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Fターム[5F044KK04]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング用配線基板 (5,003) | 基板 (2,939) | セラミック基板 (128)

Fターム[5F044KK04]に分類される特許

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【課題】10秒以下の短時間でも硬化可能であり、かつOSP処理された基板の接続に安定した接続信頼性を与える回路接続材料、及びそれを用いた回路部材の接続構造を提供する。
【解決手段】対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、遊離ラジカルを発生する硬化剤と、ラジカル重合性物質と、リン酸エステルと、導電粒子を含有し、導電粒子を除く、回路接続材料全体を100重量部とした場合、それに占めるリン酸エステルの割合が0.5重量部から2.5重量部の範囲である、回路接続材料。 (もっと読む)


【課題】対向配置された回路電極同士の接続抵抗を小さくし、かつ、隣り合う回路電極間が導通し短絡してしまう可能性を低減することができる回路接続材料及び回路部材の接続構造を提供する。
【解決手段】回路接続材料12は、接着剤組成物と、第1の粒子6と、第2の粒子8と、を備える。第1の粒子6は、低融点金属を主成分とするコア2と、該コア2の表面を被覆しており低融点金属の融点よりも低い軟化点を有する樹脂組成物からなる絶縁層4と、を有し、第2の粒子8は、コア2よりも平均粒径が小さく、低融点金属の融点よりも高い融点又は軟化点を有する材料を主成分とする。第1の粒子6は、絶縁層4が軟化して一部除去され、絶縁層4から露出したコア2と回路電極とが金属接合することによって回路電極間の導通を図り、第2の粒子8は、接続条件下においてスペーサとして機能する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を基板にフリップチップ実装する際の半導体素子に印加する荷重を低減させ、実装後においても半導体素子に外力が作用したときに生じる応力を緩和する。
【解決手段】半導体素子1は、一表面側に複数個のスタッドバンプ41が突設され、スタッドバンプ41の先端部には、突出方向において塑性変形可能な変形可能部41bが設けられる。半導体素子1を実装する基板2には、各スタッドバンプ41にそれぞれ対応する基板電極21が形成される。半導体素子1と基板2とは弾性および導電性を有する接着部材42により接着され、各スタッドバンプ41は素子電極11に直接に電気的に接続されるとともに、接着部材42を介して基板電極21に電気的に接続される。半導体素子1を基板2に実装するにあたっては、各スタッドバンプ41が変形可能部41bの変形限度位置まで変形せずに変形許容量を残した形で塑性変形するように、低荷重を印加する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子に生じる応力を低減することが可能な半導体素子の実装構造を提供する。
【解決手段】半導体素子1の外周形状が矩形状であり、半導体素子1の外周形状に基づいて規定した仮想三角形の3つの頂点に対応する3箇所で半導体素子1のパッド19とセラミック基板からなる基板3の接続用電極39とが半田バンプからなるバンプ2を介して接合されている。半導体素子1は、MEMSデバイスの一種である半導体加速度センサチップであり、上記3箇所にパッド19が3つずつ密集して配置されている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップをガラスのようなリジット基板にフリップチップ実装する場合でも、電気的接続性が良好で信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子素子1上に形成された複数の金属バンプ2と実装回路用基板6に形成された複数の電極パッド3とが接着剤層5を介して電気的に接続された電子装置であって、前記基板と各電極パッドとの間には柔軟層5が形成されており、該柔軟層の形状が電極パッド1個または数個ごとに分断された島状であることを特徴とする電子装置。 (もっと読む)


【課題】熱膨張差に拘わらず良好に電気接続を維持し続けることができる接続端子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品パッケージはプリント配線板に実装される。パッケージ基板16の導電パッド28にははんだ片17が接合される。はんだ片17はプリント配線板14の導電パッド28に接合される。導電パッド28には凹凸形状の接触面が区画される。パッケージ基板16とプリント配線板14との間には熱膨張差が生じる。はんだ片17では剪断応力が発生する。電子部品の発熱および冷却が繰り返されると、熱膨張差に応じてはんだ片17にはクラック35が生じていく。クラック35は凹凸形状の接触面に沿って成長していく。クラック35の成長は凹凸形状の働きで蛇行する。クラック35の成長は阻害される。 (もっと読む)


