【課題】 半導体デバイス程度の大きさのＩＩＩ族窒化物半導体結晶およびその製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器を提供する。
【解決手段】 下地基板１上に１以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１上に１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２から構成されるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０を下地基板１から分離する工程とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０の厚さが１０μｍ以上６００μｍ以下、幅が０．２ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多孔構造体の材料として、様々な材料を適用できる多孔構造体及びその製造方法を提供するにある。
【解決手段】基板１上にナノサイズの金属微粒子２をアレイ状に形成し、次いで、該金属微粒子２上に第一の化合物をＶＬＳ成長法により選択的に成長させることによりナノワイヤである柱状構造３を形成し、引き続き、前記柱状構造３の高さよりも下まで前記基板上に第二の化合物４を充填した後、前記第一の化合物と前記第二の化合物４の反応性の違いを利用した選択エッチングにより前記第一の化合物である柱状構造３を除去して、微細孔４ａをアレイ状に有する構造体５を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｈ₂ＳｅまたはＤＥＴｅを用いたノンアロイ層付ＨＥＭＴ等のエピタキシャルウェハを成長する前後での電気的特性の変動を、Ｎ₂ガスを用いて効果的に低減すること、すなわち反応炉内のＨ₂Ｓｅの「メモリー効果」を低減すること。
【解決手段】目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を終了した後、断熱圧縮された窒素ガスを反応炉内に多量、且つバースト状に送り込むプロセスを行い、その後に再び目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を行う。 （もっと読む）

【課題】電極が形成される半導体層の表面平坦性や、シート抵抗などが何れも優れた、高性能化や小型化に好適な電界効果トランジスタを実現すること。
【解決手段】ノンドープのＧａＮ結晶から成る半導体層１０３（バッファ層）の上には、厚さ約４０ｎｍのノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから成る半導体層１０４が積層されている。この半導体層１０４は、本発明に基づく厚さ約３０ｎｍの急峻界面提供層１０４１と、本発明に基づく厚さ約１０ｎｍの電極接続面提供層１０４２の計２層の半導体層から構成されている。これらは双方共に上記の通りノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから形成されているが、急峻界面提供層１０４１を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＨ₂ を使用した。また、電極接続面提供層１０４２を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＮ₂ を使用した。 （もっと読む）

【課題】 メモリー効果の抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０上にバッファ層１１、チャネル層１２、スペーサ層１３、電子供給層１４、コンタクト層１５を順次成長させた後、その基板１０を気相成長装置から取り出し、他の気相成長装置でコンタクト層１５上にノンアロイコンタクト層１６を別途成長させてメモリー効果の影響を排除するようにしたものでる。 （もっと読む）

【課題】
ＭＯＣＶＤ排ガス中に含まれる固体成分を効率的に捕集し、かつ配管詰まりが生じにくい固体除去装置ないし煤トラップを提供する。
【解決手段】
気体中に含まれる少なくとも一つの成分の固化物を付着する部分を有する気体を流通する固体除去装置であって、必要に応じて、前記気体中に含まれる少なくとも一つの成分が固化する温度以下に気体を冷却する手段を備えるとともに、該固体装置内での気体の流路が屈曲を繰り返す構造とする。 （もっと読む）

【課題】成長前の反応炉内の不純物を低減し、ＨＥＭＴの電子移動度の低下を抑えることができるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内のサセプタ１に基板３をセットし、その基板３をヒータ５で加熱し、基板３に沿って原料ガス６を流すことにより、加熱された基板３上で半導体結晶をエピタキシャル成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、上記基板３をセットする前に、反応炉内に、高温ガス７を流すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成する結晶を良好に安定して形成でき、特性の優れた半導体レーザ素子を高い生産効率で得ることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 チャンバー（３７）内に、基板（２２）を支持する基板支持手段（２１）及び基板を加熱する第１の加熱手段（２３）を備え、さらに、高周波加熱をする第２の加熱手段（２８）と、これを収容するためにチャンバーの側壁の外側に連接して設けた収容室（３０）と、第２の加熱手段を、チャンバーの内部と収容室（３０）との間で移動させる移動手段（３５Ａ）とを備え、収容室内部の圧力をチャンバーとは独立して制御可能なように構成した。 （もっと読む）

