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Fターム[5F044KK14]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング用配線基板 (5,003) | 電極部 (1,724) | 金属多層 (179) | ハンダコーティング (67)

Fターム[5F044KK14]に分類される特許

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【課題】バンプ形成領域における接合信頼性を向上させることができる。
【解決手段】半導体装置100は、基板(実装用基板101)と、基板上にフリップチップ接続された半導体素子(半導体素子112)と、を備える。基板(実装用基板101)は、一方の面に素子(半導体素子112)がフェイスダウンで実装されるフリップチップ接続用の基板であって、実装用基板101に設けられた配線104と半導体素子112に設けられた電極パッドとを電気的に接合するバンプの設けられる接合部120と、接合部120を除く素子実装面の一部を覆う絶縁膜(第1絶縁層106および第2絶縁層108)と、を有し、絶縁膜は、バンプ形成領域の内側にバンプ形成領域に沿って帯状に設けられた帯状絶縁膜(第2絶縁層108)を含むとともに、第2絶縁層108の内側の領域において開口部(第2領域122の中央部近傍)を有する。 (もっと読む)


【課題】 フリップチップ接続部の高さを大きくとることができるフリップチップ接合方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法に改良を加えたものである。本方法は、半導体チップの金属バンプ、プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付け、半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とする方法である。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィル樹脂の流れ出しを効果的に防止することのできる配線基板への半導体チップ実装構造を提供する。
【解決手段】配線基板のチップ搭載エリア14内に半導体チップ30がフリップチップ接続して搭載され、該半導体チップ30とチップ搭載エリア14との間の隙間にアンダーフィル樹脂32が充填され、該アンダーフィル樹脂32が半導体チップ30側壁部を這い上がってフィレット部34が形成されると共に、保護レジスト層18上に流れ出たアンダーフィル樹脂32が枠状樹脂ダム20によって堰き止められていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 チップからの信号を正確に伝送することができるフリップチップ実装基板を実現することにある。
【解決手段】 本発明は、 チップに設けられたバンプがフリップチップ実装されるフリップチップ実装基板に改良を加えたものである。本基板は、開放端が形成された配線パターンと、この配線パターンのうち絶縁膜に覆われない所定の長さの導体パターンと、この導体パターンに連続して形成され、バンプが接合される電極パターンとを有し、配線パターンは、複数並んで設けられ、電極パターンは、導体パターンの長さ方向に対して、開放端近傍に設けられることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 半導体素子の狭ピッチ化に伴い、半導体素子と配線基板との間にアンダーフィル材を充填する間隙が狭くなった場合でも、フリップチップ接続によって確実に半導体素子を搭載できる配線基板およびこの配線基板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 フリップチップ接続により半導体素子60を搭載する配線基板10において、半導体素子搭載領域に、前記半導体素子60と電気的に接続される接続端子30を備えた配線パターン20が形成され、該配線パターン20は、絶縁膜形成処理が施されて表面に絶縁膜100が被覆されるとともに、前記接続端子30が形成された部位については前記絶縁膜100が除去されて形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップとの電気的接続のための接続電極間での短絡を防止することができる配線基板およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】この配線基板15は、半導体チップ3が接合される接合面15aに形成され、半導体チップ3との接続のための接続電極14と、接合面15aに形成され、接続電極14を露出させるための開口6aを有するソルダレジスト膜6と、開口6a内において接続電極14上に設けられ、接続電極14よりも固相線温度の低い低融点金属材料からなる低融点金属膜16とを含む。各開口6aは、その容積VOが、その開口6a内に配置される接続電極14の体積VPと低融点金属膜16の体積VLとの和より大きいように形成されている。 (もっと読む)


【課題】 温度変化の大きい環境下に置かれても、異方導電性フィルムと半導体素子及び/または回路基板との接続界面に破壊が生じることなく、良好な導通特性が維持される半導体装置を提供する
【解決手段】 半導体素子30を異方導電性フィルム10を介して回路基板20と電気的に接続してなる半導体装置であって、異方導電性フィルムは、絶縁性樹脂からなるフィルム基板1中に複数の導通路2が、互いに絶縁されて、フィルム基板の厚み方向に貫通してなるものであり、当該異方導電性フィルムのフィルム基板の面1aと回路基板の基板面21aとの間に隙間Sが形成されている。 (もっと読む)


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