【課題】外観が良好な高品質のカードを提供する。
【解決手段】ＩＣモジュール１０がカード基材と一体化されてＩＣカードが形成される。ＩＣモジュール１０は、モジュール基板１１に設けられたＩＣチップ１２と、ＩＣチップ１２に電気的に接続されたアンテナ接続用端子１１ｃと、モールド部１４とを含む。アンテナ接続用端子１１ｃは、ＩＣモジュール１０と一体化するカード基材に設けられるアンテナに、導電部材を用いて電気的に接続される。モールド部１４は、チップ封止部１４ａと、アンテナ接続用端子１１ｃに設けられたダム枠部１４ｂとを有する。ダム枠部１４ｂを設けることで、カード基材との一体化の際に用いられる導電部材の流出が抑えられ、カードの外観不良の発生が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】バンプを有する第１の部品を、当該バンプを介して第２の部品に接合してなるバンプ接合構造体の製造方法において、沈み込み量のばらつきを抑制して安定した接合が実現できるようにする。
【解決手段】バンプ１３への超音波振動の印加を開始し、当該超音波振動の印加を続けながら、第１の荷重Ｆ１よりも大きい第２の荷重Ｆ２を、第１の部品１０および第２の部品２０に印加することにより、第１の工程の終了時点よりも更に第２の部品２０側へ第１の部品１０が沈み込むようにバンプ１３を潰して接合させる第２の工程において、第１の部品１０の第２の部品２０側への沈み込みによる変位量を沈み込み量としたとき、第２の工程では、第２の工程における沈み込み量ｘ２をモニタし、当該沈み込み量ｘ２が所定値になった時点で、超音波振動の印加を停止し、第２の荷重Ｆ２の印加のみとする。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の加熱圧着時の接合条件を正確に決定する。
【解決手段】 固相線温度及び粒径が異なる複数の金属粒子３を含有する接着フィルム１を介在させて、第１の電子部品６と第２の電子部品７とを加熱圧着し、加熱圧着後の接着フィルム１中の金属粒子３の溶融状態を観察することによって、加熱圧着時の接合条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】微細化及び狭ピッチ化に対応して、精度良くバンプ電極を形成することができる半導体チップ接続用バンプ電極の形成方法を提供すること。
【解決手段】フリップチップ半導体パッケージ基板の半導体チップとの接続用バンプ電極２形成手段であって、前記基板の金属配線によって電極パッド８を構成し、ソルダーレジスト層７とめっきレジスト層１５を一括で開口し、電極パッド８を露出させた後に給電層１４を形成し電解めっきにより金属層２２を形成する。次に開口の内部以外の電解めっき層２２及び給電層１４を除去し、めっきレジスト１５を除去し、電極バンプ２３を完成させる。電極バンプ２３はソルダーレジスト７開口との位置ズレがなく、ソルダーレジスト７開口と同じ径で形成されるので、微細化、狭ピッチ化に適したパッケージ基板を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ボイドを抑制して高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半田からなる先端部を有する突起電極が形成された半導体チップを、接合材を介して基板上に位置合わせする位置合わせ工程と、半田溶融点よりも低い温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを接触させ、かつ、前記接合材を完全には硬化させない接触工程と、完全には硬化していない前記接合材を、加圧雰囲気下で加熱してボイドを除去するボイド除去工程と、半田溶融点以上の温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを溶融接合させる電極接合工程とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接着フィルムと半導体ウエハとを貼り合わせる際のボイドを抑制し、高い接合信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着フィルムの接着剤層と半導体ウエハとを１ｃｍ以下のクリアランスで対向させる工程と、５０〜１００℃、１００００Ｐａ以下の加熱真空下、前記接着フィルムの接着剤層と前記半導体ウエハとを０．１〜１ＭＰａの圧力で貼り合わせる工程と、接着剤層付きの半導体ウエハを得る工程と、前記接着剤層付きの半導体ウエハを接着剤層付きの半導体チップに個片化する工程と、前記接着剤層付きの半導体チップを実装する工程とを有し、前記接着フィルムの接着剤層は、半導体ウエハに貼り合わされる側の表面のプローブタック法で測定したタック値が、貼り合わせ温度において１００ｇｆ／５ｍｍφ以上である半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け対象のうちのはんだバンプが形成される表面にスズが付着することを防止すること。
