【課題】反射型マスクがダメージを受けることなく、精度よく、位相欠陥が修正されることを可能とする、反射型マスクの位相欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】位相欠陥部上に２種類の材料からなる多層膜を積層することにより、該位相欠陥部と高反射部の位相差を実用上０（ゼロ）とし、該位相欠陥部の反射率と高反射部の反射率を実用上等しくするように行う反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法である。基板真上の突起欠陥と多層膜中央の突起欠陥であっても、修正用多層膜を積層することでこれらの位相欠陥を修正することが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクブランクス中の微細な位相欠陥を感度良く且つ簡易に検出する検査方法を提供する。
【解決手段】反射光学系を有するＥＵＶ露光装置に、チップパターンを有するＥＵＶマスクブランクスと、下層膜、中間層膜及びネガ型レジスト膜が形成された基板とを設置する。ＥＵＶ光露光によりネガ型レジスト膜にチップパターンを転写した後、当該ネガ型レジスト膜をマスクとして中間層膜をエッチングしてチップパターンを転写し、その後、当該中間層膜をマスクとして下層膜をエッチングしてチップパターンを転写する。下層膜の２箇所以上の領域に転写されたチップパターンを比較することによって、ＥＵＶマスクブランクスの欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】検査時間および労力を低減できるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、マスク検査方法は、半導体露光用マスクに任意波長の光を入射させ撮像部にて像を取得する光学系を用いて、前記マスクの欠陥の有無を検査する方法であって、予め前記光学系による点像を、前記撮像部の読み出し方向に伸長される制御条件を取得する第１ステップ（Ｓ２０３）と、前記制御条件により、マスクの所望の領域の像を取得する第２ステップ（Ｓ２０５）と、取得した前記所望の領域の像において、信号強度が予め定めておいた第１閾値以上であり、前記信号強度の前記読み出し方向における差分が予め定めておいた第２閾値以下であるピーク信号が存在する場合、前記ピーク信号の座標を欠陥として判定する第３ステップ（Ｓ２０６）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネス（roughness）が変化している領域においても、安定して欠陥を検出することができるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体露光用マスクの欠陥を検出する方法は、マスクの表面高さ分布からバックグラウンド強度を取得し、前記バックグラウンド強度から基準バックグラウンド強度分布を取得し、前記マスクに任意波長の光を入射させ、前記マスクの注目位置の像を取得し、前記取得された像の注目位置の信号強度と、前記注目位置の周辺領域における信号強度の平均値によって信号強度を取得し、前記基準バックグラウンド強度分布に対する、前記信号強度の比によって、前記信号強度の補正係数を求め、前記注目位置の信号強度に前記補正係数を乗じることによって、前記信号強度を補正し、前記補正された信号強度が予め定めておいたしきい値以上か否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な単結晶シリコン膜をペリクル膜として有する、EUV用ペリクルを提供すること。
【解決手段】厚さが20nm〜1μmの単結晶シリコン薄膜及び該薄膜を強化する補助構造からなるペリクル膜であって、前記単結晶シリコン薄膜と補助構造とが、酸化ケイ素層によって強固に結合されていることを特徴とするペリクル膜、及び、単結晶シリコン層、酸化ケイ素層及びシリコンハンドリング基板からなり、前記単結晶層及び酸化ケイ素層の厚さがそれぞれ20nm〜1μm、前記シリコンハンドリング基板の厚さが30μｍ〜300μｍであるＳＯＩ基板の前記シリコンハンドリング基板表面に補助構造用パターンを設けた後、酸化ケイ素膜が露出するまでドライエッチングをし、次いで露出した酸化ケイ素層を除去する工程を含むことを特徴とする、前記ペリクル膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクの製造コストを低減可能なＥＵＶマスク用ブランクの良否判定方法及びＥＵＶマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るＥＵＶマスク用ブランクの良否判定方法は、ＥＵＶマスク用ブランクに含まれる欠陥の情報及び前記ブランク上に形成されるマスクパターンのデザイン情報に基づいて、前記ブランク上に前記マスクパターンを形成して作製されるＥＵＶマスクを用いて集積回路装置を製造したときに、前記集積回路装置が不良品となるか否かを評価する工程を備える。