説明

Fターム[5F044KK14]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング用配線基板 (5,003) | 電極部 (1,724) | 金属多層 (179) | ハンダコーティング (67)

Fターム[5F044KK14]に分類される特許

41 - 60 / 67


【課題】金−半田接続でフリップチップ接続する際の半田の濡れ性の向上を図る。
【解決手段】水素とドライエアーの混合ガスを燃焼させて形成した炎14を、トーチ13とパッケージ基板3の間に配置したマスク12を介してパッケージ基板3の複数のフリップ用端子上の半田6にパッケージ基板3の表面温度が160〜170℃になるように照射する熱処理を行い、その後に金−半田接続でフリップチップ接続することで、半田6の表面に付着した有機物(カーボン等)を除去して半田6の濡れ性を確保して金−半田接続できる。 (もっと読む)


【課題】ベタ塗りしたときに、ブリッジ、はんだ量不足等の不良を発生することが防止されたプリコート用はんだ組成物を提供する。
【解決手段】中心径が2.4〔μm〕で、その積算分布において、10%および90%のそれぞれにおける粒子径D10およびD90と、両者の差(D90−D10)と、標準偏差SD((D84−D16)/2)とを求めると、D90=3.30〔μm〕であり、(D90−D10=1.655〔μm〕)であり、SD=0.61である。電極および電極周辺部を含む領域にかかるはんだ粉を含有するはんだペーストをベタ塗りして加熱した場合、ブリッジの発生、はんだ量不足の発生を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、バンプ電極付き電子部品を基板にフリップチップ接続する際に、基板の反りを低減し、精度の高い電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】バンプ電極が形成された電子部品11を、熱硬化性樹脂により基板に固着させるフリップチップ実装方法であって、基板上に熱硬化性樹脂を塗布する工程と、底面の中央部に形成された凹部と、この凹部に連通する吸着孔と、前記凹部を取り囲み前記バンプ電極の裏面に接触する凸部と、さらに加熱装置および吸引装置を備えたアタッチメント30を用いて、バンプ電極の裏面から電子部品を吸引保持しながら、基板の電極にバンプ電極を位置あわせして電子部品を基板に載置する工程と、電子部品の中央部分の熱硬化性樹脂の温度と、アタッチメントの前記凸部との温度差が50℃以上となるように調節しながら、電子部品を基板に対して押し付ける接続工程とを有する実装方法。 (もっと読む)


【課題】配線基板の接続パッドにはんだを被着させることなく電子部品を実装することを可能とし、配線基板の接続パッドを狭ピッチに配置することを可能とし、狭ピッチに形成された電極突起を備える電子部品であっても、接続電極間の電気的短絡を防止して搭載することができる電子部品およびこの電子部品を用いた電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極突起12にはんだが被着された接続電極を備える電子部品の製造方法であって、はんだシート20を半溶融状態に加熱し、はんだシート20に電子部品10を押接して前記電極突起12をはんだシート20に接触させる工程と、前記電極突起12が前記はんだシート20に接触した位置から電子部品10を離間させ、はんだシート20に接触した前記電極突起12の外面にはんだ20aを転写させる工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複雑な構成の電子部品や基板を用いることなく、かつ煩雑な製造工程を必要とすることなく、電子部品と基板との間に隙間を形成できるようにする。
【解決手段】本発明は、Sn−Bi系合金が第1の金属として粉末状にされたSn−Bi系粉末合金11と、Sn−Bi系合金よりも高い融点を有するCuが粉末状にされたCu粉状12とがはんだ材としてフラックスに混合されたはんだペーストを用い、Sn−Bi系合金よりも高く、Cu粉末の融点よりも低い加熱温度でリードレス部品20の部品電極23とプリント配線基板5の部品接続ランド6とを熱溶着することにより、溶けることなく固形のまま残ったCu粉状12の上にリードレス部品20の部品電極23が乗っかる形となって、Cu粉状12の直径に相当する隙間を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップ電極のファインピッチ化に対応した導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】導体パターンの形成方法は、基板100の一方の面上に複数の銅パターン110を形成する工程と、各銅パターン110の一部を厚さ方向から押圧し、銅パターン110の一部の幅広領域112を形成する工程と、各銅パターン110上に半田粉末を付着させる工程と、銅パターン上の半田粉末を溶融し、隆起を有する半田めっきを形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】配線基板の接続パッドに設けられたはんだと、半導体チップの電極パッドに設けられたAuバンプとを接合した半導体装置の製造方法に関し、はんだに含まれるSnがAuバンプを介して、半導体チップの電極パッドに拡散することを防止できると共に、配線基板と半導体チップと間の電気的な接続信頼性を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ12の電極パッド31に形成されたAuバンプ13と対向する配線基板11の接続パッド21の接続面21A及び側面21Bに、めっき法により、はんだ14を形成し、次いで、このはんだ14を溶融させて、接続パッド21の接続面21Aに凸形状とされたはんだ溜り15を形成し、その後、はんだ溜りが形成された接続パッド21の接続面21AにAuバンプ13を載置して、はんだ溜り15とAuバンプ13とを接合させた。 (もっと読む)


