【課題】 素子部品の搭載を容易にする。
【解決手段】 金属膜が設けられた素子部品が収納されたパレットに、素子部品が搭載される位置に導電性接着剤が設けられたウェハを重ねて、素子部品を前記位置に搭載する素子部品搭載装置であって、ウェハを吸引する吸引部とウェハを反転させる反転部とパレットの方向へ移動するＺ方向移動部とを備える吸引移動反転手段と、素子部品が搭載される２つの所定の位置とパレットに設けられた凹部の２つの所定の位置とをカメラを用いて認識し位置データを生成する位置認識手段と、Ｘ方向及びＹ方向のズレ量を算出してズレ量データを生成する制御手段と、ズレ量データで示された距離を移動するＸＹ方向移動ステージと、制御手段が、
ＸＹ方向移動ステージが移動した場合に、吸引移動反転手段の吸引部を移動させて素子搭載部材ウェハをパレットに重ねることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高精細回路における隣接する回路間の絶縁性の確保と、対向する回路間の導通性の確保とを両立させることが可能な回路接続材料を提供すること。
【解決手段】 相対峙する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続する回路接続材料であって、有機絶縁物質中に導電性微粒子を分散させた異方導電粒子を含有する、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】導電配線の電気抵抗の増大や断線を抑制することが可能な配線基板、およびその配線基板上に電子部品を実装した実装構造体を提供する。
【解決手段】本発明の配線基板Ｘは、基板本体１と、基板本体１上に設けられ、電子部品の接続端子を接続するための接続パッド部３１および接続パッド部３１から延びる配線部３２を有する導電配線３と、接続パッド部３１上の領域全体に形成され、はんだぬれ性を有するメッキ層５とを備え、接続パッド部３１は、配線部３２と接続された接続部３１ａ、接続部３１ａから延びる第１の辺３１ｂおよび第２の辺３１ｃを有し、メッキ層５は、接続パッド部３１上から、第１の辺３１ｂの延長線Ｌｂ、第２の辺３１ｃの延長線Ｌｃおよび接続部３１ａによって囲まれた配線部３２上の第１領域３２ａに加え、第１領域３２ａを越えた配線部３２上の第２領域３２ｂにまで延びていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コア部の外側を覆うようにアンダーフィル部が形成される半田ボール、及び前記半田ボールにより半導体チップと基板部とが電気的に接続される半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体チップ１１０を基板部１２０に電気的に接続する半田ボール１３０において、半田ボール１３０は、半導体チップ１１０と基板部１２０を電気的に導通させるためのコア部１３２と、コア部１３２の外側を覆うようにコア部１３２にコーティングされ、コア部１３２の半導体チップ１１０と基板部１２０への接触時にコア部１３２の周囲を保護するためのアンダーフィル部１３４とを含む。 （もっと読む）

【課題】マルチチップ実装する際に、アライメントずれを生じさせることなく、良好な接続信頼性を確保できるようにする。
【解決手段】マルチチップ実装用緩衝フィルムは、８０ｐｐｍ／℃以下の線膨張係数を有する耐熱性樹脂層と、ＪＩＳ−Ｋ６２５３によるショアＡ硬度が１０〜８０である樹脂材料から形成された柔軟性樹脂層とが積層された構造を有する。マルチチップモジュールは、複数のチップ素子を、接着剤を介して基板にアライメントし、仮貼りした後、チップ素子とボンディングヘッドとの間に、マルチチップ実装用緩衝フィルムを、その耐熱性樹脂層がチップ素子側になるように配置し、複数のチップ素子をボンディングヘッドで基板に対し加熱加圧して接続することにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の実装基板への搭載工程を簡略化し、発光素子と実装基板との接合性を良好にする発光素子の搭載方法を提供すること。
【解決手段】接合層が形成された発光素子を実装基板に搭載する発光素子の搭載する際、実装基板に金属ナノ粒子ペーストを塗布し、発光素子の接合層を金属ナノ粒子ペースト上に配置した後、接合層と前記金属ナノ粒子ペーストを加熱して合金化させて発光素子と実装基板を接合する。このような発光素子の搭載方法により、残渣となるフラックスを用いることなく、発光素子と実装基板とを結合させることができる。 （もっと読む）

