【課題】未処理のままのウェーハが存在するか否を確実に検出でき、また空処理等の不規則な処理にも対応することができ、従って未処理のウェーハを次工程へ送ってしまう等の損失を防止できるウェーハの処理システム及び処理システム並びにエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハの処理システムを提供する。
【解決手段】少なくとも、ウェーハの処理装置のロードロック室内に配したカセットに複数枚のウェーハを収納し、前記カセットから前記ウェーハを処理室に順次搬送して、該搬送した前記ウェーハに枚葉式で所定の処理を施すウェーハの処理方法において、前記カセットに移載装置によって前記ウェーハを投入する際に、前記ウェーハの投入枚数Ｎ１を計数する一方、前記カセットから前記処理室へウェーハを搬送した回数Ｎ２を計数し、前記Ｎ１と前記Ｎ２が一致するか否かを判定することを特徴とするウェーハの処理方法。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスのための装置及び方法に関する。一実施形態では、ＣＶＤ反応装置は、蓋サポート上に互いに連続して直線的に配置された、反応装置本体の上に配置され、第１のシャワーヘッドアセンブリを含む反応装置の蓋アセンブリと、アイソレータアセンブリと、第２のシャワーヘッドアセンブリと、排気アセンブリと、を有している。ＣＶＤ反応装置は、更に、反応装置本体の両端部に配置した第１及び第２のフェースプレートを含み、第１のシャワーヘッドアセンブリが第１のフェースプレートとアイソレータアセンブリとの間に配置され、排気アセンブリが第２のシャワーヘッドアセンブリと第２のフェースプレートとの間に配置されている。反応装置本体は、ウエハキャリアトラック上のウエハキャリアと、ウエハキャリアトラックの下に配置され、ウエハキャリアに配置されたウエハを加熱するために利用することができる、複数のランプを含むランプアセンブリと、を有している。
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本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着プロセスの装置に関する。一の実施例では、蒸着用反応装置蓋アセンブリが提供されており、これは、第１のシャワーヘッドアセンブリとアイソレータアセンブリとが蓋サポートの上に隣り合って配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリと排気アセンブリとが、蓋サポートの上に隣り合って配置されており、アイソレータアセンブリが、第１及び第２のシャワーヘッドアセンブリの間に配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリがアイソレータアセンブリと排気アセンブリとの間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高周波電極に電圧を印加した場合において、基板上の電流が不均一になるのを防止することが可能な薄膜形成装置を提供することである。
【解決手段】本発明では、基板２を挟むように配置された２つの箱形状の成膜室壁体３Ａ，３Ｂからなる成膜室３と、一方の成膜室壁体３Ａに配置された高周波電極４と、他方の成膜室壁体３Ｂに配置された接地電極５とを備えた薄膜形成装置１において、一方の成膜室壁体３Ａが、ブロック部７と、ブロック部７に対して基板２側に配置されたチャンバ部８と、チャンバ部８に対して基板２側に配置された枠体９とを備え、チャンバ部８は、高周波電極４を内部に有しており、枠体９は、高周波電極４の外周囲を囲んでおり、枠体９とブロック部７とが導電部材１３で接続されている。 （もっと読む）

【課題】 被膜形成処理を連続的に実施可能な技術を提供する。
【解決手段】 被膜形成装置は、半導体ウエハを保持するウエハホルダと、搬入口から加熱管内に順次搬入される複数のウエハホルダを一連に支持しながら搬出口へと搬送する搬送手段と、加熱管内にガスを供給する第１ガス供給手段と、加熱管内のガスを外部に排出するガス排出手段を備えている。各々のウエハホルダは、保持した半導体ウエハを取り囲む枠体を有しており、搬送手段によって一連に支持された複数のウエハホルダは、それらの枠体が連なって搬入口から搬出口まで伸びる反応空間を形成する。第１ガス供給手段は、熱分解すると単独でも被膜を形成し得る第１種類のガスを、枠体の内側に形成される反応空間に供給し、ガス排出手段は、枠体の内側に形成される反応空間のガスを外部に排出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物に処理流体を噴き付けて表面処理する装置において、処理流体が処理領域から外に漏れたり、外部の雰囲気ガスが処理領域に入ったりするのを効率的に防止する。
