【課題】 十分に信頼性の高い理想的な接合状態を得るのに最適な半田バンプを有する半導体部品の実装方法および実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半田バンプ２６ａを有する半導体部品２６および半田バンプ４２ａを有する基板４２を加熱し、半田バンプ２６ａ、４２ａの一端部を凹凸を有するステージに押圧して塑性変形させ、十分な面積の新生面を形成する。前記新生面にフラックス塗膜３２を転写して塗布する。半導体部品２６の半田バンプ26ａを基板４２の半田バンプ４２ａの上に載置して、半導体部品２６を基板４２に搭載する。半導体部品２６および基板４２を加熱して半田バンプ２６ａ、４２ａを溶融接合する。 （もっと読む）

【課題】回路基板にはんだ付けされている低耐熱性表面実装部品を、回路基板や低耐熱表面実装部品の性能に影響を与えることなく、回路基板から取り外すことができるようにする。
【解決手段】低耐熱性表面実装部品１の面の外周寄り２でのはんだバンプ３を、中央寄りのはんだバンプ３よりも、低融点のはんだで形成する。回路基板の低耐熱性表面実装部品１の部分を局所的に加熱し、はんだバンプを溶融して取り外すのであるが、このように局部加熱すると、低耐熱性表面実装部品１の中央寄りに対し、外周寄りでは加熱温度が低い。このため、外周寄りでは、融点の低いはんだによるはんだバンプを用い、このような低い加熱温度でも、はんだバンプが溶融するようにする。これにより、低耐熱性表面実装部品１の面全体のはんだバンプが溶融する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と回路基板との間の接続部位におけるショートの防止。
【解決手段】端子電極２を有する半導体装置１００が、入出力端子電極８を有する回路基板９に実装され、端子電極２と入出力端子電極８とが対向配置されて電気接合層１３を介して電気接続されている。ＩＣ基板１の一面１ａに設けられた端子電極２と、一面１ａに設けられたパッシベーション４と、パッシベーション４を覆う保護膜５とを有する。端子電極２の上部はパッシベーション４と保護膜５とが除去されており、端子電極２上に凹部４５が形成されている。電気接合層１３は、その周囲が凹部４５によって囲まれることで周囲への流出が阻止される。
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【課題】負荷のかかる部分の下にＭＯＳトランジスタを置いた場合にＭＯＳトランジスタの特性、特に電気特性が変動してしまうことを逆に利用することで半導体装置の電気的な特性を制御する方法やその組立方法について提供する。
【解決手段】半導体チップ(1)基板内に金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ(2)を含む半導体装置であって、電流能力及びしきい値電圧が所定値と異なるＭＯＳトランジスタ(2)の上部に、バンプ(6a)を形成し、前記バンプ(6a)を基板に固定する。これにより、従来は電気特性異常であった半導体装置の電気特性改善が可能となる。また、半導体特性の向上や能力ＵＰさせる方法や組立方法の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 設計上の間隔の規格を遵守しながら、電極パッドを狭ピッチ化することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、電極パッドが多段に配列された半導体チップ１とテープ配線基板１２との実装体であって、半導体チップの外周に並んだ電極パッドの間を通って、内側の電極パッドに接続されたテープ配線基板１２の配線６が２本以上まとめて半導体チップ１の外側へ引き出されていることにより、安定した接続性を確保しながら、半導体チップ全体の電極パッドの平均ピッチの狭ピッチ化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 配線パターンの引き回しが容易になったり、基板の小型化を図ったりすることができる半導体素子の実装構造等を提供する。
【解決手段】 基板に対して、フェイスダウンボンディングするためのバンプ電極群を備えた半導体素子と、基板上の配線パターンと、を電気接続した半導体素子の実装構造等であって、バンプ電極群が、半導体素子の一辺に沿って配列された第１のバンプ電極列と、半導体素子の対向する一辺から所定距離だけ離して、実質的に直線状に面内配置された第２のバンプ電極列とを含み、基板上に、第１のバンプ電極列に対応した第１の配線パターンと、第２のバンプ電極列に対応した第２の配線パターンとがそれぞれ形成してあり、かつ、鉛直方向に眺めた場合に、第１の配線パターンが半導体素子の一辺と交差するように引き出して形成してあるとともに、第２の配線パターンが、半導体素子の一辺以外の複数辺と交差するように引き出して形成してある。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの厚みが薄い場合でも優れた接続信頼性を得ることが可能な半導体チップの配線基板への接続構造及びこれに用いる配線基板を提供する。
【解決手段】半導体チップ１と配線基板４の接続構造であって、半導体チップおよび／または配線基板に突起電極２が設けられ、突起電極表面の平均粗さ（ＪＩＳ、Ｂ０６０１、１０点平均粗さ）が０．５μｍ以上であり、接続後の半導体チップの周縁部電極に囲まれた領域内に突起電極と略同等高さのダミー電極６が設けられ、ダミー電極は接続面を投影した時、三角状、エル（Ｌ）字状のいずれかもしくはこれらの２種、または、半円弧状、コの字状のいずれかもしくはこれらの２種が複数個存在し、さらにこれらの頂点が接続領域の中央部に向けて形成されており、厚みが０．３ｍｍ以下の前記半導体チップと配線基板とが接着剤１１で接続されてなる半導体チップの接続構造。 （もっと読む）