【課題】回路接続時の圧力を従来よりも低くした場合でも、圧痕の形成及び接続抵抗が良好である接続を可能とする回路接続材料を提供すること。
【解決手段】第一の基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の基板の主面上に第二の回路電極が形成された第二の回路部材との間に介在させ、加熱及び加圧により第一の回路電極及び第二の回路電極を対向配置された状態で電気的に接続するための回路接続材料であって、加圧は１．５ＭＰａ以下で行われ、フィルム性付与ポリマー、ラジカル重合性物質、ラジカル重合開始剤及び導電粒子を含有し、フィルム性付与ポリマーは、ガラス転移温度７０℃未満のポリマーを含み、その配合量がフィルム性付与ポリマー及びラジカル重合性物質の総量を基準として３０〜７０質量％である、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】より多くの導電粒子を電極間に捕捉可能な導電接合構造と、導電接合構造によって実装基板に実装部品を接合した実装構造体、及び、この導電接合構造によって２つの被接合部材を接合するための導電接合方法を得る。
【解決手段】基板側電極１８には接合用凹部２４が形成され、部品側電極２０には接合用凸部２６が形成される。接合用凹部２４と、接合用凸部２６の間に、異方性導電接合材２２の導電粒子２２Ｐを捕捉する捕捉間隙３０が構成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、集積回路素子の電極パッドと、金バンプと半田で形成されたボールとの接合強度の低下のない電子装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明の電子装置は、集積回路素子と、集積回路素子の回路の形成された面の電極パッド上に固着される金バンプと、金バンプを包む半田と、集積回路素子の電極パッドが金バンプと半田を介して接合される素子搭載部材と、素子搭載部材に配置された集積回路素子搭載用パターンとを備え、半田の体積に対する金バンプの体積比率を１２パーセント以上１６パーセント以下とした。 （もっと読む）

【課題】パッケージ、該パッケージに結合された該マス、前記マスをパッケージに取り付ける１つまたは複数の弾性カップリングを含む装置を提供する。
【解決手段】マスをパッケージに結合する方法であって、１箇所またはそれより多い異なる数箇所でマスをパッケージに弾性的に取り付けることを含む方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】局所歪みが少なく、今日製造者が利用できる従来の取り付け方法に適合可能であるインターポーザにＣＺＴ及び／又はＣｄＴｅを相互接続するための構造を提供すること。
【解決手段】マクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）は、結晶アノードアレイ（１８）及びセラミック基板（１４）を備える。アレイ（１８）及び基板（１４）は、大きい高さ対幅のアスペクト比を有する相互接続（１２）幾何形状を用いて共に接合される。相互接続（１２）を結晶アノードアレイ（１８）に固定する継手は、無はんだである。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯやＩＺＯからなる接続端子の溶出を抑制し、優れた接着強度が得られ、信頼性試験後でも安定した性能を維持できる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】第一の接続端子３２を有する第一の回路部材３０と第二の接続端子４２を有する第二の回路部材４０とを接続する接着剤組成物であり、第一の回路部材及び／又は第二の回路部材はＴｇが２００℃以下の熱可塑性樹脂を含む基材から構成され、第一の接続端子及び／又は第二の接続端子はＩＴＯ及び／又はＩＺＯから構成され、接着剤組成物は（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）ラジカル重合性化合物、（ｃ）ラジカル重合開始剤、（ｄ）リン酸基を有するビニル化合物を含有し、（ｃ）ラジカル重合開始剤はパーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイドの１種以上を含有する、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】アウトガスによる影響を防止することで電子部品特性の低下を防止可能な、電子部品の実装構造体、及び電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】接続電極３３，３４を有する基材３に電子部品１を実装する電子部品１の実装構造体２である。電子部品１は、所定の機能を有する機能片１１と、機能片１１に電気的に接続される導電部を含む被覆膜２５，２６により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部２４と、第１の樹脂突起部２４により囲まれる領域の内側に設けられ、少なくとも表面に接着性を有する第２の樹脂突起部１５と、を有している。第２の樹脂突起部１５は、第１の樹脂突起部２４の弾性変形により被覆膜２５，２６における導電部を接続電極３３，３４に導電接触させた状態に電子部品１を前記基材３に実装する。 （もっと読む）

