【課題】 定在波の影響などにより処理室内で電界強度分布の変化が生じた場合でも電界強度を適切に制御して所望の電界強度分布を得ることが可能となるプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】 プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室１２と、処理室１２の内部に設けられ被処理基板４にプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ放電発生部とを備える。プラズマ放電発生部は、被処理基板４の処理面と平行な方向にストライプ状に延びる複数の棒状電極部２ｂを含むアノード電極と、アノード電極と対向する位置に間隔をあけて配置されたプレート状のカソード電極２ａとを有する。そして、棒状電極部２ｂの幅や棒状電極部２ｂ間の間隔を異ならせることで、処理室１２内部の電界強度分布を調節する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体素子の特性を面内で均一にすることができる窒化物半導体の製造装置およびそれを用いて製造された窒化物半導体を用いた窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体の製造装置は、基板と平行に原料ガスを含むガスを流すフローチャネルを備え、基板の上流側からフローチャネル内に原料ガスを導入して窒化物半導体を結晶成長させる気相成長装置であって、前記フローチャネルの内壁には、複数の凸状の突起部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】上流フローライナーと中間フローライナーと下流フローライナーとを備え、上流フローライナーから半導体原料ガスを流し、中間フローライナー内に装填した基板に半導体薄膜を成長させ、下流フローライナーから排ガスを排出する気相成長装置において、中間フローライナー３内壁面に反応生成物が付着することを防止し、得られる半導体薄膜の膜厚、組成が均一となるようにする。
【解決手段】中間フローライナー３上壁面の上方に冷却手段としての冷却ブロック１１を設け、中間フローライナー３の下流側部分に冷却ガスを吹き付け、中間フローライナー４内での温度分布を均一とする。冷却ブロック１１は、冷却ガスを吹き出す多数の吹出口１３、１３・・・が形成され、このブロック１２に接続された冷却ガス導入パイプ１４から冷却ガスを送り込み、吹き出し口１３、１３・・・から中間フローライナー３の下流側部分に向けて吹き出す。 （もっと読む）

【課題】反応チャンバにおいて反応体メモリーを防止しながら、複数工程複数チャンバ化学気相堆積を行う方法を提供する。
【解決手段】第一気相堆積チャンバ２４において気相堆積を用いて基板５６上に半導体材料の層を堆積させる工程、次いで、堆積成長後及び前記チャンバ２４を開ける前に、前記第一堆積チャンバ中に残留している気相堆積原料ガスを減少させるために成長チャンバ２４から排気する工程を含む。第二堆積チャンバ２６から第一堆積チャンバ２４を分離して第一堆積チャンバ２４中に存在する反応体が第二堆積チャンバ２６における堆積に影響を及ぼさないようにしながら、また、成長停止効果を最小限に抑えるか又は排除する環境を維持しながら、基板５６を第二堆積チャンバ２６へと搬送する。搬送工程の後、異なる半導体材料の追加の層を、第二チャンバ２６において、気相堆積によって第一堆積層の上に堆積させる。 （もっと読む）

基板処理装置は、基板１を収容し、複数の反応ガスが供給され前記基板に所望の処理を行う空間を形成する反応容器１１と、反応容器１１に開口し、反応容器１１内を排気するための排気口１６と、反応容器１１へ少なくとも複数の反応ガスを供給するガス供給システム７０Ａ、７０Ｂとを有し、ガス供給システム７０Ａ、７０Ｂは、基板１に所望の処理を行うことによって反応容器１１内に付着する付着物を除去するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ユニットと、クリーニングガスを供給して付着物を除去した後に反応容器１１内に残留するクリーニングガスに含まれた元素を除去することが可能な後処理用ガスを供給する後処理用ガス供給ユニットとを含み、後処理用ガスは、基板に所望の処理を行なう際に用いる前記反応ガスの全てを含む。
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【課題】 プラズマ密度を高くして、しかもプラズマ生成効率を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、真空引き可能になされた処理容器１２と、前記被処理体を保持する被処理体保持手段２０と、高周波電圧を発生する高周波電源５８と、前記処理容器内へプラズマ化されるプラズマ化ガスを供給するプラズマガス供給手段３８と、前記処理容器内にプラズマを発生させるために前記高周波電源の出力側に接地されることなく配線６０により接続されて、共に励起電極状態になされた対のプラズマ電極５６Ａ、５６Ｂと、前記配線の途中に介設された高周波整合手段７２とを備える。これにより、プラズマ密度を高くして、しかもプラズマ生成効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】真空ポンプが故障しても処理室の汚染を防止または抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１と、処理室２０１にガスを供給するガス供給手段２３２ａ，２３２ｂと、処理室２０１に連通する排気配管２３１と、排気配管２３１に設けられた開閉バルブ２４３ｄと、開閉バルブ２４３ｄより下流側にて排気配管２４３ｄに連通するポンプ２４６と、少なくとも開閉バルブ２４３ｄ、ポンプ２４６を制御するコントローラー３２１とを有し、ポンプ２４６に異常な状態が発生した場合は、ポンプ２４６の停止に先立ち、開閉バルブ２４３ｄを閉じるようにする。 （もっと読む）

