【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４、第二石英板５、及び、冷媒ケース１６によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５と冷媒ケース１６とは、ボルト１９をタップ１８にねじ込むことにより、固定される。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ領域に導入するエッジガスが基板のセンタ領域に拡散することを抑制する。
【解決手段】 基板のセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けてガスを別々に供給するガス導入部を構成する上部電極２００を設ける。上部電極はセンタガスのガス孔２１２を複数設けたセンタガス導入部２０４と，エッジガスのガス孔２１４を複数設けたエッジガス導入部２０６とを備え，エッジガス導入部のガス孔に連通するガス孔２３２が形成されたガス孔形成板２３０をエッジガス導入部の下面に取り付けることによって，エッジガス噴出口の垂直位置を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に薄膜を形成する成膜装置に付着した堆積物をクリーニングする方法を提供する。
【解決手段】基板ステージの温度を非加熱状態〜４００℃、好ましくは２００℃〜４００℃に維持した成膜チャンバー内に水素あるいは水素−アルゴン混合ガスからなる水素系クリーニングガスを供給し、前記成膜チャンバー内に配置した電極にパルス電源装置から電力を印加することで発生したパルスプラズマを成膜チャンバー内の壁面部分に作用させて、成膜装置に付着した堆積物をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】シンプルな構成により、放電電極と対向電極との間隔を正確に設定可能にし、安定した製膜品質を得るとともに、製膜処理を施す基板の生産性を向上させる。
【解決手段】製膜装置１（真空処理装置）は、真空チャンバ２と、真空チャンバ２の内部に設けられた放電電極面４ｂを有する放電電極４と、真空チャンバ２の内部に設けられて、放電電極面４ｂとの間に所定の電極面間隔Ｃを介して平行に対向する対向電極面５ｂを有する対向電極５と、対向電極５を駆動して電極面間隔Ｃを変更する電極駆動機構１５と、電極面間隔Ｃを決定するとともに、真空チャンバ２内の真空状態を維持しながら真空チャンバ２の外部から電極面間隔Ｃの設定を調整可能な電極面間隔調整装置２８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を生産性高く作製する方法を提供する。また、該微結晶半導体膜を用いて、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】反応室内に第１の電極及び第２の電極が備えられたプラズマＣＶＤ装置を用いて、堆積性気体及び水素を第１の電極及び第２の電極の間に配置された基板を含む反応室内に供給した後、第１の電極に高周波電力を供給することにより反応室内にプラズマを発生させて、基板に微結晶半導体膜を形成する。なお、プラズマが発生している領域において、基板端部と重畳する領域のプラズマ密度を、基板端部と重畳する領域より内側の領域のプラズマ密度より高くし、基板端部より内側の領域に微結晶半導体膜を形成する。また、上記微結晶半導体膜の作製方法を用いて、半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】アンテナ交換方法は、複数の真空チャンバ１と基材搬送チャンバ１５０の内部を真空状態に減圧し、アレイアンテナユニット３０をアンテナ搬送チャンバ２００に収容し、そのアンテナ搬送チャンバ２００の内部を真空状態に減圧し、アンテナ搬送チャンバ２００と真空チャンバ１との内部を真空状態に維持したまま当該両チャンバを連通し、真空状態を維持したまま連通された両チャンバ間で、アンテナ搬送チャンバ２００から真空チャンバ１にアレイアンテナユニット３０を搬入し、真空チャンバ１内に搬入されたアレイアンテナユニット３０の電極棒それぞれが、高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタに接続されるようにアレイアンテナユニット３０を真空チャンバ１内に掛け止めする。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、真空状態に減圧可能な内部にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバと、真空チャンバに設けられ高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタと、これらコネクタそれぞれに接続可能な複数本の電極棒５１を有し、高周波電源から電力供給されることによりプラズマを発生させるアレイアンテナユニットと、を備える。アンテナ搬送体７０は、真空チャンバ内を移動可能であって、アレイアンテナユニットを着脱自在に保持するアンテナ保持部材７３、および、このアンテナ保持部材７３に保持されたアレイアンテナユニットを昇降するエアシリンダ７６を有する。アンテナ保持部材７３には、アレイアンテナユニットを揺動可能に保持する荷重受け部７７が設けられる。 （もっと読む）

