清掃装置、清掃方法、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
【課題】光学部材の光学面に清掃用媒体を衝突させることにより、該光学面から異物を除去することができる清掃装置、露光装置、清掃方法、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】清掃装置は、光学部材の光学面の少なくとも一部に対向して配置されることにより、チャンバ内の環境から分離された清掃用空間を形成する環境形成部材６１と、清掃用空間内で光学面の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射する清掃用媒体噴射部７０と、光学面の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体及び清掃用媒体によって光学面の少なくとも一部から除去された異物を回収する回収部７２とを備えている。
【解決手段】清掃装置は、光学部材の光学面の少なくとも一部に対向して配置されることにより、チャンバ内の環境から分離された清掃用空間を形成する環境形成部材６１と、清掃用空間内で光学面の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射する清掃用媒体噴射部７０と、光学面の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体及び清掃用媒体によって光学面の少なくとも一部から除去された異物を回収する回収部７２とを備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学部材の光学面を清掃する清掃装置及び清掃方法に関する。また、本発明は、清掃装置を備える露光装置、清掃方法を含む露光方法及び露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するためのリソグラフィ工程では、パターンを感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に形成する露光装置が用いられる。こうした露光装置には、レンズ、ミラー及びマスクなどの光学部材が設けられている。そして、光学部材の光学面に異物が付着した場合、該異物の影響によって、基板に適切な形状のパターンを形成できなかったり、基板を照射する露光光の光量が低下したりするおそれがある。そこで、近年では、光学部材の光学面から異物を除去すべく該光学部材を清掃する装置として、例えば特許文献１に記載のクリーンニングシステムが提案されている。このクリーンニングシステムは、雪の粒子、例えば、炭酸ガス又はアルゴン等を光学部材に提供するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１０８６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このようなクリーンシステムを大気とは異なる雰囲気（一例として、真空雰囲気）に設定されたチャンバ内で使用する場合には、ノズルから提供される雪の粒子の状態（気化する等）が変化してしまうおそれがあった。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光学部材の光学面から異物を効率よく除去することができる清掃装置、露光装置、清掃方法、露光方法及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１４に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の清掃装置は、チャンバ（１３）内に設けられる光学部材（１９，２１〜２４，３０〜３５，Ｍ，Ｒ）の光学面（Ｍａ，Ｒａ）を清掃する清掃装置（６０）であって、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に対向して配置されることにより、前記チャンバ（１３）内の環境から分離された清掃用環境（Ｓｐ）を形成する環境形成部材（６１，９０，１１０）と、前記清掃用環境（Ｓｐ）内で前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射する噴射部（７０）と、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体及び前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物を回収する回収部（７２）と、を備えることを要旨とする。
【０００７】
本発明の清掃方法は、チャンバ（１３）内に設けられる光学部材（１９，２１〜２４，３０〜３５，Ｍ，Ｒ）の光学面（Ｍａ，Ｒａ）を清掃する清掃方法であって、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に対向する位置に、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境（Ｓｐ）を形成する環境形成工程（Ｓ１３，Ｓ１６）と、前記清掃用環境（Ｓｐ）内で前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射し、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体と前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物とを回収する清掃工程（Ｓ１４，Ｓ１７）と、を有することを要旨とする。
【０００８】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、光学部材の光学面から異物を効率良く除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態における露光装置を示す概略構成図。
【図２】（ａ）はレチクル保持装置を示す概略構成図、（ｂ）はレチクル保持装置に保持されるレチクルを模式的に示す平面図。
【図３】第１の実施形態における清掃装置を示す概略構成図。
【図４】（ａ）は環境形成部材を模式的に示す平面図、（ｂ）は図４（ａ）の４−４線矢視断面図。
【図５】第１供給装置を模式的に示す断面図。
【図６】露光装置の電気的構成を説明するブロック図。
【図７】第１の実施形態における露光処理ルーチンを説明するフローチャート。
【図８】（ａ）は第１の実施形態においてレチクルのパターン形成面が清掃される様子を示す模式図、（ｂ）は図８（ａ）の要部を拡大した拡大図。
【図９】第２の実施形態における環境形成部材を模式的に示す平面図。
【図１０】（ａ）は環境形成部材をレチクルのパターン形成面に対向して配置した状態を模式的に示す側断面図、（ｂ）は図１０（ａ）の要部を拡大した拡大図。
【図１１】別の実施形態における第１供給装置を示す概略構成図。
【図１２】ミラーの反射面を清掃するための環境形成部材を模式的に示す側断面図。
【図１３】デバイスの製造例のフローチャート。
【図１４】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
以下に、本発明を具体化した一実施形態について図１〜図８に基づき説明する。なお、本実施形態では、投影光学系の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向をＹ軸方向とし、その走査方向に直交する非走査方向をＸ軸方向として説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向ともいう。
【００１２】
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、光源装置１２から射出される、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置である。こうした露光装置１１は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ１３（図１では二点鎖線で囲まれた部分）を備えている。このチャンバ１３内には、光源装置１２からチャンバ１３内に供給された露光光ＥＬで所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを照明する照明光学系１４と、パターンの形成されたパターン形成面Ｒａが−Ｚ方向側（図１では下側）に位置するようにレチクルＲを保持するレチクル保持装置１５とが設けられている。また、チャンバ１３内には、レチクルＲを介した露光光ＥＬでレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを照射する投影光学系１６と、露光面（感光性材料が塗布されたウエハ表面）Ｗａが＋Ｚ方向側（図１では上側）に位置するようにウエハＷを保持するウエハ保持装置１７とが設けられている。
【００１３】
光源装置１２は、波長が５〜２０ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして出力する装置であって、図示しないレーザ励起プラズマ光源を備えている。このレーザ励起プラズマ光源では、例えば半導体レーザ励起を利用したＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザで高密度のＥＵＶ光発生物質（ターゲット）を照射することによりプラズマが発生され、該プラズマからＥＵＶ光が露光光ＥＬとして放射される。こうした露光光ＥＬは、図示しない集光光学系によって集光されてチャンバ１３内に出力される。
【００１４】
照明光学系１４は、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体１８（図１では一点鎖線で囲まれた部分）を備えている。この筐体１８内には、光源装置１２から出力された露光光ＥＬを集光するコリメート用ミラー１９が設けられており、該コリメート用ミラー１９は、入射した露光光ＥＬを略平行に変換してオプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系２０（図１では破線で囲まれた部分）に向けて射出する。このフライアイ光学系２０は、一対のフライアイミラー２１，２２を備えており、該各フライアイミラー２１，２２のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー２１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａと光学的に共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー２１で反射された露光光ＥＬは、射出側に配置される射出側フライアイミラー２２に入射する。
【００１５】
また、照明光学系１４には、射出側フライアイミラー２２から射出された露光光ＥＬを筐体１８外に射出するコンデンサミラー２３が設けられている。そして、コンデンサミラー２３から射出された露光光ＥＬは、後述する鏡筒２９内に設置された折り返し用の反射ミラー２４により、レチクル保持装置１５に保持されるレチクルＲに導かれる。
【００１６】
レチクル保持装置１５は、投影光学系１６の物体面側に配置されている。なお、レチクル保持装置１５の構成については、後述する。
また、レチクル保持装置１５は、レチクル移動装置２５の駆動によって、Ｙ軸方向（図１における左右方向）に移動可能である。すなわち、レチクル移動装置２５は、レチクル保持装置１５に保持されるレチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、レチクル移動装置２５は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）、Ｚ軸方向及びθｚ方向に微動させることが可能である。なお、レチクルＲのパターン形成面Ｒａが露光光ＥＬで照明される場合、該パターン形成面Ｒａの一部には、Ｘ軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。
【００１７】
また、レチクル保持装置１５の近傍には、レチクルＲのパターン形成面Ｒａのうち、露光光ＥＬで照明される照明領域のＺ軸方向における位置、即ち照明領域の高さを計測するための計測装置２６が設けられている。この計測装置２６は、Ｚ軸方向と交差する方向に向けて計測光（図１では破線矢印で示す。）を発光する複数（図１では１つのみ図示）の発光器２７（例えばハロゲンランプやレーザ）と、レチクルＲの照明領域の各位置で反射された計測光を受光可能な複数（図１では１つのみ図示）の受光器２８（例えばＣＣＤ）とを備えている。そして、各受光器２８は、レチクルＲの照明領域にて反射した計測光を受光した際の受光位置に応じた検出信号を後述する制御装置ＣＯＮＴに出力する。
