異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法
【課題】異物の付着した面が被検物の２面のうちのいずれの面であるかを検出することが可能な異物検査装置を提供する。
【解決手段】異物検査装置は、被検物に検査光を投光する投光部と、検査光が投光されることによって被検物から生じる散乱光の強度を検出する検出器を含む受光部と、制御部とを備える。検出器は、偏光方向が第１の方向である検査光が投光されることによって被検物から生じる第１の散乱光の強度と、偏光方向が第２の方向である検査光が投光されることによって被検物から生じる第２の散乱光の強度とを検出する。制御部は、検出器により検出された第１の散乱光の強度および第２の散乱光の強度の比が基準値より大きいか小さいかによって異物が付着した面が第１面および第２面のいずれであるかを判定する。
【解決手段】異物検査装置は、被検物に検査光を投光する投光部と、検査光が投光されることによって被検物から生じる散乱光の強度を検出する検出器を含む受光部と、制御部とを備える。検出器は、偏光方向が第１の方向である検査光が投光されることによって被検物から生じる第１の散乱光の強度と、偏光方向が第２の方向である検査光が投光されることによって被検物から生じる第２の散乱光の強度とを検出する。制御部は、検出器により検出された第１の散乱光の強度および第２の散乱光の強度の比が基準値より大きいか小さいかによって異物が付着した面が第１面および第２面のいずれであるかを判定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置や液晶表示装置の製造において用いられる異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法に関する。本発明は、特に、マスクのたわみを気圧補正するためにマスクの上側に構成される平面ガラスやペリクルの両面における異物の有無を検出する異物検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、露光装置に用いられるマスクの大型化によりマスクが自重でたわみ、像性能が悪化することが懸念されている。そのためこれまでマスクの自重たわみを低減させる多くの工夫がなされてきた。特許文献１には、マスクの上側を平面ガラスで塞いで密閉室を構成し、マスク下面のたわみを検出し、検出結果に基づいて密閉室の圧力を調整することによってマスクのたわみを補正する露光装置が開示されている。
【０００３】
密閉室を構成する平面ガラスの上下面に異物が付着すると露光時の像性能を劣化させる恐れがあるので、平面ガラスの上下面に付着した異物を検出し、除去する必要がある。保管場所からマスクステージまで搬送工程において、マスクと平面ガラスとが分離し、マスク又は平面ガラスが搬送部材によって保持されつつ搬送されている状態において、マスクや平面ガラスの上下面の異物検査が行われる。図１１は、従来の異物検査であり、光源１６及び投影レンズ１７を含む投光部と、受光レンズ１８及び検出器１５を含む受光部とを備える。そして、搬送部材１９に保持された状態で、平面ガラス３（又はマスク）の上下面側に双方に配置された２台の異物検査装置を用いて平面ガラス３（又はマスク）の上下各面の異物検査が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２１４７８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
搬送部材１９に保持された状態でマスクや平面ガラス３の上下各面の異物検査を行った後、マスクと平面ガラス３とを合体してマスクのたわみを補正する機構を構築している。搬送部材１９の搬送のための駆動機構は、マスクや平面ガラス３の近くに存在する。そのため、異物検査が終了してからマスクと平面ガラス３とを合体するまでの間に、駆動機構の駆動によって発生した塵がマスクの上面や平面ガラス３の下面に付着することがある。また、マスクと平面ガラス３とを合体して形成された密閉空間内を減圧するときに、マスクと平面ガラス３との接触部分から細かい金属片などが舞い、その金属片がマスクの上面や平面ガラス３の下面に付着することがある。
【０００６】
しかし、従来の異物検査は、マスクと平面ガラス３とが合体してマスクのたわみを補正する機構が構築された後に、マスクの上面や平面ガラス３の下面の異物を検査することができない。また、マスクパターン面に異物が付着しないように、マスクパターン面を保護するペリクルが付着された後の、ペリクルのマスク側の面に付着した異物も、従来の異物検査では検査することができない。そこで、本発明は、異物の付着した面が被検物の２面のうちのいずれの面であるかを検出することが可能な異物検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、光透過性の被検物に付着した異物を検査する異物検査装置であって、前記被検物に検査光を投光する投光部と、前記検査光が投光されることによって前記被検物から生じる散乱光の強度を検出する検出器を含む受光部と、制御部と、を備え、前記検出器は、偏光方向が第１の方向である第１の検査光が投光されることによって前記被検物から生じる第１の散乱光の強度と、偏光方向が第２の方向である第２の検査光が投光されることによって前記被検物から生じる第２の散乱光の強度とを検出し、前記被検物の第１面に付着した異物によって生じる前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の強度の比は基準値より大きく、前記被検物の前記第１面の反対側の第２面に付着した異物によって生じる前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の強度の比は前記基準値より小さく、前記制御部は、前記検出器により検出された前記第１の散乱光の強度および前記第２の散乱光の強度の比が前記基準値より大きいか小さいかによって異物が付着した面が前記第１面および前記第２面のいずれであるかを判定し、当該判定した結果を出力する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、異物の付着した面が被検物の２面のうちのいずれの面であるかを検出することが可能な異物検査装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１の異物検査装置を示す図
【図２】被検物の上下両面の異物を検査することを説明する図