【課題】装置が大型化することなく、また、コストを抑制しながらも、アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】真空チャンバ１の天井部２ａには高周波電源に電気的に接続された複数の天井側コネクタが設けられる。アレイアンテナユニット３０は、天井側コネクタに接続可能な複数本の電極棒を有し、電極棒が天井側コネクタに接続された状態で高周波電源から電力供給されることによりプラズマを発生させる。真空チャンバ１内には、基板を保持する基板搬送体６０の車輪６２をガイドするガイドレール１７が設けられる。アンテナ搬送体７０は、基板搬送体６０と共通のガイドレール１７にガイドされる車輪７２を備えており、アレイアンテナユニット３０を着脱自在に保持した状態で、真空チャンバ１内を移動可能となっている。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有し光電変換効率の高いシリコン系薄膜光電変換装置を簡易な製造装置を用いて低コストでかつ高効率で製造する方法を提供する。
【解決手段】本シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、第１のｐ型半導体層１１、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層１２、および第１のｎ型半導体層１３を含む非晶質ｐｉｎ構造積層体１０を備え、非晶質ｐｉｎ構造積層体１０が第１のｐ型半導体層１１または第１のｎ型半導体層１３に結晶質シリコン系半導体を含む積層型シリコン系薄膜光電変換装置１００の非晶質ｐｉｎ構造積層体を、同一のプラズマＣＶＤ成膜室内で、プラズマＣＶＤ成膜室のカソードとアノードの距離が３ｍｍ以上２０ｍｍ以下、成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下および電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ²以上０．３Ｗ／ｃｍ²以下の条件で形成する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シラン混入の少ない高品質なアモルファスシリコン薄膜を大面積で得るために、広い面積に渡り陰極凹部（ホロー）にプラズマを発生させることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空容器２内に、被成膜基板１３を置くための接地電極１１と、該接地電極と２〜５００ｍｍの間隔を空けて配置され高周波電源１５に接続された陰極３と、該陰極と前記接地電極との間に配置された電位シールド板８とを備え、前記陰極は、前記接地電極に対向する側に対向面５と複数の凹部４とを有する。前記電位シールド板は、前記陰極の各凹部と相対する各位置に、該各凹部の電位シールド板と平行な平面への投影面積の５０〜２５０％の投影面積を有する貫通孔９が形成されている。前記陰極と前記電位シールド板とは、最近接部の間隔が０．１〜２０ｍｍとなるよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】
複数の凹部または複数の排気孔を設けたカソード電極を備えるプラズマ処理装置において、カソード電極の近傍のみにプラズマを発生させて基板近傍のプラズマ発生を抑制し、膜中への不要物質の混入を防ぐとともに、カソード電極の全ての凹部または全ての排気孔に均一にプラズマを生成することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】
凹部または排気孔を備えるカソード電極と基板保持機構との間にアノード電極を配置し、該アノード電極は前記カソード電極の凹部または排気孔に対向する位置に貫通孔を備え、前記カソード電極と前記アノード電極との間の距離が可変である、プラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の低い不純物元素を有する非晶質半導体を形成する。また、電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により不純物元素を有する非晶質半導体を形成する方法において、パッシェンの法則で最小放電開始電圧を満たす圧力及び電極間隔において、パルス変調した放電開始電圧を電極に印加することより、抵抗率の低い不純物元素を有する非晶質半導体を形成する。 （もっと読む）

【課題】３層以上の膜を成膜するに際して、第１の膜の成分が第３の膜に含まれることを防ぐ成膜方法を提供する。
【解決手段】上部電極１０４と下部電極１０２が設けられた成膜装置１００により３層以上の膜を成膜する多層膜の成膜に際して、下部電極１０２上に基板１１０を配して第１の膜１１２を成膜し、前記第１の膜１１２の形成時よりも上部電極１０４と前記基板１１０の間の距離を長くし、前記第１の膜１１２上に第２の膜１１４を成膜し、前記第２の膜１１４の形成時よりも前記上部電極１０４と前記基板１１０の間の前記距離を短くし、前記第２の膜１１４上に第３の膜１１６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】良質な微結晶半導体膜を形成することが可能な複数の結晶核を生成し、該複数の結晶核を成長させる微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜の作製に際して、連続放電によりプラズマを発生させて複数の結晶核を生成させる第１の工程と、パルス放電によりプラズマを発生させて前記複数の結晶核の間隙を埋める第２の工程と、を行い、前記第２の工程は前記第１の工程の後に行う。前記第１の工程と前記第２の工程は更に複数回繰り返してもよい。 （もっと読む）

