【課題】結晶成長の際に反応室内に付着した堆積物を効果的に洗浄する方法を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１１の成長方法は、反応室１１０にＨＣｌガス１を導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０内でＳｉ原子をドーピングしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。または、反応室１１０にＨＣｌガスを導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０に取り付けられたトラップ装置１１６内に副生成物として生成した塩化アンモニア粉末をトラップしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】放電電極内に特別な加熱機構を保有してない放電電極の温度制御が可能な製膜装置および製膜方法を提供する。
【解決手段】基板３０に製膜するためのプラズマを生成する放電電極５と、放電電極５の温度を計測する電極温度計測手段と、基板３０を表面で保持する基板テーブルと、放電電極５、電極温度計測手段、および基板テーブルと、を有する製膜室１と、製膜室１内の圧力を計測する製膜室圧力計測手段と、製膜室１に気体を導入する気体導入手段と、製膜室１内を所定の圧力となるように気体を排気する気体排気手段８と、放電電極５の温度に基づいて、気体導入手段と気体排気手段８との少なくとも１つの作動状況の変化を繰り返す間欠動作を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源を放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電力を供給する高周波電源と、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓを上記所定位置から送り出す基板搬送装置３５と、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの長さ方向Ｌに沿わせ、放電室２および変換器３Ａ，３Ｂの、その各々のリッジ導波管断面形状における、リッジ電極２１ａ，２１ｂおよびリッジ部３１ａ,３１ｂの厚み方向に隣接する凹部空間４０に、基板搬送装置３５の少なくとも一部を収容した。 （もっと読む）

【課題】ＨＶＰＥ法において、１１００℃以下の結晶成長温度で、大型のＧａＮ結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】所定の面方位の主表面１ｍおよび複数の側表面１ｓを有するＧａＮ種結晶基板１を複数準備する工程と、複数のＧａＮ種結晶基板１を、それらの主表面１ｍが互いに平行にかつそれらの側表面１ｓが互いに隣り合うように配置する工程と、配置された複数のＧａＮ種結晶基板１の主表面１ｍ上に、ハイドライド気相成長法により、第１のＧａＮ結晶１０を成長させる工程と、を備え、第１のＧａＮ結晶１０を成長させる工程において、結晶成長温度を９８０℃以上１１００℃以下とすることにより、ＧａＮ種結晶基板１の主表面１ｍ上に成長するそれぞれの部分結晶１０ｕが一体化するように成長させる。 （もっと読む）

【課題】簡素で安価な構成により、放電電極に繋がる高周波給電伝送路を流れる高周波電力の反射波発生を防止または抑制して信頼性および耐久性を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】製膜装置（真空処理装置）は、製膜室（真空処理室）と、製膜室の内部に配設された放電電極６と、製膜室の外部に配設された高周波電源および整合器１０ａと、放電電極６の端部から直線状に延び、製膜室の壁体２ｂを貫通して整合器１０ａに直線的に繋がる高周波給電伝送路９ａとを備えてなることを特徴とする。高周波給電伝送路９ａは、放電電極６の端部から、放電電極６の熱膨張方向に沿って直線的に延設され、この高周波給電伝送路９ａが製膜室の壁体２ｂを貫通する部分には、該壁体２ｂと高周波給電伝送路９ａとの間の気密性を保ちつつ、高周波給電伝送路９ａの伝送軸方向への動きを許容する貫通保持構造５３を設けた。 （もっと読む）

【課題】製膜されるシリコン薄膜の面積を大きくしても、シリコン薄膜の膜厚分布のばらつきをおさえることができる真空処理装置、真空処理装置の給電装置、製膜方法、および製膜時における給電方法を提供する。
【解決手段】電源部１７から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する放電電極３ａと、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相および振幅を、給電点のそれぞれにおいて調節する複数の整合器と、を備え、整合器には、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相を調節する位相調節コンデンサ２３Ｔ及びコイル２４と、高周波電力の振幅を調節する振幅調節コンデンサ２５Ｍとからなる整合回路が複数設けられ、整合器のインピーダンスは、給電点間における高周波電力の位相差に基づいて、整合回路を切り替えることにより調節される。 （もっと読む）

