【課題】信頼性の高い電子機器を効率よく製造することが可能な配線基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】配線基板の製造方法は、ベース基板１０と、ベース基板１０上に形成された配線パターン２０と、ベース基板１０上に形成された認識マーク３０とを有する基板１００を用意する工程と、認識マーク３０にめっき金属が付着しないように、配線パターン２０にめっき処理を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 高温に耐えるハンダ流れ防止手段を用いて、熱電素子と基板との接合部を適正状態に形成することにより性能低下を防止できる熱電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】 上下に下側基板１１と上側基板１２を配置し、下側基板１１の一端部側部分の上面に、下側基板１１の上面に形成された下部電極１３のうちの一端両側の下部電極１３から連続して延びるボンディング部１６を形成した。そして、下部電極１３とボンディング部１６とを、銅層１３ａ，１６ａの上に、ニッケル層１３ｂ，１６ｂおよび金層１３ｃ，１６ｃを積層して構成し、金層１３ｃ，１６ｃにおける下部電極１３とボンディング部１６との間の部分に隙間１７を設けた。また、金層１３ｃ，１６ｃの隙間１７の長さを１０μｍに設定した。さらに、下部電極１３の金層１３ｃを熱電素子１５の端面よりも大きくした。 （もっと読む）

【課題】２８０℃以上の耐熱性と４００℃以下での接合性、半田の供給性と濡れ性、高温保持信頼性と温度サイクル信頼性に優れた高温鉛フリー半田材を用いたパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明のパワー半導体装置は、Ｓｎ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｃｕを主要構成元素とし、４２ｗｔ％≦Ｓｂ／（Ｓｎ＋Ｓｂ）≦４８ｗｔ％で、５ｗｔ％≦Ａｇ＜２０ｗｔ％で３ｗｔ％≦Ｃｕ＜１０ｗｔ％、かつ５ｗｔ％≦Ａｇ＋Ｃｕ≦２５ｗｔ％の組成を有し、残りが他の不可避的不純物元素から構成される高温半田材料で、半導体素子と金属電極部材を接合した。 （もっと読む）

【課題】バンプが所定の高さを確保できるバンプ形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明のバンプ形成方法は、ランド部２上に形成された電極７が形状形成手段８によって所定の形状に形成されて、バンプ１３が形成されるため、バンプ１３は、所定の高さ（厚み）に形成できて、所定の高さ（厚み）のバンプ１３が得られると共に、高さが均一で、微細ピッチのバンプが得られる。 （もっと読む）

【課題】チップをキャビティ内に固定する為の接着樹脂を加熱硬化するとき、チップが接着樹脂から受ける応力を減少させることで、チップ破壊を削減し、且つ安定した動作が可能な電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック基板4に設けられたキャビティ3のキャビティ側面18と、キャビティ3内に配置されたチップ10のチップ側面19との間に形成される側面空間16a〜16d内ならびに角部空間32a〜32d内に、チップ10をキャビティ3に固定する為の接着樹脂14と、接着樹脂14が設けられていない空隙13とを設けることを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子機器及びこれを効率よく製造する方法、並びに、信頼性の高い電子機器を効率よく製造することが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】電子機器の製造方法は、ベース基板１０と、ベース基板１０上に形成された、電気的接続部１４を有する配線パターン１２と、配線パターン１２を部分的に覆うレジスト層１６とを含む配線基板１００を用意する工程と、導電部３２を有する電子部品３０と配線基板１００とを、樹脂材料４０を介して対向させる工程と、配線基板１００と電子部品３０とを近接させて、電気的接続部１４と導電部３２とを対向させて電気的に接続する工程と、樹脂材料４０を硬化させて樹脂部４５を形成する工程とを含む。レジスト層１６は、電気的接続部１４の上端面１５を露出させるように、かつ、電気的接続部１４の側面１７の少なくとも基端部を覆うように形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】簡単な実装プロセスで半導体チップを配線基板に接合することのできる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体モジュール１００の製造方法は、ワイヤレスボンディングによって、カソード電極６０およびアノード電極５４を有する半導体チップ７０を、第１の配線部１２および第２の配線部１４を有する配線基板４０に接合する半導体モジュールの製造方法であって、カソード電極が第２の配線部に対向し、アノード電極が第１の配線部に対向するように、半導体チップを配線基板上に配置する工程と、複数のレーザスポット８０、８２、８４に照射する工程と、カソード電極を第２の配線部に接合し、アノード電極を前記第１の配線部に接合する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 多種類のチップサイズに対応可能であり、接続時の熱の影響が少なく残余接着剤の除去処理が容易なマルチチップ実装法とそれに用いる硬化性フィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】下記工程よりなるマルチチップ実装法
（１）基板の同一方向に接続すべき複数個のチップ群の中の最大サイズのテ−プ幅を有する硬化性フィルム状接着剤を複数列分、複数準備する工程、
（２）基板の同一方向に接続すべき複数個のチップ群の中の最大サイズのテ−プ幅を、離して複数列、前記フィルム状接着剤を基板のチップ群搭載列に活性温度以下で仮接続して形成する工程、
（３）接続すべきチップの電極と前記（２）の接着剤付き基板の電極を位置合わせする工程、
（４）電極の位置合わせを終了したチップの電極と基板の電極を、接続すべき電極間で、活性温度以上で加熱加圧し、同一基板に複数列、複数個のチップの電気的接続を得る工程。 （もっと読む）