【解決手段】処理ヘッド１０の被処理物Ｗと対向すべき側部４０に、処理領域８０の画成部４１と、その両側の処理外領域８１，８２の画成部４２，４３とを設ける。第１処理外領域８１と処理領域８０との境に処理流体の噴き出し口５０ａを形成し、処理領域８０と第２処理外領域８２との境に吸い込み口５０ｅを形成する。検出手段７０にて第１処理外領域８１における処理領域８０に近い箇所と遠い箇所との差圧を検出する。吸い込み流量調節手段５４にて、上記検出差圧がゼロになるように吸い込み口５０ｅからの吸い込み流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】高い生産効率で、再現性良く安定して製造が行える化合物半導体製造方法及び化合物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】雰囲気を個別に温度制御及びガス制御可能な前処理室２と本処理室３と後処理室４とをそれぞれ個別に開閉可能な開閉扉５，６，７を介して連絡させると共に、基板８を保持するための複数の試料台９が前処理室２、本処理室３、後処理室４、前処理室２と循環移動可能にしておき、前処理室２では、試料台９への未処理基板８の供給を含む前処理を行い、本処理室３では、半導体結晶を成長させる本処理を行い、後処理室４では、試料台９からの処理済基板８の回収と試料台９のクリーニングとを含む後処理を行う。 （もっと読む）

【課題】線条体に周方向に均一に半導体膜を形成することのできる半導体膜成装置、半導体膜形成方法、及び半導体膜付き線条体を提供する。
【解決手段】半導体膜形成装置１は、内部に空洞３ａを有し、外部から供給される励起用高周波が空洞３ａ内で共振する反応容器３と、空洞３ａ内部を貫通し両端部４ａ、４ｂが反応容器３から突出するように反応容器３に取り付けられた石英管４と、石英管４内に導入されるガスが空洞３ａ内に供給される励起用高周波により励起されてプラズマＰが発生する石英管４内のプラズマ反応部５とを備える。プラズマが発生するプラズマ反応部５のある石英管４内に線条体２を配置するので、線条体２に周方向に均一に半導体膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】コスト増加や装置の複雑化を避けながら、処理特性分布がなく、しかも処理速度の速い大気圧プラズマ処理装置と大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電圧印加電極２、対向配置された接地電極３および両電極の間に配置された絶縁体４から構成される電極ユニット１と、被処理物８を搬送する被処理物搬送装置７と、絶縁体４とそれに対向する被処理物８との間に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、電圧を印加する電源９とを具備し、両電極２，３の間に局所的に強い電界を形成させてプラズマを発生させ、被処理物８に所望の処理を施す大気圧プラズマ処理装置であって、絶縁体４の電圧印加電極側部分および接地電極側部分に、強い電界を特定の位置に形成させ、前記強い電界の方向を、被処理物８の搬送方向１５に対して傾斜させる突起部１３を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ（有機金属化学的気相成長）法により、透明導電膜を多層構造で連続的に製膜するための製膜装置及び製膜方法に於いて、原料を節約し、均一で高品質な膜質を保持しつつ製膜速度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】多層透明導電膜連続製膜装置は、基板装着部２と、真空排気を行う仕込み部3と、有機金属化合物（ジエチル亜鉛）とジボランと水を気相で反応させＭＯＣＶＤ法により透明導電膜を基板上に形成する製膜処理部４１〜４ｎを複数有する多層製膜処理部と、基板取り出し部５と、基板取外し部５と、基板セッターを基板装着部へ戻させるセッターリターン部７とからなり、前記各部を順次移動しながら基板に多層透明導電膜を連続的に製膜する。各製膜処理部は、有機金属化合物とジボラン、水の夫々を噴射するノズルを設け、これらを冷却する冷却機構を設ける。 （もっと読む）