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Fターム[5F044KK14]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング用配線基板 (5,003) | 電極部 (1,724) | 金属多層 (179) | ハンダコーティング (67)

Fターム[5F044KK14]に分類される特許

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【課題】熱、応力等の外的負荷を低減し、加工工程の簡略化を図り、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】金属端子膜4の材料となる液状体を実装基板2上に塗布する塗布工程と、前記実装基板2上に塗布された前記液状体に半導体部材の接続端子5が接触するように、前記実装基板2の上に前記半導体部材を載置する載置工程と、前記液状体を固化する固化工程と、を含む。従って、異方性導電材料等を用いて電気的に接続を行う必要がないので、加工工程を簡略化することができる。 (もっと読む)


半導体デバイスを形成する方法が開示される。第1の接点と、第1の接点上に形成された非ドープの電気メッキされた鉛フリーのハンダ・バンプ(610)とを有する半導体基板が、提供される。第2の接点と、ドーパントを含む第2の接点上のドープした鉛フリーのハンダ層(510)とを有するデバイス・パッケージ基板が、提供される。ドーパントが鉛フリーのハンダ・バンプ内に組み入れられると、ドーパントは、非ドープの鉛フリーのハンダ・バンプの凝固過冷却温度を縮小する。非ドープの電気メッキされた鉛フリーのハンダ・バンプとドープした鉛フリーのハンダ層とが溶融され、それにより、ドーパントが非ドープの鉛フリー・ハンダの中に組み入れられ、ドープしたハンダ・バンプ(140)が形成される。ハンダ・バンプは、第1の接点と第2の接点との間に電気的接続をもたらす。
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【課題】 配線基板の製造方法に関し、基板電極に予備はんだを印刷プリコート法で形成する際に、ブリッジを発生させることなく、且つ、均一なはんだ量の予備はんだを予め定めた位置に再現性良く形成する。
【解決手段】 基板上に形成された電極領域に末端基としてチオール基を有する有機物を付与する工程と、前記基板の表面に疎水性を付与する工程と、次いで、前記有機物を除去する工程と、次いで、前記電極領域にはんだを付着する工程とにより配線基板を製造する。 (もっと読む)


【課題】
樹脂製基板に半導体素子を実装する際の加熱温度を抑えることで、はんだ接合部の応力を低減して電子部品実装用基板と半導体素子との接続信頼性を高めることのできる半導体素子実装方法を提供する。
【解決手段】
電子部品実装用の樹脂製基板上に設けられた電極部に、Sn−Bi系はんだ組成物を供給する工程と、前記Sn−Bi系はんだ組成物が供給された電極部に、Sn−Ag系はんだボールを載置する工程と、前記Sn−Ag系はんだボールの位置に対向するように、Sn−Bi系はんだ組成物が供給された半導体素子の電極部を合わせて、該半導体素子を前記Sn−Ag系はんだボールに載置する工程と、前記Sn−Bi系はんだ組成物の融点以上前記Sn−Ag系はんだボールの融点未満の温度で加熱して、前記樹脂製基板側及び前記半導体素子側のSn−Bi系はんだ組成物を溶融させて、前記Sn−Ag系はんだボールを介して前記樹脂製基板に前記半導体素子を接合する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子実装方法。 (もっと読む)


【課題】 実装時の接合力を高めるためのダミー柱状電極を有しても、本来の柱状電極の配置領域に制限を受けにくいようにする。
【解決手段】 半導体装置1において、シリコン基板2下の周辺部にダミー柱状電極15を設け、シリコン基板2下の周辺部以外の領域に柱状電極14を設けているので、本来の柱状電極14の配置領域に制限を受けにくいようにすることができる。そして、半導体装置1のダミー柱状電極15を回路基板21のダミー接続パッド24に半田28を介して接合すると、実装時の接合力を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】実装密度の向上に伴い微細化され、再配線基板や半導体ウエハなどの半導体実装用基板に設けられる電極に、はんだ合金を高品質にプリコートする方法を提供する。
【解決手段】前記基板上の電極が設けられている領域に、はんだ紛とビヒクル成分とを含有するペースト材料13を供給し、該領域と隣接する電極が設けられていない領域5には、はんだ紛を含有せず、前記ビヒクル成分からなるペースト材料14を供給し、しかる後、前記基板を加熱して前記はんだ紛を溶融することにより、前記電極にはんだ合金をプリコートすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】搭載面に露出して形成された複数本の導体パターンの各露出面の全面が金属ろう材層で覆われた配線基板であって、導体パターンの狭ピッチ化によって、隣接する導体パターン間で金属ろう材のブリッジ等が発生する従来の配線基板の課題を解決する。
【解決手段】電子部品が搭載される搭載面に形成された複数本の導体パターン16のうち、少なくとも前記電子部品のバンプが当接する当接面及びその両側面から成る露出面の全面がはんだ層30で覆われており、はんだ層30が溶融されて、導体パターン16に対応する電子部品のバンプと当接して電気的に接続される配線基板10であって、前記当接面が露出して隣接する導体パターン16,16の間を充填する樹脂層32に、導体パターン16の側面を覆うはんだ層30が露出する溝34が、導体パターン16の両側面の各々に沿って形成され、且つはんだ層30が溶融されたとき、溶融状態のはんだが隣接する導体パターン16側に流出することを防止する隔壁が、前記樹脂層32によって形成されている。 (もっと読む)


