【課題】反応ガスの濃度分布を改善できる気相成長装置を提供すること。
【解決手段】内部で半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを成長させる反応容器と、シリコンソースとキャリアガスとを含む反応ガスを、前記半導体ウェーハＷの主表面に沿って該主表面に供給可能な第一のガス供給管３３１と、シリコンソースとキャリアガスとドーパントガスとのうち少なくとも一つを含むガスを、前記半導体ウェーハＷの主表面に沿って該主表面に供給可能な第二のガス供給管３３２と、を備え、前記第一のガス供給管３３１から供給される前記反応ガスの供給方向と前記第二のガス供給管３３２から供給される前記ガスの供給方向とのなす角度が３０〜１２０度であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に窒化物体を成長させる際に生じる成長用基板の反りを抑制して、基板上の窒化物体の窒化物体の品質および再現性を向上させる窒化物体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物体の成長用基板３を保持する保持体１を用いた窒化物体の製造方法であって、（１）成長用基板３の主面のうち窒化物体を成長させない側の非成長主面の全面が保持体１と密着しないようにして、保持体１により成長用基板３を保持する工程と、（２）保持した基板３上に気相成長法により窒化物体を成長させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の有無を簡便な手法により評価するエピタキシャルウェーハの評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの評価方法は、レーザ散乱光方式の走査装置５を用いて、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１に形成されているエピタキシャル層ＥＰのヘイズ値を測定し、ヘイズ値から得られるパラメータに基づいてエピタキシャル層ＥＰの有無を評価する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子、発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】半導体素子は、基板と、前記基板上に配置される複数個の柱と、前記基板上に前記柱の間に配置される金属層と、前記柱の上及び間に配置される半導体層と、を含む。半導体素子は、金属層によって、電気的及び光学的特性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハが載置されていないサセプタの上面での反応ガスの消費を抑制することでエピタキシャル層の厚さを均一にすること。
【解決手段】本発明の気相成長装置用のサセプタ２は、半導体ウェーハＷを載置する少なくとも一つの凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタ２であって、半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを成長させる反応ガスと反応しない非エピタキシャル成長領域２２が前記サセプタ２の上面に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高抵抗エピタキシャル層の連続成長時、炉内ガスパージ後に滞留した第１層用の成長ガスを原因としたオートドープを抑えて、高抵抗エピ層の深さ方向の抵抗率プロファイルダレが小さいＩＧＢＴ用エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】高抵抗エピタキシャル層成長時、反応容器の幅方向の中央部からの成長ガスの流量比を４０〜５５％としたので、高濃度ｎ形ドーパントを含む第１層用の成長ガスの炉内滞留量が減少する。その結果、滞留ガス中の高濃度ｎ形のドーパントが第２層へ回り込むオートドープが抑制され、第２層は成長当初から成長終了まで略均一なドーパント濃度となり、第２層の深さ方向の抵抗率プロファイルのダレが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減させるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハＷを載置する凹状のウェーハ載置部２１を上面に有する気相成長装置用のサセプタ２を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法であって、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘを形成させる酸化膜形成工程と、酸化膜形成工程を経た後、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を下側にして、半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置するウェーハ載置工程と、ウェーハ載置工程を経た後、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より急峻且つより安定したＳＲプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】不純物を含有するシリコン単結晶の基板Ｓの直上に、基板Ｓよりも不純物濃度が低い第１層を気相成長させる第１成長工程（１ｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ工程）と、第１層よりも上に第２層を気相成長させる第２成長工程（２ｎｄ Ｇｒｏｗｔｈ工程）とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、第１成長工程において、強制的に排気を行って常圧ＡＰ以下の第１圧力ＲＰの下で気相成長させ、第２成長工程において、第１圧力ＲＰより高い第２圧力ＡＰの下で気相成長させるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ホモエピタキシャル素子層の再成長基板として使用するのに好適な高品質のＧａＮ厚膜を成長させる方法を提供する。
【解決手段】 III 族窒化膜を製造する方法であって、基板の成長面上に無極性III 族窒化膜を成長させる工程を含み、前記基板の前記成長面は無極性ではなく、前記無極性III 族窒化膜の上面には平坦な鏡面を形成する。特に、極めて平坦な無極性ａ面ＧａＮ膜をハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって成長させる。得られる膜は、種々の成長技術によって素子を順次再成長させるのに適している。
【選択図】 図４
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【課題】裏面デポの膜厚測定を可能とする方法の提供。
【解決手段】ＦＴＩＲ法によってシリコンウェーハにおける０．３μｍ以下の膜厚変化を測定するための膜厚測定方法であって、膜厚変化を測定する面Ｓ２に測定用の補助膜Ａを成膜する補助膜形成工程Ｓ０１と、補助膜Ａの膜厚を測定する補助膜厚測定工程Ｓ０２と、膜厚変化後に膜厚変化Ｔｒａを測定する測定工程Ｓ０４と、測定工程Ｓ０４の結果および補助膜厚測定工程Ｓ０２の結果から膜厚変化Ｔｒを算出する算出工程Ｓ０５とを有する。 （もっと読む）

