【課題】フリップチップ実装構造を有する構成にて半導体素子からの放熱性を確保できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】この半導体装置１は、被実装対象２を実装対象３に対してバンプ４を介してフリップチップ実装して構成されている。この半導体装置１では、被実装対象２が回路面上であって発熱部の近傍にパッド部を有している。また、実装対象３が熱伝導性材料あるいは放熱性材料から成る実装部３２を有している。そして、パッド部と実装部３２とがバンプ４を介して接続されることにより、被実装対象２が実装対象３にフリップチップ実装されている。 （もっと読む）

【課題】配線基板や半導体装置の破損を抑制する配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板５は、少なくとも１以上の層を含有する基板と、実装する半導体装置に設けられたバンプを介して半導体装置と電気的に接続するための実装パッド１と、を有する。実装パッド１は、基板上であって実装する半導体装置に設けられたバンプと対向する領域に設けられ、バンプとの接続部分である接続部２と、基板との接面に形成される配線パターンを含む配線部４と、接続部と配線部とを電気的に接続する導電ポスト部と、接続部２と配線部４と導電ポスト部以外の領域を形成する樹脂部３と、を含有する。樹脂部３は、接続部２よりも弾性率が低い樹脂により形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極径φ３０μｍ以下の微細な電極間でも良好に導通可能なデバイス実装構造を提供する。
【解決手段】光デバイス１の電極１ａ表面、および、光デバイス１の電極１ａと対向する実装基板２の基板電極２ａ表面のそれぞれに、円柱形状の金属製の微小突起１ｂ、微小突起２ｂを１個ないし複数個それぞれ形成し、光デバイス１を実装基板２の実装位置に位置決めした状態で、電極１ａと基板電極２ａとを互いに対向させて接近させることにより、微小突起１ｂと基板電極２ａおよび微小突起２ｂと電極１ａとを当接させて圧着させ、双方の微小突起１ｂ，２ｂを圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態に塑性変形させて、微小突起１ｂと微小突起２ｂとが互いに絡み合い機械的に結合し合う状態に形成する。また、微小突起１ｂ，２ｂそれぞれを電極１ａ表面、基板電極２ａ表面に対しあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜させて形成するようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】配線基板との接続信頼性の高い半導体装置、半導体基板と配線基板との接続信頼性の高い半導体モジュール、および半導体基板と配線基板との接続信頼性の高い半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュールは、集積回路１２が形成された半導体基板１０に形成された複数の電極１４と、パッシベーション膜１６上に形成され、第１の方向に沿って配置された樹脂突起１８と、複数の電極上から樹脂突起上に至るように、第１の方向と直交する第２の方向に沿って形成された複数の配線２０を有する半導体装置と、半導体装置に対向して配置されたベース基板に対向する面上に形成され、配線の前記樹脂突起上にオーバーラップする部分に接触する複数のリードと、半導体装置とベース基板の間に配置された接着層を含み、リードは、幅が配線の幅よりも広く、配線との電気的接続部と、樹脂突起との接着部を有する。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動片の傾きによる悪影響をなくした圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】 励振電極２１１，２２１が形成された振動部２３と接続電極２１２，２２２が形成された保持部２４とを有する矩形状の圧電振動片２と、ベース３と、ベースの封止部で接合する蓋とが設けられ、前記ベースの搭載部に前記圧電振動片の保持部が導電性バンプＢにより超音波接合された圧電振動デバイスにおいて、前記圧電振動片の一端部の両端部に接続電極を形成しており、当該接続電極で導電性バンプを介して前記ベース上に圧電振動片の一端部の両端部の二つの保持部領域で電気的機械的に接合され、前記圧電振動片の一対の接続電極と当該一対の接続電極間の領域以外で圧電振動片の素地が露出した一つの保持部領域で導電性バンプが当接した状態で前記ベース上に圧電振動片を片保持した。 （もっと読む）

【課題】ラジカル硬化系でありながら、高い接着強度を有する接着剤組成物、及び高い接着強度と優れた接続信頼性を有する回路接続体を作製することが可能な回路接続用接着剤を提供すること。
【解決手段】熱可塑性樹脂、分子内に（メタ）アクリロイル基を２個以上有するラジカル重合性化合物、ラジカル重合開始剤、及び分子内に尿素結合とアルコキシシリル基を有するシランカップリング剤、を含む接着剤組成物である。 （もっと読む）