【課題】接着剤後入れ工法における接着剤未充填の電子装置搬送時に接合部が破損し易いという課題と、接着剤先入れ工法における実装基板と電子部品との空間部に充填される接着剤に未充填部が発生し易いという課題とを同時に解決する。
【解決手段】実装基板に第1の接着剤を塗布する塗布工程と、接続パッドとバンプとが接触するように実装部に電子部品を載置した後、電子部品の反実装面に加熱ヘッドを押し付けて電子部品を加熱し、第1の接着剤を硬化させて実装基板と電子部品とを接着する第1の加熱工程と、減圧下で実装基板と電子部品との間の空間部に第2の接着剤を充填する充填工程と、その実装基板および電子部品を減圧下から大気圧下に戻した後、電子部品の反実装面に加熱ヘッドを押し付けて電子部品を加熱し、第2の接着剤を硬化させると共に、接続パッドとバンプとを接合させる第2の加熱工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】 実装した半導体チップを実装基板に実装するとともに、初期不良が発見された半導体チップを容易に取り外すことが可能な電子部品を提供する。
【解決手段】 第1の基板(1)の表面上に第1のパッド(2)が形成されている。第1のパッドの表面上に金属膜(3)が配置されている。第1の基板の、第1のパッドが形成された面に対向するように第2の基板(6)が配置されている。第2の基板の、第1のパッドに対向する表面上に第2のパッド(7)が形成されている。導電性のナノチューブ(8)の一端が第2のパッドに接続され、他端が金属膜内に埋め込まれている。金属膜と、ナノチューブとの界面に、ナノチューブの少なくとも1つの構成元素と、第1のパッドの少なくとも1つの構成元素とを含む導電性の化合物からなる中間膜(9)が配置されている。 (もっと読む)


【課題】高温にしたノズルで半導体チップ等を吸着し、基板の電極部上に設けた半田を加熱してフリップチップ実装する場合、電極間での温度上昇にばらつきがあると、接続の信頼性が低下してしまう。
【解決手段】半導体チップがフリップチップ実装される配線基板12上には、配線パターン18〜34の一部に電極部18a〜34aが確保されており、各電極部18a〜34a上に半田36が塗布されている。このとき半田36は、配線パターン18〜34への熱の分散(逃げ)を考慮して予めの使用量(塗布量)が個別に調整されている。例えば、面積の大きい配線パターン18では半田36の使用量を少なくし、その他の配線パターン20〜34では半田36の使用量を多くする。 (もっと読む)


【課題】接続パッド上にはんだが設けられるフリップチップ実装用の配線基板において、接続パッドのピッチを狭小化できる配線基板を提供する。
【解決手段】複数の接続パッド22と接続パッド22にそれぞれ繋がる引き出し配線部24とが表層側の絶縁層30に配置された構造を含み、引き出し配線部24は接続パッド22から屈曲して配置されており、接続パッド22上に突出するはんだ層42が設けられている。引き出し配線部24上のはんだが屈曲部B側に移動して接続パッド22上に突出するはんだ層42が形成される。 (もっと読む)


【課題】鉛(Pb)フリー半田から成る半田ボールが接続される回路基板、電極と前記電極上に形成された鉛(Pb)フリー半田から成る半田ボールを有する半導体装置、及び当該半導体装置の製造方法であって、鉛(Pb)フリー半田から成る半田ボールと電極との接合強度(密着強度)を向上させて実装の信頼性を向上させることができる態様を提供する。
【解決手段】電極55に、鉛(Pb)フリー半田から成る半田ボール65を接続される回路基板50において、前記電極55は、銅(Cu)を主成分とする第1の層51と、前記第1の層上に形成されたニッケル(Ni)を主成分とする第2の層52と、前記第2の層上に形成された錫ニッケル(Sn−Ni)合金を主成分とする第3の層54とを有する。 (もっと読む)


【課題】回路基板への実装が容易で、実装信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体装置1は、半導体基板2と、電極21に設けられるAuバンプ3とを備える。Auバンプ3は、突起3aを備え、Auバンプ3の周囲には、Ni層31を介して半田層32が形成されている。突起3aにより低加重で容易に半導体装置1を実装することができる。また、回路基板6上の電極61に供給する半田62の量を少なくしても、実装後は十分な量の半田33で接合することができる。さらに、Ni層3がバンプ食われを防止するので、高い実装信頼性を確保することができる。 (もっと読む)