【課題】室温でも接合面の洗浄することができ、容易に基板同士を接合できる接合方法及び接合装置を提供する。
【解決手段】接合装置1は、処理室としてのチャンバー2と、チャンバー2内に設けられ基板3を設置するステージ4と、チャンバー2に連通されたガス導入路5及びガス排出路6とを備える。ガス導入路5に紫外光照射部20が設けられており、供給される酸素ガスを紫外光照射部20によって励起して第1の洗浄ガスを生成し得るように構成されている。第1の洗浄ガスがチャンバー2内へ供給されると、第1の接合面10a及び第2の接合面11aに付着した有機物と酸化反応する。これにより、接合装置1は、第1の接合面10a及び第2の接合面11aから有機物を除去することができる。 (もっと読む)


【課題】接続電極との接続信頼性を向上させることができる電子部品の実装構造を提供すること。
【解決手段】接続電極33,34を有する基板31に、接続電極に接続される電子部品1を実装する。電子部品は、所定の機能を有する機能片11と、機能片の一方の面に形成され弾性を有する第1コア部24と、第1コア部の表面に形成された導電膜25,26と、導電膜と接続電極との導電接触状態を保持する保持部15とを有する。機能片の他方の面側に、弾性を有する第2コア部74を配置する。第1コア部及び導電膜はバンプ電極を形成し、第1コア部の弾性変形により導電膜と接続電極とが導電接触する。 (もっと読む)


【課題】フエイスアップ搭載された半導体チップと高低差のある基板上の電極とを、半導体チップのフエイスダウン接続により接続する。
【解決手段】基板10上にフエイスアップ搭載された第1半導体チップ21の第1電極11と、基板10上に形成された第2電極12とを、フエイスダウンボンディングされた第2半導体チップ22〜24により接続する。この第2半導体チップは、薄く可撓性を有し、フエイスダウンボンディングの際の押圧により弾性変形し、第1電極11と第2電極12の間に段差部22−1を形成する。段差部22−1が高低差を吸収してボンディングが可能となる。 (もっと読む)


【課題】接続電極との接続信頼性を向上させることができる電子部品実装用基板を提供すること。
【解決手段】機能片11に電極12、13が形成された電子部品1が実装される。電極と導電接触するバンプ電極14を有する。バンプ電極が、弾性を有するコア部24と、コア部の表面に設けられコア部の弾性変形により電極と導電接触する導電膜25、26とを有する。 (もっと読む)


【課題】圧電振動素子が容器体の凹部空間内に常に接触するのを防ぎ、周波数を安定させる圧電デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】基板部と枠部によって形成された凹部空間が設けられた容器体と、凹部空間内の基板部に設けられた圧電振動素子搭載パッドに導電性接着剤により搭載され、励振用電極が設けられている圧電振動素子と、凹部空間を気密封止する蓋体とを備え、圧電振動素子搭載パッドには、容器体の中央側に寄るように容器体の短辺方向に伸びるバンプが設けられており、導電性接着剤が、バンプの上面の幅方向の半分まで形成されていることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】チップサイズを縮小することにより、LCDドライバの製造コストを低減させることのできる技術を提供する。
【解決手段】第1金属膜からなるバンプ6が形成されない領域のパッシベーション膜9上に、第2金属膜からなる容量素子7C、抵抗素子7Rまたはインダクタンス素子7L等の受動素子を形成する。第1金属膜は金膜、第2金属膜は金膜、ニッケル膜または銅膜であり、あるいは第1金属膜は下層をニッケル膜または銅膜とし上層を金膜とする積層膜、第2金属膜はニッケル膜または銅膜である。さらに、第1金属膜の厚さは第2金属膜の厚さと同じか、あるいは第2金属膜の厚さよりも厚く形成する。 (もっと読む)


【課題】小型化でき、コストダウンできる圧電部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板2f上に形成されたIDT2aからなる振動部及びIDT2aに接続されている素子配線を有する圧電素子2を設ける。圧電素子2と接合基板1とをIDT2aと対向するように、バンプ3及び絶縁性の樹脂枠4により互いに接着する。接合基板1は、IDT2aと対向する一方主面に接合基板配線1b、他方主面に外部端子5、接合基板端部にスルーホール1aをそれぞれ備える。バンプ3と接合基板1の接合基板配線1bとを電気的に接続する。接合基板配線1bと外部端子5とを、スルーホール1aを介して電気的に互いに接続する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子から発生する熱に対して良好な放熱効果を有し、発熱密度が高く、発熱部位が集中している半導体素子のフリップチップ接続に対応可能な半導体素子の放熱構造を提供する。
【解決手段】放熱用基板が半導体素子に接続された半導体素子の放熱構造であって、前記半導体素子が、放熱用の第1の放熱用バンプ2を備え、前記放熱用基板が、複数のセラミック基板6a、6b、6c、6dが積層されてなる多層セラミック基板6であって、前記セラミック基板6a、6b、6c、6dの表層に設けられた表層放熱部と、隣接する前記セラミック基板6a、6b、6c、6d間に設けられた内層放熱部と、前記表層放熱部と内層放熱部とを接続するサーマルビア8と、を備え、前記多層セラミック基板6と前記半導体素子とが、前記第1の放熱用バンプ2と前記表層放熱部とを介してフリップチップ接続されている。 (もっと読む)