【課題】めっきＡｕバンプを介して半導体素子搭載部材に逃がすことができる熱量をこれまでよりも大幅に増加できる半導体素子搭載部材と、前記半導体素子搭載部材を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子搭載部材１は、基材３の素子搭載面２に形成した少なくとも１つの薄膜状のめっきＡｕバンプ４の面方向の面積を１００００μｍ^２以上、ビッカース硬さを８０未満、表面の平坦度を５μｍ以下とした。半導体装置１２は、前記半導体素子搭載部材１の素子搭載面２に、前記めっきＡｕバンプ４を介して半導体素子１１を搭載した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加熱圧着の際に脆性材料を含む被加工物が破損することを抑制することができる熱圧着装置および電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工物を載置する載置台と、前記載置台に載置された前記被加工物を加圧するとともに加熱する圧着ヘッドと、前記圧着ヘッドと前記載置台とを相対的に移動させる移動部と、前記移動部と前記圧着ヘッドとの間に設けられ、加圧力の伝達を行う伝達部と、前記伝達部に付設され、前記被加工物に加えられた加圧力を検出する複数の加圧力検出手段と、前記加圧力検出手段からの出力に基づいて加圧力を演算するとともに、加圧力の変動、加圧力の偏り、加圧力の偏りの変動の少なくともいずれかを演算する加圧力演算手段と、を備えたことを特徴とする熱圧着装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板と樹脂基板をバンプ接続する際、セラミック基板の外縁部に位置するバンプに対する熱応力の作用によって接続部にクラックが生じて、機器の長期信頼性が保たれる手段を提供する。
【解決手段】複数のランド６が配列され、擬似導波管１３の形成されたセラミック基板２０と、複数のランド７が配列され、擬似導波管１５の形成された樹脂基板５と、前記樹脂基板のランドと前記セラミック基板のランドの間に接合され、ボールグリッドアレイを構成する複数のバンプ１６と、を備え、前記セラミック基板および樹脂基板の擬似導波管は、その周囲に配列されたバンプが接地面に接続されるとともに、外縁部の周辺に配置される。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板のうねりと半導体素子のスタッドバンプの高さばらつきとを吸収する導電性接着剤の転写量を確保でき、高い実装歩留まりとなるフリップチップ実装構造体を提供する。
【解決手段】スタッドバンプ１は、台座部８と頭頂部９とからなり、頭頂部９における台座部８との境界部分に先端寄りほど狭まるテーパ部分９ａを有しており、前記テーパ部分９ａの底部の直径をＤ１、台座部８の直径をＤ２としたときに、Ｄ２×０．６＜Ｄ１＜Ｄ２×０．８となるように形成しておく。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板に半導体素子を実装する際に、セラミック基板のうねりとスタッドバンプの高さばらつきとを吸収する導電性接着剤の転写量を確保できるように、当該スタッドバンプを形成するキャピラリを提供する。
【解決手段】金属線を挿通する貫通孔１０を先端部においてロート状に拡開させるとともに、前記ロート状の開口部１５の延長線上の頂角を６０°〜７０°とし、同開口部１５の最大径を６２μｍ〜６６μｍとする。 （もっと読む）

【課題】基板上に実装されるワークを把持する把持装置において、接合に熱を必要とする接合部材を用いる場合の、基板とワークとの加熱による接合を可能とする。
【解決手段】ワーク３０を把持する把持部材２０ａ、２０ｂに、供給された光のエネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換部２５ａ、２５ｂを設け、把持部材に供給された光のエネルギーを熱エネルギーに変換することで、接合に必要な熱を接合部材４３ａ、４３ｂへ与える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を搭載するための素子搭載用基板、およびこの素子搭載用基板に半導体素子を搭載してなる半導体モジュールの製造時間を短縮する。
【解決手段】素子搭載用基板１００は、非晶質のＳｉ含有組成物からなる基材１０、基材１０の一方の主表面に設けられた第１接着層１２、および基材１０の他方の主表面に設けられた第２接着層１４を含む基板構成単位１５と、第１接着層１２の基材１０と反対側の主表面に設けられた第１配線層１６と、第２接着層１４の基材１０と反対側の主表面に設けられた第２配線層１８と、基材１０、第１接着層１２、および第２接着層１４を貫通するビアホール１９に設けられ、第１配線層１６と第２配線層１８とを電気的に接続するビア導体２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子が搭載されるキャビティー部内への樹脂剤の充填を容易にし、容器体の剛性を低下させることがなく、且つ小型化にも対応可能とする。
【解決手段】 １つの容器体に２つのキャビティー部が設けられており、第一のキャビティー部に圧電振動素子が配置され、第二のキャビティー部に集積回路素子を配置され、圧電振動素子を蓋体によって気密的に封止してなる圧電発振器の製造方法において、第二のキャビティー部底面に形成された集積回路素子搭載パッドに、回路形成面にバンプが形成された集積回路素子を搭載する集積回路素子搭載工程と、その後に加熱処理する集積回路素子加熱工程と、容器体の枠体と集積回路素子間に半硬化樹脂を配置する半硬化樹脂配置工程と、半硬化樹脂を加熱して溶融させて、集積回路素子と第二のキャビティー部底面との隙間に充填する半硬化樹脂加熱充填工程とから成る。 （もっと読む）

