【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加するＤＣマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層２の積層時に、（ｉ）ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下とすること、（ｉｉ）ＤＣマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、（ｉｉｉ）基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも１つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

基板ウェーハの裏側及び縁部断面をシールするためのシステム及び方法である。第１の方法の実施例によれば、第１導電型のシリコンウェーハにアクセスする。第１導電型のエピタキシャル層をシリコンウェーハの前面上で成長する。エピタキシャル層をインプラントし、逆の導電型の領域を形成する。成長及びインプラントを繰り返し、逆の導電型の垂直カラムを形成する。ウェーハに更にインプラントを行い、垂直カラムと垂直方向で整合した逆の導電型の領域を形成する。
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【課題】炭化珪素ＭＯＳＦＥＴにおいて、炭化珪素層とゲート絶縁膜との界面に発生する界面準位を十分に低減できず、キャリアの移動度が低下する場合があった。
【解決手段】この発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層上に接して二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜形成工程後に、一酸化窒素または一酸化二窒素とトランス−１，２−ジハロゲノエチレンとを含有するガス中で前記ゲート絶縁膜が形成された前記炭化珪素層を加熱処理する窒化工程とを備える。 （もっと読む）

基板上に材料を堆積及び結晶化する方法が開示され、特定の実施態様において、その方法は、堆積され、吹きつけられる種及びエネルギー輸送種を有するプラズマの生成を含んでもよい。第一の期間の間、基板にバイアス電圧は印加されず、プラズマ堆積を通じて種が基板上に堆積する。第二の期間の間、基板に電圧が印加され、堆積した種に向かって及び内部にイオンが引き付けられ、それにより堆積した層が結晶化する。このプロセスを十分な厚みが得られるまで繰り返すことができ、他の実施態様では、バイアス電圧又はバイアスパルス継続時間を変更して、生ずる結晶化の量を変えることができる。他の実施態様において、ドーパントを用いて、堆積した層をドープしてもよい。
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【課題】結晶性を高めるとともに、表面荒れが抑制された酸素で終端されたシリコンナノ結晶構造体のアニール方法と基板の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素で終端されたシリコンナノ結晶構造体を、９５０℃以上１２５０℃以下、かつ、窒素また希ガスから選ばれる第一のガスと酸素との混合ガスが、前混合ガスに対する酸素の濃度が１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であるガス雰囲気下でアニール処理する。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャルウェハの製造が可能な表面に保護膜が形成された窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板を空気または酸素を含む雰囲気中で熱処理するか、あるいは、窒化物半導体基板の表面を酸素プラズマに暴露することにより、窒化物半導体基板表面に、主成分が酸化ガリウムおよび/または酸化インジウムで、表面粗さの２乗平均値が5nm以下である保護膜が形成される。前記保護膜は基板表面への汚染物質の付着を防ぐとともに、水素雰囲気中1200℃以下の温度に保持するだけで簡単に除去できるので、汚染物質に起因するエピタキシャル成長膜の異常成長や結晶欠陥の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】微細孔内にヘテロ構造を形成することができるヘテロ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にナノサイズの金属微粒子を形成し、次いで、該金属微粒子上に第一の物質をＶＬＳ成長法により選択的に成長させることによりナノワイヤである柱状構造を形成し、引き続き、前記柱状構造の高さよりも下まで前記基板１上に第二の物質４を充填した後、前記第一の物質と前記第二の物質４の反応性の違いを利用した選択エッチングにより前記第一の物質である柱状構造を除去して、微細孔４ａを形成し、微細孔４ａ内に、前記第一の物質を成長させた温度より高い温度で、ヘテロ構造の結晶（７、８、９）を成長させる。 （もっと読む）

一実施形態では、シャワーヘッドを備えた有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバの処理領域内のサセプタ上に１枚または複数の基板を設置するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ中へとシャワーヘッドを通して第１のガリウム含有前駆物質および第１の窒素含有前駆物質を流すことによって、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いて基板の上方に窒化ガリウム層を堆積するステップと、大気に１枚または複数の基板を曝すことなくＭＯＣＶＤチャンバから１枚または複数の基板を取り除くステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するために、処理チャンバ中へと塩素ガスを流すステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するステップの後で、ＭＯＣＶＤチャンバ中へと１枚または複数の基板を搬送するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いてＧａＮ層の上方にＩｎＧａＮ層を堆積するステップとを備えた、化合物窒化物半導体デバイスを製造するための方法を提供する。
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本明細書では、界面汚染を低減した層の堆積方法を開示する。発明の方法は、有利には、堆積させた層間の汚染、例えば堆積させた層とその下にある基板または膜との間の界面の汚染を減少させる。幾つかの実施形態では、層の堆積方法は、第１の層が上に配置されたシリコン含有層を還元性雰囲気中でアニールすることと、アニールの後で、シリコン含有層を露出させるエッチングプロセスを使用して第１の層を除去することと、露出したシリコン含有層の上に第２の層を堆積させることとを含むことができる。
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【課題】ゲルマニウムを含む薄膜の成膜後にゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する際の前記汚染を防止する。
【解決手段】被処理体Ｗを保持具２５に保持させて反応容器２内に搬入し成膜を行う熱処理装置１の運転方法において、反応容器２内に処理ガスを供給すると共に反応容器２内を加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムを含む薄膜を成膜する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗが搬入されていない状態でクリーニングガスを供給して前記反応容器２内に成膜されたゲルマニウムを含む薄膜を除去する工程と、酸化ガスと水素ガスとを反応容器２内に供給すると共に加熱して活性化されたガスにより反応容器２内に存在するゲルマニウムを除去する工程と、その後に反応容器２内に被処理体Ｗを搬入して処理ガスを供給すると共に加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減がはかられた化合物半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、化合物半導体基板１０の表面の表面層１２に、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物が含まれるときに、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 本発明に係る化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物を含む表面層１２を表面に有する。発明者らは、鋭意研究の末、化合物半導体基板１０の表面の表面層１２に、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物が含まれるときに、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減されることを新たに見出した。 （もっと読む）

