【課題】ネガ型フォトレジストとフォトマスクとの密着強度が高くても、フォトマスクと半導体ウェーハとを容易に分離可能な半導体素子の製造方法およびフォトマスクを提供する。
【解決手段】ウェーハの表面に、ネガ型フォトレジストを塗布する工程と、マスクパターンが設けられた面のうち、前記マスクパターンが設けられていない領域に設けられた溝部を有する第１のフォトマスクの前記面と、前記ネガ型フォトレジストと、を密着して露光する第１露光工程と、前記溝部を介して気体を導入させ、前記第１のフォトマスクと前記ネガ型フォトレジストが塗布された前記ウェーハとを分離する第１分離工程と、前記ネガ型フォトレジストを現像し、開口部を有する前記ネガ型フォトレジストのパターンを形成する現像工程と、前記開口部に露出した前記ウェーハの前記表面に、リフトオフ法を用いて電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】正確なフレア値を短時間で算出する。
【解決手段】実施の形態によれば、フレア値算出方法が提供される。前記フレア値算出方法、では、複数種類の寸法で作成されたマスクパターンが配置されたマスクパターン群を用いて基板への露光処理を行った場合の平均光強度を前記マスクパターン毎に算出する。そして、前記マスクパターンの寸法に関する情報および前記平均光強度に応じた前記マスクパターンへのパターン補正量を、前記マスクパターン毎に算出する。そして、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成する。そして、露光装置が備える投影光学系のフレア値を、前記補正後マスクパターンのパターン平均密度を用いて算出する。 （もっと読む）

【課題】露光用フォトマスク表面への異物付着を抑制する。
【解決手段】光源と、前記光源から発せられる光を集光し一定方向へ導く投影光学系と、前記投影光学系からの光が照射される所定のパターン像を有する露光用フォトマスクと、を備える投影露光装置において、前記露光用フォトマスクの少なくとも一方の面に対して、気体を噴射して異物をブローするブロー噴射機構と、前記気体とともに前記異物を吸引除去するブロー吸引機構とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メインパターン領域内にマーク類を形成することなく、Ｎ×Ｎショットのサイズの半導体チップを製造することが可能な、半導体チップの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、チップ領域５の寸法がイメージフィールドよりも大きい半導体チップの製造方法であって、（ａ）メインパターン５ａを形成するメインマスク１と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの上下に位置する部分を形成する上下マスク２と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの左右に位置する部分を形成する左右マスク３と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの角部に位置する部分を形成する隅マスク４を準備する工程と、（ｂ）メインマスク１、上下マスク２、左右マスク３、隅マスク４を組み合わせてチップ領域５を含むショット配列を形成する工程と、（ｃ）当該ショット配列に従いマスク毎に露光する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】感光媒体上に形成される光像にスペックルが目立たないようにし、かつ被照明領域内の明るさのムラの発生を効果的に抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置１０は、光学素子５０と、照射装置６０と、空間光変調器３０とを備える。走査デバイス６５を用いて、コヒーレント光をホログラム記録媒体５５上で走査させ、ホログラム記録媒体５５から照射されたコヒーレント光を被照明領域ＬＺと重なり合う空間光変調器３０に入射する。また、空間光変調器３０に近接して感光媒体１５を配置するため、きわめて簡易な構成で、感光媒体１５上にスペックルを目立たせずにコヒーレント光を導光できる。 （もっと読む）

【課題】良好な結像性能を与える露光条件及びマスクパターンを決定することができるプログラム及び方法を提供する。
【解決手段】露光条件及びマスクパターンを設定する第１ステップと、前記露光条件を用いて、投影光学系により基板上に形成されるマスクパターンの像の良否についての指標を示す第１評価関数を用いて前記マスクパターンを仮決定する第２ステップと、仮決定された前記マスクパターンと前記露光条件とを用いて、前記投影光学系により基板上に形成されるマスクパターンの像の良否についての指標を示す第２評価関数の値を算出する第３ステップと、前記第２評価関数の値に基づいて前記露光条件及び前記マスクパターンを変更する第４ステップと、前記露光条件及び前記マスクパターンを初期値として前記第２ステップ及び前記第３ステップを繰り返す処理を実行するか否かを判定する処理を含む第５ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】露光機内のマスクステージにマスクを装着した状態で、ペリクル上の透明性異物の検査を行うことができるペリクル及び露光装置を提供する。
【解決手段】ペリクル５０のペリクルフレーム５２に、ペリクル膜５１の表面上を伝搬する弾性表面波を発生させる弾性表面波素子２０Ａと、弾性表面波を受信する弾性表面波素子２０Ｂとを設け、当該弾性表面波によってペリクル膜５１上の異物の有無を検出する。このとき、ペリクル５０を装着したフォトマスク１を、露光機１００のマスクステージ１０３に載置した状態で異物検査を行う。また、弾性表面波素子２０Ａ，２０Ｂをペリクルフレーム５２に複数組設ければ、ペリクル膜５１上の異物の位置を特定できる。 （もっと読む）

