【課題】電子部品を電子部品搭載用基板上に載置後に、振動、衝撃等の外力による載置位置からのずれを制御するとともに、ロウ材による電子部品電極と搭載用電極の接続ずれを低減した高信頼性の電子部品搭載用基板、電子装置および電子部品搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品７と電気的に接続される搭載用電極３を有した絶縁基板５の主面に、電子部品の搭載領域よりも外方に、前記搭載用電極よりも厚みの厚い凸部２を形成してなる電子部品搭載用基板１をもちい、電子部品を４つの側面が凸部に沿って当接されるようにしてロウ材６を介して搭載する。 （もっと読む）

【課題】接続パッドを外部電気回路基板の端子パッドに導体バンプを介して長期にわたって確実に電気的接続させておくことが可能で、特に絶縁基体と外部電気回路基板との熱膨張係数の差による応力が大きくなっても、その接続を確保することが可能な、外部電気回路基板に対して高い電気的な接続信頼性を有する配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁基体１と、絶縁基体の内部に形成された配線導体２と、絶縁基体１の主面に配線導体２と電気的に接続されて形成された接続パッド３と、絶縁基体１の主面に接続パッド３ａの周縁部を跨るようにして形成された非貫通の穴５と、穴の内側面に形成された導体層とを有した配線基板。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波装置に関するものであり、外装構造に特別な強度がない場合であっても、外部から強い圧力が掛かった際のバンプの潰れが抑制され、ショート不良など電気特性の不具合を回避できる弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【解決手段】実装基板１３と弾性表面波素子１１とを接続するバンプ１７を、外層がはんだ材料１８で、内部にはんだ材料よりも相対的に固いコア材料１９を有する構造とすることにより、外部から圧力が加わった際のバンプ１７の潰れを抑えている。 （もっと読む）

【課題】製造される半導体装置の耐久性および品質を向上させた、フリップチップ接合を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一電極薄膜１４が形成された基板１５上にバンプ１２を接合するバンプ接合工程と、基板１５にバンプ１２を介して半導体チップ１１を接合するフリップチップ接合工程と、フリップチップ接合工程の後に加熱または冷却の少なくともいずれかが行われる熱処理工程と、からなり、熱処理工程においてバンプ１２を形成する材料の拡散が第一電極薄膜１４中のみに最終的に止まるように、フリップチップ接合工程においては、バンプ１２を形成する材料の拡散する深さｄ２が第一電極薄膜１４の厚さＴ未満である第一条件まで、バンプ１２を形成する材料を拡散させるフリップチップ接合を用いた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】複数の電子デバイスを製造する方法が提供される。デバイスウエハ上に形成された複数の集積回路上の複数の第１の導電性端子のそれぞれが、キャリアウエハ上の複数の第２の導電性端子のそれぞれと連結して、コンビネーションウエハアセンブリを形成する。コンビネーションウエハアセンブリは、分離した電子アセンブリを形成する複数の集積回路の間において、複数の集積回路の間でシンギュレートされる。電子アセンブリはそれぞれ、デバイスウエハの分離した部分からの個別のダイ、およびキャリアウエハの分離した部分からのキャリアウエハを有する。複数の電子アセンブリを製造するプロセスは、ウエハレベルで、すなわち、シンギュレーションの前に、複数のダイがキャリアウエハに連結され、単純化され、コストが低減される。また、コンビネーションウエハアセンブリは、アンダーフィル材料の導入、ウエハレベルでの硬化、および分離した支持ウエハを必要とせずにウエハレベルでのデバイスウエハの薄層化を可能とする。デバイスウエハとキャリアウエハとの間の位置合わせは、デバイスウエハとキャリアウエハのそれぞれの中の第１の導電体と第２の導電体を通る電流を伝導することにより試験される。
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【課題】厚膜回路基板において、絶縁性の基板上に銅導体ペーストの焼成により銅導体膜を形成する際、銅導体ぺ一ストは銅粉末にマンガンなどの粉末を分散させていたので、銅導体膜がポーラスな構造となり易かった。
【解決手段】混成集積回路装置は、絶縁性の基板１０と、基板上に形成され銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペースト２１Ａ及び２２Ａを焼成して成る銅導体膜２１及び２２とを含む厚膜回路基板２５と、銅導体膜上にはんだ３５及び３６によりはんだ付けされた電子部品３８とから成る。厚膜回路基板において、銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペーストを焼結して形成された銅導体膜２１及び２２は緻密な構造を持つ。 （もっと読む）

【課題】基板本体の表面に気泡の少ないハンダバンプを介して電子部品を確実且つ強固に実装し得るフリップチップ型の配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体２の表面に導体のパッド６を形成する工程と、パッド６の上に該パッド６を構成する導体の融点よりも低融点の合金粉末を含む導電性ペースト８を形成する工程と、導電性ペースト８を加熱してハンダバンプ９に形成するリフロー工程と、を含み、係るリフロー工程は、パッド６と導電性ペースト８とを、０．５ｄｅｇ℃／秒以下の昇温速度により昇温し且つ低融点合金の融点±１０℃の温度帯で予熱する予熱ステップＳ１，Ｓ２と、かかる予熱ステップの後に、上記導電性ペースト８を溶融させるべく、上記低融点合金の融点よりも１０℃乃至３０℃高い温度に加熱することにより、上記導電性ペースト８をハンダバンプ９に形成する加熱ステップＳ３，Ｓ４と、を有する、配線基板１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体チップが発生する熱を放熱する放熱手段を有した半導体装置に関し、フリップチップ接合されても半導体チップで発生する熱を確実に放熱することを課題とする。
【解決手段】半導体チップ１２と、半田ボール１５が形成された基板１３と、半導体チップ１２の回路形成面２２と対向するよう半導体チップ１２と基板１３との間に放熱機能を有するインターポーザ１１Ａを配設する。このインターポーザ１１Ａは、半導体チップ１２と基板１３とをビア２０により電気的に接続すると共に、半導体チップ１２で発生した熱を放熱する。 （もっと読む）