【課題】半導体発光素子において、光の取り出し効率を高めること。
【解決手段】サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる基板と、該基板上に順次形成されたｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を含むＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層とを有する発光素子の製造方法である。この場合、発光層はＧａＮからなる障壁層とＩｎＧａＮからなる井戸層とからなり、両端の層を障壁層とする多重量子井戸構造である。そして発光層に接するｎ型層がＩｎＧａＮからなり、基板の半導体層を積層する表面を、傾斜側面を有する凹凸状に加工し、該傾斜側面の基板表面に対する角度θを３０°＜θ＜６０°とする。上記凹凸状に加工した基板表面に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を順次形成し、フリップチップ型の発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の厚みを精度よく制御でき、かつエピタキシャル層を形成したときに表面荒れを抑制するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法は、以下の工程が実施される。まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる基板が準備される（Ｓ１１）。そして、この基板が酸性溶液で洗浄される（Ｓ１２）。そして、洗浄する工程後に、湿式法により基板上に酸化膜が形成される（Ｓ１３）。 （もっと読む）

【課題】 目標温度の補正値を簡易に生成することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は、反応炉の温度を調整するヒータ２と、調整された反応炉内の第１の温度を検出する炉内温度センサ２１と、炉内温度センサ２１の内側に設けられたインナーチューブ５と、インナーチューブ５の内側に設けられ、反応炉内の第２の温度を検出するプロファイル温度センサ１５と、プロファイル温度センサ１５により検出された第２の温度に基づいて算出される温度と目標温度とを一致させるように制御した後、炉内温度センサ２１により検出される第１の温度と当該目標温度とに基づいて関係係数を算出し、当該関係係数と目標温度とに基づいてヒータ２を制御する温度コントローラ１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体デバイスのスイッチング速度等の性能を向上する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の上に形成された絶縁膜であってシリコン基板に達する開口部を有する絶縁膜と、開口部に形成されたＧｅ結晶と、Ｇｅ結晶を核として成長された化合物半導体結晶であって絶縁膜の表面より凸に形成されたシード化合物半導体結晶と、シード化合物半導体結晶の特定面をシード面として、絶縁膜の上にラテラル成長されたラテラル成長化合物半導体層と、を備えた半導体基板を提供する。 （もっと読む）

生物学に基づく自律学習ツールシステムと、生物学に基づく自律学習ツールシステムが学習と分析とに用いる方法とを提供する。生物学に基づく自律学習ツールシステムは、（ａ）１つ以上のツールシステムと、（ｂ）相互作用マネージャと、（ｃ）生物学的な学習原理に基づく自律学習システムとを含む。１つ以上のツールシステムは、特定のタスク又はプロセスのセットを実行して、アセットと、アセットに関するデータとを生成する。アセットと、アセットに関するデータは、様々なプロセス及び関連するツールの性能を特徴付ける。相互作用マネージャは、データを受信して、フォーマットする。このようなシステムは、メモリプラットフォームと処理プラットフォームとを含む。メモリプラットフォームと処理プラットフォームは、再帰的に定義され、ネットワークを通して通信する。次第に複雑化する自律ツールをアセンブルするために、自律ツールシステムは、再帰的に配備され得る。個々の又はアセンブルされた複雑な自律ツールに関連する自律学習システムにおいて生成され蓄積された知識は、意味ネットワークにキャストされ得る。意味ネットワークは、コンテキストに基づいてツールの目標を学習して進めるために用いられ得る。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長時の製造コストを高くすることなく、エピタキシャル成長層の形成後での重ね合わせ精度を向上することが可能な重ね合せ用のアライメントマークを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】アライメントマークＡＭ１１，Ａ１２が隣り合う間の凸部領域ＳＣ１の上方におけるエピタキシャル成長層ＥＰの表面には、第１アライメントマークＡＭ１１からのパターンダレと第２アライメントマークＡＭ１２からのパターンダレとが重なり合い、第１アライメントマークＡＭ１１および第２アライメントマークＡ１２の段差パターンの側壁に沿って並行に延びる凸部ＣＲ１が形成され、この凸部ＣＲ１に基づき、明確な光学的信号微分強度分布のピークＰＭ２を読取ることができる。 （もっと読む）