より高い不純物濃度のアルカリ金属を保有する六方晶系ウルツ鉱基板を使用することによって、低い不純物濃度のアルカリ金属を伴う六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層を得る方法であって、エピタキシャル層がその上に成長させられる基板の表面は、ｃ面とは異なる結晶面を有する方法。本発明の１つ以上の実施形態による、六方晶系ウルツ鉱基板上に成長させられる六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、六方晶系ウルツ鉱基板中のアルカリ金属の不純物濃度よりも低い、六方晶系ウルツ鉱型層中のアルカリ金属の不純物濃度を有し、六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、ｃ面とは異なる結晶面を有する六方晶系ウルツ鉱基板の表面上に成長させられる。
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【課題】高い結晶性を維持し、かつ低いコストを維持するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材、エピタキシャルウエハ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法は、異種基板１１を準備する工程と、異種基板１１上に、主表面を有するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層を成長させる工程とを備えている。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層における主表面に位置する組成比ｘ＋ｖは、０＜ｘ＋ｖ＜１である。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面から主表面に向けて組成比ｘ＋ｖが単調増加または単調減少する。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長の際、最外周付近におけるエピタキシャル層の厚さ（あるいはエピタキシャル層のロールオフ、ＺＤＤ）を任意に制御してエピタキシャルウエーハを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】被処理ウエーハ上に原料ガスおよびキャリアガスを供給してエピタキシャル層を気相成長させることによりエピタキシャルウエーハを製造する方法において、
前記供給するキャリアガスの流量を制御することにより、前記被処理ウエーハの周辺部に形成されるエピタキシャル層の厚さを制御するエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高密度のゲッタリングサイトが形成された基板上に良質のエピタキシャル層を形成することができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板の表面に有機膜を形成する工程と、該有機膜を通してイオン注入することによって前記シリコン単結晶基板にイオン注入層を形成する工程と、前記有機膜を除去する工程と、前記有機膜を除去された表面上にエピタキシャル層を形成する工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】反応後ガスの逆流を抑制することで、成膜速度とガス利用効率を向上し、ガスの置換効率を向上する、高生産性のエピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、前記チャンバに設けられたガス導入口とガス排気口と、前記チャンバの内部に設けられた回転体ユニットと、前記回転体ユニットの上部に設けられ、ウェーハを保持するウェーハ保持部と、前記回転体ユニット及び前記ウェーハ保持部から離間してその上部を取り囲み下方に向けて拡開した環状の整流壁と、を備え、前記整流壁の上端は、前記ウェーハ保持部よりも上方にあり、且つその内径は、前記ウェーハ保持部の外周よりも小さく、前記整流壁の下端は、前記回転体ユニットの上面よりも下方にあり、且つその内径は、前記回転体ユニットの外周よりも大きいことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長させることができる基板の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を処理室内に搬入する工程と、 前記処理室内の前記基板を所定の温度に加熱する加熱工程と、 前記処理室内に、少なくともシリコンを含む第１の処理ガスとエッチング系の第２の処理ガスとを共に供給する第１のガス供給工程と、 前記処理室内に、前記第２の処理ガスとよりエッチング力の強いエッチング系の第３の処理ガスを供給する第２のガス供給工程と、を少なくとも含み、前記第１のガス供給工程と前記第二のガス供給工程とを所定回数繰り返して実施し、基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置および方法において、成膜速度、ソースガス利用効率を向上させ、高い生産性の提供。
【解決手段】ウェーハwが導入され成膜処理される反応室11と、該ウェーハwを保持するホルダー13を上部に備え、ウェーハwを加熱するヒータ15a，15bが内部に設置され回転駆動機構17を有する回転体12と、反応室11上方よりプロセスガスを供給するガス供給機構18と、反応室11よりガスを排出し、所定の圧力に制御するガス排出機構19と、該プロセスガスを整流してホルダー13に保持されたウェーハw上に供給する整流板20と、整流板20下部に設置され、上端の内径より下端の内径が大きく、ウェーハw上から外周方向に排出されるガスを下方に整流する環状の整流フィン22と、整流板20とウェーハwとの垂直距離、整流フィン22と回転体12上面との垂直距離が、それぞれ所定の距離となるように制御する距離制御機構23を備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程において発塵を低減できるシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板をサセプタに載置してエピタキシャル層を成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法において、少なくとも、シリコン基板Ｗの裏面全面にシリコン酸化膜４を形成する工程と、シリコン基板Ｗの少なくともエッジ部３に形成されたシリコン酸化膜４を除去する工程と、シリコン酸化膜４を介してサセプタ１６上にシリコン基板Ｗを載置する工程とを含み、該サセプタ１６でシリコン酸化膜４を介してシリコン基板Ｗを保持したまま、シリコン基板上にエピタキシャル層５を成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なｐ型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と該第１ｐ型層より上に第２ｐ型層とを有し、前記第１ｐ型層のキャリア濃度は５×１０^１６〜３×１０^１７／ｃｍ^３、前記第２ｐ型層のキャリア濃度は７×１０^１８〜３×１０^１９／ｃｍ^３であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物基板を除去する際のＩＩＩ族窒化物結晶のクラックの発生が抑制されるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物基板１０の一方の主面１０ｍ上に、ＩＩＩ族窒化物基板１０に対して構成原子の種類と比率およびドーパントの種類と濃度のうち少なくともいずれかが異なるＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物基板１０の他方の主面１０ｎに、ＨＣｌガス、Ｃｌ2ガスおよびＨ2ガスからなる群から選ばれる少なくとも１種類のエッチングガスＥを放射して、気相エッチングによりＩＩＩ族窒化物基板１０を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）