【課題】 実装性の高い半導体装置及び信頼性の高い電子モジュール、並びに、電子モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、電極１４を有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０の電極１４が形成された面に形成された複数の樹脂突起２０と、電極１４と電気的に接続されてなり、いずれかの前記樹脂突起上に形成された配線３０とを含む。樹脂突起２０は、半導体チップ１０の電極１４が形成された面の中央から離れて配置されたものほど高さが高くなるように形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップと配線パターンとの電気的接続を良好に図ることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
（ａ）複数の電極１５を有する半導体チップ１０を準備する工程と、
（ｂ）複数の電気的接続部２５を有する基板２０を準備する工程と、
（ｃ）前記半導体チップ１０を保持具４２に保持する工程と、
（ｄ）前記保持具４２に保持された前記半導体チップ１０の前記電極１５の上面を平坦化する工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）の後に、前記半導体チップ１０の前記電極１５と前記基板２０の前記電気的接続部２５とを電気的に接続する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 マザーボード上に実装された後に加熱処理されても信頼性が損なわれない電子回路モジュールを提供すること。
【解決手段】 電子回路モジュール１０は、ベアチップ１１と、このベアチップ１１の底面の周縁部に配設された複数の接続用バンプ１２と、天面にベアチップ１１がフリップチップ実装されたセラミック系基板である中間基板１３と、ベアチップ１１と中間基板１３間の略中央部に介在させたスペーサ１４と、ベアチップ１１と中間基板１３間の周縁部に充填させた樹脂材料からなるアンダーフィル材１５とによって主に構成されており、スペーサ１４はアンダーフィル材１５よりも熱膨張係数が十分に小さい材料、好ましくはシリコンまたはセラミックからなる。この電子回路モジュール１０はマザーボード２０上に実装して使用され、中間基板１３を介してベアチップ１１がマザーボード２０と接続される。 （もっと読む）

【課題】シェア強度を所定の値以上に維持することができる半導体素子接合装置及びこれを用いた半導体素子接合方法を提供する。
【解決手段】半導体素子(10)と基板(11)との間にバンプ(14)を介在させた状態で、半導体素子(10)を基板(11)側へ押込む押込み手段(15)と、半導体素子(10)及び基板(11)の少なくとも一方に超音波振動を印加することにより半導体素子(10)と基板(11)とを相対的に振動させる超音波振動印加手段(16)と、超音波振動を印加した時点から半導体素子(10)を所定量押込むまでに要する時間を計測する時間計測手段(17)と、時間計測手段(17)により計測された時間に基づいて、次回の接合時における超音波振動の出力を制御する制御手段(18)とを含む半導体素子接合装置(1)とする。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性に優れた電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置９９は、配線導体４を有した絶縁基体１の下面に、配線導体４と電気的に接続される電極バンプ２が設けられている配線基板３と、絶縁基板１１の上面に穴部１１ａを有し、穴部１１ａの底面に、電極バンプ２と電気的に接続される接続パッド１２が設けられている回路基板１４と、を備え、電極バンプ２の下部領域を穴部１１ａに挿入するとともに、該挿入部を導電性接続材２０を介し接続パッド１２に接合して電極バンプ２を接続パッド１２に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】バンプピッチを３００μｍ以下に微細化した場合でも、補強用樹脂の注入性を良好にする。
【解決手段】バンプピッチが３００μｍでチップサイズが１０ｍｍ□のフリップチップ４をセラミック多層基板１上に実装する場合に、注入口間隔ｈを４０μｍ以上にした。注入口間隔をそのような大きさにすることにより、フリップチップ実装部の中央部にボイドを発生させることなく補強用樹脂８を良好に注入することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 サイズの異なるチップを基板の電極面に配置し、一度に実装することができる効率のよいＭＣＭ(マルチチップモジュール)の製造が可能なマルチチップ実装法を提供する。
【解決手段】 次の工程よりなるマルチチップ実装法、（１）硬化性材料からなるフィルム状接着剤層を用い、チップの電極形成面の大きさと略同一面積のフィルム状接着剤層を、前記チップの電極面に形成してなる複数の接着剤付チップを得る工程、（２）接続すべき複数の接着剤付チップの電極と基板の電極を対向させて、それぞれ位置合わせする工程、（３）電極の位置合わせを終了した複数のチップの電極と基板の電極を、接続すべき電極間で同時に加熱圧着し、同一基板に複数のチップの電気的接続を得る工程。 （もっと読む）