【課題】デバイスパターンと露光量調整用のテストパターンとの間に寸法誤差があっても、ウェハ上に最適な露光量分布を与えることが可能な露光方法、露光装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る露光方法は、デバイスパターン及び露光量調整用のテストパターンを含むマスクパターンを有するフォトマスクを設置し、前記フォトマスクの前記テストパターンを用いて露光量とウェハ上のレジストパターンの寸法の変化量との関係情報を取得し、前記デバイスパターンと前記テストパターンとの寸法誤差を測定し、前記関係情報及び前記寸法誤差に基づいて前記マスクパターンに対する露光量分布情報を設定し、前記露光量分布情報に基づいて前記ウェハ上のレジストを露光し、前記マスクパターンを前記レジストに転写する。 （もっと読む）

【課題】最終的に半導体基板上に形成されるパターンの寸法精度と位置精度を悪化させることのないパターン形成方法及び該方法により形成されるフォトマスクを提供する。
【解決手段】半導体基板に１回目の露光でパターンを形成し、１回目の露光でパターンが形成されていない抜き部分に２回目の露光でパターンを形成するパターン形成方法であって、１回目のパターンを形成するための１回目の露光用パターン１２と２回目のパターンを形成するための２回目の露光用パターン１３とを単一の透明基板１１に形成してなるフォトマスク１７を設け、このフォトマスク１７を用いて半導体基板に１回目と２回目のパターンを形成する際に１回目の露光の条件と２回目の露光の条件と異ならせる。これにより、片方のパターンを優先的に露光する上での手法を有利にした。 （もっと読む）

【課題】照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布の決定に有利な技術を提供する。
【解決手段】露光装置において、投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンを設定Ｓ１０２、マスクのパターンの光学像を評価するためのカットラインを前記投影光学系の像面に設定するＳ１０４、前記照明光学系の瞳面に形成される互いに異なる複数の要素光源を生成するＳ１０８、前記複数の要素光源のそれぞれで前記マスクのパターンを照明したときに前記第２のステップで設定したカットラインの上に形成される前記マスクのパターンの光学像を算出Ｓ１１０、前記マスクのパターンの光学像の前記カットラインの上の寸法の目標値に近づけるように、前記複数の要素光源のそれぞれに与える重み付けを決定し、前記重み付けを与えた前記複数の要素光源を合成した光源を前記照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布として決定するＳ１１２、とを有する。 （もっと読む）

【課題】隣接する露光パターンのつなぎ部のオーバー露光を簡単な方法で抑制する。
【解決手段】被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、互いに隣接する露光パターンの端部領域を重ね合わせてつなぎ露光する露光方法であって、前記露光パターンの前記端部領域の露光量を前記露光パターンの中央寄りから隣接端部に向かって漸減させてつなぎ露光するものである。 （もっと読む）

【課題】照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布の決定に有利な技術を提供する。
【解決手段】露光装置において、投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンを設定Ｓ１０１、マスクのパターンの光学像を評価するためのカットラインを前記投影光学系の像面に設定Ｓ１０４、前記照明光学系の瞳面に形成される互いに異なる複数の要素光源を生成Ｓ１１０、前記複数の要素光源のそれぞれで前記マスクのパターンを照明したときに前記第２のステップで設定したカットラインの上に形成される前記マスクのパターンの光学像を算出Ｓ１１４、前記マスクのパターンの光学像の前記カットラインの上のエッジの間の中点の位置を目標位置に近づけるように、重み付けを与えた前記複数の要素光源を合成した光源を前記照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布として決定するＳ１１４、とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、得られたパターン画像等に基づいて、正確なプロセスモニタ可能とする半導体製造装置の管理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の位置のパターンの形状情報と、露光装置の露光条件との関連を記憶するライブラリと、画像情報から抽出された複数の位置の形状情報と、ライブラリに記憶された形状情報を比較し、画像情報から抽出された複数のパターンの形状情報に相当する複数の露光条件の範囲の論理積に基づいて、前記露光条件を抽出する演算装置を備えた半導体製造装置の管理装置、及び上記処理を実行するコンピュータプログラムを提案する。 （もっと読む）

【課題】所望寸法のパターンを基板上に形成できる露光補正量決定方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、露光補正量決定方法が、補正時寸法算出ステップと、露光補正量決定ステップと、を含んでいる。補正時寸法算出ステップでは、露光ショット内に配置されている少なくとも２種類以上のパターンピッチを有したマスクパターンを複数種類の露光補正量を用いて前記露光補正量毎に基板上に転写した場合に、前記露光補正量毎に前記基板上に形成される基板上パターンの理想値からの各寸法ずれ量を、前記露光ショット内でのショット内分布として算出する。また、露光補正量決定ステップでは、前記各寸法ずれ量に基づいて、前記露光ショットに適用する露光補正量のショット内分布を決定する。 （もっと読む）

