基板を除去する段階と、前記絶縁層及び前記パッドの上部に回路層を形成する段階と、前記パッドの一部をエッチングし、前記絶縁層の内部に開口部を形成する段階と、を含む半導体パッケージ基板の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】 多層回路基板、その製造方法及び半導体装置に関し、基板表面に露出した電極端子の近傍におけるインピーダンス整合を実現する。
【解決手段】 複数の絶縁層と複数の導体層とが交互に積層された多層基板と、前記多層基板の一方の主表面側に形成され、前記多層基板の内部から前記主表面に向かうにつれて径が大きくなる円錐台形状のビア導体と、前記円錐台形状のビア導体に対して絶縁層を介して同軸的に形成された縦断面がテーパ状部を有するグランド電極とを設ける。 (もっと読む)


【課題】素子と基板との接合の際の熱処理に起因した熱応力の緩和をバンプの中央部で行なうこと。
【解決手段】素子10と、基板20と、第1導電体32と、前記第1導電体上に形成された第2導電体34と、前記第2導電体上に形成された第3導電体36と、前記第3導電体上に形成された第4導電体38と、を有し、前記第1導電体と前記第4導電体のいずれか一方が前記素子に接合され、前記第1導電体と前記第4導電体の他方が前記基板に接合され、前記素子と前記基板とを電気的に接続するバンプ30と、を具備し、前記第1導電体および前記第3導電体は、前記第2導電体および前記第4導電体より融点が高く、前記第4導電体は前記第2導電体より融点が高い半導体装置。 (もっと読む)


【課題】接続信頼性に優れた電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置1は、回路基板10と電子部品30が、それらの間に配置された中継基板20を介して、電気的に接続される。中継基板20は、熱膨張性の絶縁基板21と、絶縁基板21に設けられた貫通孔22と、貫通孔22の内壁に設けられた導電部23とを含む。回路基板10と電子部品30は、互いの突起電極10a,30aが、中継基板20の熱膨張性の絶縁基板21に設けられた貫通孔22に挿入され、その貫通孔22の内壁に設けられた導電部23と接触することで、電気的に接続される。 (もっと読む)


1 - 20 / 504