【課題】注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶からなる基板１上にイオン注入処理をおこなう注入工程と、塩化水素ガスを含む雰囲気で熱処理することにより、イオン注入された前記基板１上のイオン注入によるダメージをエッチング除去するダメージ除去工程とを備え、前記ダメージ除去工程におけるエッチング除去量が、前記基板１の深さ方向に対する注入されたイオンのガウス分布の最大濃度深さＲｐの５〜１２０％の厚みであるシリコンウェーハの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体基板を含む半導体基板上において３族窒化物半導体層を大面積でエピタキシャル成長を行う技術を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面をフッ酸（ＨＦ）洗浄及び高温における酸化物の除去後、さらに３族窒化物ナノロッドバッファ層（ＧａＮナノロッドバッファ層）を形成し、３族窒化物半導体層（ＧａＮエピ層）を３族窒化物ナノロッドバッファ層において被覆成長させることで、半導体基板上に３族窒化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】歪み技術を適用した半導体装置のシリサイド化に起因したリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板２の素子分離領域３で画定された素子領域２０上に、ゲート絶縁膜５を介してゲート電極６を形成し、そのゲート電極６の両側の素子領域２０内に、エクステンション領域８およびソース・ドレイン領域９を形成すると共に、半導体基板２と格子定数の異なる半導体層１０を素子分離領域３の少なくとも一部と離間して形成する。これにより、シリサイド層１１の形成を行った場合にも、素子分離領域３の近傍でのスパイクの形成が抑えられ、そのようなスパイクに起因したリーク電流の発生が抑えられるようになる。 （もっと読む）

【課題】マスクとして用いた絶縁膜上にIII―Ｖ族化合物半導体膜を成長させることなく良好な埋込成長や選択成長を行うことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に半導体膜１１を形成する。半導体膜１１上にＳｉＯ_２膜１５（絶縁膜）を形成し、このＳｉＯ_２膜１５をパターニングする。ＳｉＯ_２膜１５をマスクとして半導体膜１１をエッチングしてメサ構造１６を形成する。ＳｉＯ_２膜１５の表面をＳＦ_６ガス（フッ素系ガス）でアッシング処理して、ＳｉＯ_２膜１５の表面をフッ素で終端させる。表面をフッ素で終端したＳｉＯ_２膜１５をマスクとして、メサ構造１６をIII―Ｖ族化合物半導体膜１７で選択的に埋め込む。 （もっと読む）

【目的】短い時間で高品質の単結晶炭化珪素基板を得ることができる単結晶炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化珪素の｛０００１｝面を主面とする種結晶基板１の内部に含まれるマイクロパイプ２や転位３を、まず強アルカリ溶融塩への浸漬でピット４に変え、次いで基板１の全面を炭素もしくはモリブデンなどの高融点金属からなるマスク５によって覆い、化学機械研磨もしくは機械研磨でピット４部のマスク６以外の箇所のマスク５を除去した後、新たに成長させたエピタキシャル成長層７で基板１の全面を覆い尽くすことで、短い時間で高品質の単結晶炭化珪素基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の領域にｐ型のIII 族窒化物半導体を形成すること。
【解決手段】ｎ^- −ＧａＮ層１１上にＳｉＯ₂ 膜１２を形成し、ｐ−ＧａＮを形成したい領域上のＳｉＯ₂ 膜１２を除去する（図１ａ）。ＳｉＯ₂ 膜１２をマスクとして、高濃度にＭｇがドープされたｐ−ＧａＮ層１３をＭＯＣＶＤ法によって選択成長させ（図１ｂ）、そのあとＳｉＯ₂ 膜１２を除去する（図１ｃ）。ｎ^- −ＧａＮ層１１の上面、および、ｐ−ＧａＮ層１３の上面に、ｎ^- −ＧａＮ層１１をＭＯＣＶＤ法により再成長させる。このとき、ｎ^- −ＧａＮ層１１の再成長とともに、下層のｐ−ＧａＮ層１３からその上方のｎ^- −ＧａＮ層１１の領域中にＭｇが拡散する。その結果、ｐ−ＧａＮ層１３上層のｎ^- −ＧａＮ層１１の領域には、ｐ型領域１４が形成される（図１ｄ）。 （もっと読む）

