酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で６０％以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。 （もっと読む）

本発明は複数のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法に関し、これらの半導体チップはそれぞれ少なくとも１つの半導体層を備えた複数の構造素子をそれぞれ有する。この方法においては基板ならびに成長表面を有するチップ結合体ベースが提供される。成長表面の上には複数の窓を有するマスク材料層が形成され、これらの窓の大部分は１μｍ以下の平均的な広がりを有する。マスク材料は後続のステップにおいて成長すべき半導体層の半導体材料がこのマスク材料上では実質的に成長しない、または成長表面に比べて実質的に成長しにくいように選択される。続けて、半導体層が実質的に窓の内部に位置する成長表面の領域の上に析出される。さらなるステップではチップ複合体ベースが被着された材料と共に半導体チップに個別化される。さらに本発明は本方法に応じて製造されるオプトエレクトロニクス半導体チップに関する。
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化学気相成長反応装置は、反応装置のチャンバと協働して該チャンバ内で反応ガスの層流を促進させる回転可能なウエハキャリヤを有している。前記化学気相成長反応装置は、ＬＥＤ等の製造に使用され得る。 （もっと読む）

本発明は、エピタキシャル基板、例えば、ＧａＮ，ＳｉＧｅ，ＡｌＮまたはＩｎＮのエピタキシャル基板の製造方法、およびエピタキシャル基板上またはその中に作製された電子デバイスに関する。本発明の目的は、基板の影響を更に軽減することが可能であると同時に経済的に実行可能な、エピタキシャル基板の製造方法を提供することである。この目的は、以下のように達成することが出来る。すなわち、結晶性基板を用意し、原子種を基板に注入して脆性層を作成し、第１の温度で、基板の表面にエピタキシャル補強層を設け、第２の温度範囲で補強層を基板の副層とともに基板の残部から分離させて、これによって、この分離した材料によって、その上にホモエピタキシャル層またはヘテロエピタキシャル層の形成する擬似基板が作成される。 （もっと読む）

保護層（２０８）が、原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相成長（ＣＶＤ）リアクタ１００の表面上に形成される。ＡＬＤ又はＣＶＤのリアクタ（１００）のための反応スペース（２００）を明確にする部分は、反応スペース表面（２１０）上の反応性部位（２１０）を不活性化する化学物質（２０６）を用いてインサイチュ又はエクスサイチュで処理され得る。前処理ステップ（５０２）は、処理ステップ（５０４）の前に、存在する反応性部位（２１０）を最大限にすることができる。吸着した処理反応物（２０８）によって反応性部位（２１０）が不活性化されると、後のプロセシング時に反応物ガス（２１４）は、これらの処理された表面上の反応性又は堆積を低減した。従って、パージステップ（３１０，３１４）が非常に短縮され、そしてより多くの数のラン（run）が、リアクタの壁上に蓄積した堆積を除去するためのクリーニングステップの間に実施され得る。

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【課題】処理対象ガスに窒素が含まれていてもＰＦＣの分解率が高く、ＮＯ_Ｘの生成量が少なく、大気圧下で使用可能な排ガス処理装置を提供する。
【解決手段】ＰＦＣガスと窒素ガスとからなる排ガスを処理し、排ガス中のＰＦＣを分解する排ガス処理装置であって、処理対象の排ガスに炭化水素や水素、アンモニアなど水素原子を有する添加ガスを供給する添加ガス供給装置、および添加ガスを含んだ排ガスをプラズマ処理するプラズマチャンバーを有する。添加ガス供給装置をプラズマチャンバーの下流に設け、プラズマ処理後の排ガスに添加ガスを供給するように構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】サセプタの交換周期を長くしても均一な膜厚分布の半導体結晶膜が形成された基板を作製することができる半導体気相成長装置を提供すること。
【解決手段】反応炉内に少なくとも２種類以上の原料ガスを供給して半導体結晶膜を基板３１上に形成する半導体気相成長装置において、基板３１を挿通可能な貫通穴２７ａが形成されたサセプタ２７と、基板３１を保持する基板保持用治具３７と、基板３１の基板厚さ方向の位置を変更するためのスペーサー３５と、が設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系化合物半導体素子に長期信頼性を施与し、しかも素子特性を低下させることのない表面保護膜を備えた半導体素子を提供すること。
【解決手段】 サファイア基板１上にバッファ層２を介して第一導電型の半導体層３１、発光層３２、第二導電型の半導体層３３を順次成長してなり、ワイヤーボンディング用電極４１、４２からなる窒化物系発光素子の表面に、素子構造の成長技術であるＭＯＶＰＥを使って、非晶質又は多結晶窒化アルミニウムを主成分とする表面保護膜５を低温で形成することにより、機械的に、熱的に、化学的に安定した表面に変える事により素子の信頼性を向上する。 （もっと読む）