ナノ構造体の成長用基板を用意し、所定のナノパターンを有するテンプレートを用意し、テンプレートと基板との間に少なくとも１層のマスク材を設け、テンプレートからマスク材層にナノパターンを転写し、ボトムアップ成長法によってマスク材層のナノパターンを介して露出された領域において基板上にナノ構造体を成長させることを特徴とするナノ構造体を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】高い静電破壊耐性を示す素子を与える窒化物系化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】〔１〕一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される窒化物系化合物半導体の製造方法であって、ｐ型コンタクト層とｎ型コンタクト層との間に、５５０〜８５０℃の範囲で５０〜５００ｎｍのノンドープの一般式Ｉｎ_aＧａ_bＡｌ_cＮ（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１）で表される窒化物系化合物半導体（Ａ）を設けることを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。〔２〕上記窒化物系化合物半導体（Ａ）とｎ型コンタクト層との間に、９００〜１２００℃の範囲で２０〜６００ｎｍのノンドープの一般式Ｉｎ_dＧａ_eＡｌ_fＮ（ただし、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１、０≦ｄ≦１、０≦ｅ≦１、０≦ｆ≦１）で表される窒化物系化合物半導体（Ｂ）を設けることを特徴とする〔１〕記載の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物系化合物からなる表面薄層を形成する場合において、冷却時における表面薄層の目標層厚からの不足を効果的に防止できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 成長用基板を反応容器中に配置し、ＩＩＩ族金属源として該ＩＩＩ族金属の有機金属ガスをキャリアガスにて希釈して用い、窒素源としてアンモニアガスを用いたＭＯＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を成長用基板上にエピタキシャル成長する。表面薄層成長工程において表面薄層を、最終的に得るべき目標厚さに対し、冷却工程時において該表面薄層を形成する窒化物の分解により生ずる該表面薄層の厚さ減少を補償する補償厚さを部増しした形で成長することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】処理炉を構成する反応管とそれに溶接される構成部材との間の溶接による熱ひずみを低減できると共に、構成部材の交換を容易にすることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】石英製の反応管２０３と、反応管２０３内の基板２００を加熱する加熱手段２０７と、ガス供給手段２３２ａ、２３２ｂと、排気手段２４６とを備えた基板処理装置において、処理ガスを反応管２０３に供給する前のバッファ室２３７を石英製のバッファ室構成部材３３０を反応管２０３に離散的な複数の箇所において溶接することによって形成する。 （もっと読む）

連続プロセスをバッチ反応チャンバ内で行って超高品質のシリコン含有化合物層、例えば窒化シリコン層を低温で形成する。反応速度制限条件化で、シラン前駆体としてトリシランを用いて基板上にシリコン層を堆積する（６９０）。トリシラン流を遮断する（６９２）。そしてシリコン層を窒素ラジカルで窒化することにより、例えばトリシランステップの後、プラズマ電力（リモートまたはインサイチュ）を律動的にオンすることより、窒化シリコン層を形成する（６９４）。窒素ラジカル供給を停止する（６９６）。場合によっては非活性化アンモニアも連続的にまたは間欠的に供給する。所望ならば、各トリシランおよびシリコン化合ステップの後、リアクタをパージして気相反応を回避し、各サイクルが約５〜７オングストロームの窒化シリコンを作製するプロセスを繰り返して厚さをより大きくする。
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【課題】 下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。クラックの生じない自立ＧａＮ基板を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
初め低温で成長させマスク上に多結晶微粒子を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部だけに窒化ガリウム薄膜が成長するようにし、マスクの端から傾斜して伸びるファセットを充分に広くなるようにし、ファセットから方位反転した爪状の突起がマスクの上方へ伸びるようにする。突起が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