【課題】 フラックス特性とリペア性とをともに有し、かつ接合信頼性の高い接着性樹脂組成物を提供し、それを用いて電子部品と基板とを接着することにより、接合信頼性とリペア性とを備えた電子装置を提供する。
【解決手段】 熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂１１と、フラックスである有機酸１３と、熱可塑性樹脂１２と、硬化剤である酸無水物１４と、カップリング剤１５とを含む接着性樹脂組成物とし、前記接着性樹脂組成物を用いて電子部品と基板とを接着する。前記接着性樹脂組成物は、硬化触媒としてイミダゾールをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 セラミックを使用した配線基板に半導体チップをフリップチップ実装するタイプの半導体装置において、半導体チップの側面にアンダーフィル樹脂のフィレットを十分に形成して、フリップチップ接合の接続信頼性を向上、安定させる。
【解決手段】 表層配線３を被覆するセラミック被覆層８を設けたセラミック配線基板１に半導体チップ６をフリップチップ実装し、セラミック配線基板１と半導体チップ６との間にアンダーフィル樹脂７を充填した半導体装置において、セラミック配線基板１のチップ実装領域４を露出させるセラミック被覆層８の開口部８ａを、半導体チップ６の外端よりも外側に内端が位置するように半導体チップ６の外形よりも大きく形成する。 （もっと読む）

【課題】配線基板の表面の配線層に錫めっき等の低い温度で溶融するめっき皮膜を用いて欠陥のない皮膜を形成しようとした場合に、電子部品を低融点ロウ材を介して接続する際の熱によって、配線層の銅成分が低融点ロウ材中に拡散し、強度劣化を引き起こす。
【解決手段】ガラスセラミックスから成る絶縁基体１に、電子部品３の電極が低融点ロウ材５を介して接続される、銅を主成分とした配線層２を形成して成る配線基板４であって、配線層２のうち前記電極が低融点ロウ材５を介して接続される領域の表面に、熱処理された銅錫合金層６および熱処理された銀または金と錫との合金層７が順次形成されている配線基板４である。低融点ロウ材５を配線層２に接続する際に、配線層２中の銅成分が低融点ロウ材５中に拡散することを効果的に防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
微細かつ高精度のハンダ付けランドが形成された小型、高密度配線のセラミック配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明のセラミック配線基板の製造方法は、セラミックグリーンシート上に複数の配線パターン４を形成する工程と、複数の配線パターン４にまたがって、かつ、各配線パターン４の一端を覆うように、複数の配線パターンの各々の一部をランド２７として規定するライン状の絶縁パターン２８ｂを形成する工程と、複数の配線パターン４および絶縁パターン２８ｂを設けたセラミックグリーンシートを焼成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】接続パッドを外部電気回路基板の端子パッドに導体バンプを介して長期にわたって確実に電気的接続させておくことが可能で、特に絶縁基体と外部電気回路基板との熱膨張係数の差による応力が大きくなっても、その接続を確保することが可能な、外部電気回路基板に対して高い電気的な接続信頼性を有する配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁基体１と、絶縁基体の内部に形成された配線導体２と、絶縁基体１の主面に配線導体２と電気的に接続されて形成された接続パッド３と、絶縁基体１の主面に接続パッド３ａの周縁部を跨るようにして形成された非貫通の穴５と、穴の内側面に形成された導体層とを有した配線基板。 （もっと読む）