【課題】絶縁性に優れたノンドープの半導体層を実現し、更には、チャネル中を移動するキャリアの移動度と素子の耐圧性とが共に高い半導体デバイスを実現すること。
【解決手段】ＡｌＮから成る核形成層が供する結晶成長面上に成長温度が１１５０℃で、Ｖ／III 比が１４７３の結晶成長条件下で、（ｅ）６５９Å／ｍｉｎ，（ｆ）８２７Å／ｍｉｎ，（ｇ）９６８Å／ｍｉｎの各結晶成長速度毎にノンドープの高抵抗半導体層を積層して、それぞれのリーク電流を測定した。図５−Ａのグラフは、この時の高抵抗半導体層の結晶成長速度（（ｅ）〜（ｇ））と、印加電圧４０Ｖに対する各リーク電流との関係を示している。この結果より、ノンドープのＧａＮ層から高抵抗半導体層を形成する場合、リーク電流を１×１０^-8〔Ａ〕以下に抑えるためには、結晶成長速度を約６５〔ｎｍ／ｍｉｎ〕以上にすると良いことが判る。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作方法を提供する。
【解決手段】
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いる非極性窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜ならびに非極性ＩｎＧａＮを含んだデバイス構造物の製作のための方法。本方法は、非極性ＩｎＧａＮ／ＧａＮ紫色および近紫外発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードを製作するために用いられる。 （もっと読む）

本発明による、高光抽出光素子を作製する方法の一実施形態は、基板の上にリフトオフ層を成長するステップと、リフトオフ層の上にエピタキシャル半導体デバイス構造を成長し、リフトオフ層がデバイス構造と基板との間に挟まれるステップとを含む。エピタキシャル半導体構造は、バイアスに応答して発光するように適合されたエミッタを備える。デバイス構造、リフトオフ層、および基板は、サブマウントにフリップチップ方式で取り付けられ、エピタキシャル半導体デバイス構造は、サブマウントとリフトオフ層との間に挟まれる。リフトオフ層が除去され、基板がデバイス構造から分離される。光化学エッチングやレーザ光によるリフトオフ層の照射による除去などの、様々な除去方法を用いることができる。
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半絶縁ＩＩＩ族窒化物層および半絶縁ＩＩＩ族窒化物層の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物層を浅い準位のｐ型ドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を、例えば深い準位の遷移金属ドーパントなどの深い準位のドーパントでドーピングすることを有する。このような層および／または方法はまた、ＩＩＩ族窒化物層をおよそ１×１０^１７ｃｍ^−３よりも小さい濃度を有する浅い準位のドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を深い準位の遷移金属ドーパントでドーピングすることを有する。深い準位のドーパントの濃度は、浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも大きい。
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非極性ａ面ＧａＮ／（Ａ１、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ多重量子井戸（ＭＱＷ）を製造する方法。ａ面ＭＱＷは、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって適切なＧａＮ／サファイアテンプレート層上に成長し、井戸幅は２０Å〜７０Åの範囲である。ａ面ＭＱＷからの室温光ルミネセンス（ＰＬ）放射エネルギーは、自己無頓着ポアソン−シュレディンガー（ＳＣＰＳ）計算を使用してモデリングされた正方井戸傾向を伴った。最適ＰＬ放射強度は、ａ面ＭＱＷについて５２Åの量子井戸幅で得られる。
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本発明は、ＩＩＩ族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からＩＩＩ族窒化物、とくに窒化ガリウム（ＧａＮ）の自立基板を実現する方法であって、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が２”を超えるＩＩＩ族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】サセプタの交換周期を長くしても均一な膜厚分布の半導体結晶膜が形成された基板を作製することができる半導体気相成長装置を提供すること。
【解決手段】反応炉内に少なくとも２種類以上の原料ガスを供給して半導体結晶膜を基板３１上に形成する半導体気相成長装置において、基板３１を挿通可能な貫通穴２７ａが形成されたサセプタ２７と、基板３１を保持する基板保持用治具３７と、基板３１の基板厚さ方向の位置を変更するためのスペーサー３５と、が設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系化合物半導体素子に長期信頼性を施与し、しかも素子特性を低下させることのない表面保護膜を備えた半導体素子を提供すること。
【解決手段】 サファイア基板１上にバッファ層２を介して第一導電型の半導体層３１、発光層３２、第二導電型の半導体層３３を順次成長してなり、ワイヤーボンディング用電極４１、４２からなる窒化物系発光素子の表面に、素子構造の成長技術であるＭＯＶＰＥを使って、非晶質又は多結晶窒化アルミニウムを主成分とする表面保護膜５を低温で形成することにより、機械的に、熱的に、化学的に安定した表面に変える事により素子の信頼性を向上する。 （もっと読む）