【課題】基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０，３１と、接地電極１０，３１に支持される基板Ｂに対向して設けられる放電電極１１，３２とを備え、真空状態の接地電極１０，３１と放電電極１１，３２との間で基板Ｂを処理するように構成された真空処理装置１において、接地電極１０，３１および放電電極１１，３２の電極対の一方１０，３２が、電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する電極対の電極間距離Ｄを一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段１８が、対向領域１２，３３より外側で電極対の一方１１，３２と当接することによって、電極間距離Ｄを定めるように構成されている、真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】リフタを利用して電極間距離を直接測定することで，複雑な構成を追加することなく，電極間距離を正確に測定する。
【解決手段】処理室１０２内に対向して配置された上部電極１２０及び下部電極３１０と，下部電極から突没自在に設けられ，下部電極上に載置されたウエハＷを持ち上げて脱離させるリフトピン３３２と，リフトピンを昇降させるリフタ３３０と，下部電極にウエハが載置されていない状態で，リフタを駆動してリフトピンを上昇させて，上部電極に接触させることでリフタの移動距離から電極間距離を測定する制御部４００とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理物をステージ兼接地電極の固体誘電体層として代用するプラズマ処理装置において、空気の処理空間への微量混入を防止する。
【解決手段】第１ステージ部２１の第１金属表面２１ａを被処理物９にて覆う。第２ステージ部２２の固体誘電体層２５の内側誘電部２６を被処理物９の外周部９ｅにて覆う。処理ヘッド１０をステージ２０に対し相対移動させながら、吹き出しノズル１５から処理ガスを吹き出し、電極１１とステージ２０との間に電界を印加する。ステージ２０には、内側誘電部２６の表面から延びてステージ２０の処理ヘッド１０と対向する側以外の面へ抜ける通気孔２９を設ける。好ましくは、第１ステージ部２１と第２ステージ部２２との対向面どうし間に間隙を形成し、これを通気孔２９とする。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板に対する処理の品質に面内分布が生じることを抑制でき、かつ基板のたわみを十分に抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１３０及びアノード電極１２０は、処理容器１１０内に互いに対抗して配置される。アノード電極１２０は、帯状の可撓性基板５０を加熱する。またアノード電極１２０の側面のうち、平面視において可撓性基板５０が搬送時に通る部分には、湾曲部１２２，１２４が設けられている。湾曲部１２２，１２４は、可撓性基板５０の搬送方向と同方向に傾斜を有し、平面視において縁が外側に凸となる方向に湾曲している。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質の半導体膜を大面積の絶縁透光性基板の面内に均一に形成でき、かつ異なる製膜ロット間での膜質の差が小さい半導体膜の製造装置及び方法を得ること。
【解決手段】Ｈ_２ガス又はＨ_２ガスとＳｉＨ_４ガスとの混合ガスを分散供給するシャワーヘッド４と基板ステージ１とが内部に設けられた真空容器を製膜室として備えた半導体膜の製造装置であって、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間の空間にプラズマを発生させる高周波電源５と、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間の複数のモニタ箇所でプラズマの電子温度を測定するラングミュアプローブ８と、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間隔を調整する伸縮アーム１０と、各モニタ箇所での電子温度の測定値が設定値と一致するように、伸縮アーム１０を制御してシャワーヘッド４と基板ステージ１との間隔を調整する制御コントローラ１とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数のプラズマの高周波電源の電力を投入することでエネルギー密度を高めるとともに、高周波電力が同時に供給されることによって処理が不均一となる現象を抑制する。
【解決手段】プラズマを発生させる電極１２０に複数の高周波電源１１８，１１９が接続されたプラズマ処理装置であって、いずれかの高周波電源の高周波信号を生成する発振器１１２，１１６にはその発振が連続する時間に比べて１０％以下の時間の停止と前記停止後に再発振とを繰り返し行わせるリセット回路１１７を接続したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）