【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１００は、高周波電力を発生させる高周波電源６と、高周波電源６から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極２と、高周波電源６とプラズマ生成電極２との間に介在し、伝送路９のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器７と、整合器７とプラズマ生成電極２との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路８とを具備し、整合器７は、プラズマとインピーダンス調整回路８とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路８によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 （もっと読む）

【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置６０は、シャワーヘッド１６と、処理ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する処理ガス供給部６６と、処理ガス供給部６６からの処理ガスを流す処理ガス供給流路６４と、処理ガス供給流路６４から分岐してシャワーヘッド１６に処理ガスを供給する分岐流路６４ａ，６４ｂと、付加ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する付加ガス供給部７５と、付加ガス供給部７５からの付加ガスをシャワーヘッド１６に流す付加ガス供給流路７６とを具備し、シャワーヘッド１６は、ウエハＷの配置領域にガスを供給する第１、第２ガス導入部５１，５２と、ウエハＷの外縁よりも外側にガスを供給する第３ガス導入部５３とを有し、分岐流路６４ａ，６４ｂは第１、第２ガス導入部５１，５２に接続され、付加ガス供給流路７６は、第３ガス導入部５３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】
従来に比べて製造が容易であり、かつ基板に向けて原料ガスを均一に供給することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係る薄膜を形成する成膜装置は、基板４を配置している第一電極３と、基板４に対向しかつ高周波電圧が印加される第二電極２とを備えており、第二電極２は、基板４に対向する面にシャワー板９を有しているとともに、シャワー板９の基板４に対向する面に一枚のメッシュ板１０を有しており、シャワー板９は、原料ガスを通過させる複数の孔９ａを有しており、メッシュ板１０は、シャワー板９の孔９ａを通過した原料ガス５を通過させるためのメッシュ構造を有し、メッシュ板１０と基板４との間にプラズマが発生する空間を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、（ａ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第１のクリーニングを行なう工程と、（ｂ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第２のクリーニングを行なう工程と、を含む。第１のクリーニングを行なう工程における処理空間の第１の圧力は、第２のクリーニングを行なう工程における処理空間の第２の圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の細孔に対しても効率よくかつ精度よく当該細孔内を流れるガスの流量を測定することができる作業性のよい流量測定装置を提供する。
【解決手段】本発明の流量測定装置は、大気圧より低い所定圧力で吸引する吸引手段１と、この吸引手段に夫々接続される主吸気通路２、２ａ及び比較吸気通路３、３ａとを備える。主吸気通路が細孔Ｈの一側に着脱自在に接続され、比較吸気通路が細孔に対応する第１の測定基準孔ＲＨ１に連通し、この比較吸気通路に細孔に対応する第２の測定基準孔ＲＨ２が介設されると共に主吸気通路に細孔に対応する第３の測定基準孔ＲＨ３が介在され、吸引手段を稼働して細孔及び第１の測定基準孔を通してガスを夫々吸引し、細孔及び第３の測定基準孔備の間、及び、第１及び第２の両測定基準孔の間における主吸気通路と比較吸気通路との圧力差を測定する測定手段１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマＣＶＤ装置では、アモルファスＳｉ薄膜堆積の際、分解種ＳｉＨ_２とＳｉＨ_４親分子との反応が起こりやすく、結果として生成される高次シランが、堆積膜の光安定性の低下の原因となっている。また、生成されるパウダーが、装置の稼働率を低下させている。
【解決手段】プラズマで分解されるガスを、電極（２）表面上のプラズマ生成部へ向けて小孔（１２ａ）から供給する。更に、これとは異種のガスを別の小孔（１２ｂ）から供給して、分解後のガスと気相反応させる。気相反応用に供給するガスを適宜選択することで、プラズマ分解されたガス中のプロセス上有害な分解種を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理において、従来に比べて大面積の成膜用基板を、効率よく成膜する。
