化学蒸着法プロセスを使用するなど、ナノチューブがナノワイヤテンプレート上のシースとして合成される、均一なナノチューブの製造方法が記載される。例えば、単結晶酸化亜鉛（ＺｎＯ）ナノワイヤは、窒化ガリウム（ＧａＮ）がその上にエピタキシャル成長されるテンプレートとして利用される。ＺｎＯテンプレートは、次に、熱還元および蒸発によってなど除去される。完成された単結晶ＧａＮナノチューブは、好ましくは３０ｎｍから２００ｎｍの範囲の内径、および５ｎｍから５０ｎｍの壁厚みを有する。透過電子顕微鏡研究は、結果としてのナノチューブが、ウルツ鉱構造を有する単結晶であり、＜００１＞方向に沿って配向されていることを示す。本発明は、層状ではない結晶構造を有する材料の単結晶ナノチューブを例示する。同様に「エピタキシャルキャスティング」アプローチは、他の固体材料および半導体の列および単結晶ナノチューブを作るために使用されることができる。さらに、複数シースならびに複数の長手方向セグメントを有するナノチューブの製造が記載される。 （もっと読む）

【課題】長期間安定して高出力動作の可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体素子は、ｎ型ＧａＮ基板６０１と、ｎ型ＧａＮ基板６０１上に設けられた窒化物半導体の積層構造とを備え、この積層構造は、ｎ型ＧａＮ基板６０１の格子定数よりも大きな格子定数を有するＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層６０５と、ｎ型ＧａＮ基板６０１とＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層６０５との間に位置するｎ型ＧａＮコンタクト層６０２とを有している。ｎ型ＧａＮコンタクト層６０２は、ｎ型ＧａＮ基板６０１の転位密度よりも高い転位密度を有する欠陥導入領域６１４を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ヘイズレベルの低いエピタキシャル膜を安定して成長できるＡｌＮ基板とこのＡｌＮ基板を得るための洗浄方法を提供する。
【解決手段】 検出角度１０°でのＸ線光電子分光法によるＡｌＮ基板の表面の光電子スペクトルにおいて、Ａｌ_2s電子とＮ_1s電子のピーク面積の比（Ａｌ_2s電子のピーク面積／Ｎ_1s電子のピーク面積）が０．６５以下であるＡｌＮ基板である。また、ＡｌＮ基板を酸溶液に浸漬させることによって、検出角度１０°でのＸ線光電子分光法によるＡｌＮ基板の表面の光電子スペクトルにおいて、Ａｌ_2s電子とＮ_1s電子のピーク面積の比（Ａｌ_2s電子のピーク面積／Ｎ_1s電子のピーク面積）を０．６５以下にするＡｌＮ基板の洗浄方法である。 （もっと読む）

プラズマ処理システムの半導体基板を処理する処理方法が開示される。本処理方法は、第１の電気的な測定装置に接続された第１の端子と、第２の電気的な測定装置に接続された第２の端子とを有する高周波結合構造体を提供することを含む。本処理方法は、第２の端子に補償回路を接続することも含んでいる。本処理方法は、前記第１の電気的な測定装置および前記第２の電気的な測定装置から情報を得るように接続されたフィードバック回路を提供し、フィードバック回路の出力が、前記第１の端子の第１の電気値と前記第２の端子の第２の電気値の間の比率をほぼ所定の比率に保つように前記補償回路を制御するのに用いられる。 （もっと読む）