【００１８】
投影光学系１６は、露光光ＥＬでレチクルＲのパターン形成面Ｒａを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系であって、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒２９を備えている。この鏡筒２９内には、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー３０，３１，３２，３３，３４，３５が収容されている。これら各ミラー３０〜３５は、図示しないミラー保持装置を介して鏡筒２９にそれぞれ保持されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、ミラー３０、ミラー３１、ミラー３２、ミラー３３、ミラー３４、ミラー３５の順に反射され、ウエハ保持装置１７に保持されるウエハＷの露光面Ｗａに導かれる。
【００１９】
照明光学系１４及び投影光学系１６が備える各ミラー１９，２１〜２４，３０〜３５のミラー面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。これら各反射層は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜をそれぞれ有している。
【００２０】
ウエハ保持装置１７は、ウエハＷを静電吸着するための静電吸着保持装置３６を備えている。この静電吸着保持装置３６は、誘電性材料で形成され且つ吸着面３７ａを有する基体３７と、該基体３７内に配置される図示しない複数の電極部とを有している。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体３７から発生されるクーロン力により、吸着面３７ａにウエハＷが静電吸着される。また、ウエハ保持装置１７には、静電吸着保持装置３６を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向（図１では上下方向）における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。
【００２１】
こうしたウエハ保持装置１７は、ウエハ移動装置３８によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、ウエハ移動装置３８は、静電吸着保持装置３６に保持されるウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、ウエハ移動装置３８は、静電吸着保持装置３６に保持されるウエハＷをＸ軸方向に所定ストロークで移動させることが可能であるとともに、Ｚ軸方向に微動させることが可能である。
【００２２】
そして、ウエハＷの一つのショット領域にレチクルＲのパターンを形成する場合、照明光学系１４によって照明領域をレチクルＲに形成した状態で、レチクル移動装置２５の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向（例えば、＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側）に所定ストローク毎に移動させる。また同時に、ウエハ移動装置３８の駆動によって、ウエハＷをレチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系１６の縮小倍率に応じた速度比でＹ軸方向（例えば、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側）に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
【００２３】
次に、本実施形態のレチクル保持装置１５について説明する。
図２（ａ）（ｂ）に示すように、レチクル保持装置１５は、レチクルＲにおいてパターン形成面Ｒａに沿う方向であるＸ軸方向における一方側（図２（ａ）では右側）を把持する第１把持部４０Ａと、レチクルＲにおいてＸ軸方向における他方側（図２（ａ）では左側）を把持する第２把持部４０Ｂとを備えている。これら各把持部４０Ａ，４０Ｂは、レチクルＲを挟んで互いに対向する第１当接部４１及び第２当接部４２を有している。第１当接部４１は、レチクルＲを所望の位置に設置するために、剛性の高い材料、例えば、ステンレス、アルミニウム、セラミックで形成されている。また、第２当接部４２は、レチクルＲをレチクル保持装置１５から着脱する際におけるレチクルＲの損傷を抑制するために、剛性の低い材料、例えば、デルリン（登録商標）、ポリイミド、導電性ポリイミドで形成されている。なお、第１当接部４１及び第２当接部４２は、これらの材料又はこれらの材料の組み合わせで形成したものであってもよい。また、第１当接部４１及び第２当接部４２の当接面４１ａ，４２ａは、研削又は研磨加工され、所望の面精度に仕上げられた面であってもよい。
【００２４】
第１当接部４１及び第２当接部４２は、パターン形成面Ｒａに沿う方向であって且つＸ軸方向と直交（交差）するＹ軸方向に延設されている。また、第１当接部４１及び第２当接部４２においてレチクルＲに当接する当接面４１ａ，４２ａ側には、Ｙ軸方向に沿って延びる複数（本実施形態では２つ）の溝部４３が形成されている。第１当接部４１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａのうち所定のパターンが形成される略正方形状の第１領域Ｒ１（図２（ｂ）では二点鎖線で囲まれた領域）を包囲するように形成された第２領域Ｒ２に当接するように配置されている。一方、第２当接部４２は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂ（即ち、＋Ｚ方向側の面）に当接するように配置されている。
【００２５】
また、各把持部４０Ａ，４０Ｂには、レチクル保持装置１５へのレチクルＲの取り付け時及びレチクル保持装置１５からのレチクルＲの取り外し時に駆動する駆動機構４５が設けられている。駆動機構４５は、第１当接部４１を−Ｚ方向側から支持する第１支持部４６と、第２当接部４２を＋Ｚ方向側から支持する第２支持部４７と、第１支持部４６を基準として第２支持部４７を相対的に揺動させるための支点部４８と、第２支持部４７に駆動力を付与すべく駆動するアクチュエータ４９とを備えている。例えば、アクチュエータ４９は、圧電素子、ボイスコイルモータ、電磁ソレノイド、油圧プランジャー、ボールねじと減速歯車と回転モータの組み合わせ等である。
【００２６】
第１支持部４６は、Ｘ軸方向に延びる第１アーム４６ａを有している。第１アーム４６ａの長手方向における第１の端部（即ち、レチクルＲに近い端部）側には、第１当接部４１をＹ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在であって、且つＸ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在な状態で支持する連結部５０が設けられている。また、第１アーム４６ａの長手方向における第２の端部（即ち、レチクルＲに遠い端部）側には、支点部４８が連結されている。
【００２７】
第２支持部４７は、Ｘ軸方向に延びる第２アーム４７ａを有している。第２アーム４７ａの長手方向における第１の端部側には、第２当接部４２をＹ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在であって、且つＸ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在な状態で支持する連結部５１が設けられている。また、第２アーム４７ａの長手方向における第２の端部には、支点部４８が連結されている。
【００２８】
本実施形態では、第１アーム４６ａの連結部５０及び第２アーム４７ａの連結部５１は、Ｙ軸方向に沿った複数の箇所に設けられる。例えば、連結部５０，５１は、Ｙ軸方向に沿って等間隔おきに、２箇所又は３箇所、あるいはそれ以上に設けてもよい。なお、連結部５０，５１の個数及び設置箇所は、例えば、第１当接部４１と第２当接部４２の機械的な剛性やレチクルＲの撓み量等に合わせて決められる。
【００２９】
アクチュエータ４９は、Ｘ軸方向において各当接部４１，４２と支点部４８との間に配置されている。アクチュエータ４９の−Ｚ方向側の端部は、第１支持部４６に支持されると共に、アクチュエータ４９の＋Ｚ方向側の端部は、第２支持部４７に支持されている。そして、アクチュエータ４９は、外部から電圧が印加されることにより、Ｚ軸方向に伸縮可能に構成されている。すなわち、アクチュエータ４９が図２（ａ）に示す状態から伸張した場合には、アクチュエータ４９からの駆動力が増大された状態で第２支持部４７に伝達される。その結果、第２支持部４７に支持される第２当接部４２は、支点部４８を支点としてレチクルＲから離間する方向に移動する。
【００３０】
また、第１当接部４１にレチクルＲが載置された状態でアクチュエータ４９が収縮した場合には、アクチュエータ４９からの駆動力が増大された状態で第２支持部４７に伝達される。そして、第２当接部４２は、支点部４８を支点として第１当接部４１に接近する方向に移動する。その結果、レチクルＲは、第１当接部４１及び第２当接部４２によって挟持される。
【００３１】
このようにレチクルＲをＸ軸方向における両端で保持した場合、レチクルＲのＸ軸方向における中央は、自重によって、−Ｚ方向側（重力方向における下方側）に僅かに変位してしまう。すなわち、レチクルＲが撓んでしまう。しかし、こうしたレチクルＲの撓みは、十分に予測できる。この場合、重力によるレチクルＲの撓みは、他のレチクルＲに交換しても同様に発生する。そのため、制御装置ＣＯＮＴのメモリ（図示略）には、重力によるレチクルＲの撓みとレチクルＲに入射する露光光ＥＬの入射角とにより発生するディストーションを補正できるようなレチクルＲを移動させるための移動プログラム、ウエハＷを移動させるための移動プログラム及び各ミラーの角度調整プログラムなどを記憶させておいてもよい。この場合、レチクル保持装置１５に保持されるレチクルＲが交換される毎に、レチクルＲのＹ軸方向における各位置の高さを、計測装置２６を用いて計測しなくてもよい。
【００３２】
その一方で、レチクルＲ毎に撓み量が異なる可能性がある。この場合、レチクルＲをレチクル保持装置１５で保持させた場合に、レチクル移動装置２５の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向に移動させる。そして、レチクルＲのＹ軸方向における各位置の高さが、計測装置２６を用いて計測される。その結果、制御装置ＣＯＮＴでは、レチクルＲ用の移動プログラム、ウエハＷ用の移動プログラム及び各ミラーの角度調整プログラムなどが一部補正される。
【００３３】
そして、露光処理時では、レチクル移動装置２５は、計測装置２６による計測結果に基づき、レチクルＲのＺ軸方向における位置を微調整しつつ、該レチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。具体的には、レチクル移動装置２５は、レチクルＲにおいて露光光ＥＬで照明される照明領域のＺ軸方向における位置が一定となるように、レチクルＲのＺ軸方向における位置を微調整させる。
【００３４】
また、本実施形態の露光装置１１に使用されるレチクルＲには、パターン形成面Ｒａを保護するためのペリクルが設けられていないため、パターン形成面Ｒａに異物が付着する可能性がある。そのため、本実施形態の露光装置１１には、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの第１領域Ｒ１を清掃する清掃装置が設けられている。そこで次に、清掃装置について説明する。
【００３５】
図３に示すように、清掃装置６０は、環境形成部材６１と、該環境形成部材６１をＹ軸方向に沿って移動させるための清掃用移動装置６２とを備えている。また、清掃装置６０は、チャンバ１３外に配置される第１タンク６３から清掃用媒体を環境形成部材６１に供給するための第１供給装置６４と、チャンバ１３外に配置される第２タンク６５から環境形成用気体を環境形成部材６１に供給するための第２供給装置６６とを備えている。さらに、清掃装置６０は、環境形成部材６１側から、使用済みとなった清掃用媒体及び環境形成用気体と、レチクルＲから除去された異物などとを回収するための回収装置６７を備えている。
【００３６】