【解決手段】水素ラジカル発生装置３と、浮遊物質捕獲用フィルター５とを備えている。水素ラジカル発生装置３は、はんだ付け対象１０に配置されたはんだに水素ラジカルを照射する。浮遊物質捕獲用フィルター５は、その水素ラジカルが浮遊物質捕獲用フィルター５を通り抜けた後にそのはんだに照射されるように、配置される。そのはんだは、水素ラジカルに照射されたときに、表面に形成された酸化膜が除去され、そのはんだから遊離した浮遊物質を放出する。このようなリフロー処理装置は、その浮遊物質を浮遊物質捕獲用フィルター５が捕獲することにより、はんだ付け対象１０の表面にその浮遊物質が堆積することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーションによる接続パッドの空隙を抑制することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】 上面に半導体素子４の搭載部１ａを有する絶縁基板１と、ガラス成分を含む銅の多結晶体からなり、搭載部１ａから絶縁基板１の内部にかけて形成された貫通導体３と、貫通導体３を形成している銅の結晶よりも平均粒径が大きい銅の多結晶体からなり、搭載部１ａにおける貫通導体３の端面を覆うように形成された接続層２とを備えており、接続層２を形成している銅の結晶配向性が無配向であり、半導体素子４の電極５が接続層２にはんだ６を介して電気的に接続される配線基板である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の最上層の保護膜のクラックを防いで、半導体装置の信頼性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ボンディングパッドＢＰ１を長方形状とし、ボンディングパッドＢＰ１のワイヤボンディング領域ＢＰ１ｗでの保護膜５の重なり幅を、ボンディングパッドＢＰ１のプローブ領域ＢＰ１ｐでの保護膜５の重なり幅よりも広くなるように、ボンディングパッドＢＰ１上の保護膜５に開口部６を形成する。 （もっと読む）

【課題】回路基板から半導体パッケージを取り外した後、半導体パッケージの再取り付けが容易である半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、回路基板と、半導体パッケージと、回路基板と前記半導体パッケージとを電気的に接続するはんだ接合部と、回路基板と半導体パッケージとの間に配置され、はんだ接合部が通る穴を有し、穴は、穴の最も狭い部分に対し半導体パッケージ側に配置された部分のはんだ接合部よりも細く形成されている板状部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを実装基板から取り外すリペアが容易であって、半導体パッケージと実装基板との接続部の耐衝撃性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子４が接続された半導体パッケージ１と、実装基板２とがはんだバンプ３を介して電気的及び機械的に接続されてなり、半導体パッケージ１は、半導体素子４が接続されるとともに実装基板２と接続される半導体パッケージ用配線板５を有し、半導体パッケージ用配線板５に形成された電極パッド２２のコア層１１側には第１応力緩和層２１が配置されており、実装基板２に形成された電極パッド３３の層間絶縁層３１側には第２応力緩和層３４が配置されており、第１応力緩和層２１の２５℃の弾性率が２．５ＧＰａ以下であり、第２応力緩和層３４の２５℃の弾性率が３ＧＰａ以下かつ第２応力緩和層３４の平面方向の２５℃の熱膨張係数が８×１０^-6／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】フィルム状である絶縁材料の強度を高くすることができるか又は絶縁層の強度を高くすることができ、更に絶縁材料の溶融粘度を低くして、接続構造体における導通性を良好にすることができる絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第１の電極２ｂを表面２ａに有する第１の接続対象部材２において、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに、複数の第１の電極２ｂを覆うように積層される絶縁層６Ａを形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は、数平均分子量が１００００以上、２５００００以下であるポリマーと、分子量が１０００以上、１００００未満である第１の硬化性化合物と、分子量が１０００未満である第２の硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】ノーマルレジスト構造のランドを有するプリント基板において、ランド上へのはんだ塗布量のばらつきを抑制しつつ、はんだの接続信頼性を向上すること。
