【課題】より少ない時間で、より正確なアラインメントを可能にする方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板（Ｗ）上にマーカ（１１）を生成する方法に関し、方法は、リソグラフィ装置内で基板（Ｗ）上にレジスト層（Ｒ）を設けることと、レジスト層（Ｒ）にパターン形成したビームを投影し、潜像マーカ（１０）を生成することと、潜像マーカ（１０）を検出可能なマーカ（１１）に変換することとを含む。方法はさらに、基板（Ｗ）をマーカ位置で局所的に加熱することによって、リソグラフィ装置の内側で基板（Ｗ）を加熱することを含む。 （もっと読む）

【課題】常に検査対象基板を基準とする座標系で異物の位置を検出する。
【解決手段】検査対象基板１の外周縁１ｂ，１ｃの異なる複数箇所の位置を、ステージＳｔを基準とするステージ座標系（Ｘ，Ｙ）において検知する非接触型の位置検知手段１１と、検知された外周縁１ｂ，１ｃの各位置から検査対象基板１を基準とする基板座標系（ｘ，ｙ）を作成し、検査対象基板１上の各点の位置をステージ座標系から基板座標系に変換するための座標変換定数を求める変換定数算出手段Ｐａと、検査対象基板１にレーザ光Ｌを照射する光源部２と、このレーザ光Ｌの照射に伴って生じる反射散乱光Ｒを検出する検出部７と、前記反射散乱光Ｒを分析することにより検査対象基板１上の表面にある異物のステージ座標系における位置（Ｘａ₁ ，Ｙａ₁ ）…を検出し、前記座標変換定数を用いて基板座標系における異物の位置（ｘａ₁ ，ｙａ₁ ）…を演算する異物位置検出手段Ｐｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】液浸結像系の測定に適し、且つ浸漬液による測定精度の低下を回避する測定システムを提供する。
【解決手段】結像系の物体面上に配置されたパターンを結像系の像面上に結像するために設けられた光学結像系であって、結像系の物体側及び像側の少なくとも一方の上に配置された浸漬液によって結像することができる液浸系として構成される光学結像系の光学測定用の測定システムにおいて、測定構造体を有する少なくとも１つの構造体キャリアであって、浸漬液の領域内に配置されるように設けられ、且つ保護システムを割り当てられ、それにより、浸漬液によって引き起こされる劣化に対する測定構造体の耐性を高めるようにした構造体キャリアを備える、測定システム。 （もっと読む）

この発明は、マスク基板（１１０）をクリーニングするためのマスククリーニング装置（１０１）及び方法に関する。本発明に係る実施の一形態は、トラップが冷却トラップ（１２０）を構成するマスククリーニング装置（１０１）である。更なるヒータ（１３０）が加熱機能を果たす。マスククリーニング装置（１０１）は、支持手段（１０５）と、エアロゾル（１５５）をマスク基板（１１０）へ吹き出すためのエアロゾルノズル（１５０）とを更に備えている。クリーニングプロセスの第１段階では、マスク基板（１１０）がヒータ（１３０）に接近し、マスク基板（１１０）が加熱される。クリーニングプロセスの第２段階では、ガス流（１７０）が停止され、マスク（１１０）が冷却トラップ（１２０）の近傍へ搬送される。冷却トラップ（１２０）は冷却される。クリーニングプロセスの第３段階では、エアロゾルノズル（１５０）がマスク基板（１１０）に向けてエアロゾル（１５５）を吹き出し、それにより、粒子がマスク基板（１１０）から分離されるようになる。この実施の形態は、分離された粒子を捕捉するためにサーモフォレティック力（ｔｈｅｒｍｏｐｈｏｒｅｔｉｃ：温度便乗性）を使用する。本発明に係る他の実施の形態は、分離された粒子を捕捉するために真空、静電力及び／又はゲッター金属を使用する。
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エアブリッジ（１０）を形成するリソグラフィック方法は、一連の下端レジスト層（２）、シールド層（３）、及び上端レジスト層（４）を設けるステップと、ブリッジスパンの領域で上端レジスト層（４）を除去した後にシールド層（３）を除去するステップと、ブリッジのピラーの領域で下端レジスト層（２）を除去するステップと、一連の層の上に金属層（８）を形成するステップと、シールド層部分（３）及び金属コーティング部分（９）と共にレジスト層（２、４）を除去して、エアブリッジを形成するステップとを備える。 （もっと読む）

