【課題】ＳｉＣ層とＳｉＯ_２等の埋め込み絶縁層との界面を均一な状態にして結晶性のよいＳｉＣ層が得られ、しかも低コストで生産性のよい単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４とを有するＳｉ基板１を準備し、上記Ｓｉ基板１を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる単結晶ＳｉＣ基板の製造方法であって、上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる際に、埋め込み絶縁層４との界面８近傍のＳｉ層を残存Ｓｉ層５として残す。 （もっと読む）

【課題】結晶性が改善され、高輝度且つ長時間安定動作が可能な半導体発光素子及びその製造方法、エピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】 キャリア濃度が３×１０^１７乃至１×１０^１８ｃｍ^−３の範囲のＧａＰ基板と、第１の面側が前記ＧａＰ基板に対して接着された接着層と、前記接着層の前記第１の面側と対向する第２の面側に形成され、前記接着層との間の格子のずれが前記ＧａＰ基板と前記接着層との間の格子のずれより小さく、前記ＧａＰ基板を透過する光を放出可能な発光層を含む上部成長層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子及びその製造方法、エピタキシャルウェーハが提供される。 （もっと読む）

【課題】発光効率が向上可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１０は、ドット部材３，４を備える。ドット部材３は、ドット部材４に接して形成される。ドット部材３は、量子ドット層３１〜３３からなる。量子ドット層３１〜３３の各々は、複数の量子ドット３１１と、シリコン酸化膜３１２とからなる。量子ドット３１１は、ｎ型シリコンドットからなる。ドット部材４は、量子ドット層４１〜４３からなる。量子ドット層４１〜４３の各々は、複数の量子ドット４１１と、シリコン酸化膜４１２とからなる。量子ドット４１１は、ｐ型シリコンドットからなる。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた結晶性が得られるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を積層し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成膜する方法であり、基板１１の温度を２５℃〜１０００℃の範囲とするとともに、処理時間を３０秒〜３６００秒の範囲として、基板１１に対してプラズマ処理を行う前処理工程と、次いで、基板１１上に中間層１２をスパッタ法によって成膜するスパッタ工程が備えられている。 （もっと読む）

【課題】自立基板の反りを低減した窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において１０個／ｃｍ^２以上から６００個／ｃｍ^２以下の密度でインバージョンドメインを有する。 （もっと読む）

【課題】転位が少なく、また、基板と化合物半導体エピ層との分離にレーザーリフト・オフ工程を適用しなくてもよい、窒化ガリウムのような化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に複数の球形のボール２０をコーティングする工程と、球形のボール２０がコーティングされた基板上１０に化合物半導体エピ層３０を成長させつつ、球形のボール２０下部にボイド３５を形成する工程と、ボイド３５に沿って基板１０と化合物半導体エピ層３０とが自家分離されるように、化合物半導体エピ層３０が成長した基板１０を冷却させる工程と、を含む化合物半導体基板の製造方法。球形のボール処理により転位減少効果を持つ。また、自家分離を利用するので、基板と化合物半導体エピ層との分離にレーザーリフト・オフ工程を適用しなくてもよい。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズ制御性及び終端安定性に優れ、シリコン結晶粒の高い充填密度を有し、かつ生産性も優れたナノシリコン薄膜を形成できるナノシリコン薄膜の形成方法及びその形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸素で終端されたシリコンナノ結晶粒構造体からなるナノシリコン薄膜の形成方法であって、基板表面にシリコン成長核を形成する第１の工程と、シリコン元素を含むガスの熱反応により粒径１０ｎｍ以下のシリコン結晶粒を堆積させる第２の工程と、シリコン結晶粒の表面を酸素終端する第３の工程と、を含み、第１の工程が水素ガスの高周波プラズマ処理であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にフッ化シラン及びシランを用いて結晶核を形成し、前記結晶核を種として結晶成長させて微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。次に、ゲート絶縁膜との界面における結晶性が高められた微結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いて薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体の選択成長方法において、選択成長層のキャリア濃度を精度よく制御すること。
【解決手段】まず、ｎ−ＧａＮ基板１０上にｎ^- −ＧａＮ層１１、ｐ−ＧａＮ層１２を積層し、ｐ−ＧａＮ層１２表面をＮｉを堆積した基板とともに塩素系プラズマに曝し、プラズマ損傷層１３を形成する（図１ａ）。次に、エッチングマスク１４を形成し、ｐ−ＧａＮ層１２の一部をドライエッチングし（図１ｂ）、ＳＣ１、ＳＣ２洗浄を行った後エッチングマスク１４を除去する（図１ｃ）。次に、プラズマ損傷層１３を選択成長マスクとしてｎ^- −ＧａＮ層１７を選択成長させる（図１ｄ）。プラズマ損傷層１３を選択成長マスクとして用いるため、ｎ^- −ＧａＮ層１７の成長中にＳｉがドープされることがなく、ｎ^- −ＧａＮ層１７のキャリア濃度の制御を正確に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶基板の表面に、超薄膜で高い膜厚均一性を有する酸化膜と半導体単結晶層が形成された半導体基板を、低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体単結晶基板の表面に酸化膜と半導体単結晶層とを順次形成することによって、酸化膜上に半導体単結晶層を有する半導体基板を製造する方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板に酸化性溶液またはその気体を接触させることにより、前記半導体単結晶基板の表面に前記半導体単結晶基板とエピタキシャルな関係を保持した酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に半導体単結晶層をエピタキシャル成長する工程とを有する半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【目的】短い時間で高品質の単結晶炭化珪素基板を得ることができる単結晶炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化珪素の｛０００１｝面を主面とする種結晶基板１の内部に含まれるマイクロパイプ２や転位３を、まず強アルカリ溶融塩への浸漬でピット４に変え、次いで基板１の全面を炭素もしくはモリブデンなどの高融点金属からなるマスク５によって覆い、化学機械研磨もしくは機械研磨でピット４部のマスク６以外の箇所のマスク５を除去した後、新たに成長させたエピタキシャル成長層７で基板１の全面を覆い尽くすことで、短い時間で高品質の単結晶炭化珪素基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を維持するとともに、コストを低減して窒化物半導体結晶を成長させる窒化物半導体結晶の成長方法および窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。準備する工程（Ｓ１０）では、使用される領域に存在する異物の大きさが１μｍ以上１０μｍ以下であり、使用される領域において異物が覆う面積が使用される領域の面積の０．０１％未満である基板を準備する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な工程で結晶化率の高い半導体薄膜を得ると共に，不純物の混入を防止する半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２００上に，不連続のアモルファスＳｉ薄膜２０２を成膜し，前記不連続アモルファスＳｉ薄膜２０２が成膜された基板２００を，所定温度，所定時間で熱処理して，前記基板２００上に不連続の結晶性Ｓｉ薄膜２０４を形成し，前記不連続の結晶性Ｓｉ薄膜２０４上に，Ｓｉ薄膜２０６を成膜する半導体薄膜の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の優れたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物化合物半導体とは屈折率が異なる基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、第一の層および光学的機能層がこの順序で設けられており、該光学的機能層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、ｎ型層、発光層およびｐ型層が、発光層をｎ型層とｐ型層が挟むように設けられており、該第一の層の厚さが１０００ｎｍ以下であるＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】空間的に離散され且つサイズ制御される粒子を基材表面上で成長させる方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、基材表面の化学改質、原子層堆積（ＡＬＤ）装置、基材表面への改質層の形成及びナノ粒子堆積のためのＡＬＤ材料の供給を利用する。また、Volmer-Weber成長法を用いて、基材表面上でナノ粒子を島状に形成する。改質層により基材表面上の核形成部位の数を制御し、ＡＬＤサイクルの回数を制御することにより、離散したナノ粒子に対して堆積される材料の量を制限する。改質層は、自己組織化単分子層、基材表面の改質疎水性、水素終端表面及び改質層内の種々の官能基を含み得る。水素終端表面には、熱的に付着されるアルケン、光化学的に付着されるアルケン、熱的に付着されるアルキン又は光化学的に付着されるアルキンが付着され、それによってナノ粒子の核形成部位の密度が制御される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の（0001）Ｓｉ面上に金属層を設け、金属層を窒化することにより、金属窒化物層を形成し、金属窒化物層にIII族窒化物半導体を形成させる。化学処理などにより金属層を溶解し、ＳｉＣ基板から分離した多様な半導体構造体を得る。金属層としては、Ｃｒ層を用いる。 （もっと読む）