なお、環境形成用気体は、清掃用媒体噴射部７０から噴射された清掃用媒体がレチクルＲのパターン形成面Ｒａに適切な状態で衝突するように、環境形成部材６１の内部の圧力や温度等を調整するために用いられる。また、環境形成用気体は、環境形成部材６１の内部に供給されることで、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの熱を効率よく放熱させるために用いられる。
【００３７】
環境形成部材６１は、図４（ａ）（ｂ）に示すように、熱伝導率の高い材料（一例としてアルミニウム）で構成された有底筒状の部材であって、底部６１ａと、該底部６１ａの＋Ｚ方向側に位置する四角筒状の筒状部６１ｂとを有している。すなわち、環境形成部材６１には、＋Ｚ方向側に開口する略矩形状の開口部６１ｃが形成されている。この開口部６１ｃのＸ軸方向における幅Ｈ１は、レチクルＲの第１領域Ｒ１のＸ軸方向における幅Ｈ２（図２（ｂ）参照）と同等、又は該幅Ｈ２よりも僅かに広いと共に、開口部６１ｃのＹ軸方向における幅Ｈ３は、開口部６１ｃのＸ軸方向における幅Ｈ１よりも狭い。また、環境形成部材６１のＸ軸方向における幅Ｈ４は、第１把持部４０Ａの第１当接部４１と第２把持部４０Ｂの第１当接部４１とのＸ軸方向における間隔Ｈ５（図２（ａ）参照）よりも僅かに狭い。つまり、本実施形態の環境形成部材６１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの一部に対向配置可能とされている。
【００３８】
また、環境形成部材６１の底部６１ａには、第１供給装置６４を介して供給された清掃用媒体を噴射するための複数（図４（ａ）では９個のみ図示）の清掃用媒体噴射部７０が形成されている。一例として、各清掃用媒体噴射部７０は、Ｘ軸方向に沿って等間隔に配置されている。こうした清掃用媒体噴射部７０の口径は、後述する第１供給管路７６内の口径よりも小さい。
【００３９】
また、環境形成部材６１の底部６１ａには、第２供給装置６６を介して供給された気体を、環境形成部材６１とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとで囲まれた空間に供給するための環境形成用気体供給部７１が形成されている。一例として、環境形成用気体供給部７１は、底部６１ａのＸ軸方向における端部（図４（ａ）では左端）に配置されている。
【００４０】
また、環境形成部材６１において清掃用媒体噴射部７０の近傍には、清掃用媒体噴射部７０から噴射された清掃用媒体、環境形成用気体供給部７１から供給された環境形成用気体及びレチクルＲから除去された異物を回収するための回収部７２が設けられている。本実施形態では、回収部７２は、環境形成部材６１の筒状部６１ｂのうち＋Ｚ方向側（即ち、レチクルＲに対向する側）の端部に設けられている。また、回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０及び環境形成用気体供給部７１を包囲するように四角環状をなす回収口７２ａを有している。こうした回収部７２は、該回収部７２から−Ｚ方向側に延びる回収通路７３を介して回収装置６７に接続されている。
【００４１】
清掃用移動装置６２は、図３に示すように、環境形成部材６１を、Ｙ軸方向においてレチクル保持装置１５とは異なる位置であってレチクルＲを清掃不能な退避位置と、Ｙ軸方向においてレチクル保持装置１５に対応する位置であってレチクルＲを清掃可能な清掃位置との間で進退移動させる。なお、清掃用移動装置６２の駆動によって環境形成部材６１が清掃位置に配置された場合、図５に示すように、環境形成部材６１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａとの間に、ほんの僅かな隙間Ｈ６（例えば、５μｍ程度）を介在させた状態で配置される。
【００４２】
第１供給装置６４は、図５に示すように、第１タンク６３内から清掃用媒体を吸引する第１ポンプ７５と、該第１ポンプ７５から吐出された清掃用媒体を環境形成部材６１の各清掃用媒体噴射部７０に供給するための第１供給管路７６とを備えている。第１供給管路７６において環境形成部材６１側の部位は、各清掃用媒体噴射部７０に個別対応するように分岐されている。そして、各清掃用媒体噴射部７０からは、同一圧力で清掃用媒体が噴射される。
【００４３】
また、第１ポンプ７５は、第１タンク６３と同様に、チャンバ１３外に配置されている。そのため、第１供給管路７６は、チャンバ１３の側壁に形成された貫通孔１３ａ内を貫通している。第１供給管路７６の外周面と貫通孔１３ａの側面との間には、熱伝導率の低い材料で構成された円環状の封止部材７７が設けられている。この封止部材７７は、貫通孔１３ａと第１供給管路７６との間の隙間を介して外部からチャンバ１３に大気が漏入することを抑制している。
【００４４】
また、第１供給管路７６のうちチャンバ１３内に位置する部分は、熱伝導率の低い材料で構成された筒部材７８によって内包されている。その結果、第１供給管路７６内の温度は、第１タンク６３内と略同等に維持される。なお、図５では、明細書の説明理解の便宜上、回収部７２の図示を省略している。
【００４５】
本実施形態において、清掃用媒体は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに噴射されることで、気化または昇華する性質を有する媒体である。例えば、清掃用媒体は、二酸化炭素を含んでいる。第１タンク６３には、液状の清掃用媒体（例えば、液体の二酸化炭素）が貯留されており、第１ポンプ７５を駆動させることによって、環境形成部材６１の内部に液状の清掃用媒体が供給される。そして、環境形成部材６１の各清掃用媒体噴射部７０から、液状の清掃用媒体が噴射される。例えば、清掃用媒体として二酸化炭素を使用する場合、清掃用媒体噴射部７０から液体の二酸化炭素を噴射すると、液体の二酸化炭素は熱の出入りがない急激な膨張（断熱膨張）を起こし、固体の二酸化炭素（ドライアイス）と気体の二酸化炭素が入り混じった状態となって、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに噴射される。噴射されたドライアイスは、レチクルＲのパターン形成面Ｒａ上の異物に衝突し、気体の二酸化炭素によって、ドライアイスと異物とがレチクルＲのパターン形成面Ｒａから除去される。
【００４６】
第２供給装置６６は、図３に示すように、第２タンク６５内から環境形成用気体を吸引する第２ポンプ８０と、該第２ポンプ８０から吐出された環境形成用気体を環境形成部材６１の環境形成用気体供給部７１に供給するための第２供給管路８１とを備えている。第２ポンプ８０は、第２タンク６５と同様に、チャンバ１３外に配置されている。また、第２タンク６５では、環境形成用気体の温度が室温又は該室温よりも低温で保持されている。なお、本実施形態の環境形成用気体は、例えば、ヘリウムを含んでいる。また、環境形成用気体は、主成分がヘリウム、窒素、ドライエアー、又はこれらの混合物となる気体であってもよい。また、環境形成用気体は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに付着したカーボンコンタミの除去用に酸素を含んでものであってもよい。なお、カーボンコンタミとは、カーボンコンタミネーションの略であり、炭素を主成分とする汚れのことを示す。
【００４７】
回収装置６７は、チャンバ１３外に配置される回収ポンプ８３と、該回収ポンプ８３と環境形成部材６１の回収部７２とを連結する回収用管路８４とを備えている。
次に、本実施形態の露光装置１１を制御する制御装置について説明する。
【００４８】
図６に示すように、制御装置ＣＯＮＴには、レチクル保持装置１５、レチクル移動装置２５、ウエハ移動装置３８、計測装置２６、清掃用移動装置６２及び各ポンプ７５，８０，８３が電気的に接続されている。こうした制御装置ＣＯＮＴには、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭ及びＲＡＭなどを有する制御回路が設けられている。ＲＯＭには、各種制御プログラム及び各種データなどが記憶されている。ＲＡＭには、ＣＰＵが実行するプログラムデータ及びＣＰＵによる演算結果及び処理結果である各種データなどが一時記憶される。
【００４９】
次に、ウエハ保持装置１７に保持されるウエハＷの各ショット領域に順番に露光処理を行う際に制御装置ＣＯＮＴが実行する露光処理ルーチンについて、図７に示すフローチャートに基づき説明する。
【００５０】
ウエハ保持装置１７にウエハＷが設置されると、制御装置ＣＯＮＴは、露光処理ルーチンを実行する。この露光処理ルーチンにおいて、制御装置ＣＯＮＴは、レチクル移動装置２５とウエハ移動装置３８とを協働させることにより、ウエハＷの一つのショット領域に対して露光処理を行う（ステップＳ１０）。一つのショット領域に対する露光処理が完了すると、制御装置ＣＯＮＴは、ウエハＷの全てのショット領域に対する露光処理が完了したか否かを判定する（ステップＳ１１）。
【００５１】
この判定結果が否定判定（ＮＯ）である場合、即ち未だ露光処理が完了していないショット領域が存在する場合、制御装置ＣＯＮＴは、変更工程を行う。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、露光処理を施すショット領域を変更させるべくウエハ移動装置３８の駆動を開始させる（ステップＳ１２）。そして、ショット領域の変更が行われる間に、制御装置ＣＯＮＴは、退避位置に位置する環境形成部材６１を清掃位置に移動させるべく清掃用移動装置６２を制御する清掃準備処理を行う（ステップＳ１３）。環境形成部材６１が清掃位置に移動すると、環境形成部材６１は、環境形成部材６１の内面とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとで囲まれた空間を形成する。この状態で、制御装置ＣＯＮＴが第２ポンプ８０を駆動させると、環境形成部材６１の内面とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとで囲まれた空間に環境形成用気体を供給することによって、清掃用空間（清掃用環境ともいう。）Ｓｐが形成される。この清掃用空間Ｓｐは、チャンバ１３内の環境から分離されている。（図５参照）。したがって、本実施形態では、ステップＳ１３が、環境形成工程に相当する。
【００５２】
続いて、制御装置ＣＯＮＴは、清掃処理を行う（ステップＳ１４）。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、第１ポンプ７５を駆動させると共に、レチクルＲをＹ軸方向に沿って移動させるべくレチクル移動装置２５を駆動させる。続いて、制御装置ＣＯＮＴは、回収ポンプ８３を駆動させる。
【００５３】
すると、環境形成用気体によって形成された清掃用空間Ｓｐ内には、図８（ａ）に示すように、各清掃用媒体噴射部７０からレチクルＲのパターン形成面Ｒａのうち開口部６１ｃに対向する部位に向けて清掃用媒体が噴射される。その結果、レチクルＲのパターン形成面Ｒａには、清掃用媒体が衝突する。こうした清掃用媒体が衝突された状態で、レチクルＲは、Ｙ軸方向に沿って移動する。そして、各清掃用媒体噴射部７０及び環境形成用気体供給部７１から噴射された清掃用媒体及び環境形成用気体は、図８（ｂ）に示すように、回収部７２を介して回収される。このとき、清掃用媒体とレチクルＲとの衝突によって該レチクルＲから異物が剥離された場合、該異物は、清掃用媒体及び環境形成用気体と共に回収部７２を介して回収される。
【００５４】
ちなみに、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに衝突した清掃用媒体は、レチクルＲから熱を受けたり、環境形成部材６１から熱を受けたりして気化する。そして、気化後の清掃用媒体（即ち、炭酸ガス）が、回収部７２を介して回収される。したがって、本実施形態では、ステップＳ１４が、清掃工程に相当する。
【００５５】
図７に戻り、レチクルＲの清掃が完了すると共に、ウエハＷのショット領域の変更が完了すると、制御装置ＣＯＮＴは、各ポンプ７５，８０を停止させた後に、回収ポンプ８３を停止させ、その後、環境形成部材６１を退避位置に移動させるべく清掃用移動装置６２を制御する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、レチクルＲの第１領域Ｒ１の一部（Ｙ軸方向における一端側）を露光光ＥＬで照明できるようにレチクル移動装置２５を駆動させ、その後、その処理を前述したステップＳ１０に移行する。すなわち、本実施形態では、ウエハＷのうち露光処理が行われるショット領域が変更される際に、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。