【図３】Ｓ偏光、Ｐ偏光が被検物を透過している様子を示す図
【図４】検査光の入射角度と透過光量との関係を示す図
【図５】被検物上下両面における散乱光強度の関係を示す図
【図６】実施例２における異物検査装置を示す図
【図７】実施例３における異物検査装置を示す図
【図８】Ｐ偏光、Ｓ偏光を使用する場合の散乱光強度と異物サイズとの関係を示す図
【図９】実施例４における異物検査装置を示す図
【図１０】露光装置を示した図
【図１１】従来の異物検査装置を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
［露光装置］
図１０には、露光装置が示されている。マスク５は、パターン面を下にしてマスクホルダ６によって真空吸着により保持されている。マスク５の上方には露光光を射出する光源１が設けられ、光源１とマスク５との間には、照明光学系２が設けられる。マスク５の露光光が透過した側には投影光学系１１を挟んで露光の対象である基板１２が配置されている。光源１から射出された露光光は、照明光学系２によってマスク５に照射される。マスク５に形成されたパターンの像は、露光光により投影光学系１１を通じて基板１２上に投影される。マスクホルダ６の下側にはマスク５のたわみを検出する検出系２１が設けられる。検出系２１は、斜入射タイプのフォーカスセンサの構成、機能を備えている。発光ダイオードなどの光源１０から投影レンズ(不図示)を介してマスク５のパターン面に対して斜めから検出光が投光される。その反射光を受光レンズ(不図示)を介してフォトダイオードなどのディテクタ９で検出することにより、マスク５のたわみを検出する。ディテクタ９の検出信号出力側は、演算部８に接続されている。演算部８の出力側には気圧制御部７が接続されており、この気圧制御部７はパイプ４を介してマスク５のたわみを補正する気密室１３に接続されている。気密室１３は、下面側がマスク５で、上面側が平面ガラス３で塞がれた密閉箱状となっている。気密室１３を構成する平面ガラス３は、平面板であるため露光光に影響を与えない。平面ガラス３とマスク５とで挟まれた空間は気密室１３とされ、この気密室内の圧力を気圧制御部７で制御することでマスク５のたわみを制御する。気圧制御部７は、演算部８から入力される気圧制御量に基づいて、気密室１３の気圧を制御する。このように、検出系２１によりマスク５のたわみが検出され、演算部８によりたわみ量とこのたわみ量を補正する気圧制御量の算出が行われ、気圧制御部７により気密室１３の気圧が制御される。このため、マスク５の自重によって発生するたわみに起因するパターンの横ずれや像面の湾曲、マスク５の熱的変形に起因するディストーションや像面湾曲などが軽減されて、良好にマスク５のパターンの投影を行うことが可能となる。
【００１２】
［実施例１］
図１に示すようにマスク５と光透過性の被検物である平面ガラス３とが露光用のマスクステージ１４上に搭載されている。そしてその上側に異物検査装置が配置される。マスクステージ１４又は異物検査装置に構成された駆動部２２が駆動することにより、異物検査装置は、図２に示されるように、平面ガラス３の第１面（下面）及び第１面の反対側の第２面（上面）に付着した異物を検査する。平面ガラス３に検査光を投光する投光部２５内に、投影レンズ１７に加えて、光源１６から出射されたＰ偏光の検査光およびＳ偏光の検査光の一方を選択する検査光選択部材２４ａを配置する。この検査光選択部材２４ａとして、λ／２板や偏光ビームスプリッタ、偏光板、その他光学結晶などが使われる。また、光源１６自体にＰ偏光およびＳ偏光の一方を選択する機能がついていてもよい。Ｐ偏光の検査光は、偏光方向が第１の方向である第１の検査光を構成し、Ｓ偏光の検査光は、偏光方向が第２の方向である第２の検査光を構成する。一方、受光部２６は、受光レンズ１８と、検査光が投光されることによって平面ガラス３から生じる散乱光の強度を検出し、検出結果を制御部Ｃに送る検出器１５とを含む。検出器１５は、第１の検査光（Ｐ偏光）が投光された状態で第１の散乱光（Ｐ偏光の散乱光）の強度を検出し、第２の検査光（Ｓ偏光）が投光された状態で第２の散乱光（Ｓ偏光の散乱光）の強度を検出する。その結果、検出器１５は、第１の散乱光（Ｐ偏光の散乱光）の強度と第２の散乱光（Ｓ偏光の散乱光）の強度とを分離して検出する。
【００１３】
図１に示すように、検査光選択部材２４ａを投光部２５内に配置し、被検物である平面ガラス３に対してＳ偏光が投光されるように検査光選択部材２４ａを調整する。そうすると、検査光は平面ガラス３の上下面において本紙面に対して直交する向きに偏光方位をもつ光となる（図３Ａ）。同様に、平面ガラス３に対してＰ偏光が投光されるように検査光選択部材２４ａを調整すると、検査光は平面ガラス３の上下面において矢印の向きに偏光方位をもつ光となる（図３Ｂ）。投光部２５の光軸と被検物である平面ガラス３の上面の法線とがなす角度（θ）を横軸、検査光選択部材２４ａ（Ｓ偏光、Ｐ偏光に調整した場合）を通過した直後の検査光の光量を１とする。そのとき、検査光が平面ガラス３の上面から下面側へ透過してくる光量（Ｔｓ、Ｔｐ）を縦軸にとると図４のようになる。例えばθ=８５°のとき、Ｔｐ／Ｔｓ≒３.５となる。つまり、検査光選択部材２４ａが選択する検査光をＳ偏光からＰ偏光に変えることにより平面ガラス３の下面に付着した異物を照明する光量が３．５倍に変化することになる。
【００１４】
このように検査光選択部材２４ａにより検査光の偏光方向を変えることにより、平面ガラス３の上面に付着した異物に対する照明光量を偏光方向に関わらず一定に保ちつつ、平面ガラス３の下面に付着した異物に対する照明光量を変えることができる。その結果、制御部Ｃは、偏光方向の変化に伴う異物からの散乱光の強度変化を検出することにより、異物が平面ガラス３の第１面および第２面のどちら（すなわち、上下面のいずれ）に付着しているかどうかを検出し判断することができる。
【００１５】
