【課題】インプリントパターンの欠陥の有無の検査を効率化する。
【解決手段】下地層１上に導電層２を形成し、導電層２上にインプリントパターン４を形成し、インプリントパターン４に電解液６を接触させ、電解液６に電極７を接触させ、導電層２と電極６との間に電圧を印加し、導電層２と電極７との間に流れる電流を計測し、その電流の計測結果に基づいてインプリントパターン４の欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】異常判定の精度を向上することができる処理装置の異常判定システム及びその異常判定方法を提供すること。
【解決手段】被処理体を処理する処理装置に設置されるセンサによって出力される信号から、時間と共に変動する時系列データ４１を収集するデータ収集部２２と、データ収集部が収集した時系列データから、有用な時系列データであるモデルデータ４３のみを選択するデータ選択部２３と、データ選択部が選択したモデルデータから、時間と共に変動する上下変動閾値データ４５を算出する閾値設定部２５と、データ収集部が収集した監視対象の時系列データを、上下変動閾値データと比較することにより、異常の発生を判定する判定部２６と、を具備する。データ選択部のモデルデータの選択は、例えば処理装置によって被処理体を処理した後に、処理装置による被処理体の処理を評価する検査装置３７の評価結果に基づいて行う。 （もっと読む）

【目的】コヒーレント光の干渉性をより排除することが可能な照明装置を提供する。
【構成】照明装置３００は、コヒーレント光を発生する光源１０３と、ランダムに配置された、波長以下の高さの複数の段差領域が形成され、光源からの光線を通過させて位相を変化させる回転位相板１４と、複数のレンズがアレイ状に配列され、回転位相板を通過した光線を通過させるインテグレータ２０と、を備え、複数の段差領域の最大サイズと回転位相板から蝿の目レンズの入射面までの光学倍率の積が、複数のレンズの配列ピッチ以下となる箇所と、複数のレンズの配列ピッチより大きくなる箇所とが混在するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インプリント領域に異物や凹凸が存在する場合に、モールドの交換を行うことなく、パターン形成時のモールドの破損を防止するインプリント装置を提供する。
【解決手段】モールド３は、パターンを形成するための凹凸パターンを有する第１押印部２０と、ダミー用の第２押印部２１との少なくとも２つの押印部を有する。制御手段は、異物検査手段の検査結果に基づいて、インプリント領域に異物、又は凹凸が存在するかどうかを判定し、存在しないと判定した場合には、第１押印部２０を選択し、一方、存在すると判定した場合には、第２押印部２１を選択し、第２押印部２１を選択した場合には、第２押印部２１が第１押印部２０よりも基板５との距離が近くなるように退避手段を制御した後、第２押印部２１と未硬化樹脂との接触を実行させる。 （もっと読む）