【００５６】
一方、ステップＳ１１の判定結果が肯定判定（ＹＥＳ）である場合、即ち全てのショット領域に対して露光処理が完了した場合、制御装置ＣＯＮＴは、交換工程を行う。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ウエハ移動装置３８に保持させるウエハＷの交換を開始させる（ステップＳ１５）。そして、ウエハＷの交換が行われている間に、制御装置ＣＯＮＴは、上記ステップＳ１３の処理と同じように、清掃準備処理を行う（ステップＳ１６）。したがって、本実施形態では、ステップＳ１６もまた、環境形成工程に相当する。
【００５７】
続いて、制御装置ＣＯＮＴは、上記ステップＳ１４と同じように、清掃処理を行う（ステップＳ１７）。したがって、本実施形態では、ステップＳ１７もまた、清掃工程に相当する。
【００５８】
その後、レチクルＲの清掃が完了すると共に、ウエハＷの交換が完了すると、制御装置ＣＯＮＴは、各ポンプ７５，８０を停止させた後に、回収ポンプ８３を停止させ、その後、環境形成部材６１を退避位置に移動させるべく清掃用移動装置６２を制御する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、レチクルＲの第１領域Ｒ１の一部（Ｙ軸方向における一端側）を露光光ＥＬで照明できるようにレチクル移動装置２５を駆動させ、その後、その処理を前述したステップＳ１０に移行する。すなわち、本実施形態では、露光処理が行われるウエハＷが交換される際に、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。つまり、ウエハＷを交換する交換工程の間に、レチクルＲが清掃される。
【００５９】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃時では、該パターン形成面Ｒａ側にチャンバ１３内の環境から分離された清掃用空間Ｓｐが形成される。この清掃用空間Ｓｐで清掃用媒体がパターン形成面Ｒａの一部に向けて噴射される。そして、噴射された清掃用媒体及びパターン形成面Ｒａの一部から除去された異物は、回収部７２を介して回収される。したがって、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに清掃用媒体を衝突させることにより、該パターン形成面Ｒａから異物を除去することができる。
【００６０】
（２）回収部７２は、清掃用媒体噴射部７０の周辺に配置されている。そのため、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃すべく清掃用媒体噴射部７０から噴射された清掃用媒体を、回収部７２を介して効率良く回収できる。したがって、清掃用媒体が清掃用空間Ｓｐ外に漏れ出ることを抑制でき、ひいてレチクルＲの清掃に伴うチャンバ１３内の真空度の低下を抑制できる。
【００６１】
（３）回収部７２の回収口７２ａは、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように環状に形成されている。しかも、回収口７２ａは、環境形成部材６１の筒状部６１ｂにおいてレチクルＲに対向する側の端部に形成されている。そのため、清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物が清掃用空間Ｓｐ外に流出することを抑制でき、ひいては清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物を、効率良く回収できる。
【００６２】
（４）さらに、環境形成部材６１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａとの間に、ほんの僅かな隙間Ｈ６（例えば、５μｍ程度）を介在させた状態で配置される。そのため、隙間Ｈ６が、清掃用空間Ｓｐ内から外部に漏出しようとする気体（使用済みとなった清掃用媒体及び環境形成用気体）に対して流動抵抗として作用し、結果として、上記気体は、回収部７２を介してチャンバ１３外に排出される。そのため、清掃用媒体が清掃用空間Ｓｐ外に漏出することを抑制できる。
【００６３】
（５）第１タンク６３から第１供給管路７６を介して清掃用媒体噴射部７０に供給される清掃用媒体は、温度の上昇によって状態を変化させる。そのため、第１タンク６３から第１供給管路７６を介して清掃用媒体噴射部７０に供給される過程で、清掃用媒体の温度が上昇し過ぎてしまうと、清掃用媒体は、清掃用媒体噴射部７０内に流入した時点で気化している可能性がある。この点、本実施形態では、第１供給装置６４の筒部材７８によって、第１供給管路７６の環境（特に温度）を、第１タンク６３内の環境（特に温度）に接近させることができる。そのため、第１タンク６３から供給される液状の清掃用媒体のうち、第１供給管路７６内で気化する清掃用媒体の量を少なくできる。したがって、レチクルＲに清掃用媒体を確実に衝突させることができ、レチクルＲを好適に清掃できる。
【００６４】
（６）また、清掃用空間Ｓｐは、レチクルＲと環境形成部材６１とによって、チャンバ１３内の環境と分離される。そのため、清掃時では、清掃用空間Ｓｐ内の環境は、チャンバ１３内の環境と大きく異なる。具体的には、清掃用空間Ｓｐ内の温度は、チャンバ１３内の温度よりも低い。そのため、清掃用空間Ｓｐを形成しないで清掃用媒体をレチクルＲに噴射する場合と比較して、レチクルＲに衝突する清掃用媒体の量を増大させることができる。例えば、清掃用媒体として二酸化炭素を用いる場合、レチクルＲに衝突するドライアイスの量を増大させることができる。したがって、レチクルＲの清掃効率を向上させることができる。
【００６５】
（７）さらに、清掃用媒体は、レチクルＲよりも低温である。そのため、レチクルＲを清掃する目的で清掃用媒体をレチクルＲに噴射することにより、レチクルＲを冷却することができる。したがって、レチクルＲの熱膨張に起因したパターンの像の乱れを抑制でき、ウエハＷに対して適切なパターンを形成させることができる。
【００６６】
（８）また、レチクルＲの清掃時には、レチクルＲに向けて清掃用媒体及び環境形成用気体が噴射されるため、レチクルＲを効率良く冷却できる。したがって、レチクルＲに露光光ＥＬを照明する露光処理中のレチクルＲの温度を、所望の温度範囲内に抑えることができる。また、その温度範囲内で、レチクル基板の温度膨張係数を最小に設定することで、レチクルＲの熱膨張に起因したパターンの像のディストーション、重ね誤差を抑制でき、ウエハＷに対して適切なパターンを形成させることができる。
【００６７】
（９）レチクル基板としては、例えば、低熱膨張素材のガラスが用いられる。低熱膨張素材のガラスは、設計温度付近での温度変化に対して素材の膨張が少なく、それ以外の温度では、温度変化に対する素材の膨張が大きくなる。そのため、レチクルＲの実使用時の温度範囲をなるべく狭くし、平均温度を、温度変化に対する素材の膨張が最も少ない温度に設定することが望ましい。この点、本実施形態では、レチクルＲに露光光ＥＬが照射されない非露光処理中（例えば、ウエハ交換中やスキャンブランキング動作中等）に、環境形成用気体と清掃用気体とを用いて、レチクルＲが冷却される。そのため、レチクルＲに露光光ＥＬを照射する露光処理中の温度範囲を、所望の温度範囲まで狭くすることができる。すなわち、レチクルＲを、該レチクルＲが最も膨張しにくい温度範囲で使用することができる。
【００６８】
（１０）もし仮に露光処理を行うショット領域の変更時にレチクルＲを清掃しないとすると、パターン形成面Ｒａに異物が付着した状態で露光処理が開始されるおそれがある。この場合、パターン形成面Ｒａに付着した異物の影響によって、一つのウエハＷが全て不良となるおそれがある。この点、本実施形態では、ウエハＷにパターンを形成するショット領域を変更すべくウエハＷが移動している間に、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。そのため、一つのウエハＷの全ての部分が不良となる可能性を低くすることができる。
【００６９】
（１１）また、このように短い間隔でレチクルＲが清掃されることにより、パターン形成面Ｒａに異物が付着したとしても、該異物を速やかに該パターン形成面Ｒａから取り除くことができる。
【００７０】
（１２）また、本実施形態では、ウエハＷの交換時にも、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。そのため、パターン形成面Ｒａに異物が付着した状態で、ウエハＷへの露光処理が開始される可能性を低くできる。また、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに異物が付着することによるウエハＷのロット不良を防止することができる。１ロットは少なくともウエハ２５枚程度なので、半導体メーカにとって大きなロスとなる。
【００７１】
（１３）一般的に、レチクル保持装置１５としては、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂに密接する吸着面を有する静電吸着保持装置を備える装置が広く知られている。こうした静電吸着保持装置では、パターン形成面Ｒａの平面度を向上させるためには吸着面の平面度を限りなく高くさせる必要がある。しかも、吸着面の平面度は、静電吸着保持装置の個体毎に僅かに変わってしまう。すなわち、上記静電吸着保持装置を用いてレチクルＲを保持する方法では、パターン形成面Ｒａの平面度は、静電吸着保持装置の吸着面の平面度に依存するため、個体毎に値が異なる可能性が高い。この点、本実施形態のレチクル保持装置１５は、レチクルＲの端部を各把持部４０Ａ，４０Ｂによって把持する構成である。そのため、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの平面度が、レチクル保持装置１５の個体毎に変わってしまうことを抑制できる。
【００７２】
（１４）また、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの平面度がレチクル保持装置１５の個体毎に変わることが抑制されるため、露光処理時に、レチクルＲにおいて露光光ＥＬで照明される位置、即ち照明領域の高さを容易に補正できる。したがって、ウエハＷに適切な形状のパターンを形成することができる。
【００７３】
また、レチクルＲの縁部を把持しつつ、ウエハＷの交換中にレチクルＲの冷却と清掃とを行うことができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図９及び図１０に基づき説明する。なお、第２の実施形態は、環境形成部材の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００７４】
図９及び図１０（ａ）に示すように、本実施形態の清掃装置６０は、平面視略正方形状の底部９０ａ及び四角筒状の筒状部９０ｂを有する環境形成部材９０を備えている。この環境形成部材９０において＋Ｚ方向側に開口する開口部９０ｃは、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの第１領域Ｒ１と同一形状、又は第１領域Ｒ１よりも僅かに大きな形状とされている。底部９０ａには、複数個（図９では８１個）の清掃用媒体噴射部７０が形成されている。本実施形態では、各清掃用媒体噴射部７０は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って等間隔にそれぞれ配置されている。また、底部９０ａの端部（図９では右上の端部）には、環境形成用気体供給部７１が形成されている。
【００７５】
環境形成部材９０の筒状部９０ｂにおいて＋Ｚ方向側の端面側には、回収部７２が形成されている。本実施形態の回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０及び環境形成用気体供給部７１を包囲するように配置される複数（本実施形態では４つ）の回収口９１を備えている。各回収口９１は、筒状部９０ｂの＋Ｚ方向側の端面の長手方向に沿って延びるように形成されている。そして、各回収口９１は、回収通路７３を介して回収用管路８４に連通されている。
【００７６】
また、筒状部９０ｂの＋Ｚ方向側の端面において各回収口９１の外周側には、弾性を有する材料（例えば、合成樹脂）で構成される四角環状の緩衝部材９２が設けられている。この緩衝部材９２は、環境形成部材９０をレチクルＲのパターン形成面Ｒａに対向して配置した場合に、該パターン形成面Ｒａの第２領域Ｒ２に当接される。すなわち、本実施形態では、図１０（ｂ）に示すように、環境形成部材９０とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとの間に、隙間が形成されない。