検査の前に、平面ガラス３の上面に付着した、粒径が分かっている異物からの散乱光の強度を、各偏光方向（Ｓ、Ｐ偏光）で検出し、記録する（図５Ａ）。同様に平面ガラス３の下面に付着した、粒径が分かっている異物からの散乱光の強度を、各偏光（Ｓ、Ｐ偏光）で検出、記録する（図５Ｂ）。そして検査時は、図５Ａ、図５Ｂの記録結果を異物の大きさの判断基準とする。例えば１００μmの異物が平面ガラス３の上下面に付着していたとすると上面の異物からの散乱光の強度は、５０μmの異物の散乱光強度を１（Ｓ、Ｐ偏光ともに）とすると、Ｓ偏光で６．３、Ｐ偏光で８．４である。同様に下面の異物からの散乱光の強度は、Ｓ偏光で０．４５、Ｐ偏光で２．１６である。このように上面に付着した異物からの散乱光の強度は、検査光が同一光路、同一光量で照明されている場合でも検査光選択部材２４ａの調整状態や、検査光の光量の安定性、平面ガラス３の光学特性のばらつきなどにより、Ｓ偏光＝Ｐ偏光になるとは限らない。よって、図５Ｃに示される、上面に付着した異物のＰ偏光の散乱光の強度およびＳ偏光の散乱光の強度の比＝８．４／６．３＝１．３３、同じく下面に付着した異物のＰ偏光の散乱光の強度およびＳ偏光の散乱光の強度の比＝２．１６／０．４５＝４．８に注目する。下面（第１面）に付着した第１の散乱光（Ｐ偏光の散乱光）の強度および第２の散乱光（Ｓ偏光の散乱光）の強度の比は、異物のサイズに関係なく基準値（例えば２．５）より大きい。一方、上面（第２面）に付着した第１の散乱光（Ｐ偏光の散乱光）の強度および第２の散乱光（Ｓ偏光の散乱光）の強度の比は、異物のサイズに関係なく基準値（例えば２．５）より小さい。そこで、制御部Ｃは、第１の散乱光（Ｐ偏光の散乱光）の強度および第２の散乱光（Ｓ偏光の散乱光）の強度の比が基準値より大きいか小さいかによって、異物が上面、下面のいずれに付着しているかを判定する。その基準値の設定においては、異物の大きさや異物の位置、検査光選択部材２４ａの調整精度、検査光の光量の安定性、被検物となる平面ガラス３の光学特性などによる散乱光の強度の比（Ｐ偏光／Ｓ偏光）のばらつきを考慮して設定することが望ましい。
【００１６】
次に、平面ガラス３に付着した異物の大きさ、付着位置、上下面のどちらに付着しているかを検査するフローについて説明する。ステップ１で、異物検査装置に対する光透過性を有する被検物の上下面に、大きさが分かっている異物を配置する。そして検査光選択部材２４ａにより検査光をＳ偏光およびＰ偏光の一方に選択し、必要な検査領域を検査する。その結果、適正な光源の光量を決定し、図５Ａ、図５Ｂのような感度曲線を作成し、記録することで以後、異物の大きさの判断基準とする。ステップ２で、前記感度曲線から図５Ｃに示すＰ偏光の散乱光およびＳ偏光の散乱光の強度の比を求め、上下面のどちらに異物がついているかを判断する基準値（閾値）を設定する。ステップ３で、異物検査装置に構成される検査光選択部材２４ａを検査光がＳ偏光になるように調整し、ステップ１で求めた光量で、異物検査装置に構成される駆動部２２またはマスクステージ１４を駆動させながら被検物の必要な検査領域を検査する。ステップ３において異物が検出された場合、ステップ４で、異物検査装置に構成される検査光選択部材２４ａを検査光がＰ偏光になるように調整する。そして、異物検査装置は、ステップ１で求めた光量で異物検査装置に構成される駆動部２２またはマスクステージ１４を駆動させながら被検物の必要な検査領域を検査する。ステップ３における駆動部２２またはマスクステージ１４の駆動方向は、ステップ４における駆動部２２またはマスクステージ１４の駆動方向の逆方向である。また、ステップ３で検査光をＰ偏光とし、ステップ４で検査光をＳ偏光とするようにしてもよい。
【００１７】
ステップ５において、制御部Ｃは、ステップ３、４で得られた結果とステップ２で設定した基準値を元に被検物の上面、下面のどちらに付着した異物かを判定する。ステップ６において、制御部Ｃは、ステップ５で得られた結果と駆動部の駆動量から検査領域内の異物の位置を判定する。ステップ７において、制御部Ｃは、ステップ１で求めた被検物の上面の感度曲線と下面の感度曲線を元に検出された異物の大きさを判定する。ステップ８において、制御部Ｃは、ステップ５〜７で判定した結果を出力する。本実施例の構成でかつ上記ステップを踏むことにより、異物検査装置は、被検物である平面ガラス３の上下面に存在する異物を検出することができる。
【００１８】
［実施例２］
実施例１では、投光部２５がＰ偏光の検査光およびＳ偏光の検査光の一方を選択的に投光し、検出器１５がＰ偏光の検査光が投光された状態でＰ偏光の散乱光の強度を検出し、Ｓ偏光の検査光が投光された状態でＳ偏光の散乱光の強度を検出した。そして、投光部２５がＰ偏光の検査光およびＳ偏光の検査光の一方を選択的に投光するように、投光部２５に検査光選択部材２４ａを配置した。実施例２では、投光部２５は、Ｐ偏光の検査光およびＳ偏光の検査光の双方を投光する。そして、図６に示されるように、検査光選択部材２４ａを投光部２５に設ける代わりに、Ｐ偏光の散乱光およびＳ偏光の散乱光の一方を選択的に透過する選択部材２４ｂを被検物である平面ガラス３と検出器１５との間に配置する。その結果、実施例２の異物検査装置において、検出器１５は、選択部材２４ｂがＰ偏光の散乱光を選択的に透過する状態でＰ偏光の散乱光の強度を検出し、選択部材２４ｂがＳ偏光の散乱光を選択的に透過する状態でＳ偏光の散乱光の強度を検出する。選択部材２４ｂとして、λ／２板や偏光ビームスプリッタ、偏光板、その他光学結晶などが使われる。実施例２においても、選択部材２４ｂによって検出器１５に透過させる散乱光の偏光方向を変更して異物検査を２回行うことによって、被検物である平面ガラス３の上下面に存在する異物を検出することができる。
【００１９】
［実施例３］
実施例１、２では、検査光または散乱光の偏光方向を変更して異物検査を２回行うことによって、平面ガラス３の上下面に存在する異物の検査を行った。実施例３では、実施例２と同じように、投光部２５は、Ｐ偏光の検査光およびＳ偏光の検査光の双方を投光する。実施例２では、受光部２６内にＰ偏光の散乱光およびＳ偏光の散乱光の一方を選択的に透過する選択部材２４ｂを配置した。実施例３では、選択部材２４ｂの代わりに、図７に示されるように、平面ガラス３の上下面の異物で生じたＰ偏光の散乱光とＳ偏光の散乱光とを分離する偏光ビームスプリッタ（ビームスプリッタ）２４ｃを配置する。また、実施例３では、検出器１５は、Ｐ偏光の散乱光の強度を検出する第１検出器１５ａとP偏光の散乱光の強度を検出する第２検出器１５ｂの２台となる。制御部Ｃは、第１および第２検出器１５ａ，１５ｂの検出結果からＰ偏光の散乱光およびＳ偏光の散乱光の強度の比を取得し、異物が平面ガラス３の上下面どちらに付着しているか判定する。また、実施例３では、実施例１、２のように検査光または散乱光の偏光方向を切り替える必要が無いため異物検査を２回行う必要がなく、検査時間を半分に短縮することができる。
【００２０】
