【課題】成膜中の成長速度をリアルタイムで精度良く検出可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】干渉検出装置７は、波長λのレーザ光を用いて、基板２０上に成長された単結晶Ｓｉ膜の表面から反射光と、リファレンスレンズ７３からの反射光との干渉光をマイケルソン干渉計によって検出する。解析装置８は、干渉検出装置７によって検出された干渉光の振動波形にフィッティングする振動波形を演算し、その演算した振動波形における周期Ｔを求める。そして、解析装置８は、周期Ｔによってλ／２の膜厚を除算して成長速度を検出する。 （もっと読む）

本発明は、一般に、ＬＥＤ構造を形成する装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、水素化物気相エピタキシャル（ＨＶＰＥ）プロセスまたは有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）プロセスによって第１の処理チャンバ内で基板上に第１の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第１の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の処理チャンバ内で第１の層を覆って第２の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第２の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の層を覆って第３の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第３の層を形成するステップとを含む、窒化化合物構造を製作する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】光導波層の結晶性を良好とすることができることにより長寿命の、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、活性層７、アンドープＧａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層を順次成長させて半導体レーザを製造する場合、ｎ型ＧａＮ光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９まではＮ₂ 雰囲気で成長を行い、ｐ型ＧａＮ光導波層１０からｐ型ＧａＮコンタクト層まではＮ₂ とＨ₂ との混合ガス雰囲気で成長を行う。 （もっと読む）

【課題】光出力を向上させられる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】
本発明は基板の上部にパターンを形成し、パターンが形成された基板の上部に発光構造物を形成した後、基板を発光構造物から離脱させ離脱された発光構造物面に前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを形成することにより、素子の光出力を向上させられる。 （もっと読む）

【課題】導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉからなる基板上に、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＡｌＮ層を形成する第１工程と、前記第１工程を複数回繰り返した後、ＡｌＮ層の成長に使用した成長装置を用いて、ＡｌＮ層上に構成元素としてＧａを含む窒化物半導体からなるＧａＮ層を形成する第２工程と、を有する半導体装置の製造方法。また、第１工程と第２工程とを別の装置を用いて実施してもよい。 （もっと読む）

【課題】基板上にエピタキシャル膜を形成する際に発生する付着物の除去を効率よく行える成膜方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを支持補助部材２０で支持しながら、基板Ｗ上にエピタキシャル膜を形成する。次いで、膜形成がされた基板Ｗを支持補助部材２０から取り外し、支持補助部材２０の表と裏を反転させる。そして、周縁部に付着物３１０が形成された支持補助部材２０の表面を裏面側にし、未処理の基板Ｗを表面側に載置する。次いで、未処理の基板Ｗを載置した支持補助部材２０に対し、付着物３１０のある下面側からエッチングガスを吹き付けて付着物を除去する。その後、エッチングガスの吹き付けを停止して、未処理の基板Ｗ上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを混在させた結晶において少なくとも表面において極性Ａの単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質(マスク）Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なｐ型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と該第１ｐ型層より上に第２ｐ型層とを有し、前記第１ｐ型層のキャリア濃度は５×１０^１６〜３×１０^１７／ｃｍ^３、前記第２ｐ型層のキャリア濃度は７×１０^１８〜３×１０^１９／ｃｍ^３であり、かつ前記ｎ型層および前記ｐ型層のシリコン濃度は１×１０^１４〜１．５×１０^１５／ｃｍ^３であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型の超低抵抗率（２ｍΩ・ｃｍ以下）のシリコン単結晶基板を用いた、ミスフィット転位の発生を抑制することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法とシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、チョクラルスキー法によって育成したシリコン単結晶棒を加工してシリコン単結晶基板を作製し、該シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン薄膜を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記チョクラルスキー法で前記シリコン単結晶棒を育成する際に、該シリコン単結晶棒に抵抗率が２ｍΩ・ｃｍ以下となるように燐をドープし、かつ前記シリコン薄膜の気相成長前に、前記シリコン単結晶基板に対して前記燐の拡散長が０．２４μｍ以上となるように時間と温度を調整した熱処理を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、ガスをＣＶＤ（化学気相成長）チャンバに注入する前に熱化する、ＣＶＤシステムと共に使用するための改善されたガスインジェクタを提供する。提供されるインジェクタは、加熱されたゾーンを通るガスの流動時間を増加させるように構成され、加熱されたゾーンにおけるガスの滞留時間を長くするガス伝導管路を含む。提供されるインジェクタは、選択された流れパターンでガスを注入するように大きさを決められ、成形され、配置された出口ポートも有する。本発明は、提供される熱化ガスインジェクタを用いたＣＶＤシステムも提供する。本発明は、ＧａＮ基板の大量生産に対する特定の用途を有する。
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【課題】基板上に化合物半導体層を平坦でかつ不純物分布が均一になるように成長させることができるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板を提供する。
【解決手段】自立したIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の表面の任意の位置においてフォトルミネッセンスを測定してそのバンド端ピークの発光強度をＮ１とし、前記測定位置に対応する同一基板上の裏面側のバンド端ピークの発光強度をＮ２としたときに、その強度比α＝Ｎ_１／Ｎ_２が０．０１≦α≦０．９８となるときに良品歩留のIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】導電性ＳｉＣ基板上にＧａＮ系のキャリア走行層を含む化合物半導体層を形成して化合物半導体装置を構成する場合において、優れたデバイス特性を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型導電性ＳｉＣ基板１０上に、ｎ型導電性ＳｉＣ基板１０上に形成されたｉ型ＡｌＮバッファ層１２と、ｉ型ＡｌＮバッファ層１２上に形成され、Ｆｅが添加されたＧａＮバッファ層１６と、ＧａＮバッファ層１６上に形成されたｉ型ＧａＮ層１８と、ｉ型ＧａＮ層１８上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮ層２０と、ｎ型ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたソース電極２６及びドレイン電極２８と、ソース電極２６及びドレイン電極２８との間のｎ型ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたゲート電極３４とを有している。 （もっと読む）

