【課題】大気圧センサ４１が誤動作した場合にも処理室２０４外の大気が処理室２０４内に逆流することを抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、前記大気排気管に設けられた排気バルブと、前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部とから、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生及び拡散を抑制して反応室を開放する反応室開放方法、及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室１０１へガスを導入して昇圧し、反応室１０１と作業室１０２の圧力差が所定値以下になるときに排出弁１１２ｂと均圧弁１０７ｂを開き、反応室１０１からガスを排気しながら均圧路１０７ａを介して反応室１０１と作業室１０２を連通し、反応室１０１と作業室１０２の圧力を等しくしてから反応室１０１を開放する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜成長を行う際に、基板表面へのエッチングダメージを軽減して、良質なエピタキシャル膜を得る技術を提供する。
【解決手段】表面に絶縁体面と半導体面とを有する基板を処理室内に搬送する工程と、前記処理室内に搬送された基板に対し、水素含有ガスと塩素含有ガスとを供給し、前記基板の前記半導体面をエッチングするエッチング工程と、前記エッチングされた基板に対し、水素含有ガスを供給して基板表面の残留塩素を除去する第１パージ工程と、前記残留塩素を除去された基板に対しシリコン含有ガスを供給し、前記基板の半導体面にシリコン含有膜を形成する成膜工程とを備え、前記エッチング工程と第１パージ工程とを含む工程を連続して２回以上実施するよう半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料８を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料８を載置し冷却液１７の流路が設けられた試料台１５と、試料８の搬入口側に配置され試料台１５に向かって冷却用ガス１０を吹き付けるガス吹き付け管１１と、試料台１５を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス１０を排気する排気口１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する装置の損傷等を確実に防止する。
【解決手段】収納筐体２９０と包囲部材２８０との間の間隙ＳＰ３と、包囲部材２８０と処理炉２０２との間の間隙ＳＰ４とに不活性ガスを供給し、間隙ＳＰ４の不活性ガスは直接的に接続孔２８４を介して不活性ガス排出管２９１に到達し、間隙ＳＰ３の不活性ガスは包囲部材２８０の開口部２８３を介して包囲部材２８０の内側に回り込んで接続孔２８４から不活性ガス排出管２９１に到達する。これにより、不活性ガスを収納筐体２９０の隅々まで行き渡らせて、ヒータ室ＨＲ内に漏れた処理ガスを滞留させること無く略完全に希釈して外部に排出させることができる。よって、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する基板処理装置１０１の損傷等を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理室内および排気ラインへの反応生成物の堆積を抑制でき、かつ、塩化水素ガスによる腐食を抑制できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室２０１で基板に対して膜を形成する第一ステップと、前記第一ステップ後に、前記処理室２０１の外部から前記処理室２０１の内部へ大気を取り込み、前記処理室２０１の内部および前記処理室２０１に接続された排気ラインの内部に付着した付着物と前記大気中に含まれる水分とを反応させて、少なくとも塩化水素ガスを発生させるとともに、前記塩化水素ガスを前記排気ラインから排気する第二ステップとを有し、前記第二ステップは、前記処理室２０１の前記塩化水素ガスの濃度値が設定濃度値以下になるまで維持される。 （もっと読む）

【課題】極力スループットを低下させずに、希釈ガスの無駄を抑制しつつ安全に可燃性ガスを排気することができる排気方法およびガス処理装置を提供すること。
【解決手段】処理ガスの排気流量を、処理ガスをその爆発下限界値に希釈したときに除害装置の最大処理能力のガス流量となる量以下の所定値に決定する工程と、決定した処理ガスの排気流量を維持するための単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量を、排気流量と単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量との関係式に基づいて算出する工程と、算出された単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量となるように、チャンバ内の圧力の目標設定値を所定時間毎に自動圧力制御バルブの制御値として更新設定して自動圧力制御バルブによりチャンバ内の圧力を制御しながら、決定された排気流量を維持するように排気する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】炉本体と処理容器との間の空間内の圧力を検知する圧力検知センサを簡単な構造で設置する。