【課題】容器本体の内底面を大きくして小型化を維持した安価な表面実装用の水晶発振器を提供する。
【解決手段】底壁1aと枠壁1bとからなるとともに内壁段部を有して凹状とした積層セラミックからなる容器本体1と、前記容器本体1の内底面に設けられた回路端子6にIC端子が固着されたICチップ2と、前記容器本体1の一端側に設けられた内壁段部の表面上に設けられた水晶保持端子5に励振電極から引出電極の延出した一端部両側が固着された水晶片3とを備え、前記回路端子6における前記IC端子中の水晶端子が接続する水晶回路端子6aは前記内壁段部に最も接近して配置された表面実装用の水晶発振器において、前記内壁段部に最も接近した前記水晶回路端子6aから壁面に延出した内底面の導電路6x上と前記水晶保持端子5と前記水晶片3の一端部両側が固着される導電性接着剤11によって電気的に接続した構成とする。 (もっと読む)


【課題】従来の方法とシステムに付随する欠点や問題の少なくとも一部を実質的に除去または低減する、高信頼性半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は基板を含む。非導電性の第1のヘッジを前記基板の第1の表面に配置し、その表面から突出させる。チップをその基板に離間しつつ結合する。チップは、基板の第1の面と対向する第2の面を有する。非導電性の第2のヘッジを前記チップの第2の表面に配置し、その表面から突出させる。前記第1のヘッジは前記第2のヘッジと係合するように構成かつ配置され、前記チップに対する前記基板の動きを制限する。前記第2のヘッジは前記第1のヘッジと係合するように構成かつ配置され、前記基板に対する前記チップの動きを制限する。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、かつ、容易に製造することができるとともに、半導体装置の大きさを大きくすることなく内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子2と、リード3と、半導体素子2の電極2aとリード3とを電気的に接続する配線部材4と、を備え、配線部材4は、少なくとも導電性を有する材料によって被覆されている。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で、接合不良の問題を解消することが可能な電子部品の接合装置を提供すること。
【解決手段】電子部品の接合装置は、電子部品を保持する接合ヘッドと、接合ヘッドを保持し昇降可能なヘッド側昇降体6と、ヘッド側昇降体6が昇降可能に取り付けられる第1フレームと、接合ヘッドを昇降させる昇降機構と、ヘッド側昇降体6および昇降機構に連結されて昇降可能な駆動側昇降体9と、駆動側昇降体9が昇降可能に取り付けられる第2フレームとを備えている。駆動側昇降体9は、ヘッド側昇降体6と駆動側昇降体9との連結部16でヘッド側昇降体6に係合する係合凸部28aを備え、ヘッド側昇降体6は、係合凸部28aを上方向から付勢する弾性部材39を備えている。ヘッド側昇降体6と駆動側昇降体9とは、弾性部材39の付勢力で連結されている。 (もっと読む)


【課題】バンプによりセラミック多層基板に電子部品チップが搭載されている電子部品であって、複数のバンプによる電気的接続の信頼性が高められている電子部品を得る。
【解決手段】セラミック多層基板2の上面2a上に、複数のバンプ14〜16を有する電子部品チップ3が搭載されており、セラミック多層基板2において、バンプ14〜16が接続される第1の電極ランド11、第2の電極ランド12及び第1の電極ランド13が順に配置されており、第2の電極ランド12の高さが第1の電極ランド11,13の電極ランドの高さよりも高くなるようにセラミック多層基板2の上面2aが凸状とされている、電子部品1。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板3と、配線基板3にフェースダウンで取り付けられた半導体チップ1と、配線基板3と半導体チップ1との間にある接着剤5と、配線基板3と半導体チップ1の側面とに接する樹脂層15と、を備え、樹脂層15に含まれる不純物(Cl-)濃度は2mg/L以下である。このような構成であれば、接着剤5に水分が直接付着することを防ぐことができ、また、湿度により樹脂層15から溶け出す不純物量を少なくすることができる。これにより、水分及び不純物がボイドを伝って半導体装置の内部へ入り込むことを防ぐことができる。 (もっと読む)


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