【課題】反り返りがなく、面内のオフ角のばらつきが小さな窒化物系化合物半導体層を再現性よく成長させることができる窒化物系化合物半導体基板の製造方法、及び半導体デバイスの作製に好適な窒化物系化合物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】成長用基板上に窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる窒化物系化合物半導体基板の製造方法において、成長用基板として、（０１１）面を≒［０１０］方向に０〜２°（０°を除く）のオフ角で傾斜させた主面を有する希土類ペロブスカイト基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】安価に、反りの少ない窒化物半導体を成長することができる窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体の成長方法は、気相成長法により、基板１０上に、窒化物半導体の結晶からなる第１凹凸構造３０を形成し、該第１凹凸構造３０の凸部の上部から窒化物半導体を選択的に成長させることにより、前記第１凹凸構造３０上に、窒化物半導体の結晶からなる第２凹凸構造３２を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内における筺体内壁や治具等の表面にデポが付着しても、それに起因した破損や破断を生じることなく、そのデポを簡易に除去することを可能とした化合物半導体製造装置および化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＮＨ_３ガス、ＨＣｌガスのいずれか一つ以上のガスを加工対象の基板１０が配置されたチャンバ１内に供給するように設定されており、かつ前記ガスが供給されるチャンバ１内の少なくとも内壁表面および／または前記基板１０の一部分に接触するホルダ１１のような治具の少なくとも表面および／または当該チャンバ１内に配置された構造物の少なくとも表面を、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以上１００μｍ以下のＩｒ（イリジウム）金属からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶半導体基板の裏面を簡単にかつ均一に粗化することができるＩＩＩ族窒化物結晶半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶半導体基板の製造方法において、１）ＩＩＩ族窒化物結晶のＮ面を研削及び／又は研磨する工程と、２）該Ｎ面に不揮発性有機物を付着させた後にエッチングを行う裏面処理工程とを含む。これにより、ＩＩＩ族窒化物結晶半導体基板はＮ面に多角錐が均一に形成され、その高さもおおよそ揃っており、マクロ的に見るとＮ面が均一に粗化されるので、ＩＩＩ族窒化物結晶半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる際の基板とサセプタと密着度が良好で、温度分布が均一になりやすく、エピタキシャル層を均一に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化膜形成工程、酸化膜除去工程などを省略して製造コストを抑制しつつ、エピタキシャル層表面への欠陥（ピット）発生を低減したエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、エピタキシャルウェーハの主面を研磨する研磨工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法であって、エピタキシャル層形成工程後、研磨工程を行う直前まで、ウェーハを液体中で保管する保管工程を更に含むことを特徴とする、エピタキシャルウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

処理性能を改善するために基板担体を修正する方法は、基板担体によって支持された基板上に材料を蒸着すること、またはデバイスを製造することを含む。その後、基板上に蒸着された層のパラメータが、基板担体上のそれらの対応する位置の関数として測定される。基板上に製造された少なくともいくつかのデバイスの測定されたパラメータまたは蒸着された層の特性が、基板担体上の複数の位置に対応する基板担体の複数の物理的特徴を得るために、基板担体の物理的特徴に関連付けられる。その後、基板担体の物理的特徴が、基板担体上の位置の関数として蒸着された層または製造されたデバイスの所望のパラメータを得るために、基板担体上の複数の対応する位置のうちの１つ以上において修正される。
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【課題】成膜工程において、膜質を低下させることなく、プロセスガスの廃棄率を低減させることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】第１のウェーハＷ上に第１のプロセスガスを供給するための第１のガス供給機構１７と、第１の排ガスを排出するための第１のガス排出機構１８と、を有し、第１のウェーハＷ上に第１の被膜を形成するための第１の反応室１１と、第１の反応室１１と接続され、第１の排ガスより所定のガス成分を抽出し、第２のプロセスガスを生成するガス再生部３１と、第２のウェーハＷ’上に第２のプロセスガスを供給するための第２のガス供給機構２７と、第２の排ガスを排出するための第２のガス排出機構２８と、を有し、第２のウェーハＷ’上に第２の被膜を形成するための第２の反応室２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】特性のよい半導体デバイスの製造が可能な主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外のＧａＮ基板の保存方法などを提供する。
【解決手段】本ＧａＮ基板の保存方法は、平坦な第１の主面１ｍを有し、第１の主面１ｍ上でその外縁から３ｍｍ以上離れた任意の点Ｐにおける面方位が、その任意の点Ｐにおける（０００１）面または（０００−１）面１ｃに対して５０°以上９０°以下で傾斜している任意に特定される結晶面１ａの面方位に対して、−１０°以上１０°以下のずれ傾斜角Δαを有するＧａＮ基板１を、酸素濃度が１５体積％以下および水蒸気濃度が２０ｇ／ｍ³以下の雰囲気中で保存する。 （もっと読む）