【解決手段】縦型熱処理装置１は、ヒータエレメント１８を有する炉本体５と、炉本体５内に配置され、被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を備えている。炉本体５に空気供給ライン５２と空気排気ライン６２とが接続され、空気供給ライン５２に空気供給ブロア５３および空気供給ライン側弁機構５４Ａが配置され、空気排気ライン６２に空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが配置されている。炉本体５を貫通して温度センサ信号ライン８３が収納された保護管５０ａが設けられ、保護管５０ａに圧力検知孔８５が形成されている。この圧力検知孔８５に圧力検知センサ８０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】反応容器内の温度をより早く調整できるようにする。
【解決手段】基板処理装置１は、ウェハ３０５を処理する反応容器３０９と、この反応容器３０９を囲繞するインナシェル５０と、インナシェル５０の内側に設けられた発熱体２０と、インナシェル５０内のガスを排気する排気ダクト８０と、インナシェル５０内において排気ダクト８０と反応容器３０９との間に設けられ、発熱体２０から発した熱線を反射する複数の反射体９２、９３と、複数の反射体９２、９３のうち少なくとも１つを移動し、複数の反射体９２、９３間の隙間９５を広げたり狭めたりする駆動装置１００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板が破損する可能性を軽減しつつ、基板が載置台上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法を提供すること。
【解決手段】載置台の載置面から被処理体の裏面に対して、所定の吸着判定圧力にて流体を供給する工程と（ステップ２）、吸着判定圧力にて流体を供給開始してから、所定の吸着判定時間が経過したときの流体の流量を検知する工程と、該工程において検知された流体の流量が、所定の吸着判定流量以下か否か、を判定する工程と（ステップ３）、該工程における判定の結果、流体の流量が吸着判定流量以下の場合、被処理体の裏面に対して流体を供給する圧力を吸着判定圧力よりも高圧の吸着解消圧力にする工程と（ステップ７）、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハへの欠陥の発生を防止しつつ、ウェーハを適切に冷却することのできる技術を提供する。
【解決手段】反応炉内に処理対象のウェーハＷを収容し、ウェーハＷにエピタキシャル層を気相成長させ、その後、ウェーハＷを冷却することによりエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法であって、ウェーハＷをランプにより加熱しつつ、エピタキシャル層を気相成長させ、エピタキシャル層が形成された高温のウェーハＷをランプの出力を制御することにより、ウェーハＷの温度の冷却速度が所定の速度（例えば、３度／秒）以下となるようにしてウェーハＷを冷却する。 （もっと読む）

基板に第III族金属窒化膜を蒸着させるための装置であり，窒素源から窒素プラズマを生成するプラズマ発生器と，基板に第III族金属窒化物を蒸着させるために，第III族金属を含む反応試薬を，窒素プラズマから生じる反応性窒素種と反応させる反応室と，プラズマ発生器から反応室への窒素プラズマの通過を促進させるプラズマ導入口と，窒素プラズマの通過用の１又はそれ以上の流路を有するバッフルとを備える。バッフルは，プラズマ導入口と基板との間に配置され，プラズマ導入口と基板との間で窒素プラズマが直通することを防止する。
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【課題】パーティクル低減効果に優れ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウェハ１０を反応炉１内にロードする工程と、反応炉１内でウェハ１０に成膜を行う工程と、成膜後のウェハ１０を反応炉１よりアンロードする工程と、ウェハ１０をアンロード後、反応炉１内にウェハ１０がない状態で、反応炉１を覆って設けられた断熱カバー４１と反応炉１との間の空間に冷却媒体を流して反応炉１内温度を１０℃／ｍｉｎ以上の降温レートで降下させつつ、反応炉１内にパージガスを流して反応炉１内をガスパージする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置１は、半導体基板に成膜処理を行うものであって