【課題】 第一に、良質な薄膜を作成することができるようにし、第二に、チャンバー数の増大や占有面積の増大を無くす、第三に、高価な排気系の使用を不要にし、生産性を改善する。
【解決手段】 成膜チャンバー１との間で基板９の搬入及び搬出を行う搬送機構３０が内部に設けられた搬送チャンバー３は、排気系３１と調圧用ガス導入系３２を有する。調圧用ガス導入系３２により、成膜に悪影響を与えないガスが導入され、搬送チャンバー３内は成膜チャンバー１内よりも大きく１パスカルより大きい真空圧力に維持される。搬送チャンバー３には、基板９の表面の改質を行う改質種を成膜に悪影響を与えないガスから生成して基板９に供給する改質種供給部３３が設けられる。 （もっと読む）

【課題】選択エピタキシャル成長プロセスの特性を改良する方法を提供する。
【解決手段】選択エピタキシャル成長工程を用いた半導体装置の製造方法であって、少なくとも、半導体基板を供給する工程と、半導体基板の上に絶縁性材料のパターンを形成し、これによりカバーされおよびカバーされない表面を形成する工程と、形成された絶縁性材料のパターンを有する半導体基板の、カバーされたおよびカバーされない表面を洗浄する工程と、絶縁性材料のパターンを有する基板をエピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に入れる工程と、可能であれば少なくとも１つの第１キャリアガスと共に、少なくとも１つの半導体ソースガスを、エピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に導入する工程を含む選択エピタキシャル成長を開始する工程とを含み、選択エピタキシャル成長を開始する工程に先立って、反応チャンバ中で、可能であれば第２キャリアガスと共に、ハロゲン含有エッチングガスを導入して、基板の表面にその場前処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】 自然酸化膜を除去するためにＺｒＢ_２等の二硼化物単結晶からなる基板を熱処理する際に、硼素抜けによるＺｒ等元素の偏析を抑制して、基板表面の化学量論組成比を基板自体の化学量論組成比となるように安定に制御した表面処理方法を提供すこと。
【解決手段】 基板の表面処理方法は、熱処理装置内に設置した化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＴｉ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｈｆ及びＺｒのうち少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基板を加熱して基板の表面の自然酸化膜を除去する工程１と、次に熱処理装置内に硼素化合物を供給するとともに基板を加熱して基板の表面の硼素欠損部に硼素を補充する工程２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】可撓性表示装置用表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】表示板を製造する方法は、可撓性絶縁基板上にゲート線を形成する段階、ゲート線上にゲート絶縁膜を積層する段階、ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階、そして半導体層上にソース電極を含むデータ線及びドレーン電極を形成する段階を含み、半導体層を形成する段階は１００℃〜１８０℃の温度でプラズマ強化化学気相蒸着により遂行することを特徴とする。 （もっと読む）