【課題】例えばＧａＮ等の結晶を成長させる場合において、多数の基板を効率的に切り出せる結晶を短時間で製造させ、結晶製造の生産性を向上させることが可能な結晶製造装置及び結晶製造方法を提供する。
【解決手段】棒状に形成された種結晶材２００を保持する種結晶材保持台２１７と、種結晶材保持台２１７に保持された種結晶材２００が搬入され、種結晶材２００の表面に結晶を成長させる処理室２０１と、処理室２０１の外側に配置され、処理室２０１内を加熱する加熱部２０６と、処理室２０１内に所定のガスを供給する原料ガス供給部と、処理室内の雰囲気を排出するガス排出部２３１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製膜に寄与しなかったガスが基板周辺へ向かう排気ガス流れを低減して放電電極間スリットから排気する排気ガス流量を増加させることにより、製膜条件の分布による基板周辺の膜質低下を抑制した真空処理装置を提供する。
【解決手段】放電電極６から製膜ガスを噴出し、放電電極６のプラズマ雰囲気で製膜ガスの分解及びラジカル生成を行って基板に真空プラズマ処理を行う真空処理装置１Ａが、基板テーブルと放電電極６との面間距離を狭めるガスブロックバリア材３０を基板から所定の距離が離れた前記基板テーブルの周縁部に取り付け、プラズマ雰囲気から基板の端部を経て防着板７の背面へ、または真空排気部へ流出するガス流れの流路面間幅を狭めて、ガス流れ流路の圧力損失を増加させるガスブロックバリア構造部を備えている。 （もっと読む）

【課題】反応炉内に分解付着物が生成しないような構造とすることにより基板上への異物の付着を抑制し、分解付着物の再蒸発によるエピタキシャル薄膜の劣化を抑制でき、かつ反応炉内の分解付着物を取り除くためのメンテナンス回数を削減可能な構造の化合物半導体エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】基板１３を収容した反応炉１１内に、Ｖ族元素を含む原料を供給して、基板１３上に気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャル成長装置１０において、Ｖ族元素を含む原料が分解し、反応炉１１内でその分解付着物が付着する付着部分１７の上流側に水素ラジカルを過剰に含むガスを流すための水素ラジカル供給手段３６を接続した。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内における筺体内壁や治具等の表面にデポが付着しても、それに起因した破損や破断を生じることなく、そのデポを簡易に除去することを可能とした化合物半導体製造装置および化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＮＨ_３ガス、ＨＣｌガスのいずれか一つ以上のガスを加工対象の基板１０が配置されたチャンバ１内に供給するように設定されており、かつ前記ガスが供給されるチャンバ１内の少なくとも内壁表面および／または前記基板１０の一部分に接触するホルダ１１のような治具の少なくとも表面および／または当該チャンバ１内に配置された構造物の少なくとも表面を、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以上１００μｍ以下のＩｒ（イリジウム）金属からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布を均一化するとともに、放電電極における反射電力を抑制することを目的とする。
【解決手段】所定の周波数の高周波電力を位相変調して出力する高周波電源部１７ａ，１７ｂと、基板を支持する対向電極３と、高周波電源部から出力された高周波電力が供給され、高周波電力により対向電極との間にプラズマを形成する放電電極と、夫々が異なるインピーダンスに設定された複数の整合回路２０ａ〜２０ｄを有し、高周波電源部側のインピーダンスに放電電極側のインピーダンスを整合させる整合器１３と、高周波電力の供給時に、複数の前記整合回路のうち、位相変調により変動する放電電極側のインピーダンスが高周波電源部側のインピーダンスに整合する整合回路を選択する選択手段２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜への不純物の混入をできるだけ防止し得る薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内に設けられて薄膜を形成するための基板Ｋを水平面内で回転させる回転ステージ２と、真空容器１内の基板に２種類の原料ガスの超音速分子線Ｍを略９０度の交差角でもって供給する第１及び第２分子線発生装置4A，4Bと、超音速分子線Ｍにそれぞれ励起用のレーザ光Ｒ１を照射する第１及び第２レーザ照射装置5A，5Bと、回転ステージ２の基板Ｋ表面の前方位置に配置されて各超音速分子線Ｍの交差領域に生成した反応生成物を選択し通過させるためのピンホール3aが形成された生成物選択部材３とから構成すると共に、予め検出されている反応生成物の散乱角を入力して反応生成物が生成物選択部材３のピンホール3aを通過するように回転ステージ２の回転位置を制御するようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布を均一化しながら、放電電極における反射電力を抑制して、薄膜製造装置の設備コストの低減を図ることを目的とする。
【解決手段】高周波電源１７ａ，１７ｂからの高周波電力が供給される給電点５３，５４を両端部にそれぞれ有し、高周波電力により対向電極２との間にプラズマを形成する放電電極３ａ〜３ｈと、放電電極と高周波電源とを電気的に接続し、高周波電源から出力される高周波電力を放電電極の各給電点にそれぞれ伝送する伝送線路と、伝送線路に接続された整合器３ａｔ〜３ｈｔ，３ａｂ〜３ｈｂと、伝送線路における整合器と放電電極の各給電点との間にそれぞれ接続点を設け、接続点を電気的に接続するループ回路２０と、ループ回路に接続された第１のインピーダンス素子と、伝送線路の接続点と放電電極との間に接続された第２のインピーダンス素子とを備える。 （もっと読む）

