【課題】 的確に遮光枠を形成することが可能なフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、マスクパターンが形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを用意する工程Ｓ１２と、マスクパターンが形成された領域の周囲の領域に選択的に遮光材を塗布して遮光枠を形成する工程Ｓ１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】フレアを考慮したマスクパターン補正を高速かつ高精度に行うことができるマスクパターン補正方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスクパターン補正方法では、レイアウト中のパターンの種類毎に、基準フレア値におけるマスクパターン補正量を基準マスク補正量として算出するとともに、フレア値の変化量に対するマスクパターン補正量の変化量を変化量情報として算出する。そして、前記パターンと、前記基準マスク補正量と、前記変化量情報と、を対応付けした対応付け情報から、前記パターンに対応する基準マスク補正量および変化量情報を抽出する。さらに、前記パターンが配置される配置位置でのフレア値と前記基準フレア値との差分であるフレア差分と、抽出した基準マスク補正量および変化量情報とに基づいて、前記パターンのフレア値に応じたマスクパターンを作成する。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、この基板表面に形成された多層反射層２１と、この多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造構成において、マスクブランク製造前の基板１１に微細な凹凸パターンを設けることで、反射型マスクとして使用する際に、位相効果により多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクブランクの製造時におけるガラス基板保持手段および、それを用いたＥＵＶマスクブランクスの製造方法。
【解決手段】ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造時におけるガラス基板（以下基板）の保持手段であって、保持手段は、基板の裏面の一部を吸着保持する静電チャック部１１０と、押圧部１２０を有し、該押圧部で基板の成膜面側の一部を押圧することにより、基板を成膜面側および裏面側から挟持して保持する機械的チャックを行う。静電チャックによる基板の被吸着保持部、および、前記機械的チャックによる基板の被押圧部が、基板の表面および裏面の品質保証領域より外側にあり、静電チャックによる基板の吸着保持力と、機械的チャックによる基板の保持力との和が、２００ｋｇｆ以上であり、機械的チャックによる基板の単位面積当たりの押圧力が、２５ｋｇｆ／ｃｍ²以下であることを特徴とする基板保持手段。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光装置のマスクや光学系の表面に付着した炭素コンタミネーションを、当該マスクや光学系にダメージを与えることなく、効率的に分解・除去する。
【解決手段】クリーニング装置４０は、表面に炭素コンタミネーション４４が付着した多層膜ミラー４１を収容する処理室４３を備えている。処理室４３の上面には、水銀ランプ４５を備えた光照射装置４６が設置され、この水銀ランプ４５から発する波長２５４ｎｍの深紫外光が処理室４３の内部に照射される。また、処理室４３の内部には、酸素供給源５１から酸素ガスが導入され、不飽和炭化水素供給源５２からエチレンガスが導入される。処理室４３の内部に導入された酸素ガスおよびエチレンガスに深紫外光が照射されると、これらのガスから生じたイオンやラジカルが炭素コンタミネーション４４を分解する。 （もっと読む）

【課題】単純な形状のパターンをマスクに形成するだけで、反射型露光マスクを用いる露光においてシャドウイング効果によって生じる寸法ばらつきを低減する。
【解決手段】反射型露光マスク１は、円形もしくは八角形以上の多角形のホール形成用パターン２を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクへの塵の付着を抑制しつつ、フォトマスク表面に付着した有機化合物を除去可能なマスクケースを提供する。
【解決手段】内部空間にフォトマスクが収納されるケースである。前記フォトマスクに対向する底面に真空紫外光透過部（５）を有し、前記内部空間と連通したガス流入孔（７）およびガス流出孔（８）が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 マスクパターン補正方法及びマスクパターン補正装置に関し、フレア補正に伴う補正誤差を小さくして、レジストパターンの寸法精度を高める。
【解決手段】 半導体集積回路のパターンデータに基づき第１のマスクパターンを作成する工程と、前記第１のマスクパターンを複数の領域に分割して第１のフレア強度を計算する第１の計算工程と、前記第１のフレア強度の計算に基づき、前記第１のマスクパターンを補正して第２のマスクパターンを作成する工程と、前記第２のマスクパターンを複数の領域に分割して第２のフレア強度を計算する第２の計算工程と、前記第２のフレア強度の計算に基づき、前記第２のマスクパターンを補正して第３のマスクパターンを作成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】光学部材の光学面に清掃用媒体を衝突させることにより、該光学面から異物を除去することができる清掃装置、露光装置、清掃方法、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】清掃装置は、光学部材の光学面の少なくとも一部に対向して配置されることにより、チャンバ内の環境から分離された清掃用空間を形成する環境形成部材６１と、清掃用空間内で光学面の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射する清掃用媒体噴射部７０と、光学面の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体及び清掃用媒体によって光学面の少なくとも一部から除去された異物を回収する回収部７２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、設計欠陥の深さ、若しくは高さの種類の数に応じて複数回のパターン形成とエッチングの工程を行うという複雑な工程を必要とせずに、同一の基板に、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥と数種の異なる高さの凸状の設計欠陥を形成することができる擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ポジ型レジストの工程とネガ型レジストの工程を交互に１回ずつ用いて、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥と数種の異なる高さの凸状の設計欠陥のパターン全てを、基板上に形成したハードマスクに一括してパターン形成し、その後、前記ハードマスクパターンをマスキングしながら順次基板をエッチング加工することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高価な高精細の電子線描画機を設計欠陥の深さの種類の数に応じて複数回使用することを要せずに、同一の基板に、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥を、寸法精度や位置精度を向上させて形成することができる擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 数種の異なる深さの凹状の設計欠陥のパターン全てを、基板上に形成したハードマスクに一括してパターン形成し、その後、前記ハードマスクパターンをマスキングしながら順次基板をエッチング加工することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ露光装置の真空チャンバー内を大気に晒すことなくレチクルチャックのクリーニングを簡易に行うことができ、ＥＵＶ露光装置の稼働率向上に寄与する。
【解決手段】 ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックをクリーニングするためのレチクルチャッククリーナーであって、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックまで搬送可能な形状を有する基板１１と、基板１１の一方の面に形成された粘着剤１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】反射型フォトマスクを用いる露光装置の検査のための露光装置検査用マスク及び露光装置検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、露光光に対して反射性の主面を有する基板１０と、主面に設けられた第１パターン部６０ａと、を備えた露光装置検査用マスクが提供される。第１パターン部は、主面に設けられ、主面に対して平行な第１方向に沿って所定のピッチで周期的に配列し露光光に対して吸収性を有する複数の第１吸収層３１ａを含む第１下層３０ａと、第１下層の基板とは反対の側に設けられ、第１方向に沿って上記ピッチで周期的に配列し、複数の第１吸収層のそれぞれの少なくとも一部を露出させ、露光光に対する反射率が第１吸収層よりも高い複数の第１反射層４０ａと、を含む。 （もっと読む）

