【課題】曲線や斜線のパターンを容易、且つ高い汎用性をもって滑らかに形成できる露光装置を提供する。
【解決手段】所定の解像度でパターンを生成するパターン生成部ＰＧと、パターン生成部で生成されたパターンの像を所定の分解能及び所定の投影倍率で被露光部材Ｓに投影する光学装置ＰＬとを備える。所定の解像度、所定の分解能及び所定の投影倍率が所定の相関関係をもって設定されている。 （もっと読む）

【課題】基板の形状やサイズにかかわらず、光源から基板に至る照射光路に設けられた光学部品及び空間光変調器の交換作業の作業性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】露光装置１００は光学ユニット４０ａ，４０ｂを備えている。光学ユニット４０ａ，４０ｂが備えるレーザ発振器４１ａ，４１ｂから出射された光が、照明光学系４３ａ，４３ｂを介して導入された空間光変調器４４１ａ，４４１ｂで空間変調されて基板Ｗ上に照射される。レーザ発振器４１ａ，４１ｂから照明光学系４３ａ，４３ｂに至る光路には光源からの光を通過又は遮断するシャッタ部４９ａ，４９ｂが設けられている。シャッタ部４９ａ，４９ｂの開閉制御を行うことにより、各光学ユニット４０ａ，４０ｂから照射された光がシャッタ部４９ａ，４９ｂよりも下流に設けられた光学部品を照射する時間は、各光学ユニット４０ａ，４０ｂで同一となる。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器の長寿命化を図るとともに、空間光変調器で空間変調された光が空気のゆらぎによる影響を受けることを抑える技術を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、光学ユニット４０を備えている。光学ユニット４０は、主にレーザ発振器４１、照明光学系４３、三角プリズム４７、投影光学系４６、および空間光変調ユニット４４を備えている。レーザ発振器４１からの光が三角プリズム４７に入射し、光学面４７３で三角プリズム４７の内部に向けて全反射される。このとき、光学面４７３の外側で生成されたエバネッセント光を空間光変調器４４１が空間変調して、光学面４７３で反射される光の空間変調が行われる。空間変調された光は、大気圧よりも低い圧力環境に調節されたチャンバ５０に導入され、光は投影光学系４６を通って基板Ｗ表面に照射される。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器の使用可能時間をより長く延ばすことによって、空間光変調器の交換の頻度を低減させる技術を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、光学ユニット４０を備えている。光学ユニット４０が備えるレーザ発振器４１から出射された光は照明光学系４３を介して導入された空間光変調器４４１に導入される。空間光変調器４４１は、全体反射面４２０ｆの一部である有効反射面ＥＲに入射した入射光Ｌ１を空間変調する。パターン描画が一定時間行われると、制御部９０の指示により、照明光学系４３が備える照明系フォーカスレンズ４３５の設置位置を変位させる。これによって、有効反射面ＥＲ上に入射する入射光Ｌ１の入射位置が変位して、有効反射面ＥＲ上に形成されていた入射領域ＮＲ１が、光が未照射である有効反射面ＥＲ上の領域にシフトされる。 （もっと読む）

【課題】投影領域の形状に応じて容易に露光を行うこと。
【解決手段】露光光のパターンを対象面に転写する露光方法であって、パターンを形成するパターン形成ステップと、投影光学系を用いてパターンを対象面に投影する投影ステップと、対象面のうちパターンが投影される投影領域の形状に応じて、パターンを分割する調整ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】熱の影響を緩和させつつパターンを微細化すること。
【解決手段】露光光のパターンを対象面に転写する露光方法であって、複数の表示素子を用いて前記パターンを形成するパターン形成ステップと、前記対象面のうち複数の単位領域に区画された投影領域に前記パターンを投影する投影ステップとを含み、前記パターン形成ステップは、前記投影ステップにおいて前記投影領域のうち前記単位領域ごとに前記パターンが投影されるように複数の前記表示素子のうち一部ずつを順に駆動させて前記パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】光変調素子アレイを適切に温度調整する。
【解決手段】露光装置に、熱交換システムとして、熱交換機構、チラーユニットを設け、チラーユニットによって液体の熱媒体を循環させるとともに、熱交換機構において熱交換した熱媒体を、冷却、放熱させる。熱交換機構は、ＤＭＤ両側を熱交換するため、熱媒体の流れる輸送管路を内部に設けた前面ジャケット７０、背面ジャケット５０によって構成する。そして、ＤＭＤを間に挟むように、連結部５２、７２を介して前面ジャケット７０、背面ジャケット５０を一体的に連結する。内部の輸送管路は直列的経路を形成し、先に前面ジャケット７０の熱交換部７６に熱媒体を流し、その後、背面ジャケット５０の熱交換部５８に熱媒体を流す。 （もっと読む）