【００７７】
本実施形態では、清掃装置６０を用いてレチクルＲを清掃する場合、環境形成部材９０は、清掃用移動装置６２の駆動によって、退避位置から清掃位置に移動する。このとき、環境形成部材９０の開口部９０ｃは、パターン形成面Ｒａのうち第１領域Ｒ１に対向している。そのため、第１領域Ｒ１の清掃時には、レチクルＲに対して環境形成部材９０を相対的に移動させなくてもよい。
【００７８】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）（２）（５）〜（１４）と同等の効果に加え、以下に示す効果を得ることができる。
（１５）回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように配置される複数の回収口９１を備えている。そのため、清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物が清掃用空間Ｓｐ外に流出することを抑制でき、ひいては清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物を、効率良く回収できる。
【００７９】
（１６）また、本実施形態の環境形成部材９０には、緩衝部材９２が設けられている。そのため、本実施形態では、環境形成部材９０を清掃位置に配置させることにより、チャンバ１３内の環境とは分離された清掃用空間Ｓｐが形成される。したがって、清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物が清掃用空間Ｓｐ外に流出することを抑制でき、ひいては清掃後にチャンバ１３内の真空度が低くなることを抑制できる。
【００８０】
（１７）本実施形態では、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃時に、該レチクルＲに対して環境形成部材９０を相対的に移動させなくてもよい。そのため、上記第１の実施形態の場合と比較して、レチクルＲの第１領域Ｒ１の各位置に清掃用媒体を噴射できる時間を長くできる。したがって、ウエハＷの交換時やショット領域の変更時などのように限られた時間の中で、レチクルＲの第１領域Ｒ１を清掃する時間を長く確保でき、ひいては第１領域Ｒ１に異物が付着した状態で露光処理が行われる可能性を低くできる。
【００８１】
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・各実施形態において、各把持部４０Ａ，４０Ｂは、レチクルＲを把持するために静電吸着力を利用する構成であってもよい。この場合、第１把持部４０Ａ及び第２把持部４０Ｂの各当接部４１，４２は、誘電性材料で形成されると共に、各当接部４１，４２内には、電極が設けられる。そして、電極に電圧が印加されることにより、各当接部４１，４２の当接面４１ａ，４２ａが吸着面として機能する。その結果、レチクルＲは、各把持部４０Ａ，４０Ｂによって保持される。なお、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂには、導電層を形成すると共に、パターン形成面Ｒａの第２領域Ｒ２にも、導電層を形成することが好ましい。
【００８２】
・各実施形態において、各把持部４０Ａ，４０Ｂは、電磁力でもって、レチクルＲを把持する構成であってもよい。例えば、第１当接部４１を鉄などの磁石で吸引可能な部材とし、第２当接部４２を電磁石としてもよい。
【００８３】
・各実施形態において、レチクル保持装置１５は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂに対向する吸着面を有する静電吸着保持装置を備えた構成でもよい。この静電吸着保持装置は、ウエハＷを保持する静電吸着保持装置３６と略同一構成でもよい。
【００８４】
・各実施形態において、レチクル保持装置１５の第２当接部４２は、レチクル移動装置２５に支持されてもよい。これによって、レチクル移動装置２５と第２当接部４２とを一体的に接合することができる。また、支点部４８又はアクチュエータ４９の少なくとも一方を、レチクル移動装置２５に支持させてもよい。この場合、アクチュエータ４９の駆動によって、第１当接部４１が、第２当接部４２に接離する方向に回動することになる。
【００８５】
・第１の実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃する場合には、清掃用移動装置６２の駆動によって、環境形成部材９０をパターン形成面Ｒａに沿う方向に移動させてもよい。また、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃する場合には、レチクル移動装置２５及び清掃用移動装置６２を協働させることにより、環境形成部材９０をレチクルＲに対して相対移動させてもよい。
【００８６】
・各実施形態において、環境形成部材６１，９０の設置位置をレチクルＲのＹ軸方向において異なる位置に設置するのであれば、清掃用移動装置６２を設けなくてもよい。この場合、レチクルＲの清掃時において該レチクルＲを、レチクル移動装置２５の駆動によって、環境形成部材６１，９０の設置位置まで移動させてもよい。
【００８７】
・第２の実施形態において、緩衝部材９２は、環状をなす構成でなくてもよい。例えば、リブ状をなす複数の緩衝部材を、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように配置してもよい。
【００８８】
・第２の実施形態において、緩衝部材９２を省略してもよい。
・各実施形態において、環境形成用気体は、ヘリウム以外の他の気体（例えば、窒素や空気）であってもよい。また、環境形成用気体は、ヘリウム、窒素及び空気のうち少なくとも二つを含んだ気体であってもよい。
【００８９】
・各実施形態において、環境形成用気体によって、レチクルＲを冷却させてもよい。この場合、環境形成用気体の温度は、レチクルＲの温度に対して厳密に制御する必要があるので、環境形成部材６１の金属部分とレチクルＲのパターン形成面Ｒａの温度、清掃用気体と環境形成用気体の温度及び圧力等を正確にモニタし、該モニタ結果に基づき調整される。
【００９０】
・各実施形態において、環境形成用気体を供給しなくてもよい。この場合、環境形成部材６１，９０には環境形成用気体供給部７１を設けなくてもよいし、第２供給装置６６を設けなくてもよい。このように構成しても、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに清掃用媒体を噴射することにより、レチクルＲを冷却することができる。
【００９１】
・各実施形態において、清掃用媒体は、常温で気体であって、且つ冷却すると固化する媒体であれば二酸化炭素以外の他の任意の媒体（例えば、アルゴン）であってもよい。また、清掃用媒体は、二酸化炭素とアルゴンとを共に含んでもよい。
【００９２】
・各実施形態において、清掃用媒体は、温度の変化によって液体から気体に気化する媒体（一例として、液体窒素）であってもよい。この場合、清掃用媒体噴射部７０からは、液体窒素が噴射される。すると、レチクルＲのパターン形成面Ｒａには、液状の窒素と気体状の窒素とが入り混じった状態で衝突することになる。このように構成することにより、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃することができると共に、レチクルＲを冷却することができる。
【００９３】
・各実施形態において、第１供給装置は、液状の二酸化炭素を環境形成部材６１，９０に供給可能な構成であれば任意の構成であってもよい。例えば、図１１に示すように、第１供給装置６４Ａは、第１供給管路７６を包囲する筒状の保護用管路１００を設け、第１供給管路７６の外周面と保護用管路１００の内周面との間の隙間１０１で冷媒（例えば、液体窒素）を流通させてもよい。
【００９４】
・各実施形態において、第１供給装置は、第１供給管路７６内の環境を第１タンク６３内の環境に接近させるための構成を設けなくてもよい。
・各実施形態において、回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０を包囲して配置される構成であれば、筒状部６１ｂ，９０ｂよりも内側に配置してもよい。
【００９５】
・第２の実施形態において、回収部７２は、環状の回収口を備えた構成であってもよい。
・第１の実施形態において、回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように配置される複数の回収口を備えた構成であってもよい。
【００９６】
・各実施形態において、清掃用媒体噴射部７０は、環境形成部材６１，９０とは別体に設けたものであってもよい。同様に、環境形成用気体供給部７１は、環境形成部材６１，９０とは別体に設けたものであってもよい。さらに、回収部７２は、環境形成部材６１，９０とは別体に設けたものであってもよい。
【００９７】
・各実施形態において、清掃用媒体噴射部７０を、千鳥配置してもよい。
・各実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃を、ウエハＷの交換時に行わなくてもよい。この場合であっても、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃は、露光処理を行うショット領域の変更時に行われる。
【００９８】
・各実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃を、露光処理を行うショット領域の変更時に行わなくてもよい。この場合であっても、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃は、ウエハＷの交換時に行われる。
【００９９】
・第１の実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃と、レチクルＲの反射面のカーボンコンタミ除去とを並行して行ってもよい。例えば、環境形成部材６１内にカーボンコンタミ除去用の光源を設け、カーボンコンタミ除去用の光源からの光をレチクルＲのパターン形成面Ｒａに照射させてもよい。この場合、清掃用空間Ｓｐ内には酸素が供給される。
【０１００】
また、カーボンコンタミ除去用の光源及び酸素の供給装置を環境形成部材６１外に設け、レチクルＲのパターン形成面Ｒａにおいて清掃用媒体による清掃が行われていない部分をカーボンコンタミ除去用の光源から光で照射してもよい。
【０１０１】
・第２の実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃と、レチクルＲの反射面のカーボンコンタミの除去とを並行して行ってもよい。例えば、環境形成部材９０内にカーボンコンタミ除去用の光源を設け、カーボンコンタミ除去用の光源からの光をレチクルＲのパターン形成面Ｒａに照射させてもよい。この場合、清掃用空間Ｓｐ内には酸素が供給される。
【０１０２】
・各実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃を、非露光処理時に、メンテナンス処理の一環として行ってもよい。
・各実施形態において、チャンバ１３内に該チャンバ１３内の環境とは隔離（分離）された清掃用室を設け、該清掃用室内に清掃用媒体噴射部７０及び回収部７２を設置してもよい。この場合、レチクルＲの清掃時には、レチクルＲを清掃用室内に移動させる。
【０１０３】
・本発明の清掃装置６０を用いて、照明光学系１４及び投影光学系１６が備えるミラー１９，２１〜２４，３０〜３５の光学面（反射面）を清掃してもよい。例えば、図１２に示すように、ミラーＭの反射面Ｍａは、凹状をなしていたり、凸状をなしていたりする。そのため、環境形成部材１１０は、ミラーＭの反射面Ｍａに対向する側の部位が反射面Ｍａの形状に対応した形状となるように構成される。このとき、環境形成部材１１０は、反射面Ｍａ全体に対向配置可能な形状であってもよいし、反射面Ｍａの一部に対向配置可能な形状であってもよい。また、本発明の清掃装置６０を用いた照明光学系１４及び投影光学系１６が備えるミラー１９，２１〜２４，３０〜３５の光学面（反射面）の清掃と、これらのミラーの光学面のカーボンコンタミの除去とを並行して行ってもよい。例えば、環境形成部材６１，９０の少なくとも一部にカーボンコンタミ除去用の光源を設け、カーボンコンタミ除去用の光をミラーの光学面に照射してもよい。さらに、ミラー１９，２１〜２４，３０〜３５の光学面（反射面）の清掃と、これらのミラーの光学面のカーボンコンタミの除去とが行われている間に、レチクルＲの清掃を行ってもよい。