【課題】露光光の反射率と反射光の位相差とが精度良く制御されたマスクエンハンサ構造を有するＥＵＶ用フォトマスクを用いて、微細な転写パターンの寸法精度を向上する。
【解決手段】反射型フォトマスクは、位相シフト部９と、位相シフト部９の外側に位置する反射部１１と、位相シフト部９と反射部１１との間に位置する半吸光部１２とを備えている。半吸光部１２は、露光光を反射する第１の多層膜２と、第１の中間層３と、第２の多層膜４と、第２の中間層５と、第３の多層膜６とを含んでいる。位相シフト部９は、第３の多層膜６、第２の中間層５、第２の多層膜４及び第１の中間層３から露出する第１の多層膜２である。反射部１１は、第３の多層膜６及び第２の中間層５から露出する第２の多層膜４である。 （もっと読む）

【課題】計算量・精度を改善したフレアマップ作成方法を提供すること。
【解決手段】レイアウトをｊ個の領域ｍに区画化し、ｊ個の領域ｍに対応するｊ個の評価値ｖを求めて評価マップを作成するために、レイアウトを複数の領域Ｍにより分割する回数を決定し（Ｓ１）、レイアウトを複数の領域Ｍを分割し、その際、領域Ｍは領域ｍより大きく、ｊ個の領域ｍ中のｋ個の領域ｍｋを複数の領域Ｍ中のｋ個の領域Ｍｋと中心を一致させ（Ｓ３）、領域Ｍの各々について、領域Ｍ内のレイアウトのパターン密度Ｄを求め（Ｓ４）、複数の領域Ｍの点像分布関数Ｆと前記Ｄとの積の畳み込みを計算し、ｋ個の領域Ｍｋの各々の評価値Ｖｋを算出し（Ｓ５）、工程Ｓ２−Ｓ５は工程Ｓ１で決定された回数（Ｎ）繰り返され、Ｎ回の工程Ｓ５で得られたＮ個の前記Ｖｋを合成する（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】高価なＥＵＶ露光用のマスクブランクの再利用が容易な反射型マスクブランクの再生方法および該反射型マスクブランクを用いた高品質パターンを有する反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、吸収層上にハードマスク層とを少なくとも設けたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクの再生方法であって、ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、ハードマスクパターンのパターン寸法計測および外観欠陥検査を行う工程と、パターン寸法計測および／または外観欠陥検査の値が所定の仕様値の範囲外であり、寸法補正および／または欠陥修正が困難とされるとき、ハードマスクパターンをエッチングして除去する工程と、吸収層上に再度ハードマスク層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】汚染物質を効果的に減少させることができる反射型マスク、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】反射パターンが設けられたパターン領域（Ｒａ）を有する反射型マスク（Ｒ）であって、入射した光をパターン領域（Ｒａ）が反射する反射方向とは異なる方向に反射又は散乱させる非パターン領域（Ｒｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に所望寸法のパターンを正確に転写できるマスクデータを短時間で作成するマスクデータ作成方法を提供すること。
【解決手段】露光装置およびフォトマスクを用いてウエハ上にフォトマスクのマスクパターンを転写してウエハ上にウエハ上パターンを形成させた場合に露光装置の光学系に起因して露光のショット内で生じるフレアのショット内分布を導出し、フレアのショット内分布に基づいて、ショット内の領域をフレアの大きさに応じた複数領域に分割し、分割された領域毎にマスクパターンをフレアの大きさに応じた寸法に補正したマスクデータを作成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光を用いたリソグラフィにおいて使用する反射型フォトマスクのパターン寸法を計測する際に帯電によって計測精度が低下するのを防止する。
【解決手段】基板１０の上にモリブデンとシリコンを交互に積層した多層膜２０を形成する。多層膜２０の最上層として、モリブデン、シリコンあるいは他の材料でキャッピング層２１を積層する。キャッピング層２１の上にはパターンを形成するための吸収層３０を積層する。公知のリソグラフィ技術などを用いて吸収層を加工してパターン３１を形成する。パターン３１のうち吸収層３０が残存したライン部３１ａの表面近傍とキャッピング層２１が露出したスペース部２１ａの表面近傍の帯電状態のバランスを取るために、キャッピング層２１または吸収層３０の誘電率を調整する。 （もっと読む）