基板１２を反応管１１内に載置する工程の後、３族元素を含む第１の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、窒素元素を含む第２の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、を交互に行うことにより、窒化物半導体結晶を基板上に直接堆積する窒化物半導体の結晶成長方法である。第１の材料ガスに含まれる３族元素のモル数に対する第２の材料ガスに含まれる窒素元素のモル数の比は２００以上である。
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【課題】 シリコン窒化膜の成膜処理後に、この表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して加熱された被処理体Ｗの表面にシリコン窒化膜の薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内に前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを供給してＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により前記シリコン窒化膜の薄膜を堆積する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の後に前記処理容器内に窒化ガスを流して前記薄膜の表面を窒化する表面窒化工程と、を備える。これにより、被処理体の表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止する。 （もっと読む）

【課題】上流フローライナーと中間フローライナーと下流フローライナーとを備え、上流フローライナーから半導体原料ガスを流し、中間フローライナー内に装填した基板に半導体薄膜を成長させ、下流フローライナーから排ガスを排出する気相成長装置において、フローライナーの上流フローライナーと中間フローライナーとの間の隙間や中間フローライナーの底面とウエハートレイとの間の隙間からの半導体原料ガスの漏出量を減らし、チャンバの内壁やフローライナー外壁の反応生成物の付着を抑制する。
【解決手段】中間フローライナー３と下流フローライナー４との隙間の間隔を０．０１〜３ｍｍとする。そのために、中間フローライナー３と下流フローライナー４との間に詰め物１１を設けて、隙間の間隔を０．０１〜３ｍｍとする。 （もっと読む）

【課題】ケイ素を含む発光層を備えた白色光発光素子を提供する。
【解決手段】白色光発光素子５０は、上表面２３Ａと下表面２３Ｂを有する基板と、上表面２３Ａ上に設けた第１窓層２５と、その第１窓層２５の上に設けた窒化ケイ素層２６と、窒化ケイ素層２６内に分布する複数個のケイ素ナノメートル結晶２４と、その窒化ケイ素層２６上に設けた第２窓層２７と、その第２窓層２７上に設けた透明導電層２８と、その透明導電層２８上に取り付けた第１オーム接触電極６５と、下表面２３Ｂに取り付けられた第２オーム接触電極３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング時間を延長することなく、処理室内の付着物を除去することを可能とする。
【解決手段】 処理炉は、処理容器１５の領域Ａ〜Ｄに対応して分割された複数の分割ヒータ１０ａ〜１０ｄを備える。分割ヒータは、温度制御部１６によって独立に制御可能とする。処理工程で堆積した堆積膜を除去するためのクリーニング工程で、クリーニングガスを流す際、クリーニングガス供給側の領域Ａの温度を低く設定し、逆に、順次領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄでは、排気側に向かって、相対的に温度を高く設定する。これにより、クリーニングガス供給側の領域Ａでのエッチング反応を遅く、排気側の領域Ｂ、Ｃ、Ｄでのエッチング反応を順次速くする。 （もっと読む）

【課題】 金属表面の酸化を抑制しつつシリコン酸化膜を堆積させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２２内で金属の表面が露出している被処理体Ｗにシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、前記処理容器２２内へＳｉ含有ガスを供給するＳｉ含有ガス供給工程と、前記処理容器２２内へ酸化性ガスと還元性ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを、間欠的に交互に繰り返し行うようにする。これにより、金属表面の酸化を抑制しつつシリコン酸化膜を堆積させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用温度において、半導体素子用基板の内部に各層の熱膨張係数差に起因する応力が発生しないようにすること。
【解決手段】 サファイア元基板１の主面１Ａ、１Ｂの少なくとも一方に３族窒化物半導体の熱膨張係数Ｋ４より小さい熱膨張係数Ｋ２を有する材料であるシリコン単結晶からなる補助層２を半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成して補助層付基板を作製した後、サファイア元基板１の主面又は補助層の表面に少なくとも１つの３族窒化物半導体層である化合物半導体層４を成長させることにより３族窒化物半導体素子用基板を製造する。補助層付基板と化合物半導体層４とは同じ熱膨張係数を有するので熱膨張差に起因する応力はこの２者の間には発生せず、しかも、補助層２は室温で形成されているので、サファイア元基板１と補助層２の間にも熱膨張差に起因する応力は発生ない。 （もっと読む）