【課題】投影領域の形状に応じて容易に露光を行うこと。
【解決手段】露光光のパターンを対象面に転写する露光装置であって、パターンを形成するパターン形成部と、パターンを対象面に投影する投影光学系と、対象面のうちパターンが投影される投影領域の露光光の光軸方向の形状に応じて投影光学系の開口数を調整する開口数調整部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 露光装置の設置床面積を小さくすることができる露光装置を提供すること。
【解決手段】 光学エンジン３１と、軌道９Ｒｂと軸受け９Ｒａとからなる直線案内装置９Ｒにより第１のＸテーブル５Ｒ上をＹ方向に移動自在な第１のＹテーブル２０Ｒとからなり、該軸受け９Ｒａが該第１のＹテーブル２０ＲのＹ方向の長さの１／２未満を支持する第１のＸＹテーブルＲと、光学エンジン３１のＹ方向の左側に配置され、光学エンジンのＹ方向に垂直な対称面Ｐに関して第１のＸＹテーブルＲと構成が対称である第２のＸＹテーブルＬと、を設け、第１のＹテーブル２０Ｒ又は第２のＹテーブル２０Ｌを露光位置に位置決めしたときに第１のＹテーブル２０Ｒ又は第２のＹテーブル２０Ｌを支持する、実質的な支持端（端面９Ｒａ１ｆ）が、対称面Ｐから１０ｍｍ以下になるように配置する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ内における電気的特性のばらつきを低減するようにマスクパターンを転写する露光装置を提供すること。
【解決手段】透明ＥＬディスプレイ１４は、マスクパターンを表示する。露光部１６は、透明ＥＬディスプレイ１４を介してマスク上にマスクパターンを転写する。マスクパターン切換え部１３は、少なくとも２つの異なるマスクパターンを切換えて、透明ＥＬディスプレイ１４に異なるマスクパターンを表示させて、同一のウェハ２上に異なるマスクパターンが転写されるように制御を行なう。したがって、ウェハ２内における電気的特性のばらつきを低減するようにマスクパターンを転写することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】露光領域の拡大を容易になし得るようにする。
【解決手段】電気光学結晶材料からなる角柱状の部材の長軸に平行な対向面に夫々電極を設けて形成したスイッチング素子９と、該スイッチング素子９の長軸方向の両端面側に該スイッチング素子９を間にしてクロスニコルに配置された一対の偏光板１２Ａ，１２Ｂとで構成した複数の光スイッチ１１を被露光体６の面に平行な面内に配置して有するパターンジェネレータ３を備え、複数の光スイッチ１１を個別に駆動して一定の明暗模様の露光パターンを生成し、これを被露光体６に照射して露光する露光装置であって、パターンジェネレータ３の光射出面側に各スイッチング素子９の長手中心軸に光軸を合致させて設けられ、スイッチング素子９の光射出端面９ａの像を被露光体６上に縮小投影する複数のマイクロレンズ１７を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】照明光源を状況に応じて調整する。
【解決手段】 露光装置の起動時においては、照明光源形状を計測し（ステップ２０８）、その計測結果と目標とに基づいて照明光源形状を評価し（ステップ２０９）、その評価結果に基づいて、ビーム形状を推定することと、照明光源のミラー特性を推定することと、照明光源の設定を最適化することとを含む調整方法の中からいずれかを選択する（ステップ２１０、２１２、２１３）。これにより、照明光源を短時間に及び／又は正確に調整することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】照明光源形状を正確に調整する。
【解決手段】
主制御装置により、照明光源の形状の目標と空間光変調器の複数のミラー要素に照射される光ビームの形状とに基づいて、複数のミラー要素とフライアイレンズの複数のレンズ素子との組み合わせが最適化され、その最適化結果に従って複数のミラー要素を介して照明光学系の瞳面に照明光源（二次光源）が形成され（ステップ２０６）、その照明光源の形状が計測され（ステップ２０８）、ビームに関する仮定（例えば光ビームの軸ずれなど）を立て、該仮定の下で前記計測の結果を用いて、ビームの形状が推定され（ステップ２１４）、ビームの形状の推定結果に基づいて照明光源の形状が調整される（ステップ２０６）。これにより、ビーム形状を正確に推定し、その結果に基づいて照明光源形状を正確に調整することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 情報データを適宜変更しながら回路パターンも露光できる露光装置を提供する。
【解決手段】 露光装置（１００）は、紫外線を含む光を使ってフォトマスクに描かれた所定の回路パターン（ＰＡ）を感光性物質（ＦＲ）が塗布された矩形形状の基板（ＰＷＡ）に露光する。そして露光装置は、紫外線を含む光でフォトマスクの回路パターンを基板に露光する投影露光ユニット（４０）と、基板を載置し投影露光ユニットに対して移動可能な基板ステージ（６０）と、基板ステージを移動させるステージ駆動部（６５）と、紫外線を含む光で電子的に作成された情報データを基板に露光する空間光変調ユニット（４０）と、空間光変調ユニットを基板の辺に略平行な方向に移動させる空間光変調ユニット駆動部（５０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板ごとに必要とされる可変成形マスクの切り替え動作の負荷を軽減することの可能な走査型露光装置、該走査型露光装置を用いる露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
走査型露光装置は、照明系２１、反射ミラー２３、複数のＳＬＭミラーを有するＳＬＭ２４、ＳＬＭミラーによって形成されるマスクパターンに基づく露光パターンを投影領域に形成する投影光学系２２、投影領域に対して基板Ｓを走査する走査ステージ１１、及びＳＬＭ２４を制御するＳＬＭ駆動装置２５を備える。ＳＬＭ駆動装置２５は、投影領域が基板Ｓの外周部に位置するダミー露光領域以外にあるとき、基板Ｓの走査に合わせた基準走査周期で駆動対象が含まれる調光要素の選択範囲を走査する。また、投影領域がダミー露光領域にあるとき、駆動対象が含まれる調光要素の選択範囲の走査周期を基準走査周期よりも長くするようにＳＬＭ２４の調光状態を固定する。 （もっと読む）