実施例３における異物検査装置を使用した場合の検査フローを説明する。ステップ１において、異物検査装置に対する光透過性を有する平面ガラス３の上下面に、大きさが分かっている異物を配置する。そして異物検査装置を用いて必要な検査領域を検査する。その結果、適正な光源の光量を決定し、図８Ａ、図８Ｂに示されるように、第１検出器１５ａ、第２検出器１５ｂ毎に感度曲線を作成し、記録することで以後、異物の大きさの判断基準とする。ステップ２において、前記各検出器１５ａ，１５ｂの感度曲線からＰ偏光の散乱光およびＳ偏光の散乱光の強度の比を求め、上下面のどちらに異物がついているかを判定するための基準値（閾値）を設定する。ステップ３において、異物検査装置は、ステップ１で求めた光量で異物検査装置に構成される駆動部２２またはマスクステージ１４を駆動させながら、必要な検査領域を検査する。それによって、第１検出器１５ａは異物のよって生じたＰ偏光の散乱光の強度を取得し、第２検出器１５ｂは、Ｓ偏光の散乱光の強度を取得する。
【００２１】
ステップ４において、制御部Ｃは、ステップ３で得られた結果とステップ２で設定した基準値を元に、異物が付着した面が平面ガラス３の上面および下面のいずれであるかを判定する。ステップ５において、制御部Ｃは、ステップ４で得られた結果と駆動部の駆動量から、検査領域内の異物の位置を判定する。ステップ６において、制御部Ｃは、ステップ１で作成し、記録した第１検出器１５ａの感度曲線と、第２検出器１５ｂの感度曲線を元に、検出された異物の大きさを判定する。実施例３では、平面ガラス３の検査領域を１回検査するだけで、被検物である平面ガラス３の上下面に存在する異物を検出することができる。
【００２２】
［実施例４］
実施例１〜３では、異物検査装置の被検物は平面ガラス３であった。実施例４では、異物検査装置を用いて、図９に示されるように、マスク５の２面のうち基板１２が配置される側の面（下面）に付着されマスク５のパターン面を保護するペリクル２７の上下面の異物を検査することもできる。実施例１〜４における異物の大きさに関しては、異物検査装置の検出器１５の画素数から判定しても良い。
【００２３】
［デバイス製造方法］
次に、上述の露光装置を利用した半導体集積回路素子、液晶表示素子等のデバイス製造方法を例示的に説明する。デバイスは、前述の露光装置を用いて基板を露光する露光工程と、露光工程で露光された基板を現像する現像工程と、現像工程で現像された基板を加工する他の周知の工程とを経ることによって製造される。他の周知の工程は、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング工程などである。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置や液晶表示装置の製造において用いられる異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法に関する。本発明は、特に、マスクのたわみを気圧補正するためにマスクの上側に構成される平面ガラスやペリクルの両面における異物の有無を検出する異物検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、露光装置に用いられるマスクの大型化によりマスクが自重でたわみ、像性能が悪化することが懸念されている。そのためこれまでマスクの自重たわみを低減させる多くの工夫がなされてきた。特許文献１には、マスクの上側を平面ガラスで塞いで密閉室を構成し、マスク下面のたわみを検出し、検出結果に基づいて密閉室の圧力を調整することによってマスクのたわみを補正する露光装置が開示されている。
【０００３】
密閉室を構成する平面ガラスの上下面に異物が付着すると露光時の像性能を劣化させる恐れがあるので、平面ガラスの上下面に付着した異物を検出し、除去する必要がある。保管場所からマスクステージまで搬送工程において、マスクと平面ガラスとが分離し、マスク又は平面ガラスが搬送部材によって保持されつつ搬送されている状態において、マスクや平面ガラスの上下面の異物検査が行われる。図１１は、従来の異物検査であり、光源１６及び投影レンズ１７を含む投光部と、受光レンズ１８及び検出器１５を含む受光部とを備える。そして、搬送部材１９に保持された状態で、平面ガラス３（又はマスク）の上下面側に双方に配置された２台の異物検査装置を用いて平面ガラス３（又はマスク）の上下各面の異物検査が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２１４７８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
搬送部材１９に保持された状態でマスクや平面ガラス３の上下各面の異物検査を行った後、マスクと平面ガラス３とを合体してマスクのたわみを補正する機構を構築している。搬送部材１９の搬送のための駆動機構は、マスクや平面ガラス３の近くに存在する。そのため、異物検査が終了してからマスクと平面ガラス３とを合体するまでの間に、駆動機構の駆動によって発生した塵がマスクの上面や平面ガラス３の下面に付着することがある。また、マスクと平面ガラス３とを合体して形成された密閉空間内を減圧するときに、マスクと平面ガラス３との接触部分から細かい金属片などが舞い、その金属片がマスクの上面や平面ガラス３の下面に付着することがある。
【０００６】
しかし、従来の異物検査は、マスクと平面ガラス３とが合体してマスクのたわみを補正する機構が構築された後に、マスクの上面や平面ガラス３の下面の異物を検査することができない。また、マスクパターン面に異物が付着しないように、マスクパターン面を保護するペリクルが付着された後の、ペリクルのマスク側の面に付着した異物も、従来の異物検査では検査することができない。そこで、本発明は、異物の付着した面が被検物の２面のうちのいずれの面であるかを検出することが可能な異物検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、光透過性の被検物に付着した異物を検査する異物検査装置であって、前記被検物に検査光を投光する投光部と、前記検査光が投光されることによって前記被検物から生じる散乱光の強度を検出する検出器を含む受光部と、制御部と、を備え、前記検出器は、偏光方向が第１の方向である第１の検査光が投光されることによって前記被検物から生じる第１の散乱光の強度と、偏光方向が第２の方向である第２の検査光が投光されることによって前記被検物から生じる第２の散乱光の強度とを検出し、前記被検物の第１面に付着した異物によって生じる前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の強度の比は基準値より大きく、前記被検物の前記第１面の反対側の第２面に付着した異物によって生じる前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の強度の比は前記基準値より小さく、前記制御部は、前記検出器により検出された前記第１の散乱光の強度および前記第２の散乱光の強度の比が前記基準値より大きいか小さいかによって異物が付着した面が前記第１面および前記第２面のいずれであるかを判定し、当該判定した結果を出力する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、異物の付着した面が被検物の２面のうちのいずれの面であるかを検出することが可能な異物検査装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１の異物検査装置を示す図