、半導体基板への成膜処理が行われる本体部２と、出し入れ口を介して本体部２に搬入され若しくは出し入れ口を１８介して本体部２から搬出される半導体基板が待機する待機エリアを有する基板ロード／アンロード部３と、出し入れ口１８を開閉する開閉機構１６と、本体部２の気圧を検出する第１センサ２６と、基板ロード／アンロード部３の気圧を検出する第２センサ２９と、第１センサ２６および第２センサ２９からの情報に基づいて、開閉機構１６を制御する制御部２４とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】パーティクル低減効果に優れ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウェハ１０を反応炉１内にロードする工程と、反応炉１内に成膜ガスを供給しメイン排気ライン３１を介して排気してウェハ１０に成膜を行う工程と、成膜後のウェハ１０を反応炉１よりアンロードする工程と、ウェハ１０をアンロード後、反応炉１内にウェハ１０がない状態で、反応炉１を覆って設けられた断熱カバー４１と反応炉１との間の空間に冷却媒体を流して反応炉１内を強制冷却しつつ、反応炉１内にパージガスを流しメイン排気ライン３１より分岐して設けられたハイフローベントライン３２を介して排気して反応炉１内をガスパージする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】反応容器をより早く冷却できるようにする。
【解決手段】基板処理装置１は、ウェハ３０５を処理する反応容器３０９と、この反応容器３０９を囲繞するインナシェル５０と、インナシェル５０の内側に設けられた発熱体２０と、インナシェル５０内のガスを排気する排気ダクト８０と、インナシェル５０内において排気ダクト８０と反応容器３０９との間に設けられ、発熱体２０から発した熱線を反射する複数の反射体９２，９３と、複数の反射体９２，９３のうち少なくとも１つを移動し、複数の反射体９２，９３間の隙間９５を広げたり狭めたりする駆動装置１００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】急激な圧力変動に伴うガス流量制御器の制御異常を解決し、大流量のＮ2ガス等によりウェーハを冷却することでスループットの向上を図る。
【解決手段】基板を処理する処理室５４と、該処理室に隣設された予備室３６と、該予備室にガスを供給するガス供給ライン４１と、該ガス供給ラインに設けられ、設定圧力値に基づき前記予備室に流すガスの圧力を調整する減圧弁７９と、前記ガス供給ラインに於ける前記減圧弁と前記予備室との間に設けられ、前記予備室に流すガスの流量を調整するガス流量調整弁５８と、前記ガス供給ラインからガスを前記予備室に供給する際に、前記減圧弁の設定圧力を可変させる制御部８２とを有する。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの積算流量条件の検証を省略できる方法を提供する。
【解決手段】ウエハを処理する処理室２２と、処理室２２内へＨ_２ガスを供給する水素ガス供給管２７と、処理室２２内へＮ_２ガスを供給する窒素ガス供給管２８と、処理室２２内を排気する処理室用排気管２５とを備えたアニール装置１０において、処理室用排気管２５に処理室２２内のＨ_２ガスの濃度を測定する高濃度計Ｇ１と、高濃度計Ｇ１とは検出限界の異なる低濃度計Ｇ２とを設け、コントローラ５５にそれぞれ接続する。コントローラ５５は、Ｈ_２アニール後のＮ_２ガスパージステップにおいて、処理室２２内に残留したＨ_２の濃度を高濃度計Ｇ１により測定しつつ処理室２２内にＮ_２ガスを供給し、高濃度計Ｇ１の検出限界に達すると、低濃度計Ｇ２に切り替えて、低濃度計Ｇ２によりＨ_２ガスの濃度を測定しつつ処理室２２内にＮ_２ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】密閉部材がシール面に固着してしまうという問題を解決し、安全にメンテナンスを行うことができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】反応管と該反応管に密閉部材を介して当接するマニホールドとで画成され、内部で基板を処理する反応容器と、前記反応管と前記マニホールドとを切り離す際に、前記密閉部材の剥離を補助する剥離補助手段とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成により基板割れを防止して基板を冷却することができる処理装置及びこれを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】処理装置である冷却室１５は、チャンバと、基板を搬送する搬送手段１５１と、前記搬送手段の作動を制御して前記基板を前記チャンバ内の所定位置で停止させるための制御手段と、前記チャンバの天井部に、所定位置に搬送され停止された前記基板の中央部に対向するように設置された２以上の冷却用ファン１５５ａ、１５５ｂとを備える。成膜装置は、この冷却室１５を備えている。 （もっと読む）