【課題】投影光学系の像面位置を精度高く計測すること。
【解決手段】基板の露光量をラインパターンのレジスト像が解像する露光量以上になる大きさ、換言すれば、ラインパターンのレジスト像のコントラスト値が所定値以上になる大きさに制御する。また、フォーカス位置を変化させた際にパターン倒れが発生しない大きさ以上の線幅を有するラインパターンを使用してベストフォーカス位置を算出する。これにより、デフォーカスによってパターン倒れが発生することを抑制しつつ、算出されるベストフォーカス位置の露光量依存性を無視することができるので、投影光学系の像面位置を精度高く計測することができる。 （もっと読む）

【課題】同種の基板の基板搬送方向と交差方向にオフセットした位置に光を照射する場合にも、移動中の基板に対する追従性を良好にする。
【解決手段】基板の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで形成され、光を通過させる複数のマスクパターン２と、基板上に設けられた複数のパターンの基板搬送方向と交差方向の配列ピッチの整数倍に等しい間隔を有して基板搬送方向に平行に形成された一対の細線４ａ，４ｂを備えた構造をなし、複数のマスクパターン２に対して基板搬送方向と反対側の位置に基板搬送方向に相互に一定距離はなれて配置されると共に、一対の細線４ａ，４ｂ間に予め設定された基準位置が基板搬送方向と交差する方向に予め定められた距離だけ相互にずれた状態に形成された複数のアライメントマーク４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】インプリントリソグラフィを用いてパターン形成する際のレイヤ間の位置合わせを精度良く行なうパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態によれば、第１のテンプレート作製ステップは、光露光装置によってショット毎に所定の位置ずれ分布を与えて第１の基板上パターンを形成し、その後、前記第１の基板上パターンを前記ショット毎に切り出して第１のテンプレートを作製する。第２のテンプレート作製ステップは、前記第１のテンプレートのパターンを転写して第２のテンプレートを作製する。パターン形成ステップは、第２の基板に既に形成されている下層側パターンとの間の位置ずれ量が所定の基準値以下となる第２のテンプレートのパターンを転写して前記第２の基板上に第２の基板上パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド１２の輪郭Ｘよりも内側で輪郭Ｘに沿った第１のラインＬ１より内側の第１領域に形成され、ボンディングパッド１２の表面が露出した第１の開口部２１Ａと、第１の開口部２１Ａ上に第１の開口部２１Ａよりも大きい開口面積で形成され、ボンディングパッド１２の輪郭Ｘよりも外側で輪郭Ｘに沿った第２のラインＬ２より内側の第２領域に形成された第２の開口部２１Ｂとからなる開口部２１を有する保護膜２１を備えた半導体装置を製造効率良く低コストに製造する。
【解決手段】露光工程において、フォトマスクとして、第１のラインＬ１より内側の領域と、第１のラインＬ１から第２のラインＬ２までの領域と、第２のラインＬ２より外側の領域の光透過量がそれぞれ異なるレチクル５１を用いる。 （もっと読む）

【課題】遮光パターンを形成する際に、透明基板上にレジスト膜の残滓などの塵埃が付着した場合であっても、遮光膜としての機能を十全に発揮させる。
【解決手段】透明基板１の表面にレジスト膜２を形成し（ｂ）、レジスト膜２をパターニングする（ｃ）。透明基板１上に残っているレジスト膜２をマスクとして透明基板１をエッチングすることにより、透明基板１に凸部１ａを形成する（ｄ）。凸部１ａ上に残っているレジスト膜２を除去し、透明基板１の表面を洗浄する（ｅ）。透明基板１の表面に遮光膜４を形成する（ｇ）。少なくとも遮光膜４を研磨することにより、凸部１ａが露出した状態で遮光膜４および凸部１ａを平坦にする（ｉ）。これにより、透明基板１上のレジスト膜２が完全に除去された状態で透明基板１の表面が洗浄された後、この透明基板１上に遮光膜４が形成される。 （もっと読む）

【課題】 コスト上昇を招くことのない方法によってウェーハ上に形成される露光ショットの配列誤差を低減し、ショットエリアの大きさが異なる露光装置を混用しても上下のマスクパターンの重ね合わせ精度が向上できるフォトリソ工程を提供する。
【解決手段】 露光装置に露光ショットの配列誤差測定用マークを備えたフォトマスクを装着し、ウェーハ上に前記マークのレジストパターンを形成した後、前記マークを用いて露光ショット配列誤差に基づくズレに関する量を測定する。次に測定した量を上下パターンレイヤの重ね合わせ誤差と見なした時の誤差成分を算出し、さらにこの誤差成分から露光ショット配列誤差に関する誤差成分を算出する。次にこの結果を判定し、誤差成分値が所定の基準を満たさない場合は算出した露光ショット配列に関する誤差成分値を用いて露光装置のパラメータを補正し、基準を満たすようにする。 （もっと読む）