【課題】従来、半導体装置用基板と半導体素子との間に供給される応力緩和用の樹脂が内部まで充分に浸透しにくいという問題があった。
【解決手段】半導体装置用基板1は、支持基材10、配線20、マスク30、および絶縁層40を備えている。支持基材10上の半導体素子と対向する領域には、マスク30が設けられている。また、支持基材10上には、絶縁層40が設けられている。この絶縁層40は、マスク30と所定の間隔を置いてマスク30を包囲している。ここで、マスク30は、絶縁層40に対して選択的に除去可能である。支持基材10上には、配線20も設けられている。この配線20は、半導体素子と接続される基板配線である。配線20は、その一部がマスク30と絶縁層40との間の領域に露出している。 (もっと読む)


【課題】生産性が高く、実装基板の反りを低減でき、さらに接合信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ21の電極パッド22にはんだバンプ23を形成し、実装基板24の接合端子25にはんだバンプ23よりも低融点のはんだ層26を形成する第1の工程と、はんだ層26の融点より高く且つはんだバンプ23の融点より低い温度に硬化開始温度を有する樹脂組成物27で接合端子25を被覆する第2の工程と、実装基板24上に半導体チップ21をマウントし、樹脂組成物27の硬化開始温度より低い温度に加熱してはんだ層26を溶融させる第3の工程と、樹脂組成物27を硬化させる第4の工程と、はんだバンプ23を溶融させてはんだ層26と一体化させる第5の工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】回路基板の同一表面上に半田プリコート層および金属めっき層を混在させて形成し、半導体素子およびチップ部品の接合性を容易にすることができる電子回路モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電子回路モジュール1の製造方法は、接続端子3、4の形成工程A、第1の接続端子3への半田プリコート層11の形成工程B、めっき用レジスト膜20による第1の接続端子3の被覆および第2の接続端子4の露出工程C、第2の接続端子4への金属めっき層10の形成工程D、加熱したバンプ6をめっき用レジスト膜20に埋没させて第1の接続端子3に当接させる工程E、バンプ6と第1の接続端子3との接合工程F、および、第2の接続端子4とチップ部品8との接合工程Gを備える。 (もっと読む)


【課題】 電子回路基板上にベタ塗りしてはんだをプリコートした際に、パッドの形状に関わらず、膨れや欠落が生じることなく、高さにバラツキがないはんだを形成することができるはんだペースト組成物を提供する。
【解決手段】 電極表面にはんだをプリコートするのに用いられるはんだペースト組成物であって、はんだ粉末およびフラックスを含むとともに、はんだ粉末を構成する金属種と電極表面を構成する金属種のいずれとも異なる金属種の金属粉を、はんだ粉末総量に対して0.1重量%以上20重量%以下の割合で含有しているか、または、加熱によりはんだを析出させる析出型はんだ材料およびフラックスを含むとともに、析出型はんだ材料中の金属成分を構成する金属種と電極表面を構成する金属種のいずれとも異なる金属種の金属粉を、析出型はんだ材料によって析出させようとするはんだの総量に対して0.1重量%以上20重量%以下の割合で含有している。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】ボールグリッドアレイによる実装がされた半導体装置1において、樹脂基板20上にCu膜21で構成されるパターン電極を形成する。樹脂基板20上に形成されたソルダレジスト22の表面からCu膜21の表面まで貫通した開口部23を設け、半導体パッケージ10の電極パッド11に接合された半田ボール12とCu膜21が開口部23に充填された予備半田24を介して電気的に接続される。このような半導体装置1によれば、半田ボール12とCu膜21を直接接合させた場合に集中して発生する応力を緩和させることができ、接合部分に発生するクラックを抑制することができる。その結果、信頼性の高い半導体装置が実現可能になる。 (もっと読む)


【課題】はんだ被着面の清浄化、表面改質のためにプラズマ照射を行うプラズマ照射装置を部品実装ラインに効果的に組み込む。
【解決手段】部品実装装置10は、導電性金属からなる所定の配線パターンを有する基板上に、チップ構造を有する電子部品をマウントし、これをリフローはんだ付けする表面実装ラインを構成する。部品実装装置10は、基板供給装置11、プラズマ照射装置12、はんだ印刷装置13、接着剤ディスペンサ14、マウンタ15、リフロー炉16、検査装置17及び基板受取装置18を備える。プラズマ照射装置12は、クリームはんだがスクリーン印刷される部分にプラズマを照射し、その表面の清浄化、表面改質を図る。 (もっと読む)