【課題】表面実装型の電子部品とそれを実装する基板上に設けられた配線電極とをＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材で接合する半導体装置において、半田材による接合品質を向上させる。
【解決手段】電子部品１における基板３との対向面上に、複数の電極端子２を設け、基板３の主面上における各電極端子２と対向する領域に、凹凸形状を有する複数の配線電極４を設けることにより、電子部品１を基板３上に実装後の接合部に生成する金属間化合物層を凹凸に形成させ、発生する応力を金属間化合物層以外に分散させる。 （もっと読む）

【課題】 ファインピッチ化および多ピン化に対応した実装技術、並びにその実装技術を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 主面上の外周部に複数のバンプ２が配置された半導体チップ１Ｃと、ＣＯＦテープに形成されたリード１９ｂとが、複数のバンプ２を介して電気的に接続された半導体装置であって、複数のバンプ２は、チップ端側に配置された複数のバンプ２ａと、チップ中心側に配置された複数のバンプ２ｂとが互いに千鳥配置されてなり、バンプ２ｂと接続されたリード１９ｂは、バンプ２ａ間における幅が、リード１９のバンプ２ｂと接続する部分における幅より狭い。 （もっと読む）

電子部品において平坦な上面を有するパッドを作製する方法であって、ａ）第一電子基板上に硬化性シリコーン組成物の平坦な上面を有する堆積物をステンシル印刷する過程であって、第一電子基板が半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択され、平坦な上面を有する堆積物のステンシル印刷がダウンステップステンシルを通したスクイジーにより行われる、堆積物をステンシル印刷する過程と、ｂ）平坦な上面を有する堆積物を硬化させる過程であって、それにより、平坦な上面を有するパッドを形成する、堆積物を硬化させる過程と、任意にｃ）平坦な上面を有するパッドの上面に第二電子基板を接着する過程であって、第二電子基板は半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択される、第二電子基板を接着する過程、並びに、任意にｄ）過程ａ）、ｂ）及びｃ）を反復する過程を包含する、パッドを作製する方法。

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【課題】 半導体デバイスや半導体モジュールの誤実装を低減する。
【解決手段】 半導体デバイス１０の半導体パッケージ１１の裏面に配設された各接続電極１２に融点の異なる第１の半田ボール１３及び第２の半田ボール１４を接合し、融点の低い第１の半田ボール１３を半導体デバイス１０の外周側に配設し、融点の高い第２の半田ボール１４を内周側に配設する。そして、ベース基板２１上に接点２２を配設し、この接点２２上に半田ペースト２３が印刷された実装基板２０上に半導体デバイス１０を配置し、第１の半田ボール１３が溶融する第１の温度まで加熱し、次に第２の半田ボール１４及び半田ペースト２３が溶融する第２の温度まで加熱するリフロー半田付けを行う。 （もっと読む）

【課題】 低コストで信頼性を確保することができる半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半導体装置の実装構造を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体素子１の電極形成面を封止した封止樹脂層を貫通して電極と導通して形成された導電部を有する半導体装置１’を製造する半導体装置の製造方法において、半導体素子１の電極２上に金属バンプ３を形成し、非接着性表面を有し封止用の樹脂５が塗布されたフラットニングステージ４に対して半導体素子１の金属バンプ形成面側を押圧することにより金属バンプ３の端部を平坦にするとともに樹脂５を固化させて封止樹脂層５’を形成して半導体装置１’を得る。これにより封止樹脂層５’を貫通する導電部３’を金属バンプによって充分な厚さで形成することができ、信頼性に優れた半導体装置１’を低コストで製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを配線基板にワンタッチで実装したり実装し直したりできる半導体チップの実装構造を得る。
【解決手段】 半導体チップの接続端子１２に突起２０を設ける。配線基板３０の絶縁基板３２には、突起２０を遊嵌する穴４０を設けて、絶縁基板３２表面に備えた導体回路５０の一端に設けた板状の導体リング５２の内側周縁を穴４０の開口部上端に庇状に突出させる。そして、半導体チップの突起２０の中途部を、導体リング５２の弾性に抗して、導体リング５２の内側に挿抜可能に押入、係止できるようにする。それと共に、半導体チップの突起２０の下部を、絶縁基板の穴４０に遊嵌できるようにする。そして、半導体チップ１０を配線基板３０に実装できるようにする。 （もっと読む）