【解決手段】プラズマを用いた成膜装置は、成膜用基板が配置される成膜空間を備える成膜チャンバと、前記成膜空間に導入された成膜用ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ生成ユニットと、を有する。前記プラズマ生成ユニットは、プレートであって、前記プレートの厚さ方向に貫通する複数の貫通孔と、前記貫通孔それぞれの両側の開口の周りに設けられた電極対と、を備えたプラズマ生成プレートと、前記貫通孔それぞれの中でプラズマを生成するために、前記電極対にプラズマ生成電圧を供給する電源と、前記プラズマ生成電圧の供給を前記電極対毎に制御する制御ユニットと、を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化膜の屈折率及び／又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の１つの窒化膜の製造装置１００は、チャンバー３０内に配置された基板２０上にプラズマＣＶＤ法によって窒化膜７０（７０ａ）を形成する窒化膜の製造装置１００である。具体的には、この窒化膜の製造装置１００は、窒化膜７０（７０ａ）の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第１高周波電力及び／又は相対的に低い周波数の第２高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び／又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望（応力が０の場合を含む）の窒化膜７０（７０ａ）の圧縮応力又は引張応力を得るための第１高周波電力が印加される第１期間と第２高周波電力が印加される第２期間とを算出する制御部３９を備えている。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性の高いアモルファスカーボン膜を提供する。
【解決手段】上部電極および下部電極が処理容器内に配設された平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用い、下部電極上に基板を配置する工程と、処理容器内に一酸化炭素および不活性ガスを供給するとともに、少なくとも上部電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させることにより一酸化炭素を分解し、基板上にアモルファスカーボンを堆積して成膜する工程とを有する。上部電極が炭素電極であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、製膜室のクリーニング後に、仮製膜を行った際に堆積する膜の剥離を防ぎ、半導体薄膜中に堆積膜が混入することを防ぐ方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法においては、仮製膜の際に結晶質シリコン薄膜を用いている。仮製膜の際に、結晶質シリコン薄膜を用いることで、堆積膜が半導体薄膜の膜中に取り込まれることを防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】腐食性が極めて強い不活性ガスや水素及び酸素ガス等の高密度プラズマに完全な耐腐食性を有するとともに、水分を全く放出せず、しかも、安定した整流状態のガス放出が得られる無数のガス放出穴を有するＡｌ合金系材料のシャワープレートを提供すること。
【解決手段】Ａｌ合金系材料の薄板に、溝の深さが０．０２〜０．５ｍｍで、横巾が０．０２〜１０ｍｍで、長さが３〜３０ｍｍで、無数の溝と溝との間隔が０．１乃至２ｍｍの範囲内の角状溝を形成し、次いで、表面粗さが０．１ｓ以内のＡｌ_２Ｏ_３保護膜を生成させたシートを積層してシャワープレートを形成した。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜を活性層とするＴＦＴの閾値ドリフトを小さくする。
【解決手段】シリコンを含む半導体装置の製造方法であって、シリコンを含む原料ガスを水素ガスで６００倍以上に希釈する工程と、前記希釈した原料ガスと水素ガスの混合ガスに高周波電力を加えて放電させる工程と、前記放電により分解した原料ガス中のシリコンを基板に堆積させる工程と、前記混合ガスの圧力を６００Ｐａ以上に制御する工程とを含み、前記原料ガスの水素ガスによる希釈率がＤ、前記混合ガスの圧力がＰ（Ｐａ）のとき、前記高周波電力の電力密度Ｐｗ（Ｗ／ｃｍ^２）をＰｗ（Ｗ／ｃｍ^２）×Ｄ（倍）／Ｐ（Ｐａ）の値が０．０８３以上、かつ０．２２２以下となる範囲に設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ領域に導入するエッジガスが基板のセンタ領域に拡散することを抑制する。
【解決手段】 基板のセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けてガスを別々に供給するガス導入部を構成する上部電極２００を設ける。上部電極はセンタガスのガス孔２１２を複数設けたセンタガス導入部２０４と，エッジガスのガス孔２１４を複数設けたエッジガス導入部２０６とを備え，エッジガス導入部のガス孔に連通するガス孔２３２が形成されたガス孔形成板２３０をエッジガス導入部の下面に取り付けることによって，エッジガス噴出口の垂直位置を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理プロセスの間に加工物上方の電束の均一性を改善する。
【解決手段】誘電材料１０８を有し、かつ／あるいは異なる厚さ、プロファイル、および／または形状を伴う空洞１０６を有する静電チャックアセンブリ１００は、導電支持体１０２と、静電チャックセラミック層１０４とを含む。誘電体層またはインサート１０８は、導電支持体１０２と静電チャックセラミック層１０４の間に配置される。空洞１０６は、静電チャックセラミック層１０４の座面内に配置される。埋め込まれた極パターンが、静電チャックアセンブリ中に任意に組み込まれてよい。 （もっと読む）