【０１０４】
・各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
・各実施形態において、光源装置１２で用いられるＥＵＶ光発生物質は、気体状の錫（Ｓｎ）でもよいし、液体状又は固体状の錫でもよい。また、ＥＵＶ光発生物質として、キセノン（Ｘｅ）を用いてもよい。
【０１０５】
・各実施形態において、光源装置１２は、放電型プラズマ光源を有する装置でもよい。
・各実施形態において、光源装置１２は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
【０１０６】
この場合、照明光学系や投影光学系は、光学部材としてレンズを備えることになる。こうしたレンズの光学面を、本発明の清掃装置で清掃してもよい。
・各実施形態において、露光装置１１を、ステップ・アンド・リピート方式の装置に具体化してもよい。
【０１０７】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１３は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【０１０８】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【０１０９】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【０１１０】
図１４は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）においては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０１１１】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【符号の説明】
【０１１２】
１１…露光装置、１３…チャンバ、１４…照明光学系、１５…マスク保持装置としてのレチクル保持装置、１６…投影光学系、１９，２１〜２４…第１光学部材としてのミラー、２５…移動装置としてのレチクル移動装置、３０〜３５…第２光学部材としてのミラー、４０Ａ…第１把持部、４０Ｂ…第２把持部、４１…第１当接部、４２…第２当接部、６０…清掃装置、６１，９０，１１０…環境形成部材、６１ｃ，９０ｃ…開口部、６３…貯留部としての第１タンク、６４，６４Ａ…第１供給装置、７０…噴射部としての清掃用媒体噴射部、７１…供給部としての環境形成用気体供給部、７２…回収部、７２ａ，９１…回収口、７６…供給流路としての第１供給管路、７８…環境調整部材としての筒部材、９２…緩衝部材、１００…環境調整部材としての保護用管路、ＥＬ…放射ビームとしての露光光、Ｍ…光学部材としてのミラー、Ｍａ…光学面としての反射面、Ｒ…光学部材、マスクとしてのレチクル、Ｒ１…第１領域、Ｒ２…第２領域、Ｒａ…光学面としてのパターン形成面、Ｒｂ…反対側の面、Ｓｐ…清掃用環境としての清掃用空間、Ｗ…物体としてのウエハ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学部材の光学面を清掃する清掃装置及び清掃方法に関する。また、本発明は、清掃装置を備える露光装置、清掃方法を含む露光方法及び露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するためのリソグラフィ工程では、パターンを感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に形成する露光装置が用いられる。こうした露光装置には、レンズ、ミラー及びマスクなどの光学部材が設けられている。そして、光学部材の光学面に異物が付着した場合、該異物の影響によって、基板に適切な形状のパターンを形成できなかったり、基板を照射する露光光の光量が低下したりするおそれがある。そこで、近年では、光学部材の光学面から異物を除去すべく該光学部材を清掃する装置として、例えば特許文献１に記載のクリーンニングシステムが提案されている。このクリーンニングシステムは、雪の粒子、例えば、炭酸ガス又はアルゴン等を光学部材に提供するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１０８６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このようなクリーンシステムを大気とは異なる雰囲気（一例として、真空雰囲気）に設定されたチャンバ内で使用する場合には、ノズルから提供される雪の粒子の状態（気化する等）が変化してしまうおそれがあった。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光学部材の光学面から異物を効率よく除去することができる清掃装置、露光装置、清掃方法、露光方法及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１４に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の清掃装置は、チャンバ（１３）内に設けられる光学部材（１９，２１〜２４，３０〜３５，Ｍ，Ｒ）の光学面（Ｍａ，Ｒａ）を清掃する清掃装置（６０）であって、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に対向して配置されることにより、前記チャンバ（１３）内の環境から分離された清掃用環境（Ｓｐ）を形成する環境形成部材（６１，９０，１１０）と、前記清掃用環境（Ｓｐ）内で前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射する噴射部（７０）と、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体及び前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物を回収する回収部（７２）と、を備えることを要旨とする。
【０００７】
本発明の清掃方法は、チャンバ（１３）内に設けられる光学部材（１９，２１〜２４，３０〜３５，Ｍ，Ｒ）の光学面（Ｍａ，Ｒａ）を清掃する清掃方法であって、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に対向する位置に、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境（Ｓｐ）を形成する環境形成工程（Ｓ１３，Ｓ１６）と、前記清掃用環境（Ｓｐ）内で前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射し、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体と前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物とを回収する清掃工程（Ｓ１４，Ｓ１７）と、を有することを要旨とする。
【０００８】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、光学部材の光学面から異物を効率良く除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態における露光装置を示す概略構成図。
【図２】（ａ）はレチクル保持装置を示す概略構成図、（ｂ）はレチクル保持装置に保持されるレチクルを模式的に示す平面図。
【図３】第１の実施形態における清掃装置を示す概略構成図。
【図４】（ａ）は環境形成部材を模式的に示す平面図、（ｂ）は図４（ａ）の４−４線矢視断面図。
【図５】第１供給装置を模式的に示す断面図。
【図６】露光装置の電気的構成を説明するブロック図。
【図７】第１の実施形態における露光処理ルーチンを説明するフローチャート。
【図８】（ａ）は第１の実施形態においてレチクルのパターン形成面が清掃される様子を示す模式図、（ｂ）は図８（ａ）の要部を拡大した拡大図。
【図９】第２の実施形態における環境形成部材を模式的に示す平面図。
【図１０】（ａ）は環境形成部材をレチクルのパターン形成面に対向して配置した状態を模式的に示す側断面図、（ｂ）は図１０（ａ）の要部を拡大した拡大図。
【図１１】別の実施形態における第１供給装置を示す概略構成図。
【図１２】ミラーの反射面を清掃するための環境形成部材を模式的に示す側断面図。
【図１３】デバイスの製造例のフローチャート。
【図１４】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
以下に、本発明を具体化した一実施形態について図１〜図８に基づき説明する。なお、本実施形態では、投影光学系の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向をＹ軸方向とし、その走査方向に直交する非走査方向をＸ軸方向として説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向ともいう。
【００１２】
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、光源装置１２から射出される、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置である。こうした露光装置１１は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ１３（図１では二点鎖線で囲まれた部分）を備えている。このチャンバ１３内には、光源装置１２からチャンバ１３内に供給された露光光ＥＬで所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを照明する照明光学系１４と、パターンの形成されたパターン形成面Ｒａが−Ｚ方向側（図１では下側）に位置するようにレチクルＲを保持するレチクル保持装置１５とが設けられている。また、チャンバ１３内には、レチクルＲを介した露光光ＥＬでレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを照射する投影光学系１６と、露光面（感光性材料が塗布されたウエハ表面）Ｗａが＋Ｚ方向側（図１では上側）に位置するようにウエハＷを保持するウエハ保持装置１７とが設けられている。
【００１３】
光源装置１２は、波長が５〜２０ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして出力する装置であって、図示しないレーザ励起プラズマ光源を備えている。このレーザ励起プラズマ光源では、例えば半導体レーザ励起を利用したＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザで高密度のＥＵＶ光発生物質（ターゲット）を照射することによりプラズマが発生され、該プラズマからＥＵＶ光が露光光ＥＬとして放射される。こうした露光光ＥＬは、図示しない集光光学系によって集光されてチャンバ１３内に出力される。
【００１４】
照明光学系１４は、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体１８（図１では一点鎖線で囲まれた部分）を備えている。この筐体１８内には、光源装置１２から出力された露光光ＥＬを集光するコリメート用ミラー１９が設けられており、該コリメート用ミラー１９は、入射した露光光ＥＬを略平行に変換してオプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系２０（図１では破線で囲まれた部分）に向けて射出する。このフライアイ光学系２０は、一対のフライアイミラー２１，２２を備えており、該各フライアイミラー２１，２２のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー２１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａと光学的に共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー２１で反射された露光光ＥＬは、射出側に配置される射出側フライアイミラー２２に入射する。
【００１５】
また、照明光学系１４には、射出側フライアイミラー２２から射出された露光光ＥＬを筐体１８外に射出するコンデンサミラー２３が設けられている。そして、コンデンサミラー２３から射出された露光光ＥＬは、後述する鏡筒２９内に設置された折り返し用の反射ミラー２４により、レチクル保持装置１５に保持されるレチクルＲに導かれる。