そして、前記集積回路装置が不良品とならない場合に、前記ブランクを良品と判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、堆積膜形成により白欠陥が修正された反射型マスクであって、転写特性の良好な反射型マスク、およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収体とを有する反射型マスクであって、上記吸収体が、吸収層と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に形成され、上記吸収層よりも厚い堆積膜とを有し、上記堆積膜が非金属系材料を含有し、上記堆積膜の厚みが１２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であり、上記堆積膜の側面での上記堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、上記基板面に対して垂直な線とのなす角度が６度〜４０度の範囲内であることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタミネーションクリーニングを行っても転写特性を維持することが可能であり、白欠陥を良好に修正することが可能な反射型マスク、反射型マスクの製造方法、および反射型マスク欠陥修正装置を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記吸収層の膜厚不足に起因する白欠陥部に位置する上記多層膜の周期構造の規則性が乱された修正部を有し、上記白欠陥部に位置する上記吸収層が当初から設けられているものであることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ用マスクにおいて、効率よくかつ精度よくマスク欠陥の修正を行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】マスクブランクに対して位相欠陥検査を行い、マスクブランクに存在する位相欠陥の座標を特定した後、マスクブランクの表面に吸収体パターンを形成する。次いで、特定された座標で示される位相欠陥を含む領域の吸収体パターンを除去した後、吸収体パターンが除去された領域の光学像を計測し、その光学像に基づいて修正用の吸収体補償膜の形状を計算し、さらに、その吸収体補償膜の形状に基づいて、マスクブランクの表面の吸収体パターンが除去された領域に吸収体補償パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】難除去薄膜の問題を回避しつつ、露光後の酸化洗浄にも耐性を有する材料を用いてＥＵＶマスクの白欠陥を修正する方法を提供する。
【解決手段】反射層（１２）とその上に形成された吸収パターン（１１）と含んだＥＵＶマスクの白欠陥（１３）を修正する方法である。前記白欠陥に隣接する反射層に、酸素ラジカルにより除去可能な修正補助膜（１４）を形成する工程と、前記白欠陥にＳｉ含有材料または金属含有材料を埋め込んで、白欠陥修正膜（１５）を形成する工程と、前記修正補助膜を酸素ラジカルにより除去して、前記反射層を露出する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクへの塵の付着を抑制しつつ、フォトマスク表面に付着した有機化合物を除去可能なマスクケースを提供する。
【解決手段】内部空間にフォトマスクが収納されるケースである。前記フォトマスクに対向する底面に真空紫外光透過部（５）を有し、前記内部空間と連通したガス流入孔（７）およびガス流出孔（８）が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】的確に吸収体パターンの修正を行うことにより、ＥＵＶＬ用マスクの製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】マスクブランクに対して露光波長暗視野検査を行い、検出された信号強度からマスクブランクに存在する位相欠陥の位置を特定し、位置座標として登録する。次に、ＡＦＭにより欠陥位置のマスクブランクの表面形状の１回目の計測を行った後、マスクブランクの表面に吸収体パターンを形成し、さらにＡＦＭにより欠陥位置のマスクブランクの表面形状の２回目の計測を行う。次に、吸収体パターンの位置と位相欠陥の位置との関係を特定した後、吸収体パターンと位相欠陥との位置関係および位相欠陥の形状から、吸収体パターンの加工形状および加工量を決定して、吸収体パターンを加工する。 （もっと読む）

【課題】吸収体パターンを被着させる前のマスクブランクの段階で位相欠陥を検出することが可能な装置を提供する。
【解決手段】マスク検査装置１００は、ＥＵＶ光を反射する多層膜が形成されたマスクブランクの表面に照明光を照明する照明光学系と、マスクブランク表面から反射された同じ位置の像について、異なるデフォーカス量でデフォーカスさせた位置で撮像するセンサ１０５，３０５と、異なるデフォーカス量で撮像されたマスクブランク表面の同じ位置での第１と第２の光学画像を用いて、マスクブランクの欠陥の有無を判定する判定部１７６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】量産装置としての完成度が高く、かつ、大気中でのレンズを使用した検査光学系を使用できるＤＵＶ光を使用したマスクブランクの検査方法において、わずか数ｎｍの微細な凹凸欠陥（位相欠陥）を高感度に検出できる技術を提供する。
【解決手段】第１画像検出器ＳＥ１をレンズＬ３の結像面１６よりも光路長がＸＬ１だけ短い位置に配置することにより、マスクブランクＭＢ上の検査光照射領域１２の拡大検査像を負のデフォーカス状態で収集する。これに対し、第２画像検出器ＳＥ２をレンズＬ４の結像面１７よりも光路長がＸＬ２だけ長い位置に配置することにより、マスクブランクＭＢ上の検査光照射領域１１の拡大検査像を正のデフォーカス状態で収集する。 （もっと読む）