半導体製造工程でウェーハ上に膜を形成するなどの各種工程で使われる半導体製造装置を開示する。チューブは、内部に工程空間を有し、一側に排出口を有する。ボートは、チューブの下側開口を通じて出入り可能になる。サセプタは、ボート内に上下に互いに離隔して支持され、それぞれの回転中心に中央ホールが形成され、それぞれの上面に中心周りに沿ってウェーハが多数載置される。供給管は、ボートの上側からサセプタの各中央ホールに貫設され、外部から供給された工程ガスをサセプタの各上面に噴射する噴射口が形成される。これにより、一回に工程処理することができるウェーハの数量を増加させ、工程処理時間を短縮し、あらゆるウェーハ上に均一な膜を形成しうる。
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【課題】固定電極での生成物の落下による欠陥の発生の無い、高品質なダイヤモンド等の気相成長膜を得ることができる直流プラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いた高品質ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、固定電極と、基板を載置するための電極を兼ねる基板ステージと、を有する直流プラズマＣＶＤ装置であって、前記固定電極の中心から鉛直方向に延ばした線上に前記基板ステージが位置せず、かつ前記基板ステージ中心と前記固定電極中心とを結ぶ直線と、前記鉛直方向に延ばした線との成す角が、９０°以下であることを特徴とする直流プラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】溶液法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いたＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法による大型のＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属元素の濃度が１．０×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を準備する工程と、ＨＶＰＥ法により、１１００℃より高い雰囲気温度で、第１のＩＩＩ族窒結晶１０の主面１０ｍ上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｈを備え、前記放電電極３ａ〜３ｈのうち、ガス流量の調整を必要とする放電電極３ａ，３ｈは、第１の原料ガス配管１６ａを介して、原料ガスの流量を調整する第１の流量制御器ＭＦＣ１を備えた第１のガス供給系Ｇ１に接続され、その他の放電電極３ｂ〜３ｇは、第２の原料ガス配管１６ｂを介して、原料ガスの流量を調整する第２の流量制御器ＭＦＣ２を備えた第２のガス供給系Ｇ２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極２に設置した基板８との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｊを備え、前記放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊは、前記対向電極２で保持し得る基板８の最大幅よりも外側に位置するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施す反応管と、反応管内に反応ガスを供給する複数のノズルと、複数のノズルとは別に設けられ、反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニング用ノズルと、ノズルの内部をクリーニングする場合に、複数のノズルのうち選択したノズルにクリーニングガスを供給し、選択していないノズルに不活性ガスを供給すると共に、反応管の内部をクリーニングする場合に、少なくともクリーニング用ノズルより反応管内にクリーニングガスを供給するように制御するコントローラと、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡便に効率よく転位密度の低いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、少なくとも主面１０ｍ側にＩＩＩ−Ｖ族化合物種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、気相エッチングにより基板１０の主面１０ｍに複数のファセット１０ｍｓ，１０ｍｔ，１０ｍｕを形成する工程と、ファセット１０ｍｓ，１０ｍｔ，１０ｍｕが形成された主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）