【図２】被検物の上下両面の異物を検査することを説明する図
【図３】Ｓ偏光、Ｐ偏光が被検物を透過している様子を示す図
【図４】検査光の入射角度と透過光量との関係を示す図
【図５】被検物上下両面における散乱光強度の関係を示す図
【図６】実施例２における異物検査装置を示す図
【図７】実施例３における異物検査装置を示す図
【図８】Ｐ偏光、Ｓ偏光を使用する場合の散乱光強度と異物サイズとの関係を示す図
【図９】実施例４における異物検査装置を示す図
【図１０】露光装置を示した図
【図１１】従来の異物検査装置を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
［露光装置］
図１０には、露光装置が示されている。マスク５は、パターン面を下にしてマスクホルダ６によって真空吸着により保持されている。マスク５の上方には露光光を射出する光源１が設けられ、光源１とマスク５との間には、照明光学系２が設けられる。マスク５の露光光が透過した側には投影光学系１１を挟んで露光の対象である基板１２が配置されている。光源１から射出された露光光は、照明光学系２によってマスク５に照射される。マスク５に形成されたパターンの像は、露光光により投影光学系１１を通じて基板１２上に投影される。マスクホルダ６の下側にはマスク５のたわみを検出する検出系２１が設けられる。検出系２１は、斜入射タイプのフォーカスセンサの構成、機能を備えている。発光ダイオードなどの光源１０から投影レンズ(不図示)を介してマスク５のパターン面に対して斜めから検出光が投光される。その反射光を受光レンズ(不図示)を介してフォトダイオードなどのディテクタ９で検出することにより、マスク５のたわみを検出する。ディテクタ９の検出信号出力側は、演算部８に接続されている。演算部８の出力側には気圧制御部７が接続されており、この気圧制御部７はパイプ４を介してマスク５のたわみを補正する気密室１３に接続されている。気密室１３は、下面側がマスク５で、上面側が平面ガラス３で塞がれた密閉箱状となっている。気密室１３を構成する平面ガラス３は、平面板であるため露光光に影響を与えない。平面ガラス３とマスク５とで挟まれた空間は気密室１３とされ、この気密室内の圧力を気圧制御部７で制御することでマスク５のたわみを制御する。気圧制御部７は、演算部８から入力される気圧制御量に基づいて、気密室１３の気圧を制御する。このように、検出系２１によりマスク５のたわみが検出され、演算部８によりたわみ量とこのたわみ量を補正する気圧制御量の算出が行われ、気圧制御部７により気密室１３の気圧が制御される。このため、マスク５の自重によって発生するたわみに起因するパターンの横ずれや像面の湾曲、マスク５の熱的変形に起因するディストーションや像面湾曲などが軽減されて、良好にマスク５のパターンの投影を行うことが可能となる。
【００１２】
［実施例１］
図１に示すようにマスク５と光透過性の被検物である平面ガラス３とが露光用のマスクステージ１４上に搭載されている。そしてその上側に異物検査装置が配置される。マスクステージ１４又は異物検査装置に構成された駆動部２２が駆動することにより、異物検査装置は、図２に示されるように、平面ガラス３の第１面（下面）及び第１面の反対側の第２面（上面）に付着した異物を検査する。平面ガラス３に検査光を投光する投光部２５内に、投影レンズ１７に加えて、光源１６から出射されたＰ偏光の検査光およびＳ偏光の検査光の一方を選択する検査光選択部材２４ａを配置する。この検査光選択部材２４ａとして、λ／２板や偏光ビームスプリッタ、偏光板、その他光学結晶などが使われる。また、光源１６自体にＰ偏光およびＳ偏光の一方を選択する機能がついていてもよい。Ｐ偏光の検査光は、偏光方向が第１の方向である第１の検査光を構成し、Ｓ偏光の検査光は、偏光方向が第２の方向である第２の検査光を構成する。一方、受光部２６は、受光レンズ１８と、検査光が投光されることによって平面ガラス３から生じる散乱光の強度を検出し、検出結果を制御部Ｃに送る検出器１５とを含む。検出器１５は、第１の検査光（Ｐ偏光）が投光された状態で第１の散乱光（Ｐ偏光の散乱光）の強度を検出し、第２の検査光（Ｓ偏光）が投光された状態で第２の散乱光（Ｓ偏光の散乱光）の強度を検出する。その結果、検出器１５は、第１の散乱光（Ｐ偏光の散乱光）の強度と第２の散乱光（Ｓ偏光の散乱光）の強度とを分離して検出する。
【００１３】
図１に示すように、検査光選択部材２４ａを投光部２５内に配置し、被検物である平面ガラス３に対してＳ偏光が投光されるように検査光選択部材２４ａを調整する。そうすると、検査光は平面ガラス３の上下面において本紙面に対して直交する向きに偏光方位をもつ光となる（図３Ａ）。同様に、平面ガラス３に対してＰ偏光が投光されるように検査光選択部材２４ａを調整すると、検査光は平面ガラス３の上下面において矢印の向きに偏光方位をもつ光となる（図３Ｂ）。投光部２５の光軸と被検物である平面ガラス３の上面の法線とがなす角度（θ）を横軸、検査光選択部材２４ａ（Ｓ偏光、Ｐ偏光に調整した場合）を通過した直後の検査光の光量を１とする。そのとき、検査光が平面ガラス３の上面から下面側へ透過してくる光量（Ｔｓ、Ｔｐ）を縦軸にとると図４のようになる。例えばθ=８５°のとき、Ｔｐ／Ｔｓ≒３.５となる。つまり、検査光選択部材２４ａが選択する検査光をＳ偏光からＰ偏光に変えることにより平面ガラス３の下面に付着した異物を照明する光量が３．５倍に変化することになる。
【００１４】
このように検査光選択部材２４ａにより検査光の偏光方向を変えることにより、平面ガラス３の上面に付着した異物に対する照明光量を偏光方向に関わらず一定に保ちつつ、平面ガラス３の下面に付着した異物に対する照明光量を変えることができる。その結果、制御部Ｃは、偏光方向の変化に伴う異物からの散乱光の強度変化を検出することにより、異物が平面ガラス３の第１面および第２面のどちら（すなわち、上下面のいずれ）に付着しているかどうかを検出し判断することができる。