フォトグラフィスキャナに一意に関連するダイナミックなレンズフィールドの屈曲を決定する技術を説明する。一連のリソグラフィ露光は、フォトグラフィスキャナを使用してレジストの被膜されたシリコンウェハー上で実行される。リソグラフィ露光は、互いに一意の方法で関係して配置される焦点合わせ基準の配列を作成する。計測結果はコンピュータアルゴリズムに供給され、絶対的な意味でスキャン方向に対して垂直にダイナミックなレンズフィールドの屈曲（ＺＤＬＣ）を決定するコンピュータアルゴリズムに供給される。さらに、ウェハーの平面性、ウェハーの非平面性、およびステージ誤差の影響が考慮される。ＺＤＬＣ情報は、リソグラフィモデリング、重ね合わせモデリング、およびスキャナステージダイナミクスに関連する進歩したプロセス制御技術を改善するために使用される。
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光投射システムのレンズ透過率の状態を決定する方法および装置を説明する。レンズまたはイメージング対物レンズ透過率は、複数のフィールド地点における射出瞳の横断方向の方向余弦（ｎｘ、ｎｙ）の関数として決定されるので、フォトリソグラフィ露光システムのより完全な解析および補正を提供する。投射イメージングシステムの入射瞳は、均一に照射され、射出瞳の方向余弦の関数としてイメージングシステムを通る透過率の角度依存が決定される。光源は、インサイチュウ照射構造（ＩＳＩＳ）を備えた光調節器を含み、ＩＳＩＳは、システムの入射瞳の均一な照射光を提供できる光学構造である。
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清浄度の低下した液体を供給してしまう不都合を防止するとともに、ウォーターマークが形成される不都合を防止することができる露光装置を提供する。露光装置（ＥＸ）は、投影光学系（ＰＬ）と液体（ＬＱとを介して基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して、基板（Ｐ）を露光するものであって、液体（ＬＱ）を供給するための液体供給機構（１０）と、液体供給機構（１０）からの液体供給の停止時間を計測する計測器（６０）とを備えている。 （もっと読む）

投影光学系と液体とを介したパターンの像によって露光された基板を搬送する基板搬送装置は、基板に付着した液体を検出する液体検出器を備えたことを特徴とする。投影光学系と液体とを介したパターンの像によって露光された基板を搬送する基板搬送方法は、基板の搬送経路の途中で、基板に付着した液体を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

基板Ｗの表面と投影光学系ＰＬの基板Ｗ側の光学素子との間に所定の液体７を介在させて基板Ｗを露光する投影露光装置において、液体７を液体供給管２１を介して供給すると共に液体７を液体回収管２３を介して回収する液体供給排出機構５，６と、液体の流路を形成する部材への不純物の付着を防止する付着防止機構２１０とを備える。 （もっと読む）

液体の浸漬媒体（２４）にウェハ（１２）を浸漬する浸漬リソグラフィシステム（１０）を監視する方法を提供する。この方法は、露光パターンが通過する部分の浸漬媒体の反射率を検出し、ウェハに露光パターンを露光するのが妥当であるかを判定する。また、この方法とともに、浸漬リソグラフィシステム（１０）のための監視・制御システム（２６）を提供する。
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フォトリソグラフィにおいて、様々な露光器具によるフレアの効果が評価され得る。実施例において、フォトレジスト塗布基板上のフォトリソグラフィプロセスで、線縮小に関するフレアの効果を決定するための方法（６００）がもたらされている。本方法（６００）は、基板上の第一のダイの位置において、第一の露光で、第一のマスク（６１０）の一角に対応するフレアパターン（１１０）を含む第一のマスク（６１０）をプリントするステップと、第二の露光において、第二のマスクの対角に対応する他のフレアパターンを含む第二のマスク（６２０）をプリントするステップとを有する。基板上の第二のダイ位置において、第一のマスク及び第二のマスクの特徴に基づいて複合マスクパターン（６３０）がプリントされる。プリントパターン（６４０）は現像され、プリントパターンから測定値が得られる。フレアの効果は、測定値の関数として決定される。
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特に、極端紫外線及び／又は軟Ｘ線を発生する放射線源によってもたらされるメタロイド及び／又は金属の原子及び／又はイオンによって少なくとも部分的に汚染されている、真空室内に配置された光学装置の少なくとも１つの表面を洗浄する方法を記載する。この方法は、表面（１０）上の温度及び／又は真空室（１２）内の圧力が、表面に衝突する原子及び／又はイオン（２０）が表面上で可動であるよう調整されるよう設計される。
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