【課題】基材の導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を容易に、かつ、効率よく形成する。
【解決手段】酸化亜鉛膜形成装置１では、析出部２において電解析出により樹脂基板９の導電層上に酸化亜鉛を含む析出物が形成され、樹脂基板９は塗布部４へと搬送される。そして、導電層上に酸化亜鉛の微粒子および溶媒を含む液状またはペースト状の膜形成材料が塗布され、その後、導電層上の膜形成材料から溶媒が揮発により除去される。これにより、樹脂基板９の導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を容易に、かつ、効率よく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射を行っている間、電子ビーム照射領域ＩＲにはアルゴンガスが供給される一方、電子ビーム照射領域ＩＲの周囲は排気している。このため、基板Ｗへの電子ビーム照射によって発生する汚染物質がアルゴンガスと一緒に排気ガスとして処理空間４１ａの外側空間に排気され、基板表面への汚染物質の再付着や処理空間４１ａ全体への汚染物質の拡散が防止される。また、排気ガスから汚染物質を除去することで処理ガス（一度使用されたアルゴンガス）が生成され、処理空間４１ａに供給される。このように処理空間４１ａが処理ガスによりパージされる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射領域に対して基板ＷがＸ方向に移動する。これにより電子ビーム照射領域が基板表面全体に走査される。電子ビーム照射領域では、電子ビーム照射が基板表面に向けて照射されて未硬化状態の層間絶縁膜に対して硬化処理が施される。ここでは、基板移動範囲ＭＲに渡って基板表面Ｗを覆うようにパージボックス４７が配置されて基板表面側雰囲気ＡＰが形成される。そして、その基板表面側雰囲気ＡＰのうち電子ビーム照射領域の周囲から雰囲気管理されている。このため、電子ビーム照射によって発生する汚染物質は直ちに電子ビーム照射領域から排出される。 （もっと読む）

【課題】 ４００℃未満の温度で誘電体上に半導体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ジボランを使用するゲルマニウム膜の低温成長をうまく実現する。最初に、ジボランガスが４００℃未満の温度で反応炉内に供給される。ジボランは、所与の温度でそれ自体が分解し、分解後のホウ素が、誘電体、例えばＳｉＯ_２の表面に析出して核形成部位および／またはシード層を形成する。次に、半導体膜を形成するためのソースガス、例えばＳｉＨ_４、ＧｅＨ_４などが反応炉に供給されて半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱酸化処理方法に関し、膜厚均一性の高いゲート酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法、熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、モニタウェハＭ１の裏面と第１の製品ウェハ＃２の表面を対向させ、且つ第１の製品ウェハ＃２の裏面と第２の製品ウェハ＃３の表面を対向させ、且つモニタウェハＭ１、第１及び第２の製品ウェハ＃２、＃３それぞれの裏面にシリコン窒化膜２３が形成された状態で熱酸化処理装置内に配置し、熱酸化処理装置によってモニタウェハＭ１、第１及び第２の製品ウェハ＃２、＃３それぞれの表面に熱酸化膜を形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 二次元電子ガスを発生させるワイドギャップ半導体層をその下の半導体層の構成元素の化合物半導体により形成することにより、非常に立上り電圧が低く、かつ、逆方向耐圧が高いダイオードまたはＨＥＭＴ構造のＭＩＳ型トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板１上に、ＧａＡｓ基板１よりもバンドギャップおよびキャリア濃度が共に大きく、ＧａＡｓ基板１の表面に二次元電子ガスを生じさせることが可能で、かつ、その二次元電子ガスの電子をトンネル可能な厚さに形成されるＮ型のＧａＮ層２が設けられ、そのＧａＮ層２と電気的に接続して第１電極３が、ＧａＡｓ基板１に電気的に接続して第２電極４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の厚みを精度よく制御でき、かつエピタキシャル層を形成したときに表面荒れを抑制するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法は、以下の工程が実施される。まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる基板が準備される（Ｓ１１）。そして、この基板が酸性溶液で洗浄される（Ｓ１２）。そして、洗浄する工程後に、湿式法により基板上に酸化膜が形成される（Ｓ１３）。 （もっと読む）

【課題】４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いイントリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４５０ｍｍ、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以上の大口径で高抵抗のシリコンウェーハに、インゴット引き上げ時の溶融液への窒素、炭素、またはその両方の導入によりイントリンシックゲッタリング機能を付与した。これにより、エピタキシャル膜１２の成長後、シリコンウェーハ１１に大きな反りが発生しにくい。その結果、エピタキシャルシリコンウェーハ１０の反りを低減でき、しかも高いイントリンシックゲッタリング能力が得られる。 （もっと読む）