【課題】より効率的な処理により、欠陥箇所にパターンが描画されにくくすることが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画対象となる試料の描画領域を所定のサイズでメッシュ状に仮想分割した複数の小領域の小領域毎に、配置されるパターンの面積密度を算出する面積密度算出部６４と、試料の欠陥箇所が定義された欠陥情報を入力し、試料の配置位置を回転させて、欠陥箇所と重なる小領域の面積密度が最小となる試料の配置方向を探索する探索部６５と、探索された欠陥箇所と重なる小領域の面積密度が最小となる試料の配置方向になるように試料を配置した状態で、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光を検査光とする多層膜マスクブランクのマスクブランク検査装置において、プラズマ光源の位置を短時間で、かつ正確に位置決めする。
【解決手段】ＥＵＶ光検出用フォトダイオード２４によりＥＵＶ光を捉えるマスクステージ７の位置をあらかじめ記憶し、この位置におけるＥＵＶ光の第１強度分布を計測しておく。光源６を再設置した後、ＥＵＶ光を捉えるマスクステージ７の位置でのＥＵＶ光の第２強度分布をＥＵＶ光検出用フォトダイオード２４の位置座標の関数として計測し、第１強度分布と第２強度分布とが一致するように光源微動機構２３によって光源６を移動させる。さらに、散乱体２５にＥＵＶ光を照射し、散乱したＥＵＶ光の第３強度分布を２次元アレイセンサーＳＥで検知し、第３強度分布に応じて、光源６を光源微動機構２３によって移動させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、設計欠陥の深さ、若しくは高さの種類の数に応じて複数回のパターン形成とエッチングの工程を行うという複雑な工程を必要とせずに、同一の基板に、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥と数種の異なる高さの凸状の設計欠陥を形成することができる擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ポジ型レジストの工程とネガ型レジストの工程を交互に１回ずつ用いて、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥と数種の異なる高さの凸状の設計欠陥のパターン全てを、基板上に形成したハードマスクに一括してパターン形成し、その後、前記ハードマスクパターンをマスキングしながら順次基板をエッチング加工することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高価な高精細の電子線描画機を設計欠陥の深さの種類の数に応じて複数回使用することを要せずに、同一の基板に、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥を、寸法精度や位置精度を向上させて形成することができる擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 数種の異なる深さの凹状の設計欠陥のパターン全てを、基板上に形成したハードマスクに一括してパターン形成し、その後、前記ハードマスクパターンをマスキングしながら順次基板をエッチング加工することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】反射層に損傷を与えず、修正痕を残さずに吸収体パターンを精度良く補正し、位相欠陥の影響をなくして良好な転写パターンが得られる反射型マスクの位相欠陥補正方法および製造方法を提供する。
【解決手段】反射型マスクブランクの吸収体層上にハードマスク層を設け、ブランク欠陥用のアライメントマークを作成し、ブランクの表面欠陥検査を行い、表面欠陥の位置をマスクブランク欠陥情報として記録する工程と、ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、前記欠陥情報に基づき、ＡＦＭを用いて表面欠陥の位置と大きさを計測する工程と、補正すべきハードマスクパターンを選定し、補正位置と補正量を決定する工程と、欠陥修正装置によりハードマスクパターンを補正する工程と、補正したハードマスクパターンをマスクにして吸収体パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ露光用マスクの洗浄時期を適切に判定することができ、パターン転写精度の向上及び露光装置のスループット向上に寄与する。
【解決手段】 露光装置にセットされたＥＵＶ露光用マスクの洗浄時期を管理するためのＥＵＶ露光用マスクの管理方法であって、マスクに設けられたアライメントマーク２１に対しＥＵＶ光を照射し、マスクからの反射光を検出することにより、マーク２１の異なる２方向にそれぞれ対応するマークプロファイル信号を得るステップＳ３と、得られた各マークプロファイル信号から、マークの異なる２方向の寸法をそれぞれ測定するステップＳ４と、測定された異なる２方向の寸法の差分を算出するステップＳ５と、算出された差分の大きさに基づいてマスクの洗浄時期を判定するステップＳ６とを含む。 （もっと読む）