【課題】必要最低限のプロセスでイオン注入層を有したエピタキシャルウエーハを製造でき、汚染の低減と共に、コスト低減を両立させたエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板を準備した後、該シリコン単結晶基板に対してボロン、炭素、アルミニウム、砒素、アンチモンのうち少なくとも１種類をドーズ量５×１０^１４〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入し、その後、該イオン注入を行った前記シリコン単結晶基板に対して回復熱処理を行わずに洗浄を行った後、枚葉式エピタキシャル装置を用いて１１００℃以上の温度でエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】（０００１）ジャストでなくて（０００１）からずれた結晶方位を有するオフ角のＧａＮ単結晶自立基板を低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】オフ角の（１１１）ＧａＡｓウエハを下地基板として、その上にＧａＮを気相成長させると下地基板と同じオフ角で同じ方向に傾斜しているＧａＮ結晶が成長する。また、オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するＧａＮ自立基板を作製してもよい。０．１゜〜２５゜のオフ角をもつＧａＮ結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】サセプタで支持された基板上へのエピタキシャル膜の成膜において、成膜装置内への基板の搬入から基板上での成膜処理までの間で発生する基板の変形を抑制する成膜方法を提供する。
【解決手段】昇温した基板Ｗ支持用のサセプタ２０を、基板Ｗの成膜処理を行う初期位置から上昇させ、成膜室２内に搬入された基板を受け取り、当該サセプタ２０を下降させて、初期位置に復帰させ、サセプタ２０上で基板Ｗを成膜温度に加熱し、気相成長反応を行う成膜方法において、サセプタ２０が基板Ｗを受け取る前、搬入された基板Ｗ下方の停止位置で昇温したサセプタ２０を停止させる。そして、基板Ｗを昇温したサセプタ２０により加熱し、所定温度に基板Ｗを加熱した後、さらにサセプタ２０を上昇させて基板Ｗを受け取るようにする。 （もっと読む）

半導体素子、発光素子及びこれの製造方法が開示される。半導体素子は、基板と、前記基板上に配置される多数個の柱と、前記柱の間及び前記基板上に配置される多数個の粒子と、前記柱上に配置される第１半導体層と、を含む。また、半導体素子の製造方法は、基板を提供する段階と、前記基板上に多数個の第１粒子を配置する段階と、前記第１粒子をエッチングマスクとして前記基板の一部をエッチングし、多数個の柱を形成する段階と、を含む。半導体素子は、粒子によって、発生される光を上方に効率的に反射させ、これによって向上された光効率を有する。また、第１粒子によって。柱が容易に形成され得る。
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【課題】基板の裏面への成膜を抑制しつつ複数枚の基板の表面に所望の膜を一括で形成する。
【解決手段】内部で基板２００を処理する反応容器２０２と、上面を露出させた水平な状態で基板２００を凹部に収納する導電性材料であって板状に形成された支持体２１８と、少なくとも前記支持体２１８を複数段、水平に保持する支持体保持体２１７と、前記反応容器内で少なくとも前記支持体保持体２１７に保持された前記支持体２１８を誘導加熱する誘導加熱装置２０６と、を有する。これにより、基板２００の裏面への成膜を抑制しつつ複数枚の基板２００の表面に所望の膜を一括で形成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐性を向上させるとともに、光抽出効率を向上させることのできる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、基板１１０と、基板上に形成され、上面に複数のＶ‐ピット１２０ａが形成されたｎ型窒化物半導体層１２０と、ｎ型窒化物半導体層上に形成され、複数のＶ‐ピット１２０ａによって形成された屈曲を含む活性層１３０と、活性層上に形成され、上面に複数の突出部１４０ａが形成されたｐ型窒化物半導体層１４０とを含むことを特徴とする。本発明によれば、ｎ型窒化物半導体層１２０上に複数のＶ‐ピット１２０ａが形成されており、これによってｐ型窒化物半導体層１４０上にはインシチュー（ｉｎ‐ｓｉｔｕ）工程で突出部１４０ａを形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、成長面（１０５）を含む支持体（１００）上でのエピタキシャル成長により窒化物単結晶を製造するための方法において、− 支持体（１００）上に犠牲床（１０１）を形成するステップと；− 前記犠牲床上にピラー（１０２）を形成するステップであって、前記ピラーがＧａＮエピタキシャル成長と相容性のある材料で作られているステップと；− 窒化物結晶層（１０３）がピラーの間に形成されたホール（１０７）内を支持体に至るまで延在しないような成長条件の下で、ピラー上に窒化物結晶層（１０３）を成長させるステップと；− 支持体から窒化物結晶層を除去するステップと、を含む方法に関する。
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ゲルマニウム含有量が漸次変化した高ゲルマニウム化合物領域を供する装置及び方法に係る実施例が全体として記載されている。他の実施例も記載及びクレームされている。
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