【００１５】
検査の前に、平面ガラス３の上面に付着した、粒径が分かっている異物からの散乱光の強度を、各偏光方向（Ｓ、Ｐ偏光）で検出し、記録する（図５Ａ）。同様に平面ガラス３の下面に付着した、粒径が分かっている異物からの散乱光の強度を、各偏光（Ｓ、Ｐ偏光）で検出、記録する（図５Ｂ）。そして検査時は、図５Ａ、図５Ｂの記録結果を異物の大きさの判断基準とする。例えば１００μmの異物が平面ガラス３の上下面に付着していたとすると上面の異物からの散乱光の強度は、５０μmの異物の散乱光強度を１（Ｓ、Ｐ偏光ともに）とすると、Ｓ偏光で６．３、Ｐ偏光で８．４である。同様に下面の異物からの散乱光の強度は、Ｓ偏光で０．４５、Ｐ偏光で２．１６である。このように上面に付着した異物からの散乱光の強度は、検査光が同一光路、同一光量で照明されている場合でも検査光選択部材２４ａの調整状態や、検査光の光量の安定性、平面ガラス３の光学特性のばらつきなどにより、Ｓ偏光＝Ｐ偏光になるとは限らない。よって、図５Ｃに示される、上面に付着した異物のＰ偏光の散乱光の強度およびＳ偏光の散乱光の強度の比＝８．４／６．３＝１．３３、同じく下面に付着した異物のＰ偏光の散乱光の強度およびＳ偏光の散乱光の強度の比＝２．１６／０．４５＝４．８に注目する。下面（第１面）に付着した第１の散乱光（Ｐ偏光の散乱光）の強度および第２の散乱光（Ｓ偏光の散乱光）の強度の比は、異物のサイズに関係なく基準値（例えば２．５）より大きい。一方、上面（第２面）に付着した第１の散乱光（Ｐ偏光の散乱光）の強度および第２の散乱光（Ｓ偏光の散乱光）の強度の比は、異物のサイズに関係なく基準値（例えば２．５）より小さい。そこで、制御部Ｃは、第１の散乱光（Ｐ偏光の散乱光）の強度および第２の散乱光（Ｓ偏光の散乱光）の強度の比が基準値より大きいか小さいかによって、異物が上面、下面のいずれに付着しているかを判定する。その基準値の設定においては、異物の大きさや異物の位置、検査光選択部材２４ａの調整精度、検査光の光量の安定性、被検物となる平面ガラス３の光学特性などによる散乱光の強度の比（Ｐ偏光／Ｓ偏光）のばらつきを考慮して設定することが望ましい。
【００１６】
次に、平面ガラス３に付着した異物の大きさ、付着位置、上下面のどちらに付着しているかを検査するフローについて説明する。ステップ１で、異物検査装置に対する光透過性を有する被検物の上下面に、大きさが分かっている異物を配置する。そして検査光選択部材２４ａにより検査光をＳ偏光およびＰ偏光の一方に選択し、必要な検査領域を検査する。その結果、適正な光源の光量を決定し、図５Ａ、図５Ｂのような感度曲線を作成し、記録することで以後、異物の大きさの判断基準とする。ステップ２で、前記感度曲線から図５Ｃに示すＰ偏光の散乱光およびＳ偏光の散乱光の強度の比を求め、上下面のどちらに異物がついているかを判断する基準値（閾値）を設定する。ステップ３で、異物検査装置に構成される検査光選択部材２４ａを検査光がＳ偏光になるように調整し、ステップ１で求めた光量で、異物検査装置に構成される駆動部２２またはマスクステージ１４を駆動させながら被検物の必要な検査領域を検査する。ステップ３において異物が検出された場合、ステップ４で、異物検査装置に構成される検査光選択部材２４ａを検査光がＰ偏光になるように調整する。そして、異物検査装置は、ステップ１で求めた光量で異物検査装置に構成される駆動部２２またはマスクステージ１４を駆動させながら被検物の必要な検査領域を検査する。ステップ３における駆動部２２またはマスクステージ１４の駆動方向は、ステップ４における駆動部２２またはマスクステージ１４の駆動方向の逆方向である。また、ステップ３で検査光をＰ偏光とし、ステップ４で検査光をＳ偏光とするようにしてもよい。
【００１７】
ステップ５において、制御部Ｃは、ステップ３、４で得られた結果とステップ２で設定した基準値を元に被検物の上面、下面のどちらに付着した異物かを判定する。ステップ６において、制御部Ｃは、ステップ５で得られた結果と駆動部の駆動量から検査領域内の異物の位置を判定する。ステップ７において、制御部Ｃは、ステップ１で求めた被検物の上面の感度曲線と下面の感度曲線を元に検出された異物の大きさを判定する。ステップ８において、制御部Ｃは、ステップ５〜７で判定した結果を出力する。本実施例の構成でかつ上記ステップを踏むことにより、異物検査装置は、被検物である平面ガラス３の上下面に存在する異物を検出することができる。
【００１８】
［実施例２］
実施例１では、投光部２５がＰ偏光の検査光およびＳ偏光の検査光の一方を選択的に投光し、検出器１５がＰ偏光の検査光が投光された状態でＰ偏光の散乱光の強度を検出し、Ｓ偏光の検査光が投光された状態でＳ偏光の散乱光の強度を検出した。そして、投光部２５がＰ偏光の検査光およびＳ偏光の検査光の一方を選択的に投光するように、投光部２５に検査光選択部材２４ａを配置した。実施例２では、投光部２５は、Ｐ偏光の検査光およびＳ偏光の検査光の双方を投光する。そして、図６に示されるように、検査光選択部材２４ａを投光部２５に設ける代わりに、Ｐ偏光の散乱光およびＳ偏光の散乱光の一方を選択的に透過する選択部材２４ｂを被検物である平面ガラス３と検出器１５との間に配置する。その結果、実施例２の異物検査装置において、検出器１５は、選択部材２４ｂがＰ偏光の散乱光を選択的に透過する状態でＰ偏光の散乱光の強度を検出し、選択部材２４ｂがＳ偏光の散乱光を選択的に透過する状態でＳ偏光の散乱光の強度を検出する。選択部材２４ｂとして、λ／２板や偏光ビームスプリッタ、偏光板、その他光学結晶などが使われる。実施例２においても、選択部材２４ｂによって検出器１５に透過させる散乱光の偏光方向を変更して異物検査を２回行うことによって、被検物である平面ガラス３の上下面に存在する異物を検出することができる。
【００１９】
［実施例３］
実施例１、２では、検査光または散乱光の偏光方向を変更して異物検査を２回行うことによって、平面ガラス３の上下面に存在する異物の検査を行った。実施例３では、実施例２と同じように、投光部２５は、Ｐ偏光の検査光およびＳ偏光の検査光の双方を投光する。実施例２では、受光部２６内にＰ偏光の散乱光およびＳ偏光の散乱光の一方を選択的に透過する選択部材２４ｂを配置した。実施例３では、選択部材２４ｂの代わりに、図７に示されるように、平面ガラス３の上下面の異物で生じたＰ偏光の散乱光とＳ偏光の散乱光とを分離する偏光ビームスプリッタ（ビームスプリッタ）２４ｃを配置する。また、実施例３では、検出器１５は、Ｐ偏光の散乱光の強度を検出する第１検出器１５ａとP偏光の散乱光の強度を検出する第２検出器１５ｂの２台となる。制御部Ｃは、第１および第２検出器１５ａ，１５ｂの検出結果からＰ偏光の散乱光およびＳ偏光の散乱光の強度の比を取得し、異物が平面ガラス３の上下面どちらに付着しているか判定する。また、実施例３では、実施例１、２のように検査光または散乱光の偏光方向を切り替える必要が無いため異物検査を２回行う必要がなく、検査時間を半分に短縮することができる。
