【課題】 絶縁性基板上に形成した非晶質シリコン系薄膜にパルスレーザーをスキャンして多結晶シリコン系薄膜を形成する方法では、パルスレーザースキャンの前に、高温で数時間の脱水素処理を施す必要があるため、タクトタイムが長い課題があった。
【解決手段】 絶縁性基板上に触媒ＣＶＤ法により７Atomic％以下の水素含有量の非晶質シリコン系薄膜を形成し、パルスレーザーを照射して脱水素処理を行い、次いでパルスレーザーを照射して非晶質シリコン系薄膜を結晶化して多結晶シリコン系薄膜を形成する。 （もっと読む）

本発明においては大面積プラスチック基板上に低温無機膜を堆積させる方法及び装置が記載される。低温（＜８０℃）無機膜は、プラスチック基板にほとんど付着しない。それ故、接着性を改善するために低温（＜８０℃）プラズマ前処理が加えられる。プラズマ前処理した無機膜は、良好な接着と気密性を示す。 （もっと読む）

シリコンウェーハの表裏面をＳＣ−１液およびＳＣ−２液で洗浄した後、シリコンウェーハの表裏両面をＨＦ系溶液で洗浄して共に撥水面とする。この後、表面にシリコンのエピタキシャル層を成膜する。成膜後の積層欠陥を低減でき、裏面のクモリ発生を低減できる。または、シリコンウェーハの表裏面をＳＣ−１液およびＳＣ−２液で洗浄する。この後、シリコンウェーハの裏面をＨＦ系溶液で洗浄して撥水面とするとともに、その表面を純水洗浄して親水面とする。この後、表面にシリコンのエピタキシャル層を成膜する。表面マウンドを低減でき、裏面のクモリ発生を低減できる。 （もっと読む）