【課題】シリコンウェハをエピタキシャル成長により被層する際、歩留まりを高める一方、エッジロールオフの小さいエピタキシャル成長シリコンウェハを製造できるようにする。
【解決手段】前面でポリシングされたシリコンウェハを準備し、それぞれ１つをエピタキシ反応器内のサセプタにロードし、順次それぞれ個別にエピタキシ反応器内で被層する。第１のステップでシリコンウェハを水素雰囲気のもとで前処理し、第２のステップでシリコンウェハを水素雰囲気にエッチング媒体を加えて前処理し、次にこのシリコンウェハのポリシングされた前面をエピタキシャル成長により被層してエピタキシ反応器から取り出し、その後、サセプタを水素雰囲気のもとでそのつど少なくとも１０００°Ｃの温度まで加熱し、ついでそのつど所定数のエピタキシャル被層処理後、サセプタをエッチング処理し、サセプタをシリコンで短期間被層する。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法による効果的なＡｌ含有窒化物の結晶成長を実現できるＡｌ含有窒化物のハイドライド気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）装置３０は、反応管と、反応管にＡｌのハロゲン化物を含む原料ガスを導入する第１ガス導入部である原料供給口領域５３と、当該反応管に水素化窒素ガスを含む原料ガスを導入する第２ガス導入部である原料供給口領域５３と、反応管内に配置されたウェハ保持部である基板ホルダ４１と、を備えるものである。 （もっと読む）

反応容器（１１）、サセプタ（２０）、リフトピン（１３）、上側加熱装置（１４ａ）、下側加熱装置（１４ｂ）を備えた気相成長装置において、上側加熱手段と下側加熱手段との加熱比率を調整する。リフトピン付近に形成されるシリコンエピタキシャル層の表面形状や、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面に生じる凹凸部の形状を制御することができる。
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【課題】ＣＶＤ装置において、リフトピン穴からのアルゴンガス放出によるシャワープレートの冷却を防止して半導体ウエハに付着する異物を低減する。
【解決手段】リフトピン８と独立し、リフトピン８が下降した状態ではサセプタ４ａに形成されたリフトピン穴９を完全に塞ぐことのできるキャップ１０をリフトピン８の先端に置き、半導体ウエハ７を反応室２内へ搬送する前にシャワープレート６から生成ガス５を導入する反応室２内のコンディショニングでは、キャップ１０によりリフトピン穴９を塞いで、生成ガス５がリフトピン穴９へ入り込むのを防止する。これにより、リフトピン穴１０からアルゴンガスを放出する必要が無くなり、シャワープレート６の低温化を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長時におけるウェーハの表裏面での温度差に起因する結晶欠陥の発生を未然に防止すること。
【解決手段】 本発明では、エピタキシャル成長装置において、チャンバーの内部にウェーハを載置するためのサセプターを配設するとともに、このサセプターと対向する位置にヒータープレートを配設し、これらサセプターとヒータープレートとの間に反応ガスを導入するとともに、サセプター及びヒータープレートを加熱するように構成した。特に、前記サセプターの近傍に電磁誘導によって前記サセプターを加熱するための第１のコイルを配置するとともに、ヒータープレートの近傍に電磁誘導によって前記ヒータープレートを加熱するための第２のコイルを配置した。 （もっと読む）

白熱灯および蛍光灯の代用品としての発光ダイオードなどのためにダイヤモンド基板上に窒化ガリウムデバイスを形成する。一つの実施形態として、少なくとも２つの方法でダイヤモンド上に窒化ガリウムダイオード（もしくは他のデバイス）を形成する。第１の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウムを成長させ、その窒化ガリウム層にデバイスを設けることを含んでいる。第２の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウム（デバイスもしくはフィルム）を接合し、接合した窒化ガリウム上にデバイスを設けることをともなっている。これらのデバイスは、白熱光や蛍光よりもかなり効率がよく、他の技術よりも光密度もしくはエネルギー密度がかなり高い。同様の方法および同様の構造により他の窒化ガリウム半導体デバイスをつくることができる。 （もっと読む）