【００２０】
実施例３における異物検査装置を使用した場合の検査フローを説明する。ステップ１において、異物検査装置に対する光透過性を有する平面ガラス３の上下面に、大きさが分かっている異物を配置する。そして異物検査装置を用いて必要な検査領域を検査する。その結果、適正な光源の光量を決定し、図８Ａ、図８Ｂに示されるように、第１検出器１５ａ、第２検出器１５ｂ毎に感度曲線を作成し、記録することで以後、異物の大きさの判断基準とする。ステップ２において、前記各検出器１５ａ，１５ｂの感度曲線からＰ偏光の散乱光およびＳ偏光の散乱光の強度の比を求め、上下面のどちらに異物がついているかを判定するための基準値（閾値）を設定する。ステップ３において、異物検査装置は、ステップ１で求めた光量で異物検査装置に構成される駆動部２２またはマスクステージ１４を駆動させながら、必要な検査領域を検査する。それによって、第１検出器１５ａは異物のよって生じたＰ偏光の散乱光の強度を取得し、第２検出器１５ｂは、Ｓ偏光の散乱光の強度を取得する。
【００２１】
ステップ４において、制御部Ｃは、ステップ３で得られた結果とステップ２で設定した基準値を元に、異物が付着した面が平面ガラス３の上面および下面のいずれであるかを判定する。ステップ５において、制御部Ｃは、ステップ４で得られた結果と駆動部の駆動量から、検査領域内の異物の位置を判定する。ステップ６において、制御部Ｃは、ステップ１で作成し、記録した第１検出器１５ａの感度曲線と、第２検出器１５ｂの感度曲線を元に、検出された異物の大きさを判定する。実施例３では、平面ガラス３の検査領域を１回検査するだけで、被検物である平面ガラス３の上下面に存在する異物を検出することができる。
【００２２】
［実施例４］
実施例１〜３では、異物検査装置の被検物は平面ガラス３であった。実施例４では、異物検査装置を用いて、図９に示されるように、マスク５の２面のうち基板１２が配置される側の面（下面）に付着されマスク５のパターン面を保護するペリクル２７の上下面の異物を検査することもできる。実施例１〜４における異物の大きさに関しては、異物検査装置の検出器１５の画素数から判定しても良い。
【００２３】
［デバイス製造方法］
次に、上述の露光装置を利用した半導体集積回路素子、液晶表示素子等のデバイス製造方法を例示的に説明する。デバイスは、前述の露光装置を用いて基板を露光する露光工程と、露光工程で露光された基板を現像する現像工程と、現像工程で現像された基板を加工する他の周知の工程とを経ることによって製造される。他の周知の工程は、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング工程などである。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の被検物に付着した異物を検査する異物検査装置であって、
前記被検物に検査光を投光する投光部と、
前記検査光が投光されることによって前記被検物から生じる散乱光の強度を検出する検出器を含む受光部と、
制御部と、
を備え、
前記検出器は、偏光方向が第１の方向である第１の検査光が投光されることによって前記被検物から生じる第１の散乱光の強度と、偏光方向が第２の方向である第２の検査光が投光されることによって前記被検物から生じる第２の散乱光の強度とを検出し、
前記被検物の第１面に付着した異物によって生じる前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の強度の比は基準値より大きく、前記被検物の前記第１面の反対側の第２面に付着した異物によって生じる前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の強度の比は前記基準値より小さく、
前記制御部は、
前記検出器により検出された前記第１の散乱光の強度および前記第２の散乱光の強度の比が前記基準値より大きいか小さいかによって異物が付着した面が前記第１面および前記第２面のいずれであるかを判定し、
当該判定した結果を出力する、
ことを特徴とする異物検査装置。
【請求項２】
前記投光部は、前記第１の検査光および前記第２の検査光の一方を選択的に投光し、
前記検出器は、前記第１の検査光が投光された状態で前記第１の散乱光の強度を検出し、前記第２の検査光が投光された状態で前記第２の散乱光の強度を検出する、ことを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項３】
前記投光部は、前記第１の検査光および前記第２の検査光の双方を投光し、
前記受光部は、前記被検物と前記検出器との間に配置されて前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の一方を選択的に透過する選択部材を含み、
前記検出器は、前記選択部材が前記第１の散乱光を選択的に透過する状態で前記第１の散乱光の強度を検出し、前記選択部材が前記第２の散乱光を選択的に透過する状態で前記第２の散乱光の強度を検出する、ことを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項４】
前記投光部は、前記第１の検査光および前記第２の検査光の双方を投光し、
前記受光部は、前記被検物と前記検出器との間に配置されて前記第１の散乱光と前記第２の散乱光とを分離するビームスプリッタを含み、
前記検出器は、前記ビームスプリッタにより分離された前記第１の散乱光の強度を検出する第１検出器と前記第２の散乱光の強度を検出する第２検出器とを含み、
前記制御部は、前記第１検出器の検出結果および前記第２検出器の検出結果から前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の強度の比を取得する、ことを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項５】
前記第１の検査光および前記第１の散乱光はＰ偏光であり、前記第２の検査光および前記第２の散乱光はＳ偏光である、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の異物検査装置。