【課題】リフロー加熱時における熱によってプリント配線基板面に反りが生じても半田クラックや回路パターンのパターン剥がれ、BGAの角部の半田ブリッジ(短絡不良)の発生を防止する方法を提供する。
【解決手段】BGA9を実装するプリント配線基板11において、半導体装置をプリント配線基板11に実装時に印刷する半田付け用材料13を、半導体装置の中心から外側に向かって前記半田付け用材料13の量が少なくなるように印刷し実装することにより、リフロー加熱時に発生するBGA9およびプリント配線基板11の反りが発生しても、半田接続不良を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】半田が溶融する時の電子部品14の中心軸のズレを抑制し且つ電子部品14の回転方向のズレを許容する。
【解決手段】電子部品14の電極は第1〜第4の半田付け位置P〜Pにおいて第1〜第4のランド部13a〜13dに接続され、第1の半田付け位置Pと第3の半田付け位置Pは電子部品の対角上に配置され、第2の半田付け位置Pと第4の半田付け位置Pは電子部品の他の対角上に配置され、第1のランド部13aは、第1の半田付け位置Pから+Y方向に向けて延長され、第2のランド部13bは、第2の半田付け位置Pから+Y方向に対して略90度の角度に向けて延長され、第3のランド部13cは、第3の半田付け位置Pから+Y方向に対して略180度の角度に向けて延長され、第4のランド部13dは、第4の半田付け位置Pから+Y方向に対して略270度の角度に向けて延長されている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子のバンプと基板に形成された接続パッドとの位置ずれを抑えて、正確なフリップチップボンディングを可能とする。
【解決手段】ボンディングヘッド100により半導体素子10を加熱して支持し、半導体素子に形成されたバンプ12を、基板20の接続パッド22に被着された接合用の導電材24に接触させて押圧しながら導電材を溶融させる工程においては、規制手段44a、44bによりヘッド軸40の横方向の変位を規制して半導体素子10を基板20に押圧し、導電材24を溶融する工程に引き続いて、前記バンプ12を前記接続パッド22に当接させ、前記ボンディングヘッド100により半導体素子を基板に加圧する工程においては、規制手段44a、44bによる規制を解除し、前記ガイド部42により前記ヘッド軸40をガイドして加圧する。 (もっと読む)


【課題】半導体実装用基板のソルダーレジスト開口部全面にハンダを供給した場合に、従来各半導体接合用電極端子に略定量のハンダが供給されず、特定の電極端子に過多のハンダ量が供給されたり、逆にハンダ不足になり、高品質のハンダプリコートができなかった。
【解決手段】前記接合用基板電極端子の配列パターンが不均一となっている領域に、前記接合用基板電極端子4と同一形状のダミー用基板電極端子9を付加して、前記領域内に前記接合用およびダミー用電極端子(以下、両者を配置電極端子という)を、略均一に配列し、互いに隣接する前記配置電極端子と前記ソルダーレジスト開口部とが略均一な配列パターンとなるようにした。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージ用プリント基板の表面処理作業において、各パッドの鍍金の際、マスキング作業をすべて省略するか最小化することで、工程を簡素化するとともに実装信頼性を向上させる、半導体パッケージ用プリント基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ワイヤーボンディング用パッドとSMD実装用パッドを含む、一定の回路パターンが形成されたパッケージ用プリント基板を提供し、前記プリント基板のワイヤーボンディング用パッド及びSMD実装用パッドを除いた部分にソルダレジスト層を形成し、無電解ニケル鍍金及び無電解金鍍金によって、前記ワイヤーボンディング用パッド及びSMD実装用パッドに無電解ニッケル/金鍍金層を形成し、電解金鍍金によって、前記SMD実装用パッドのENIG層のうち、鍍金引入線が連結された一部ENIG層とワイヤーボンディング用パッドのENIG層に電解金鍍金層を形成する。 (もっと読む)


【課題】不良の有無を正確に判定することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、電極上に半田膜を形成する。次に、半田膜に斜めから光を当て反射光を測定して原画像を得る。次に、原画像の輝度を長辺方向に微分して微分データを得る。次に、微分データを短辺方向に積算して積算値を求める。次に、積算値の最大値と最小値の差が所定の値以上であり、積算値が最大となる位置と最小となる位置の幅が所定の幅以下である場合に不良と判定する。 (もっと読む)


【課題】 配線基板と外部電気回路基板との間の電気的な接続を良好に保つことが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】 絶縁基板1と、絶縁基板1の表面に被着された銅から成る半田接続パッド4と、絶縁基板1の表面および半田接続パッド4の外周部に被着されており、半田接続パッド4の中央部を露出させる開口部5bを有するソルダーレジスト層5と、開口部5b内に露出する半田接続パッド4に被着された半田層7とを具備して成る配線基板であって、半田接続パッド4は開口部5b内に露出する部位の厚みが開口部5bの高さの途中まで嵩上げされている。 (もっと読む)


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