【課題】有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作方法を提供する。
【解決手段】
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いる非極性窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜ならびに非極性ＩｎＧａＮを含んだデバイス構造物の製作のための方法。本方法は、非極性ＩｎＧａＮ／ＧａＮ紫色および近紫外発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードを製作するために用いられる。 （もっと読む）

本発明は、サファイヤ基板上にＳｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層を形成する第１段階と、Ｓｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層の上にＧａＮ成分を含む窒化膜を形成する第２段階と、を含むことを特徴とするＧａＮ系窒化膜の形成方法に関する。
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デバイスが、成長面（１２２）、成長マスク（１３２）、成長導波コアメサ（１４０）およびクラッド層（１６０）を有する光電子デバイスまたは透明な導波デバイスである。成長マスクは、成長面上に配置されており、細長い成長窓を画定する。光導波コアメサは、成長窓内に配置されており、台形の断面形状を有している。クラッド層は、光導波コアメサを覆い、成長マスクの少なくとも一部上に延びている。このようなデバイスは、成長面（１２２）を有するウェハ（１１０）を設け、光導波コアメサ（１４０）をマイクロ選択領域成長によって第１の温度で成長面上に成長させ、さらに、光導波コアメサを、第１の温度より低い第２の温度でクラッド材料（１６０）で覆うことによって製造する。
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【数１】


方向または
【数２】


方向に主に向かう＜０００１＞方向から、約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされた（０００１）表面を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物、例えばＧａＮ基板。表面が５０×５０μｍ^２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ^−２未満の転位密度とを有する。この基板は相当するブールまたはウェハブランクのオフカットスライスにより、オフカットラッピングまたは相当する微傾斜へテロエピタキシャル基板、例えばオフカットサファイア上の基板本体の成長により形成することができる。この基板はＩＩＩ−Ｖ族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる。
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本発明は、半導体材料のみから構成される回折格子マスクパターンによるｉｎ−ｓｉｔｕエッチングと、容易に酸化する半導体材料を保護する、半導体回折格子マスクの下の保護層の製作との組合せである。したがって、本発明は、２段階プロセスに基づく。最初に、回折格子パターンが半導体材料内で画定され、このパターンは半導体回折格子マスクと呼ばれる。半導体回折格子マスクは、保護材料の層の上面に配置され、この保護材料は、容易に酸化する半導体材料の上にあって、下にある材料の酸化を防止する。次いで、半導体構造は反応器に移送されて、第２段階において、マスクパターンがｉｎ−ｓｉｔｕエッチングによって、下にある保護層および容易に酸化する半導体材料中に転写される。次いで、同一の反応器内で、エッチングされた回折格子を大気に露出させることなく、回折格子はオーバーグロースされる。オーバーグロースされた材料は、その構造体を反応器から取り出すときに、下にある半導体材料を、酸化から保護する。

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本発明は、エピタキシャル基板、例えば、ＧａＮ，ＳｉＧｅ，ＡｌＮまたはＩｎＮのエピタキシャル基板の製造方法、およびエピタキシャル基板上またはその中に作製された電子デバイスに関する。本発明の目的は、基板の影響を更に軽減することが可能であると同時に経済的に実行可能な、エピタキシャル基板の製造方法を提供することである。この目的は、以下のように達成することが出来る。すなわち、結晶性基板を用意し、原子種を基板に注入して脆性層を作成し、第１の温度で、基板の表面にエピタキシャル補強層を設け、第２の温度範囲で補強層を基板の副層とともに基板の残部から分離させて、これによって、この分離した材料によって、その上にホモエピタキシャル層またはヘテロエピタキシャル層の形成する擬似基板が作成される。 （もっと読む）