【課題】半導体装置が熱ストレスを受けた場合に、半田の下部にクラックが発生するのを防止し、端子パッドと半田との間における接合の信頼性を向上させる。
【解決手段】外部部品との接合に用いるための金属ボール21を、第1半田層19を介して第1端子パッド17上に設ける。そして、熱ストレスが集中する箇所、すなわち、第1半田層19のクラックが伸展する箇所に、金属ボール21が存在するように第1半田層19の層厚を設定する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、レベリング処理のされていないボールバンプ20が形成された半導体チップ10を用意する工程と、表面に電気的接続部32が形成された基板30を用意する工程と、半導体チップ10を基板30に搭載して、ボールバンプ20と電気的接続部32とを接触させて電気的に接続する工程と、を含む。電気的接続部32は、はんだ層36を含む。半導体チップ10を基板30に搭載する工程では、ボールバンプ20をはんだ層36の融点よりも低い温度に加熱して電気的接続部32に接触させた後に、ボールバンプ20及び電気的接続部32をはんだ層36の融点よりも高い温度に加熱する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の良好な半導体実装モジュールを実現する。
【解決手段】絶縁膜23に設けられた絶縁膜不形成部27と、この絶縁膜不形成部27に設けられた接続ランド28とを含んだ配線基板22と、この配線基板22に装着される半導体素子24と、この半導体素子24に接続されるとともに接続ランド28と対応する位置に設けられたはんだバンプ25a、25bと、半導体素子24と配線基板22との間の隙間32に充填された樹脂33とを備え、接続ランド28とはんだバンプ25a、25bとの間は、凹版転写によって形成された凹版転写導体30a、30bで接続されたものである。これにより、樹脂33中のボイドやはんだ粒などの発生を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】隣接する半導体チップ間での接合工程における熱的な相互作用を低減して接合部の信頼性を高めることができるマルチチップ型の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、はんだバンプ23よりも低融点のはんだ層25をランド24上に形成し、半導体チップ21と実装基板22との間の仮固定を当該はんだ層25の溶融接合によって得るようにしている。従って、実装基板22に対する個々の半導体チップ21のマウントを従来よりも低温で行うことができるので、マウント工程の処理時間短縮を図ることができるとともに、隣接する半導体チップ21間での接合工程における熱的な相互作用を低減して接合部の信頼性を高めることができる。また、各半導体チップ21の本接合はその後のリフロー工程において複数個同時に行われので、チップ個々のはんだ接合部を高い信頼性で一様に形成することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップと実装基板との間の仮固定力を高めて位置ずれを防止し、かつ接合信頼性を高めることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、はんだバンプ23よりも低融点のはんだ層25をランド24上に形成し、半導体チップ21と実装基板22との間の仮固定を当該はんだ層25の溶融接合によって得るようにしている。これにより、フラックス26のタック力を利用する場合に比べて接合部の仮固定力と密着力の向上を図ることができ、工程間の搬送時における半導体チップ21の位置ずれを防止でき、接合部の信頼性を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ハンダ等による電気的導通の確実性の向上、高密度実装の達成、短サイクル時間、ボイドフリー実装、基板の反りの低減等を解決することを目的とする。
【解決手段】 金属バンプが形成された電子部品26の実装方法であって、基板21上に熱硬化性樹脂30を塗布する工程と、前記電子部品26を加熱圧着装置27に保持した状態で、この方法における最高温度まで加熱する工程と、前記最高温度にて、前記電子部品のバンプ29を前記基板の電極22に押し付ける接合工程と、この状態を保ちながら、前記最高温度から最終温度まで温度を低下させ、その間に前記熱硬化性樹脂30を硬化させる樹脂硬化工程と、最終温度に達したときに、前記加熱圧着装置27を電子部品26から離す工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】 本発明は、マイクロ電子部品(11)と支持基板(12)との間で接点構造(10)を形成する方法、および、当該方法によって形成される部品ユニット(24)に関する。本発明によれば、部品とレーザエネルギとの後方衝突により接続領域で熱エネルギが生み出され、部品および支持基板の対向する接続面(17,18)間に機械的な接続接点(23)が形成され、ハンダ材料を少なくとも部分的に溶解させることにより支持基板および部品の接続面(13,15)間に少なくとも1つの導電接続接点(22)が形成され、当該接続面が互いに対して角度を成して配置される。前記方法によって形成される部品は少なくとも1つの接点構造を有する。 (もっと読む)


41 - 60 / 67