【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット３０を保持して真空チャンバ１内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒５１、５２を垂下させた状態でアレイアンテナユニット３０を保持する一対の支柱７５ａ、７５ｂと、これら一対の支柱７５ａ、７５ｂ間に懸架され、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材７８と、を備える。調整部材７８は、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に延在する延在部７８ａ、および、延在部７８ａから当該延在部７８ａの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒５１、５２の対向面に臨む移動制限部７８ｂを有する。移動制限部７８ｂは、延在部７８ａの長手方向に交差する方向にスライドして、電極棒５１、５２の対向面から退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内に基板を搬送する際の衝撃を低減する。
【解決手段】駆動モータ２０の出力軸に接続された駆動ピニオン２１を真空チャンバ１内に備え、駆動ピニオン２１を、基板搬送体６０に設けられたラック６４に噛合させて回転させることにより、基板搬送体６０を真空チャンバ１内に搬入するアレイアンテナ式プラズマＣＶＤ装置において、駆動モータ２０を真空用ダイレクトドライブモータで構成し、駆動ピニオン２１を所定の位相に停止させる。 （もっと読む）

【課題】位置決め可能な許容範囲を拡大することにより、位置決めミスが減少した安定的な位置決めを可能にする位置決め装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る位置決め装置２０は、突起物１８が形成された被位置決め部品１７を位置決めする装置であって、突起物１８を両側から当接して把持する一対の把持部材２３、２４と、一対の把持部材２３、２４を互いに接近または離反するように移動させる移動部２７とを備えている。把持部材２３は、突起物１８と当接面としてＶ字溝面２３ａを有しており、把持部材２４は、突起物１８と当接面として矩形面２４ａを有している。一対の把持部材２３、２４が突起物１８を把持したとき、把持部材２３におけるＶ字溝構造の両側部分２１が、Ｚ方向において、把持部材２４と重なる。 （もっと読む）

【課題】真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置において、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】真空搬送室１３の周囲に、基板に対して処理が行なわれる複数の処理室３０を設ける。前記真空搬送室１３の上方側に回転テーブル６を介して第１のガイドレール５４を設けると共に、前記回転テーブル６が対応する位置に静止したときに前記ガイドレール５４の延長線上に位置するように第２のガイドレール５２を設ける。移動体７１を、第１及び第２のガイドレール５２，５４に沿って、処理室３０の上方側に移動させ、移動体７１に設けられた蓋体保持機構８を上昇させることにより、蓋体３２に設けられた被保持部５を持ち上げて、処理室３０から蓋体３２を開放する。 （もっと読む）

【課題】 内管及び外管の着脱を効率良く行うことができ、使用する着脱治具のコストを低減できる。
【解決手段】 着脱工程は、外管の下端外縁を覆うように設けられた第１台座を蓋体上に載置し、蓋体を昇降させることで外管を着脱させる工程と、支持部に内管を支持させ、支持部の下端外縁を覆うように設けられた第２台座を蓋体上に載置し、蓋体を昇降させることで内管及び支持部を着脱させる工程と、を有し、外管を着脱させる工程と、内管及び支持部を着脱させる工程と、では、蓋体の軸心と同心状に配置するよう構成される第１台座又は第２台座に対し、第１台座の下側面の少なくとも一部を共通着脱治具の上面の少なくとも一部に重ね、第２台座の下側面の少なくとも一部を共通着脱治具の一部に重ね、共通着脱治具を介して第１台座又は第２台座を蓋体上に載置する。 （もっと読む）

【課題】対向面部材及び／またはサセプタ上面カバーの取外しの際にこれらに付着した生成物の落下によって悪影響を受けることのない気相成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体内に設置されて基板が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備えた気相成長装置であって、対向面部材１３を保持して昇降可能に構成された対向面部材昇降機構１４と、対向面部材昇降機構１４に保持された対向面部材１３の下方に移動して平面視でサセプタ１１を覆うように配置される搬送板１６を有すると共に搬送板１６に対向面部材１３を載置して搬送する搬送装置とを備え、対向面部材昇降機構１４は対向面部材１３の保持と保持解除を行うことができる保持部を備える。 （もっと読む）