【請求項６】
マスクのパターンを介して基板を露光する露光装置であって、
前記マスクの２面のうち前記基板が配置される側の反対側の面と平面ガラスとで挟まれた空間は気密室とされ、当該気密室内の圧力を調整することによって前記マスクのたわみが制御されるように構成され、
前記露光装置は、前記平面ガラスの第１面と前記第１面の反対側の第２面とに付着した異物を検査する請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の異物検査装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
マスクのパターンを介して基板を露光する露光装置であって、
前記マスクの２面のうち前記基板が配置される側の面にはペリクルが付着されており、
前記露光装置は、前記ペリクルの第１面と前記第１面の反対側の第２面とに付着した異物を検査する請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の異物検査装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むデバイス製造方法。
【請求項１】
光透過性の被検物に付着した異物を検査する異物検査装置であって、
前記被検物に検査光を投光する投光部と、
前記検査光が投光されることによって前記被検物から生じる散乱光の強度を検出する検出器を含む受光部と、
制御部と、
を備え、
前記検出器は、偏光方向が第１の方向である第１の検査光が投光されることによって前記被検物から生じる第１の散乱光の強度と、偏光方向が第２の方向である第２の検査光が投光されることによって前記被検物から生じる第２の散乱光の強度とを検出し、
前記被検物の第１面に付着した異物によって生じる前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の強度の比は基準値より大きく、前記被検物の前記第１面の反対側の第２面に付着した異物によって生じる前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の強度の比は前記基準値より小さく、
前記制御部は、
前記検出器により検出された前記第１の散乱光の強度および前記第２の散乱光の強度の比が前記基準値より大きいか小さいかによって異物が付着した面が前記第１面および前記第２面のいずれであるかを判定し、
当該判定した結果を出力する、
ことを特徴とする異物検査装置。
【請求項２】
前記投光部は、前記第１の検査光および前記第２の検査光の一方を選択的に投光し、
前記検出器は、前記第１の検査光が投光された状態で前記第１の散乱光の強度を検出し、前記第２の検査光が投光された状態で前記第２の散乱光の強度を検出する、ことを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項３】
前記投光部は、前記第１の検査光および前記第２の検査光の双方を投光し、
前記受光部は、前記被検物と前記検出器との間に配置されて前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の一方を選択的に透過する選択部材を含み、
前記検出器は、前記選択部材が前記第１の散乱光を選択的に透過する状態で前記第１の散乱光の強度を検出し、前記選択部材が前記第２の散乱光を選択的に透過する状態で前記第２の散乱光の強度を検出する、ことを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項４】
前記投光部は、前記第１の検査光および前記第２の検査光の双方を投光し、
前記受光部は、前記被検物と前記検出器との間に配置されて前記第１の散乱光と前記第２の散乱光とを分離するビームスプリッタを含み、
前記検出器は、前記ビームスプリッタにより分離された前記第１の散乱光の強度を検出する第１検出器と前記第２の散乱光の強度を検出する第２検出器とを含み、
前記制御部は、前記第１検出器の検出結果および前記第２検出器の検出結果から前記第１の散乱光および前記第２の散乱光の強度の比を取得する、ことを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項５】
前記第１の検査光および前記第１の散乱光はＰ偏光であり、前記第２の検査光および前記第２の散乱光はＳ偏光である、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の異物検査装置。
【請求項６】
マスクのパターンを介して基板を露光する露光装置であって、
前記マスクの２面のうち前記基板が配置される側の反対側の面と平面ガラスとで挟まれた空間は気密室とされ、当該気密室内の圧力を調整することによって前記マスクのたわみが制御されるように構成され、
前記露光装置は、前記平面ガラスの第１面と前記第１面の反対側の第２面とに付着した異物を検査する請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の異物検査装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
マスクのパターンを介して基板を露光する露光装置であって、
前記マスクの２面のうち前記基板が配置される側の面にはペリクルが付着されており、
前記露光装置は、前記ペリクルの第１面と前記第１面の反対側の第２面とに付着した異物を検査する請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の異物検査装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むデバイス製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１１−１７４８１７（Ｐ２０１１−１７４８１７Ａ）
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−３９２０２（Ｐ２０１０−３９２０２）
【出願日】平成２２年２月２４日（２０１０．２．２４）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月２４日（２０１０．２．２４）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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