【課題】接合時の半田の非合金化に起因する再リフロー時の半田接合部の外れを防止する半田フリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１００ａを基板１００ｂに実装する方法は、半導体チップ１００aおよび基板１００ｂの接合部の何れか一方に半田バンプ１０５を形成し、他方に凹凸部ＰＲを有する金バンプ１０６を形成するステップと、半導体チップ１００ａおよび基板１００ｂを互いに押しつけて、凹凸部ＰＲと半田バンプ１０５とを互いに当接させるステップと、互いに当接された凹凸部ＰＲと半田バンプ１０５を第１の所定の温度Ｔで第１の所定時間ｔだけ加熱保持して、半田バンプ１０５と金バンプ１０６との合金を形成させるステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を実装基板にメッキバンプ接合する場合において、半導体素子の複数の電極の高さに段差があるときに、メッキバンプの高さを段差に合わせて変えることなく、また、同じ面積および形状のメッキバンプを用いて、段差に合わせた良好なメッキバンプ接合を行う。
【解決手段】 第１のメッキバンプ７（１）、第２のメッキバンプ７（２）は、いずれも同じ面積、同じ形状（例えば、長方形）となっているが、第１のメッキバンプ７（１）は、その横断面の長軸（すなわち、長方形の長軸）が超音波の振幅の向きに対して平行となるように配置され、第２のメッキバンプ７（２）は、その横断面の短軸（すなわち、長方形の短軸）が超音波の振幅の向きに対して平行となるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】電子装置の製造工程において、はんだバンプ同士のブリッジの発生の防止を図るとともに、ＢＧＡ型の半導体装置を回路基板上に容易に実装を行うことができる電子装置及び電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
電子装置は、回路基板１と、回路基板１に電気的に接続される複数の端子３と、前記複数の端子３に電気的に接続された半導体装置４と、前記複数のはんだバンプ３同士を隔離する隔壁６とを有する。隔壁６がバリアとなってはんだバンプ３が隣のはんだバンプ３に接触できなくなるため、はんだバンプ３同士のブリッジの発生の防止を図るとともに、ＢＧＡ型の半導体装置４を回路基板１上に容易に実装することができる。 （もっと読む）

【課題】気密性および信頼性が高く、かつ小型化が可能な高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁体からなり、キャビティ１４を有する基板１０と、キャビティ１４内に実装されたチップ部品２０と、キャビティ１４を覆うように基板１０の上面にフリップチップ実装されたＳＡＷデバイスチップ２４と、基板１０の上面に設けられ、ＳＡＷデバイスチップ２４とチップ部品２０とを封止する封止半田２８と、を具備する高周波モジュールである。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子の剥がれを防ぐことができる圧電発振器を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の圧電発振器は、基板部とこの基板部の一方の主面に第１の枠部と第２の枠部が設けられて凹部空間が形成されている素子搭載部材と、搭載部の主面に設けられている２個一対の圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、基板部に設けられている集積回路素子搭載パッドと接合するための素子搭載部材接合用電極が設けられている集積回路素子と、凹部空間を気密封止する蓋部材と、を備え、素子搭載部材接合用電極は、アルミニウム層と、中間金属層と、メッキバンプ層とで構成され、アルミニウム層の厚みが、０．６〜１．５μｍであり、中間金属層の厚みが、０．５〜１．７μｍであり、メッキバンプ層の厚みが、５〜３０μｍであることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に設けられた突起電極と回路基板に設けられたはんだ電極とを接合する際に、突起電極とはんだ電極との位置ずれを低減し、突起電極を被覆した鼓状の接合電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】突起電極１５が設けられた半導体素子１０と、固相液相共存領域を有する組成のはんだ電極２５ｃが設けられた回路基板２０とを、突起電極とはんだ電極とが対向するように位置合わせする第１工程と、はんだ電極を固相液相共存領域まで加熱し、所定時間保持する第２工程と、第２工程の後、はんだ電極を液相領域まで加熱する第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装構造を有する構成にて半導体素子からの放熱性を確保できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】この半導体装置１は、被実装対象２を実装対象３に対してバンプ４を介してフリップチップ実装して構成されている。この半導体装置１では、被実装対象２が回路面上であって発熱部の近傍にパッド部を有している。また、実装対象３が熱伝導性材料あるいは放熱性材料から成る実装部３２を有している。そして、パッド部と実装部３２とがバンプ４を介して接続されることにより、被実装対象２が実装対象３にフリップチップ実装されている。 （もっと読む）