【００１６】
レチクル保持装置１５は、投影光学系１６の物体面側に配置されている。なお、レチクル保持装置１５の構成については、後述する。
また、レチクル保持装置１５は、レチクル移動装置２５の駆動によって、Ｙ軸方向（図１における左右方向）に移動可能である。すなわち、レチクル移動装置２５は、レチクル保持装置１５に保持されるレチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、レチクル移動装置２５は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）、Ｚ軸方向及びθｚ方向に微動させることが可能である。なお、レチクルＲのパターン形成面Ｒａが露光光ＥＬで照明される場合、該パターン形成面Ｒａの一部には、Ｘ軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。
【００１７】
また、レチクル保持装置１５の近傍には、レチクルＲのパターン形成面Ｒａのうち、露光光ＥＬで照明される照明領域のＺ軸方向における位置、即ち照明領域の高さを計測するための計測装置２６が設けられている。この計測装置２６は、Ｚ軸方向と交差する方向に向けて計測光（図１では破線矢印で示す。）を発光する複数（図１では１つのみ図示）の発光器２７（例えばハロゲンランプやレーザ）と、レチクルＲの照明領域の各位置で反射された計測光を受光可能な複数（図１では１つのみ図示）の受光器２８（例えばＣＣＤ）とを備えている。そして、各受光器２８は、レチクルＲの照明領域にて反射した計測光を受光した際の受光位置に応じた検出信号を後述する制御装置ＣＯＮＴに出力する。
【００１８】
投影光学系１６は、露光光ＥＬでレチクルＲのパターン形成面Ｒａを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系であって、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒２９を備えている。この鏡筒２９内には、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー３０，３１，３２，３３，３４，３５が収容されている。これら各ミラー３０〜３５は、図示しないミラー保持装置を介して鏡筒２９にそれぞれ保持されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、ミラー３０、ミラー３１、ミラー３２、ミラー３３、ミラー３４、ミラー３５の順に反射され、ウエハ保持装置１７に保持されるウエハＷの露光面Ｗａに導かれる。
【００１９】
照明光学系１４及び投影光学系１６が備える各ミラー１９，２１〜２４，３０〜３５のミラー面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。これら各反射層は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜をそれぞれ有している。
【００２０】
ウエハ保持装置１７は、ウエハＷを静電吸着するための静電吸着保持装置３６を備えている。この静電吸着保持装置３６は、誘電性材料で形成され且つ吸着面３７ａを有する基体３７と、該基体３７内に配置される図示しない複数の電極部とを有している。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体３７から発生されるクーロン力により、吸着面３７ａにウエハＷが静電吸着される。また、ウエハ保持装置１７には、静電吸着保持装置３６を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向（図１では上下方向）における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。
【００２１】
こうしたウエハ保持装置１７は、ウエハ移動装置３８によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、ウエハ移動装置３８は、静電吸着保持装置３６に保持されるウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、ウエハ移動装置３８は、静電吸着保持装置３６に保持されるウエハＷをＸ軸方向に所定ストロークで移動させることが可能であるとともに、Ｚ軸方向に微動させることが可能である。
【００２２】
そして、ウエハＷの一つのショット領域にレチクルＲのパターンを形成する場合、照明光学系１４によって照明領域をレチクルＲに形成した状態で、レチクル移動装置２５の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向（例えば、＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側）に所定ストローク毎に移動させる。また同時に、ウエハ移動装置３８の駆動によって、ウエハＷをレチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系１６の縮小倍率に応じた速度比でＹ軸方向（例えば、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側）に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
【００２３】
次に、本実施形態のレチクル保持装置１５について説明する。
図２（ａ）（ｂ）に示すように、レチクル保持装置１５は、レチクルＲにおいてパターン形成面Ｒａに沿う方向であるＸ軸方向における一方側（図２（ａ）では右側）を把持する第１把持部４０Ａと、レチクルＲにおいてＸ軸方向における他方側（図２（ａ）では左側）を把持する第２把持部４０Ｂとを備えている。これら各把持部４０Ａ，４０Ｂは、レチクルＲを挟んで互いに対向する第１当接部４１及び第２当接部４２を有している。第１当接部４１は、レチクルＲを所望の位置に設置するために、剛性の高い材料、例えば、ステンレス、アルミニウム、セラミックで形成されている。また、第２当接部４２は、レチクルＲをレチクル保持装置１５から着脱する際におけるレチクルＲの損傷を抑制するために、剛性の低い材料、例えば、デルリン（登録商標）、ポリイミド、導電性ポリイミドで形成されている。なお、第１当接部４１及び第２当接部４２は、これらの材料又はこれらの材料の組み合わせで形成したものであってもよい。また、第１当接部４１及び第２当接部４２の当接面４１ａ，４２ａは、研削又は研磨加工され、所望の面精度に仕上げられた面であってもよい。
【００２４】
第１当接部４１及び第２当接部４２は、パターン形成面Ｒａに沿う方向であって且つＸ軸方向と直交（交差）するＹ軸方向に延設されている。また、第１当接部４１及び第２当接部４２においてレチクルＲに当接する当接面４１ａ，４２ａ側には、Ｙ軸方向に沿って延びる複数（本実施形態では２つ）の溝部４３が形成されている。第１当接部４１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａのうち所定のパターンが形成される略正方形状の第１領域Ｒ１（図２（ｂ）では二点鎖線で囲まれた領域）を包囲するように形成された第２領域Ｒ２に当接するように配置されている。一方、第２当接部４２は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂ（即ち、＋Ｚ方向側の面）に当接するように配置されている。
【００２５】
また、各把持部４０Ａ，４０Ｂには、レチクル保持装置１５へのレチクルＲの取り付け時及びレチクル保持装置１５からのレチクルＲの取り外し時に駆動する駆動機構４５が設けられている。駆動機構４５は、第１当接部４１を−Ｚ方向側から支持する第１支持部４６と、第２当接部４２を＋Ｚ方向側から支持する第２支持部４７と、第１支持部４６を基準として第２支持部４７を相対的に揺動させるための支点部４８と、第２支持部４７に駆動力を付与すべく駆動するアクチュエータ４９とを備えている。例えば、アクチュエータ４９は、圧電素子、ボイスコイルモータ、電磁ソレノイド、油圧プランジャー、ボールねじと減速歯車と回転モータの組み合わせ等である。
【００２６】
第１支持部４６は、Ｘ軸方向に延びる第１アーム４６ａを有している。第１アーム４６ａの長手方向における第１の端部（即ち、レチクルＲに近い端部）側には、第１当接部４１をＹ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在であって、且つＸ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在な状態で支持する連結部５０が設けられている。また、第１アーム４６ａの長手方向における第２の端部（即ち、レチクルＲに遠い端部）側には、支点部４８が連結されている。
【００２７】
第２支持部４７は、Ｘ軸方向に延びる第２アーム４７ａを有している。第２アーム４７ａの長手方向における第１の端部側には、第２当接部４２をＹ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在であって、且つＸ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在な状態で支持する連結部５１が設けられている。また、第２アーム４７ａの長手方向における第２の端部には、支点部４８が連結されている。
【００２８】
本実施形態では、第１アーム４６ａの連結部５０及び第２アーム４７ａの連結部５１は、Ｙ軸方向に沿った複数の箇所に設けられる。例えば、連結部５０，５１は、Ｙ軸方向に沿って等間隔おきに、２箇所又は３箇所、あるいはそれ以上に設けてもよい。なお、連結部５０，５１の個数及び設置箇所は、例えば、第１当接部４１と第２当接部４２の機械的な剛性やレチクルＲの撓み量等に合わせて決められる。
【００２９】
アクチュエータ４９は、Ｘ軸方向において各当接部４１，４２と支点部４８との間に配置されている。アクチュエータ４９の−Ｚ方向側の端部は、第１支持部４６に支持されると共に、アクチュエータ４９の＋Ｚ方向側の端部は、第２支持部４７に支持されている。そして、アクチュエータ４９は、外部から電圧が印加されることにより、Ｚ軸方向に伸縮可能に構成されている。すなわち、アクチュエータ４９が図２（ａ）に示す状態から伸張した場合には、アクチュエータ４９からの駆動力が増大された状態で第２支持部４７に伝達される。その結果、第２支持部４７に支持される第２当接部４２は、支点部４８を支点としてレチクルＲから離間する方向に移動する。
【００３０】
また、第１当接部４１にレチクルＲが載置された状態でアクチュエータ４９が収縮した場合には、アクチュエータ４９からの駆動力が増大された状態で第２支持部４７に伝達される。そして、第２当接部４２は、支点部４８を支点として第１当接部４１に接近する方向に移動する。その結果、レチクルＲは、第１当接部４１及び第２当接部４２によって挟持される。
【００３１】
このようにレチクルＲをＸ軸方向における両端で保持した場合、レチクルＲのＸ軸方向における中央は、自重によって、−Ｚ方向側（重力方向における下方側）に僅かに変位してしまう。すなわち、レチクルＲが撓んでしまう。しかし、こうしたレチクルＲの撓みは、十分に予測できる。この場合、重力によるレチクルＲの撓みは、他のレチクルＲに交換しても同様に発生する。そのため、制御装置ＣＯＮＴのメモリ（図示略）には、重力によるレチクルＲの撓みとレチクルＲに入射する露光光ＥＬの入射角とにより発生するディストーションを補正できるようなレチクルＲを移動させるための移動プログラム、ウエハＷを移動させるための移動プログラム及び各ミラーの角度調整プログラムなどを記憶させておいてもよい。この場合、レチクル保持装置１５に保持されるレチクルＲが交換される毎に、レチクルＲのＹ軸方向における各位置の高さを、計測装置２６を用いて計測しなくてもよい。
【００３２】
その一方で、レチクルＲ毎に撓み量が異なる可能性がある。この場合、レチクルＲをレチクル保持装置１５で保持させた場合に、レチクル移動装置２５の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向に移動させる。そして、レチクルＲのＹ軸方向における各位置の高さが、計測装置２６を用いて計測される。その結果、制御装置ＣＯＮＴでは、レチクルＲ用の移動プログラム、ウエハＷ用の移動プログラム及び各ミラーの角度調整プログラムなどが一部補正される。
【００３３】