【課題】使用環境に影響されることなく基板上の異物を高精度で検出することができる近接露光装置を提供する。
【解決手段】基板保持部２１の搬送方向に並んで配置され、基板保持部２１に保持された基板Ｗの表面に沿ってレーザービームＬＢ１、ＬＢ２を出射する出射部８０a、８１aと、レーザービームを受光する受光部８０ｂ、８１ｂと、をそれぞれ有する２つの異物検出器８０、８１と、２つの異物検出器８０、８１の各受光部８０ｂ、８１ｂが受光する前記レーザービームＬＢ１、ＬＢ２の検出信号を比例演算部８３ａによって増幅し、さらに、差分演算部８３ｂによって、２つの増幅した前記レーザービームＬＢ１、ＬＢ２の検出信号の差分を算出し、異物８２の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】露光ユニット全体を小型化することができ、また、タクトタイムの短縮を図ることができ、且つ、適切に基板の温調を行うことができる異物検出装置及び異物検出異物検出方法を提供する。
【解決手段】異物検出装置２０は、精密温調プレート２２に載置された基板Ｗを温調する基板温調機構、精密温調プレート２２の上方に配置され、所定の方向に直線状に配置される複数のカメラ３０と、該カメラ３０が撮像する基板の位置に光を照射する光源３１と、を有し、精密温調プレート２２に載置された基板Ｗの異物を検出する異物検出機構３４とを有することで、異物検出機構と基板温調機構３４とが単一の装置に設けられため、露光ユニット全体を小型化でき、また、温調が行われている基板Ｗの異物の検出を行う場合には、タクトタイム短縮ができ、さらに、異物を検出する際に、基板Ｗにはレーザー以外の光源３１を照射するため、活性化による基板Ｗの温度上昇を防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理部の異常の有無をリアルタイムに判断し、且つ不良品ウェハが多量に生産されることを防止する。
【解決手段】塗布現像処理装置は、ウェハ搬送機構と、欠陥検査部と、ウェハの搬送を制御する搬送制御手段２００と，欠陥の状態に基づいて当該欠陥の分類を行う欠陥分類手段２０３と、処理ユニットによりウェハが処理された際のウェハ搬送機構によるウェハの搬送順路を記憶する記憶手段２０２と、欠陥分類手段２０３により分類された欠陥の種類と、記憶手段２０２に記憶された基板の搬送順路に基づいて、当該分類された欠陥が発生した処理ユニットを特定する欠陥処理特定手段２０４と、欠陥が発生したと特定された処理部の異常の有無を判定する欠陥処理特定手段を有し、搬送制御手段２００は、欠陥処理特定手段２０４により異常と判定された処理ユニットを迂回してウェハを搬送するようにウェハ搬送機構の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの算出精度を向上させる、コンピュータを用いてレジストパターンを算出する方法を提供する。
【解決手段】レチクルのパターンおよび露光条件に基づいて、レジストに形成される光学像の光強度分布を算出する第１工程と、前記第１工程で算出された光強度分布を第１の拡散長で畳み込み積分する第２工程と、前記第１工程で算出された光強度分布又は前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布から前記レジストの面内における各点について該点を含む所定の大きさの領域における光強度を代表する代表光強度を算出する第３工程と、補正関数を前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布に加算することによって、前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布を補正する第４工程と、前記第４工程で補正された光強度分布と予め設定されたスライスレベルとに基づいて前記レジストパターンを算出する第５工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】露光機内のマスクステージにマスクを装着した状態で、ペリクル上の透明性異物の検査を行うことができるペリクル及び露光装置を提供する。
【解決手段】ペリクル５０のペリクルフレーム５２に、ペリクル膜５１の表面上を伝搬する弾性表面波を発生させる弾性表面波素子２０Ａと、弾性表面波を受信する弾性表面波素子２０Ｂとを設け、当該弾性表面波によってペリクル膜５１上の異物の有無を検出する。このとき、ペリクル５０を装着したフォトマスク１を、露光機１００のマスクステージ１０３に載置した状態で異物検査を行う。また、弾性表面波素子２０Ａ，２０Ｂをペリクルフレーム５２に複数組設ければ、ペリクル膜５１上の異物の位置を特定できる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で容易に撮像面の傾斜状態を検出可能な傾斜検出方法を提供する。
【解決手段】２つの撮像装置のそれぞれについて、撮像装置の傾斜状態を検出する傾斜検出工程と、撮像装置の傾斜を調整する傾斜調整工程と、撮像装置の位置を検出する位置検出工程と、撮像装置の位置を調整する位置調整工程と、を有し、傾斜検出工程は、均等間隔で設けられたパターンを、撮像装置の焦点位置を順次変化させて撮像し、撮像画像におけるパターン位置を検出してパターン領域を設定し、パターン領域における各画素の輝度値を検出し、検査方向に沿って画素間の輝度変化量を算出し、各パターン領域における輝度変化量の積算値を算出し、積算値が最大となる撮像画像に対応した焦点一致位置を検出し、焦点一致位置に基づいて、撮像装置の傾斜状態を検出することを特徴とする調整方法。 （もっと読む）

【課題】残膜量の変動を低減したインプリント方法、半導体集積回路製造方法およびドロップレシピ作成方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板上に転写されたパターンの欠陥検査を行い、欠陥の画像データを生成する。欠陥が検出されたとき、前記生成された画像データから欠陥輪郭を抽出して、前記抽出した欠陥輪郭を前記半導体集積回路のパターンデータに反映させ、前記欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいて第１ドロップレシピを生成する。そして、硬化性樹脂材料の塗布に使用しているドロップレシピを前記生成した第１ドロップレシピで更新する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルや結晶欠陥などの不良を含む半導体素子を容易に検知する技術の提供。
【解決手段】半導体素子の製造方法では、複数の半導体素子部アレイを基板上に形成（Ｓ１）し、半導体素子部の外観検査（Ｓ２）を行う。外観検査後、半導体素子部上に絶縁膜を形成（Ｓ３）し、絶縁膜上に第一レジスト膜を形成（Ｓ４）する。第一レジスト膜をパターニングして開口のアレイを有する第一レジストマスクを形成（Ｓ５）する。第二レジストを第一レジストマスクの第一レジスト開口に形成して、第二レジストマスクを形成（Ｓ６）する。第二レジストは、外観検査の結果によって示されるアレイ内の第一レジスト開口に形成される。第一レジストマスク及び第二レジストマスクを用いたエッチングにより絶縁膜から保護膜を形成（Ｓ７）する。保護膜及び半導体素子部上に電極を形成（Ｓ８）し、電気特性の検査（Ｓ９）を行う。 （もっと読む）

【課題】処理ブロックの設置面積を抑えると共に装置の稼働効率の低下を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、後続の基板の搬送モードを、モードＭ１及びＭ２から選択するためのモード選択部を備えるように塗布、現像装置を構成する。前記モードＭ１は、現像処理用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードであり、前記モードＭ２は、基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された現像処理用の単位ブロック以外の現像処理用の単位ブロックに搬送するように受け渡し機構の動作を制御するモードである。 （もっと読む）