【課題】内周側仕切板（基板対向面部）の取り外しを容易にすると共に基板取り出しの効率化を図り、作業性に優れた気相成長装置の提供。
【解決手段】気相成長装置１は、チャンバー本体３と、チャンバー本体３に設けられてチャンバー本体３を開閉するチャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、対向面部材１３をサセプタ１１に載置された基板９に対向配置される基板対向面部３７と、基板対向面部３７の周縁部を支持する基板対向面部支持部３９を備えて構成すると共に、対向面部材１３に設けられて該対向面部材１３をチャンバー本体３側に載置する脚部３１と、チャンバー蓋５に設けられて対向面部材１３に対して係脱自在でかつ対向面部材１３を保持できる係合保持機構１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来のように薄膜が基板以外の広範囲な領域に形成されず、したがって容易にクリーニングすることのできる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、基板Ｓを、成膜容器１２内の第１の内部空間２２内に設けられた筒形状のリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５内に配置する。リアクタ容器１４には、筒形状の内側の空間を筒形状の長手方向に沿って第１の層の空間と第２の層の空間とに区分けするための仕切板１５ｃが設けられ、２層構造となっている。原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器の一方の端の側に設けられ、リアクタ容器の一方の端から他方の端に向けて筒形状の長手方向に沿って、原料ガスを第１層の空間内に流す。ガス排気部は、リアクタ容器の他方の端で原料ガスの流れを折り返して第２の層の空間中を筒形状の長手方向に沿って一方の端に向けて流れるように原料ガスを吸引する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積法により、簡易な構成で均一な膜質の薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置１０であって、第１の内部空間を形成する容器であって、基板を搬入又は搬出するための基板搬入出口２８と、基板上に薄膜を形成するガスを内部に導入するためのガス導入口２９とを異なる位置に備える第１の容器２０と、第１の容器２０の内部に設けられ、第１の内部空間と隔てられる第２の内部空間を形成し、第１の開口を備える第２の容器６０と、第２の容器６０を所定の方向に移動する第１の移動機構３６と、基板を搬入又は搬出する場合、基板搬入出口と第１の開口とが対向する第１の位置に第２の容器６０を移動し、基板上に薄膜を形成する場合、ガス導入口と第１の開口とが対向する第２の位置に第２の容器６０を移動するように第１の移動機構を制御する制御部１００と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板以外に薄膜が広範囲に形成されずクリーニングおよびメンテナンスの容易な原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、所定の圧力を維持する第１の内部空間２２を形成する成膜容器１２と、この第１の内部空間内２２に設けられ、設定された圧力を維持する、第１の内部空間２２と隔離された第２の内部空間１５を形成するリアクタ容器１４と、第１の内部空間２２内に設けられ、リアクタ容器１４に隣接して設けられたヒータ１６ａ，１６ｂと、第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する基板Ｓを載置する載置機構１８と、載置される基板Ｓの上方に対向するように第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する原料ガスを、ヒータ１６ａの加熱を受けた状態で、基板Ｓに向けて供給する原料ガス供給ヘッド２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの種類にかかわらずその温度分布を最小限にして成膜することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜が行なわれるシリコンウェハ１０１の種類に応じて、シリコンウェハ１０１の面内の温度分布を均一にするのに最適な第２の部材１０７を選択して成膜室１０２内に搬送し、第１の部材１０３に載置することでサセプタ１１０を完成させる。第２の部材１０７は、シリコンウェハ１０１の温度分布に応じて厚みが変化している。これにより、異なる種類のシリコンウェハ１０１を処理する場合であっても、温度分布を最小限にして成膜することができる。保管室には、第２の部材を加熱する第２の加熱部が設けられていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の真空状態を維持したまま、載置台の上面の周辺部に対してカバー部材を載置・除去できるようにする。
【解決手段】処理容器３０内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板Ｗ２と相対的に大型の基板Ｗ１を処理容器３０内において選択的に処理可能なプラズマ処理装置５であって、処理容器３０内には、基板Ｗ１、Ｗ２を選択的に上面に載置させる載置台３１が設けられ、載置台３１の上面の中央部３１’には、載置台３１の上面の中央部３１’に載置される小型の基板Ｗ２の裏面を支持可能な位置に配置された中央昇降部材７０が設けられ、載置台３１の上面の周辺部３１”には、載置台３１の上面の中央部に載置された小型の基板Ｗ２の外側において昇降自在な周辺昇降部材７５が設けられ、周辺昇降部材７５は、載置台３１の上面に載置される大型の基板Ｗ１の裏面を支持可能な位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハ上に均一に成膜することができ、ガス使用量の低減を図るとともに、反応炉内のダストの発生を抑え、歩留の低下を抑えることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハｗが導入される反応炉１１と、反応炉１１にプロセスガスを供給するためのガス供給機構１３と、反応炉１１よりプロセスガスを排出するためのガス排出機構１４と、ウェーハｗをその外周部において保持するためのホルダー１６と、ウェーハｗを下部より加熱するためのヒータ１８ａ、１８ｂと、ウェーハｗを回転させるための回転機構１５と、ガスをウェーハｗ上に供給するために設けられ、着脱可能な整流板１２と、ウェーハｗおよび整流板１２を、反応炉１１に搬入あるいは反応炉１１より搬出するために、前記反応炉の側面に設けられ、開閉可能なゲート２１を備える。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクヘッド・ディスクなどの電子部品用薄膜の製造装置として使用される成膜装置に於いて、プロセス室用真空ポンプの着脱に供するためのポンプ昇降手段を架設した水平方向スライド手段を設けた成膜装置を提供する。
【解決手段】真空ポンプ７装着時は最初にスライド架台Ｓをフレーム１３の右方に置き昇降機構１１上に真空ポンプ７を積載する。スライド架台Ｓを左方に移動し、真空ポンプ７を第１スパッタ室下部の接続フランジＦの直下に置き、昇降機構１１のパンタグラフ機構を利用して真空ポンプ７を上昇させ、接続フランジＦに密着させた後締結金具で両者を緊結する。真空ポンプ７の取り外し時には上記と逆順序で真空ポンプ７を搬送室１の下部に引き出した後、真空ポンプ７をさらに下降させスライド架台Ｓから取り外して外方に移動する。 （もっと読む）