【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内における光弾性歪み値が小さいＧａＮ単結晶基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、２５℃の雰囲気温度下で主面２０ｐｍに対して垂直な方向に光を照射したときに主面２０ｐｍ内の任意の点において光弾性により測定される光弾性歪み値が５×１０^-5以下である。前記ＧａＮ単結晶基板の主面上に少なくとも１層のＧａＮ系半導体層が形成されている高特性で特性の分布が均一なＧａＮ系半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、受光センサー部内のＰ型領域のホウ素がＮ型領域中へ拡散することを抑制して飽和電荷量の低下を抑えることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に形成されたＮ型領域１３と、前記Ｎ型領域１３上に形成された第１炭化シリコン層２１と、前記炭化シリコン層２１上に形成されたシリコン層２２からなるＰ型領域１４とで構成されたフォトダイオード１５を有する。 （もっと読む）

本明細書では、基板を処理するための方法および装置が提供される。いくつかの実施形態において、基板を処理するための装置は、中に基板の処理面をプロセスチャンバ内の所望の位置に支持するための基板支持体を有するプロセスチャンバと、基板の処理面上に第１の方向に第１のプロセスガスを提供するための第１の吸入口と、基板の処理面上に第１の方向と異なる第２の方向に第２のプロセスガスを提供するための第２の吸入口であって、基板支持体の中心軸に関して第１の方向と第２の方向の間で測定される方位角が最大約１４５度である第２の吸入口と、第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスをプロセスチャンバから排気するために第１の吸入口の反対側に配置された排気口とを含む。
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【課題】発光強度及び歩留を高度に両立することが可能なＩＩＩ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイス１００では、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。このようにＣのパイルアップを抑制することで、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面の電気抵抗を低減することができると共に、エピタキシャル層２２の結晶品質を向上させることができる。したがって、半導体デバイス１００の発光強度及び歩留を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層のインジウムの取り込み効率を向上させることが可能であると共に、反りを抑制することが可能なＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体のインゴット５をワイヤ７によりスライスし、ＩＩＩ族窒化物半導体基板を得るスライス工程を備え、スライス工程において、インゴット５を｛０００１｝面から＜１−１００＞方向に傾斜した軸方向にスライスし、主面が｛２０−２１｝面となるようにＩＩＩ族窒化物半導体基板を得る、もしくは、インゴット５を｛０００１｝面から＜１１−２０＞方向に傾斜した軸方向にスライスし、主面が｛２２−４３｝面又は｛１１−２１｝面となるようにＩＩＩ族窒化物半導体基板を得る。 （もっと読む）

【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータに給電する電極の接合部近傍の領域を覆ってその汚染を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、シリコンウェハ１０１をサセプタ１１０上に載置する昇降ユニット１３３と、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ブースバー１２３に固設されてヒータ１２１への給電を可能とする電極１０７と、電極１０７とともにパージガスを供給可能なパージガス導入管１３５を収容して支持する中空の支柱１０５とを用いて構成し、昇降ユニット１３３を下降させて、昇降ユニット１３３の板状の昇降ベース１３１でブースバー１２３と電極１０７の接合部分を覆いながらその周囲にパージガス導入管１３５からパージガスを供給し、その周囲領域をガスパージしながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの発光強度を向上させることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。したがって、半導体デバイス１００の発光強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好な素子窒化物光半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この窒化物光半導体素子は、Ａ面サファイア基板１と、基板１上に設けられた厚さが１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成されたｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４と、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４上に形成されたｐ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層９とを備えている。Ａ面サファイア基板１上に、１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層を成長することによって、これにクラックが発生せず、平坦性と結晶性に優れたＣ面ＡｌＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータを支持するブースバーと電極の接合面への反応ガスの侵入を抑えることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ヒータ１２１への給電をする、上部および下部に開口部を有する中空円筒状の電極棒１０８と、ブースバー１２３に固設されてブースバー１２３と電極棒１０８とを接続し、電極棒１０８とともに電極１０７を構成する連結部材１２４とを有し、電極棒１０８の下部開口部からパージガス１１７を供給して、電極棒１０８上部開口部と、それに連続するブースバー１２３と連結部材１２４との接合面間にある隙間構造１３１にパージガス１１７を通しながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータに給電する電極の高温化を抑制してその汚染を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ブースバー１２３に固設されてヒータ１２１への給電を可能とする、上部および下部に開口部を有する中空円筒状の電極棒１０８を有する電極１０７と、電極１０７の電極棒１０８を支持する支柱１０５とを用いて構成し、電極棒１０８の下部開口部からパージガスを供給して電極棒１０８内部を通過させ、電極１０７の高温化を抑制しながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】表面のオフ角のばらつきが小さい大面積の窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シード基板上に半導体層を成長させて窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶製造方法において、前記シード基板は同一材料の複数のシード基板を含み、前記複数のシード基板のうち少なくとも１つは他のシード基板とオフ角が異なり、前記複数のシード基板上に単一の半導体層を成長させたときに、前記単一の半導体層のオフ角分布が前記複数のシード基板のオフ角分布よりも少なくなるように、半導体結晶製造装置内に前記複数のシード基板を配置して、前記単一の半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内における転位密度が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、主面２０ｐｍ内における転位密度の分布が実質的に均一、たとえば主面２０ｐｍ内における平均転位密度に対する転位密度のばらつきが±１００％以内である。 （もっと読む）