【課題】 生産性の向上及び生産コストの大幅な低減並びに品質の向上を効果的に図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 真空処理可能なチャンバ内でプラズマを発生させるプラズマ発生源１と、被処理基板１００をプラズマ発生源１と対向配置させた状態で搬送するローラ２とを備え、プラズマ発生源１から発生したプラズマを用いて、被処理基板１００に処理を行うプラズマ処理装置であって、プラズマ発生源１は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、マイクロ波発生器から発せられたマイクロ波が伝播する導波管と、導波管の長手方向に延在して設けられ、プラズマを発生させ、チャンバ内へ導くギャップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 高品質な薄膜デバイス等を高速に製造できるプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】 プラズマプロセス装置は、被処理基板５が内部に配置される処理室１と、処理室１の内部にガスを導入するガス導入口７と、処理室１の内部に設けられ、被処理基板５にプラズマ処理を施すためのプラズマ源とを備え、プラズマ源は、カソード電極２（第１電極）と、カソード電極２の電極面の一部に配置された誘電体４と、誘電体４上に配置されたアノード電極３（第２電極）とを有し、アノード電極３がアノード電極３の長手方向に誘電体４に対して相対的に伸縮可能となるように設置されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム用の改良された上部電極を提供する。
【解決手段】プラズマ処理システム用の上部電極２２は、電極板２４と、電極板２４に結合された堆積シールド２６とを含む。電極板２４は、上部電極２２を上部アセンブリ２０に結合する第１の面８２と、プラズマ面９０と電極板２４をプラズマ処理システムに係合させる係合面９２とを含む第２の面８８と、周辺エッジ９４と、第１の面８２及び第２の面８８に結合された複数のガス注入オリフィス１００とを含む。堆積シールド２６は、プラズマ面９０と隣接する内面７２と、係合面９２と隣接する外面７４と、末端リップ面７８を含む末端面７６とを有する円筒壁７０を含む。プラズマ面９０、内面７２、及び末端リップ面７８を含む、上部電極２２の露出面１４５に保護バリア１５０が結合される。
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本発明の基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給系２３２ａ、２３２ｂと、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系２３１、２４６と、処理ガスをプラズマ化するため、保護管２７５内に挿抜可能に収容された一対の電極２６９、２７０とを有し、電極２６９、２７０は可撓性の部材で構成され、少なくとも一箇所が屈曲した状態で保護管２７５内に収容される。 （もっと読む）

処理室に被処理基板を収容し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置の処理室を清浄化するにあたり、処理室内に酸素を含むガスのプラズマを形成する工程と、処理室内に窒素を含むガスのプラズマを形成する工程とを交互に実施する。 （もっと読む）

プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリは、シャワーヘッド電極に取り付けられた熱制御板、および熱制御板に取り付けられた上板を備える。少なくとも１つの熱ブリッジが、熱制御板の対向する両表面と上板との間に提供されて、熱制御板と上板との間の電気的および熱的な伝導を可能にする。熱ブリッジと上板との間の潤滑材料は、天板と熱制御板との間の熱膨張の違いに起因する、対向する金属表面の摩損を最小限にする。熱制御板によって支持されたヒータは、温度制御された天板と連携して、シャワーヘッド電極を所望の温度に維持する。
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チャンバ（２）内の略中央には、所定対象のウエハ（Ｗ）を載置するサセプタ（１６）と、サセプタ（１６）を支持する支持台（１５）が設置されている。処理ガス供給装置（４）は、ウエハ（Ｗ）を処理するための処理ガスをチャンバ（２）内に供給する。第１高周波電源（５）及び第２高周波電源（７）は、それぞれ所定の高周波電圧を印加することにより、供給された処理ガスのプラズマを生成してウエハ（Ｗ）を処理する。支持台（１５）及びサセプタ（１６）の周囲には、接地された導電部材（１８ａ）を有する堰（１８）が設けられており、これにより、生成されたプラズマがサセプタ（１６）に載置されたウエハ（Ｗ）上の領域に封じ込められる。 （もっと読む）

大面積および／または高周波プラズマ反応器内の電圧および電界不均一性に対する真空処理装置および補償方法が示される。本方法は、例えば、ＬＣＤ、プラズマディスプレイおよび太陽電池の製造で用いられる長方形（または正方形）で大面積のプラズマ処理機器、または処理に電磁波（ＲＦ、ＶＨＦ）を用いる他のあらゆる反応器に対して広く適用可能である。本装置は、真空容器と、内部プロセス空間を画定する少なくとも２つの電極と、前記電極と接続可能な少なくとも１つの電源と、内部プロセス空間内で処理されることになる基板のための基板ホルダーと、ガス入力手段とを備え、前記電極のうちの少なくとも１つは第１断面に沿って凹状プロファイルを持ち、第２断面に沿って凸状プロファイルを持ち、第１断面は第２断面に平行である。
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【課題】空間的に均一な密度のプラズマを生成することができるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１内に複数個の高周波アンテナ１６を配置し、各高周波アンテナ１６にインピーダンス素子１７を接続する。高周波電源２０に、銅板１８を介して複数の高周波アンテナ１６を並列に接続する。各インピーダンス素子１７をそれぞれ適切な値に調節することにより、高周波電源２０から各高周波アンテナ１６に供給される高周波電力を制御する。これにより、真空容器１１内のプラズマ密度の均一性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】被処理物へのチャージングダメージを抑制しつつ、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施す。
【解決手段】下部電極２および上部電極３に高周波電力が供給されて、下部電極２および上部電極３間のプラズマによるエッチング処理が開始されてから第１次処理時間が経過すると、上部高周波電源６から出力される高周波電力の大きさがコントローラ７により制御されて、上部高周波電源６から上部電極３に印加される高周波電力の大きさが約２００Ｗから約３００Ｗに変更される。
【効果】エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布を均一に保つことができ、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができる。 （もっと読む）