【課題】反応室内の熱環境を一定に保ち、パーティクルの混入を防止して安定した成膜を行うことができる気相成長方法及びこの方法を実施することが可能な構造を有する自公転方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタを回転させるとともに基板を加熱した状態でガス導入管から原料ガスを導入して基板表面に薄膜を成長させる成膜操作を基板を交換して繰り返し行う気相成長方法であって、成膜操作を終了したときに仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内から取り外し、清浄な状態の仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内に配置してから次の成膜操作を開始する。 （もっと読む）

【課題】装置高さを変えることなく、また反応容器サイズを変えることなく、反応容器のメンテナンスを行うことを可能にする。
【解決手段】基板処理装置、基板を処理する処理室２０１を内側に有する反応容器２０７と、該反応容器２０７の外周側から前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室２０１を閉塞する蓋体と、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記蓋体に載置される着脱治具４００と、前記反応容器２０７の内側壁に該反応容器２０７の下端より上方側に設けられ、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記着脱治具４００の上面と突き当てられる支持部とが備えられている。 （もっと読む）

【課題】複数の排気管を接続する排気下流側接続部のメンテナンスを容易にする。
【解決手段】筐体を備えた基板処理装置であって、基板を処理する処理室２０１を内側に有する反応容器２０７と、該反応容器２０７の外周側から前記基板を加熱する加熱装置と、前記反応容器２０７の下端を閉塞する蓋体と、前記反応容器内にガスを供給するガス供給管２３０と、前記加熱装置と前記蓋体との間の前記反応容器２０７の側壁に一体成形され該反応容器２０７内を排気する複数の排気管２３１とを筐体内に有し、前記複数の排気管２３１の排気下流側接続部を、前記筐体一側面に面するメンテナンスエリア側に配置する。 （もっと読む）

【課題】黄燐を含む付着物が付着した成膜構成部材を分解して安全にかつ容易に運搬することができ、成膜構成部材の清掃を安全な場所で行うことが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板面に半導体薄膜を成膜する際に、成膜構成部材の少なくとも一つに発火性を有する反応生成物が付着する気相成長装置において、反応炉１１を収納するグローブボックス１２と、反応生成物が付着した成膜構成部材を収容可能で、溶媒を貯留させる部材容器１３とを設け、部材容器１３とグローブボックス１２とを、成膜構成部材が通過可能な部材搬送用通路１４で連結する。部材搬送用通路１４は、通路遮断手段となるバルブ１５を備えるとともに、通路の先端を部材容器１３内の溶媒（水）Ｗに浸漬する。 （もっと読む）

【課題】載置台を固定した部材を容易に、リフタアーム間に通してチャンバに取り付けることが出来、前記部材をチャンバに取り付けた状態で、リフタアームを交換することが出来るリフタ及び被処理体の処理装置を提供する。
【解決手段】リフタ９の一対のリフタアーム９１，９２は、昇降軸９６，９６に連結部９７，９７を介して連結されている。リフタアーム９１は、連結部９７の支持板９７ａの一端部に突設されており、支持板９７ａの他端部及び該他端部の下側に連結された連結板９７ｂには、固定ねじ９７ｅが貫通され、昇降軸９６の上端部にねじ止めされている。カバー９７ｄは、２枚の支持板９７ａを突き合わせた状態で、支持板９７ａ，９７ａを連結する。カバー９７ｄを外して、固定ねじ９７ｅを緩めることで、支持板９７ａが昇降軸９６に対して回転する。 （もっと読む）

本発明のシール集成体は、第１および第２の溝と、前記第１の溝内に取り付けられたゴムシールと、前記第２の溝内に除去可能に取り付けられた交換可能なバリアストランドとを有するクロージャ集成体を含み、前記バリアが前記ゴムシールとプラズマ源との間に配置され、それによって前記バリアが前記ゴムシールをプラズマの浸蝕作用から遮蔽する。
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