低誘電率（ｋ）薄フィルム、高ｋゲートシリケート、低温ケイ素エピタキシャルフィルム、ならびに窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、オキシ窒化ケイ素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）含有フィルムのような、半導体デバイスの製造時のケイ素含有フィルムを形成するためのケイ素前駆体を開示する。本発明の前駆体は、ＵＬＳＩデバイスおよびデバイス構造の作製のための、低温（たとえば、＜５００℃または＜３００℃）化学蒸着法において使用可能である。
【化１】
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【課題】 半導体成長用基板とIII族窒化物半導体膜は製造条件または製造装置が異なる等の理由により、半導体成長用基板が大気中の酸素雰囲気に晒されるような場合においても、成長用基板表面の汚染、酸化、表面欠陥の発生を効果的に防止するための基板表面保護方法ならびに該基板表面上へIII族窒化物成長方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板表面に、基板より再蒸発温度が低いＡｌ_ＸＩｎ_ＹＧa_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）からなる表面保護膜を形成し、半導体成長前に当該表面保護膜を取り除いて半導体を基板上に成長させる。 （もっと読む）

【課題】 従来の装置をプロセス室内の温度分布が均一になるように改善すること。
【解決手段】 本発明は、導電性を有しかつ接触領域（２’、２”、３’、３”）が形成されて相互に突き当たる複数の壁部（１、２、３、４）からなるプロセス室（５）と、プロセス室の壁部（１、２、３、４）を収容し絶縁材料からなるリアクタ筐体（６）と、プロセス室の壁部（１、２、３、４）を取り囲むＲＦ−加熱コイルとを備え、特に結晶膜を特に少なくとも１つの結晶基板上に堆積する装置に関する。リアクタ筐体（６）とプロセス室の壁部（１、２、３、４）との間配置され、導電性を有する材料から一体に形成されかつ体積を有し、ＲＦ−加熱コイル（７）を介して生成されるＲＦ−電磁界によってそこに誘導される渦電流によって加熱され、ＲＦ−電磁界を大幅に減衰させ、プロセス室の壁部（１、２、３、４）を加熱する熱遮蔽管（８）を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置の排ガス中に含まれる燐を安全な形態として完全に除去可能な半導体製造装置用燐分離装置の提供。
【解決手段】 内部を半導体製造装置の排ガスが通るカラム１１と、銅線材及びニッケル多孔質材からなり、カラム１１内に充填されて排ガスと接触する充填材１９と、カラム１１内を燐の析出固化温度以上の温度まで加熱する電気抵抗式加熱炉１７とから構成された半導体製造装置用燐分離装置９を、半導体製造装置の排ガス流路５ａの下流側に配置する。 （もっと読む）

【課題】３ｅＶ前後の禁止帯幅をもたらすＢＰ結晶層の形成方法が開示されていないため、リン化硼素（ＢＰ）及びＢＰ系混晶を利用した耐環境型半導体素子を提供できない問題を解決する。
【解決手段】気相成長法を用いて、室温での禁止帯幅を２．８ｅＶ以上で３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）層またはそのリン化硼素を含む一般式Ｂ_αＡｌ_βＧａ_γＩｎ_1-α-β-γＰ_δＡｓ_εＮ_1-δ-ε（０＜α≦１、０≦β＜１、０≦γ＜１、０＜α＋β＋γ≦１、０＜δ≦１、０≦ε＜１、０＜δ＋ε≦１）で表記されるリン化硼素（ＢＰ）系混晶層を具備する半導体素子を作製する。 （もっと読む）

特定のハイドライド気相エピタキシー方法を利用することによって成膜層を有利に得る。この方法では、ＩＩＩ−Ｖ族及びＶＩ族化合物半導体の成膜に、延長拡散層と、均一化隔壁と、側壁パージガスと、独立したガス及び基板加熱装置を有する縦型成長セル構造を使用する。ガス流は延長拡散層内で均一に混合し、基板の表面全体に接触するように供給し、それによって高品質かつ均一な膜を形成する。そのようなガス流構成の例としては、基板をガス出口から離れて配置し、基板の上方に近接して配置された延長拡散層と隔壁によって対流作用の影響を最小化させ、均一性を向上させることが挙げられる。このような対称的な構成によって、シングルウエハ装置からマルチウエハ装置に容易に大規模化することができる。この縦型構成により、異なる反応性ガス前駆体を迅速に切り替えることができ、成膜材料の欠陥密度をさらに最小化するために時間変調成長及びエッチング法を採用することができる。 （もっと読む）