【課題】成長前の反応炉内の不純物を低減し、ＨＥＭＴの電子移動度の低下を抑えることができるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内のサセプタ１に基板３をセットし、その基板３をヒータ５で加熱し、基板３に沿って原料ガス６を流すことにより、加熱された基板３上で半導体結晶をエピタキシャル成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、上記基板３をセットする前に、反応炉内に、高温ガス７を流すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】石英部品を起因とする汚染を防止する。
【解決手段】ＣＶＤ装置１０に使用される石英部品としてのボート２１、アウタチューブ１３、インナチューブ１２、シールキャップ２０上のベース２０ａおよび断熱キャップ部２６等の表層部分を１μｍ以上、濃度が１〜５０％のＨＦ水溶液で予め除去する。石英部品の表面から１μｍ以上の部分をエッチングする。石英部品の不純物の濃い部分を除去することができるので、石英部品を起因とする汚染を防止することができ、ＣＶＤ装置ひいてはＩＣの製造方法の製造歩留りを向上させることができる。
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【課題】 ウェハヒータアセンブリを提供することである。
【解決手段】 ウェハ加熱アセンブリは、単一のウェハ処理システムために、独特なヒータ部材を有して説明されている。加熱ユニットは、石英外筒で包まれるカーボンワイヤ素子を包含する。加熱ユニットは、ウェハに直接接触を可能にする石英としてコンタミネーションフリーである。カーボン「ワイヤ」または「編まれた」構造の機械的なフレキシビリティは、コイル構成を可能にし、そして、それは、ウェハ全体に独立したヒータゾーン制御を可能にする。ウェハ全体の複数の独立したヒータゾーンは、膜成長／堆積均一性を調整する温度勾配と、従来の単一ウェハシステムより優れている膜均一性およびウェハゆがみを最小とする高速熱調整とを可能にすることができる。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路の内面のフルオロカーボンリッチプラズマ前処理を伴う。
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濃度１から１０％のＳｉＨ_３ＣＨ_３をＨ_２により希釈し、希釈したＳｉＨ_３ＣＨ_３の一部と、ＧｅＨ_４と、ＳｉＨ_４（またはＤＣＳ）とをそれぞれ所定の流量でエピタキシャル装置のチャンバへ供給し、ＳｉＧｅ：Ｃをエピタキシャル成長技術により形成する。ＳｉＨ_３ＣＨ_３を希釈することにより、ＳｉＨ_３ＣＨ_３に含まれる酸素系不純物の濃度が低減するので、チャンバへ供給される酸素系不純物が低減して、成膜されるＳｉＧｅ：Ｃに含まれる酸素系不純物の濃度が低減する。 （もっと読む）

処理室に被処理基板を収容し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置の処理室を清浄化するにあたり、処理室内に酸素を含むガスのプラズマを形成する工程と、処理室内に窒素を含むガスのプラズマを形成する工程とを交互に実施する。 （もっと読む）

本発明は、被処理物のための受座及び受座の下側に受座が支える被処理物に沿ってガス出口がある、被処理物（１２）とりわけ半導体部品の基板、例えばウエハのための支持体（１０）に関する。所望のガスがよく配量され、微細に配分されてガス出口から流出することができるように、支持体（１０）が少なくとも部分的に、安定化した繊維（１８、２０）で作られ、ガス出口をなす気孔を備えた材料からなることを提案する。 （もっと読む）

反応器中に配置された基材上に結晶を成長させる方法であって、この反応器は、反応器チャンバを提供し、この基材は、この反応器チャンバの中に配置され、この方法は、この反応器チャンバの内部に反応性ガスをこの基材に向かって流す工程であって、この反応性ガスは、互いに結合してこの結晶を形成し得る成分を含有する工程；緩衝ガスを加熱する工程；およびこの加熱された緩衝ガスを、この反応性ガスとこの反応器壁との間のこの反応器チャンバ中で、この反応性ガスおよびこの緩衝ガスが相互作用し得るように、流す工程、を包含し、ここでこの流れている緩衝ガスが、この反応性ガスにより生成される第１の物質の少なくとも１つがこの反応器壁に到達するのを阻害し、そしてこの反応性ガスがこの基材に到達する前に、この反応器壁により生成される第２の物質が反応器チャンバー中のこの反応性ガスに到達するのを阻害する。
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加工物は、処理中、加工物への機械的ストレスを減じるためにガスクッションによって支持される。加工物を受け入れる加工物支持フランジを有するプレナムは、ガス供給源に接続されている。ガスがプレナム内に流れて、加工物を持ち上げるのに十分な圧力が増加すると、加工物は、持ち上げられ、そして、支持フランジと加工物エッジとの間のプレナムからガスが流れる。その結果、加工物は、処理中、ガスによって支持フランジ上方で支持される。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において反応容器内に付着した薄膜をフッ素を含むクリーニングガスでクリーニングするにあたり、その後ウエハに対して成膜処理をおこなったときに薄膜へのフッ素の混入を抑えること。
【解決手段】反応容器内にクリーニングガスを供給しながら反応容器内の温度を検出し、クリーニングガスを供給する前の反応容器内の温度をＴ０とすると、温度検出値がピーク値Ｔｐに達したとき、あるいはその後Ｔ０＋０．５（Ｔｐ−Ｔ０）の値になるまでの間にクリーニングガスの供給を止める。この方法は温度検出値と設定値との比較により実施してもよいが、クリーニングガスの供給を開始してから設定温度になるまでの時間を予め求め、経過時間を管理することによりクリーニングガスの供給を止めるようにしてもよい。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）