【課題】低コストでプリント基板の反りを防止できる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及びピンを提供する。
【解決手段】本明細書に開示されている半導体装置の製造方法は、基板１０をステージ２０の真空吸着面に押し付けた状態で吸着させ、基板１０の貫通孔１２とステージ２０の貫通孔２２とに共通にピン５０を挿入して基板１０をステージに仮固定した後に、真空吸着を解除する。これにより、低コストで基板１０の反りを矯正してステージ２０に倣わせることができる。 （もっと読む）

【課題】金属接合を利用したフリップチップ実装において、実装信頼性を低下させることなく、接合強度の高い実装が可能である半導体装置を提供する。
【解決手段】金属接合による接合および電気的接続に使用される半田層１００と、半田層１００との相互拡散により金属間化合物を形成するためのＣｕ層３０と、を備えるメタルバンプ層が、半導体基板１に設けられた、電極２およびＣｕバンプ４に堆積されている。 （もっと読む）

【課題】サーマルヘッドにおいてドライバーＩＣと基板との電気的接続の信頼性を確保する。
【解決手段】発熱素子１４５が配置される基板１１０とドライバーＩＣ１２０とを有するサーマルヘッド１であって、前記ドライバーＩＣ１２０は、樹脂突起１３１と前記樹脂突起１３１に形成される接続端子１３５ａを備えた第１の接続端子列１３７ａと、前記第１の接続端子列１３７ａより少ない数の接続端子１３５ｂを備えた第２の接続端子列１３７ｂとを備え、前記基板１１０は、接続端子１３５に接続される複数の実装端子１１５，１１６を備え、前記ドライバーＩＣ１２０は、前記接続端子１３５が絶縁接着層１５０を介して前記実装端子１１５，１１６に固定されており、前記実装端子１１５，１１６は、面積が前記第１の接続端子列１３７ａの中央部に対応する前記実装端子１１５の面積を基本として、それより大きい複数の異なる面積に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半田付けを行う際に、半田ボールの発生を抑制し、低抵抗の電気的接合を確保する。
【解決手段】フィラー成分およびフラックス成分を含み、フィラー成分は、それぞれ融点の異なる第１導電性フィラーおよび第２導電性フィラーを含み、第１導電性フィラーの融点は、第２導電性フィラーの融点よりも２０℃以上高く、フラックス成分は、それぞれ融点の異なる第１フラックスおよび第２フラックスを含み、第１フラックスの融点は、第２フラックスの融点よりも高く、第１フラックスの融点は、第２導電性フィラーの融点よりも１５℃〜４５℃高く、第２フラックスの融点は、第２導電性フィラーの融点以下である、室温での保存性に優れた導電性ペーストを提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と配線基板間の間隙にグリースなどが浸入することによるアンダーフィル樹脂のボイド発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線基板４上に半導体素子２をフェイスダウンで実装する実装工程と、半導体素子２の周囲に洗浄除去可能な材料で構成される保護部９を半導体素子２と配線基板４との間隙を埋めて形成する保護部形成工程と、半導体素子２の動作検査及び半導体素子２と配線基板４との接続検査を行う検査工程と、保護部９を洗浄除去する保護部除去工程とを有する製造工程とする。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低温でも硬化可能であり、かつＰＥＴ上に形成された基板の接続に十分な接着強度を与える回路接続材料、及びそれを用いた回路部材の接続構造を提供することを目的とする。
【解決手段】対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、破断伸度が１００％以上１０００％未満のポリエステルウレタン樹脂を含有する回路接続材料。 （もっと読む）