【課題】コストを低減するとともに、基板の不良領域の分布に関わらず、基板の不良領域上に容易にフォトレジストパターンを形成することのできるフォトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストパターン形成方法は、まず、基板１０を準備する。そして、基板１０の表面１０ａ上にマスク層２０を形成する。そして、マスク層２０上にフォトレジスト３０を形成する。そして、フォトレジスト３０に感光しない波長を有する第１の光源と、フォトレジスト３０に感光する波長を有する第２の光源とを有する光学顕微鏡を準備する。そして、第１の光源を用いて、フォトレジスト３０を介して基板１０の不良領域１１を検出する。そして、検出する工程で不良領域１１が検出されると、第２の光源に切り替えて不良領域１１上のフォトレジスト３０を感光させる。そして、感光させる工程で感光されていない領域のフォトレジスト３０を除去して、フォトレジストパターン３１を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス構造を形成した場合に、発光波長、発光出力、素子寿命等のばらつきが小さく、発光デバイスの歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体自立基板及び当該基板を用いた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体結晶の格子定数のばらつきを±１２ｐｐｍ以下として窒化物半導体自立基板を形成する。窒化物系化合物半導体は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される。これを用いて窒化物半導体発光素子を形成する。 （もっと読む）

クラスターツールを使用し、エピタキシャル膜形成の前に第１のガスを使用して第１の処理チャンバ内で基板を前洗浄し、第１の処理チャンバから真空下で移送チャンバを通して第２の処理チャンバへ基板を移送し、第１のガスを使用せずに第２の処理チャンバ内で基板上にエピタキシャル層を形成するためのシステム、方法及び装置が提供される。多数の付加的な態様が開示される。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体層と下地基板との分離を容易にし、損傷の少ないIII族窒化物半導体層を形成することができる形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法およびIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】マスク１１の第二被覆部１１３の幅寸法を、第一被覆部１１２の幅寸法よりも広くする。これにより、ＧａＮ半導体層１３により第二被覆部１１３を覆うのに要する時間が、ＧａＮ半導体層１３により第一被覆部１１２を覆うのに要する時間よりも長くなる。そのため、第二被覆部１１３上に、ＧａＮ半導体層１３により覆われていない露出部１１３Ａを形成して第一被覆部１１２、および第二被覆部１１３をエッチングすることができるので、空隙１４を確実に形成できる。 （もっと読む）

【課題】 基板の反りの発生を低減することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 珪素基板１を反らせ、稜線が所定方向に向かうように、珪素基板１の（００１）面に列状の起伏２を形成する。珪素基板１の（００１）面上に立方晶炭化珪素をヘテロ成長させた後、珪素基板１を除去する。珪素基板１の主面が曲面状（特に、従来工程で発生する反りの形状に対応して、反りを打ち消すような形状）となっている状態で立方晶炭化珪素をヘテロ成長させることにより、珪素基板１を除去した後の立方晶炭化珪素には形状を平面状に変える力（反りと逆方向の力）が働くので、基板の反りの発生を低減することができる。 （もっと読む）

狭小半導体溝構造用のシステムおよび方法が提供される。第1の方法の実施例では、狭小溝を形成するための方法は、基板上に第1の絶縁材料の層を形成するステップと、前記第1の絶縁材料の層を貫通し、前記基板内に至る溝を形成するステップとを有する。前記第1の層上および前記溝の露出部上には、第2の絶縁材料が形成され、その後、前記第2の絶縁材料は、前記第1の絶縁材料の層上および前記溝の底部から除去される。溝は、エピタキシャル材料で充填され、その後、前記第1の絶縁材料の層が除去される。前記第2の絶縁材料の残りの部分を除去することにより、狭小溝が形成される。

（もっと読む）

【課題】窒化物からなる半導体層の形成に係る作業工数を減らして生産効率を向上させるとともに、製造コストの抑制を図る事が可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイヤ基板１の主面の表面に溝パターン２を形成させた後、このサファイヤ基板１の溝パターン２が形成された面に、溝パターン２を埋めるようにＳｉＯ_２膜３を形成させ、さらに、サファイヤ基板１の主面の表面が現れるまでＳｉＯ_２膜３を研磨させ、最後に、研磨により現れたサファイヤ基板１の表面上にＧａＮ膜４を選択的に成長させる。 （もっと読む）

【課題】 クラックの発生を防ぎ、かつ層厚の均一性が高く、表面が平坦な窒化物半導体の多層膜を備え、高い歩留まりで電流リークのない窒化物半導体素子を提供することである。
【解決手段】 窒化物半導体素子は、窒化物半導体基板の表面に形成された又は窒化物半導体基板以外の基板上に成長した窒化物半導体層の表面に形成された凹状の掘り込み領域１０２を含む加工基板１００と、加工基板１００上に最初に成膜される窒化物半導体下地層１０３を含む、窒化物半導体の多層膜からなる窒化物半導体多層膜１０１とを備え、窒化物半導体下地層１０３が、ＧａＮを組成に含む化合物である構成とする。 （もっと読む）