【課題】低い基板温度でナノ構造体またはナノ材料を製作する方法を提供する。
【解決手段】熱コントロールバリアを基板上に実質的に連続した層として提供するステップと、ガスプラズマを提供するステップと、当該ガスプラズマとは異なる熱源によって熱コントロールバリアを層の上方から追加加熱を先行して提供するステップと、追加加熱する間にガスプラズマを使用するプラズマ化学気相堆積法によって、ナノ構造体またはナノ材料を基板の層上に形成するステップと、を含んでいる製作方法。 （もっと読む）

【課題】基板をエッチングまたはコーティングする
【解決手段】誘電体基板（１００）は第１の真空蒸着ステーション（１０２）で、１０^−５Ωｃｍ≦ρ≦１０^−１Ωｃｍが抵抗率（ρ）について成り立つ材料の層でコーティングされ、しかも、結果として生じる面積抵抗率Ｒ_Ｓが０≦Ｒ_Ｓ≦１０−４Ω_δの範囲内におさまるようにコーティングされる。次いで、コーティングされた誘電体基板（１０４）にステーション（１０５）で反応性高周波プラズマ処理工程が施される。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置の電極面積が大きくなると、表面定在波の影響が顕著に現れ
るようになり、ガラス基板に形成される薄膜の膜質や厚さの面内均一性が損なわれるとい
ったことが問題となる。
【解決手段】反応室内にグロー放電プラズマを生成する電極に周波数の異なる二以上の高
周波電力を供給する。周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し
、半導体若しくは絶縁体の薄膜を形成する。好ましくは周波数の異なる高周波電力を供給
する場合と、一の周波数の高周波電力を供給する場合とを自在に切替える。周波数の異な
る（波長が異なる）高周波電力をプラズマＣＶＤ装置の電極に重畳印加することで、プラ
ズマの高密度化と、プラズマの表面定在波効果が生じないように均一化を図る。 （もっと読む）

【課題】カート上に配置された基板の面内膜厚分布のばらつきを低減できる成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ化学気相成長方式の成膜装置であって、成膜処理対象の複数の基板が配列して搭載される矩形の搭載面を有するカートを備え、搭載面の四隅の各頂点からそれぞれ一定の範囲の表面が、搭載面の他の範囲の表面よりも表面粗さが大きい粗面である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴデバイスにおける高品質ゲート誘電体層を形成するのに有用な方法及び装置を提供する。
【解決手段】高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）処理層がチャネル、ソース、及びドレイン領域上に形成されて誘電体インターフェースを構成し、次に、１つ以上の誘電体層をＨＤＰＯ層上に堆積して高品質ゲート誘電体層を形成する。ＨＤＰＯ処理は、一般的に、誘導及び／又は容量結合ＲＦ伝達デバイスを用いてプラズマを発生し、基板上で発生したプラズマを制御し、また酸化源を含有するガスを注入して界面層を成長させる。次に、第２誘電体層をＣＶＤ又はＰＥＣＶＤ堆積処理を用いて基板上に堆積する。 （もっと読む）

【課題】上下方向で基板両面が基板よりも大きい輪郭の処理手段で覆われる場合でも基板とマスクの相対位置を撮像し、基板とマスクを精度よく位置決めでき、ＣＶＤ装置に適用したときでも、膜厚や膜質の面内均一性よく成膜できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１ａ内で基板Ｓに対向配置されるマスクＭと、基板に対してマスクを相対移動させる移動手段６３と、基板上側に配置されて基板の片面に対してマスク越しに所定の処理を施すガス導入部３及び高周波電源５と、基板の他面を覆うように基板下側に配置される本体２１を有して基板の他面側から所定の処理を施す加熱プレート２とを備える。本体２１下側に撮像手段７を設け、本体２１に上下方向の透孔２４ａを形成すると共に透孔内に透光性部材２４ｂを埋め込んで撮像用光路２４を構成し、撮像用光路を通して撮像手段により基板とマスクの相対位置を撮像し、この撮像データを基に移動手段を制御する。 （もっと読む）