【解決手段】ノーマルレジスト構造のランドを有するプリント基板であって、絶縁基材の一面上に形成されたランドの側面と、ランドを外部に露出させる開口部を有して絶縁基材の一面上に形成されたソルダーレジストの開口部側壁面との対向領域に、ランドの側面及び開口部の側壁面に接しつつ絶縁基材の一面から所定の高さを有する固形状の充填部材を設けた。この充填部材は、はんだ付け時のリフローによって溶融され、且つ、ランドの表面に対する濡れ性が、はんだ付け時にランドの上面に配置されるはんだの溶融状態よりも低い樹脂材料を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】電極間に導電性粒子を精度よく配置でき、電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法では、第１の電極２ｂと、第１の電極２ｂ上を覆っておりかつ第１の電極２ｂが部分的に露出するように複数の開口Ｘを有する絶縁膜２ｃとを表面２ａに有する第１の接続対象部材２を用いて、第１の接続対象部材２の表面２ａ上に、硬化性成分と導電性粒子５を含む異方性導電材料により異方性導電材料層を積層する。その後、該異方性導電材料層上に第２の電極４ｂを表面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層し、異方性導電材料層を硬化させて硬化物層３を形成する。上記異方性導電材料の６０〜１５０℃での最低溶融粘度は１０００Ｐａ・ｓ以上、１００００Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体パッケージ基板及び半導体パッケージ基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例によると、パッドが形成されたキャリア基板を準備する段階と、前記パッドの上部に絶縁層を形成する段階と、前記キャリア基板を除去する段階と、前記絶縁層及び前記パッドの上部に回路層を形成する段階と、前記パッドの一部をエッチングし、前記絶縁層の内部に開口部を形成する段階と、を含む半導体パッケージ基板の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】素子と基板との接合の際の熱処理に起因した熱応力の緩和をバンプの中央部で行なうこと。
【解決手段】素子１０と、基板２０と、第１導電体３２と、前記第１導電体上に形成された第２導電体３４と、前記第２導電体上に形成された第３導電体３６と、前記第３導電体上に形成された第４導電体３８と、を有し、前記第１導電体と前記第４導電体のいずれか一方が前記素子に接合され、前記第１導電体と前記第４導電体の他方が前記基板に接合され、前記素子と前記基板とを電気的に接続するバンプ３０と、を具備し、前記第１導電体および前記第３導電体は、前記第２導電体および前記第４導電体より融点が高く、前記第４導電体は前記第２導電体より融点が高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性に優れた電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１は、回路基板１０と電子部品３０が、それらの間に配置された中継基板２０を介して、電気的に接続される。中継基板２０は、熱膨張性の絶縁基板２１と、絶縁基板２１に設けられた貫通孔２２と、貫通孔２２の内壁に設けられた導電部２３とを含む。回路基板１０と電子部品３０は、互いの突起電極１０ａ，３０ａが、中継基板２０の熱膨張性の絶縁基板２１に設けられた貫通孔２２に挿入され、その貫通孔２２の内壁に設けられた導電部２３と接触することで、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 多層回路基板、その製造方法及び半導体装置に関し、基板表面に露出した電極端子の近傍におけるインピーダンス整合を実現する。
【解決手段】 複数の絶縁層と複数の導体層とが交互に積層された多層基板と、前記多層基板の一方の主表面側に形成され、前記多層基板の内部から前記主表面に向かうにつれて径が大きくなる円錐台形状のビア導体と、前記円錐台形状のビア導体に対して絶縁層を介して同軸的に形成された縦断面がテーパ状部を有するグランド電極とを設ける。 （もっと読む）