【課題】可変成形マスクを用いて基板上に形成されるパターンの形状の精度を高めることができる走査型露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
走査型露光装置は、照明系２１、反射ミラー２３，複数のＳＬＭミラーを有するＳＬＭ２４、ＳＬＭミラーからの光によって投影領域に露光パターンを形成する投影光学系２２、投影領域に対して基板Ｓを走査するステージ１１、及び、ＳＬＭ２４を制御するＳＬＭ駆動装置２５を備えている。ＳＬＭ駆動装置２５は、ＳＬＭミラー各々の共役位置を基板表面に合わせるように、該基板表面の段差に応じてＳＬＭミラー各々の位置を変更する。加えてＳＬＭ駆動装置２５は、隣り合うＳＬＭミラーからの光同士がＳＬＭミラーの位置変更に伴って互いに弱め合う部分には、それ以外の部分よりも多くのＳＬＭミラーからの光が到達するようにＳＬＭ２４の駆動を制御する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体結晶により構成される強誘電体基板に周期分極反転構造が形成される光学デバイスに関し、その強誘電体結晶の薄膜化および周期分極反転構造の高精度化を可能とする。
【解決手段】単分極化された強誘電体結晶により構成された強誘電体基板１１の一方主面Ｓ1Aと、強誘電体基板１１よりも厚い支持基板１４の一方主面Ｓ1Bとの間に接合部１３を介在させて強誘電体基板１１を支持基板１４で支持しながら一体化しているので、上記した平面研磨処理により強誘電体基板１１、つまり強誘電体結晶を薄膜化することができ、その結果、周期分極反転構造を薄くすることができる。そして、こうして薄膜化された強誘電体基板１１に対し、上記したように電圧印加法により分極反転部を形成する。 （もっと読む）

【課題】 照射光学系で光量が適正に変更される高精度の露光描画を行うことができるパターン描画装置を提供する。
【解決手段】 光量調節部５５０は、入射したレーザ光が光透過量変更手段５５１による透過率傾向が反映されるが、光透過分布調整手段５５２によって逆の透過率傾向が反映される。その結果、相殺され位置によるバラツキが低減された透過率がラインビーム全体で得られる。パターン描画装置１００によれば、光量調節部５５０によって、位置によるバラツキが低減されたラインビームが変調素子５３７に導入されることとなり、結果、画素間の光量バラツキが低減された露光を実現できる。 （もっと読む）

【課題】ステージ送りの駆動系の速度変動の影響を抑制し、効率よく露光し、露光基板の露光工程の生産性の向上を図る。
【解決手段】露光対象物を露光ステージ上に固定し、ステージ送りに露光光学系の空間的光変調器のパターン切り替えを同調させて露光するマスクレス露光方法であって、前記露光ステージの移動に伴って取得されるスケールパルス信号のパルス間隔と予め設定された標準のスケールパルス信号のパルス間隔を比較し（Ｓ８）、前記取得されたスケールパルス信号間隔が前記標準のスケールパルス間隔よりも短い場合に、当該短くなったスケールパルスの出力タイミングが前記標準のスケールパルス間隔の出力タイミングになるように補正し（Ｓ９）、前記空間的光変調器のパターン切替パルスが描画データ転送時間以上となるようにする（Ｓ１０，１１）。 （もっと読む）

【課題】描画パターンを下地パターンに一致させながら描画対象物に描画するパターン描画を短時間で開始することができ、しかも安定して実行する。
【解決手段】ベクトル形式の設計データ２１１が描画処理前にラスタライズ処理（ＲＩＰ処理）されてランレングスデータ２１２が生成される。一方、描画処理ではストリップ、つまり分割パターン単位でランレングスデータ２１２が直接補正されてストリップデータ２１２ａが再構築される。そして、そのストリップデータ２１２ａに基づき分割パターンが基板に描画される。したがって、描画処理中にＲＩＰ処理を行っていた従来技術に比べてパターン描画を短時間で開始することができる。また、各分割パターンを描画するための時間も、描画パターンの内容にかかわらず、ほぼ同一であり、パターン描画を安定して実行することができる。 （もっと読む）