【課題】１つの装置で異なる被検査物の異物検査を実施した際に、検出した異物がいずれの被検査物に付着しているかを判定することができる異物検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物２、３に対して照明光を照射する照明手段７と、照明光の照射を受け、異物から発生する散乱光を受光する受光手段８と、被検査物を面方向、若しくは面に対する法線方向に駆動する第１駆動手段６と、照明手段７、受光手段８、及び第１駆動手段６の動作及び処理を制御する制御手段１２とを備え、第１駆動手段６は、複数の被検査物２、３を個別に駆動が可能であり、受光手段８は、第１駆動手段６による駆動前後において散乱光を受光し、制御手段１２は、駆動前後に検出された、それぞれの異物の検出結果に基づいて検出結果の変化を導出し、変化に基づいて複数の被検査物２、３のいずれの被検査物に異物が付着しているかを判定する。 （もっと読む）

【課題】露光毎に露光領域全体の観察を行うことにより、異物、キズ、レジスト塗布ムラなどの欠陥をいち早く検出することを可能な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置１は、所望の露光パターンを生成するためのパターン情報を生成するパターン生成部であるＤＭＤ素子３と、このＤＭＤ素子３で生成された露光パターンを基板７上に投影する投影光学系４，４０と、投影領域全体を非露光光で照明する観察照明光学系７０と、露光領域を観察する観察光学系８０と、観察光学系８０による観察画像を基に、露光領域内の欠陥の有無を判定する欠陥解析部１４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被吸着物と静電チャックとの間の異物に関する情報を検出できる静電吸着方法、露光方法、静電吸着装置、露光装置及びデバイス製造方法の提供。
【解決手段】被吸着物を基台に静電吸着する静電吸着方法であって、被吸着物の基台への吸着状態を検知する検知工程１０４と、検知工程１０４での検知結果に基づいて被吸着物と基台との間の異物情報を判断する判断工程１０５とを有する。また、被吸着物を基台に静電吸着する静電吸着装置であって、被吸着物の基台への吸着状態を検知する検知部と、検知部の検知結果に基づいて被吸着物と基台との間の異物情報を判断する判断部とを有する。 （もっと読む）

【課題】 露光現像システムの故障時の処理量の低下を抑えることと、投資効率の低下を抑えることを両立する。
【解決手段】 基板上に感光性の材料を塗布して膜を形成する塗布装置と、前記基板の上に形成された前記膜を露光する露光装置と、露光した前記膜を現像する現像装置とを、それぞれ複数台有する露光現像システムであって、前記露光装置は、あらかじめ用意された描画データに基づく数値制御により前記膜に照射する光のパターンを生成する装置であり、前記塗布装置、前記露光装置、および前記現像装置の稼働状況に応じて、前記基板を前記塗布装置から前記露光装置へ搬送するときの前記塗布装置と前記露光装置との組み合わせ、および前記基板を前記露光装置から前記現像装置へ搬送するときの前記露光装置と前記現像装置との組み合わせを制御する露光現像システム。 （もっと読む）

【課題】異物の付着した面が被検物の２面のうちのいずれの面であるかを検出することが可能な異物検査装置を提供する。
【解決手段】異物検査装置は、被検物に検査光を投光する投光部と、検査光が投光されることによって被検物から生じる散乱光の強度を検出する検出器を含む受光部と、制御部とを備える。検出器は、偏光方向が第１の方向である検査光が投光されることによって被検物から生じる第１の散乱光の強度と、偏光方向が第２の方向である検査光が投光されることによって被検物から生じる第２の散乱光の強度とを検出する。制御部は、検出器により検出された第１の散乱光の強度および第２の散乱光の強度の比が基準値より大きいか小さいかによって異物が付着した面が第１面および第２面のいずれであるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】レチクルの特定半導体素子パターンが露光された転写パターンを検査する際に、レチクルの半導体素子パターンが多数ある場合でも、半導体基板上で特定半導体素子パターンを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行う。
【解決手段】複数の半導体素子パターン１２と、半導体素子パターン１２から、複数の半導体素子パターン１２のうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す識別用パターン１３とを有するレチクル１１を用いて、半導体基板上のフォト・レジストに露光し、識別用パターン１３の転写パターンを用いて、特定半導体素子パターン１２Ａの転写パターンの検査を行う。 （もっと読む）

【課題】任意のパターン上の粒子を検出する高速方法を提供する。
【解決手段】システムおよび方法を用いてマスクＭＡからの熱放射を検出する。マスクＭＡ上のデブリ粒子Ｄは加熱するが、周囲マスクほど速く冷却しない。この温度差によって、粒子ＤおよびマスクＭＡによって放出される放射の波長は異なる。したがって、熱放射を検出することによって、マスク上に堆積した粒子Ｄの存在を検出することができる。粒子Ｄが検出された場合は、マスクＭＡをクリーニングすることができる。 （もっと読む）