そして、露光処理時では、レチクル移動装置２５は、計測装置２６による計測結果に基づき、レチクルＲのＺ軸方向における位置を微調整しつつ、該レチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。具体的には、レチクル移動装置２５は、レチクルＲにおいて露光光ＥＬで照明される照明領域のＺ軸方向における位置が一定となるように、レチクルＲのＺ軸方向における位置を微調整させる。
【００３４】
また、本実施形態の露光装置１１に使用されるレチクルＲには、パターン形成面Ｒａを保護するためのペリクルが設けられていないため、パターン形成面Ｒａに異物が付着する可能性がある。そのため、本実施形態の露光装置１１には、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの第１領域Ｒ１を清掃する清掃装置が設けられている。そこで次に、清掃装置について説明する。
【００３５】
図３に示すように、清掃装置６０は、環境形成部材６１と、該環境形成部材６１をＹ軸方向に沿って移動させるための清掃用移動装置６２とを備えている。また、清掃装置６０は、チャンバ１３外に配置される第１タンク６３から清掃用媒体を環境形成部材６１に供給するための第１供給装置６４と、チャンバ１３外に配置される第２タンク６５から環境形成用気体を環境形成部材６１に供給するための第２供給装置６６とを備えている。さらに、清掃装置６０は、環境形成部材６１側から、使用済みとなった清掃用媒体及び環境形成用気体と、レチクルＲから除去された異物などとを回収するための回収装置６７を備えている。
【００３６】
なお、環境形成用気体は、清掃用媒体噴射部７０から噴射された清掃用媒体がレチクルＲのパターン形成面Ｒａに適切な状態で衝突するように、環境形成部材６１の内部の圧力や温度等を調整するために用いられる。また、環境形成用気体は、環境形成部材６１の内部に供給されることで、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの熱を効率よく放熱させるために用いられる。
【００３７】
環境形成部材６１は、図４（ａ）（ｂ）に示すように、熱伝導率の高い材料（一例としてアルミニウム）で構成された有底筒状の部材であって、底部６１ａと、該底部６１ａの＋Ｚ方向側に位置する四角筒状の筒状部６１ｂとを有している。すなわち、環境形成部材６１には、＋Ｚ方向側に開口する略矩形状の開口部６１ｃが形成されている。この開口部６１ｃのＸ軸方向における幅Ｈ１は、レチクルＲの第１領域Ｒ１のＸ軸方向における幅Ｈ２（図２（ｂ）参照）と同等、又は該幅Ｈ２よりも僅かに広いと共に、開口部６１ｃのＹ軸方向における幅Ｈ３は、開口部６１ｃのＸ軸方向における幅Ｈ１よりも狭い。また、環境形成部材６１のＸ軸方向における幅Ｈ４は、第１把持部４０Ａの第１当接部４１と第２把持部４０Ｂの第１当接部４１とのＸ軸方向における間隔Ｈ５（図２（ａ）参照）よりも僅かに狭い。つまり、本実施形態の環境形成部材６１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの一部に対向配置可能とされている。
【００３８】
また、環境形成部材６１の底部６１ａには、第１供給装置６４を介して供給された清掃用媒体を噴射するための複数（図４（ａ）では９個のみ図示）の清掃用媒体噴射部７０が形成されている。一例として、各清掃用媒体噴射部７０は、Ｘ軸方向に沿って等間隔に配置されている。こうした清掃用媒体噴射部７０の口径は、後述する第１供給管路７６内の口径よりも小さい。
【００３９】
また、環境形成部材６１の底部６１ａには、第２供給装置６６を介して供給された気体を、環境形成部材６１とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとで囲まれた空間に供給するための環境形成用気体供給部７１が形成されている。一例として、環境形成用気体供給部７１は、底部６１ａのＸ軸方向における端部（図４（ａ）では左端）に配置されている。
【００４０】
また、環境形成部材６１において清掃用媒体噴射部７０の近傍には、清掃用媒体噴射部７０から噴射された清掃用媒体、環境形成用気体供給部７１から供給された環境形成用気体及びレチクルＲから除去された異物を回収するための回収部７２が設けられている。本実施形態では、回収部７２は、環境形成部材６１の筒状部６１ｂのうち＋Ｚ方向側（即ち、レチクルＲに対向する側）の端部に設けられている。また、回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０及び環境形成用気体供給部７１を包囲するように四角環状をなす回収口７２ａを有している。こうした回収部７２は、該回収部７２から−Ｚ方向側に延びる回収通路７３を介して回収装置６７に接続されている。
【００４１】
清掃用移動装置６２は、図３に示すように、環境形成部材６１を、Ｙ軸方向においてレチクル保持装置１５とは異なる位置であってレチクルＲを清掃不能な退避位置と、Ｙ軸方向においてレチクル保持装置１５に対応する位置であってレチクルＲを清掃可能な清掃位置との間で進退移動させる。なお、清掃用移動装置６２の駆動によって環境形成部材６１が清掃位置に配置された場合、図５に示すように、環境形成部材６１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａとの間に、ほんの僅かな隙間Ｈ６（例えば、５μｍ程度）を介在させた状態で配置される。
【００４２】
第１供給装置６４は、図５に示すように、第１タンク６３内から清掃用媒体を吸引する第１ポンプ７５と、該第１ポンプ７５から吐出された清掃用媒体を環境形成部材６１の各清掃用媒体噴射部７０に供給するための第１供給管路７６とを備えている。第１供給管路７６において環境形成部材６１側の部位は、各清掃用媒体噴射部７０に個別対応するように分岐されている。そして、各清掃用媒体噴射部７０からは、同一圧力で清掃用媒体が噴射される。
【００４３】
また、第１ポンプ７５は、第１タンク６３と同様に、チャンバ１３外に配置されている。そのため、第１供給管路７６は、チャンバ１３の側壁に形成された貫通孔１３ａ内を貫通している。第１供給管路７６の外周面と貫通孔１３ａの側面との間には、熱伝導率の低い材料で構成された円環状の封止部材７７が設けられている。この封止部材７７は、貫通孔１３ａと第１供給管路７６との間の隙間を介して外部からチャンバ１３に大気が漏入することを抑制している。
【００４４】
また、第１供給管路７６のうちチャンバ１３内に位置する部分は、熱伝導率の低い材料で構成された筒部材７８によって内包されている。その結果、第１供給管路７６内の温度は、第１タンク６３内と略同等に維持される。なお、図５では、明細書の説明理解の便宜上、回収部７２の図示を省略している。
【００４５】
本実施形態において、清掃用媒体は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに噴射されることで、気化または昇華する性質を有する媒体である。例えば、清掃用媒体は、二酸化炭素を含んでいる。第１タンク６３には、液状の清掃用媒体（例えば、液体の二酸化炭素）が貯留されており、第１ポンプ７５を駆動させることによって、環境形成部材６１の内部に液状の清掃用媒体が供給される。そして、環境形成部材６１の各清掃用媒体噴射部７０から、液状の清掃用媒体が噴射される。例えば、清掃用媒体として二酸化炭素を使用する場合、清掃用媒体噴射部７０から液体の二酸化炭素を噴射すると、液体の二酸化炭素は熱の出入りがない急激な膨張（断熱膨張）を起こし、固体の二酸化炭素（ドライアイス）と気体の二酸化炭素が入り混じった状態となって、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに噴射される。噴射されたドライアイスは、レチクルＲのパターン形成面Ｒａ上の異物に衝突し、気体の二酸化炭素によって、ドライアイスと異物とがレチクルＲのパターン形成面Ｒａから除去される。
【００４６】
第２供給装置６６は、図３に示すように、第２タンク６５内から環境形成用気体を吸引する第２ポンプ８０と、該第２ポンプ８０から吐出された環境形成用気体を環境形成部材６１の環境形成用気体供給部７１に供給するための第２供給管路８１とを備えている。第２ポンプ８０は、第２タンク６５と同様に、チャンバ１３外に配置されている。また、第２タンク６５では、環境形成用気体の温度が室温又は該室温よりも低温で保持されている。なお、本実施形態の環境形成用気体は、例えば、ヘリウムを含んでいる。また、環境形成用気体は、主成分がヘリウム、窒素、ドライエアー、又はこれらの混合物となる気体であってもよい。また、環境形成用気体は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに付着したカーボンコンタミの除去用に酸素を含んでものであってもよい。なお、カーボンコンタミとは、カーボンコンタミネーションの略であり、炭素を主成分とする汚れのことを示す。
【００４７】
回収装置６７は、チャンバ１３外に配置される回収ポンプ８３と、該回収ポンプ８３と環境形成部材６１の回収部７２とを連結する回収用管路８４とを備えている。
次に、本実施形態の露光装置１１を制御する制御装置について説明する。
【００４８】
図６に示すように、制御装置ＣＯＮＴには、レチクル保持装置１５、レチクル移動装置２５、ウエハ移動装置３８、計測装置２６、清掃用移動装置６２及び各ポンプ７５，８０，８３が電気的に接続されている。こうした制御装置ＣＯＮＴには、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭ及びＲＡＭなどを有する制御回路が設けられている。ＲＯＭには、各種制御プログラム及び各種データなどが記憶されている。ＲＡＭには、ＣＰＵが実行するプログラムデータ及びＣＰＵによる演算結果及び処理結果である各種データなどが一時記憶される。
【００４９】
次に、ウエハ保持装置１７に保持されるウエハＷの各ショット領域に順番に露光処理を行う際に制御装置ＣＯＮＴが実行する露光処理ルーチンについて、図７に示すフローチャートに基づき説明する。
【００５０】
ウエハ保持装置１７にウエハＷが設置されると、制御装置ＣＯＮＴは、露光処理ルーチンを実行する。この露光処理ルーチンにおいて、制御装置ＣＯＮＴは、レチクル移動装置２５とウエハ移動装置３８とを協働させることにより、ウエハＷの一つのショット領域に対して露光処理を行う（ステップＳ１０）。一つのショット領域に対する露光処理が完了すると、制御装置ＣＯＮＴは、ウエハＷの全てのショット領域に対する露光処理が完了したか否かを判定する（ステップＳ１１）。
【００５１】
この判定結果が否定判定（ＮＯ）である場合、即ち未だ露光処理が完了していないショット領域が存在する場合、制御装置ＣＯＮＴは、変更工程を行う。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、露光処理を施すショット領域を変更させるべくウエハ移動装置３８の駆動を開始させる（ステップＳ１２）。そして、ショット領域の変更が行われる間に、制御装置ＣＯＮＴは、退避位置に位置する環境形成部材６１を清掃位置に移動させるべく清掃用移動装置６２を制御する清掃準備処理を行う（ステップＳ１３）。環境形成部材６１が清掃位置に移動すると、環境形成部材６１は、環境形成部材６１の内面とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとで囲まれた空間を形成する。この状態で、制御装置ＣＯＮＴが第２ポンプ８０を駆動させると、環境形成部材６１の内面とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとで囲まれた空間に環境形成用気体を供給することによって、清掃用空間（清掃用環境ともいう。）Ｓｐが形成される。この清掃用空間Ｓｐは、チャンバ１３内の環境から分離されている。（図５参照）。したがって、本実施形態では、ステップＳ１３が、環境形成工程に相当する。
【００５２】
続いて、制御装置ＣＯＮＴは、清掃処理を行う（ステップＳ１４）。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、第１ポンプ７５を駆動させると共に、レチクルＲをＹ軸方向に沿って移動させるべくレチクル移動装置２５を駆動させる。続いて、制御装置ＣＯＮＴは、回収ポンプ８３を駆動させる。
【００５３】
すると、環境形成用気体によって形成された清掃用空間Ｓｐ内には、図８（ａ）に示すように、各清掃用媒体噴射部７０からレチクルＲのパターン形成面Ｒａのうち開口部６１ｃに対向する部位に向けて清掃用媒体が噴射される。その結果、レチクルＲのパターン形成面Ｒａには、清掃用媒体が衝突する。こうした清掃用媒体が衝突された状態で、レチクルＲは、Ｙ軸方向に沿って移動する。そして、各清掃用媒体噴射部７０及び環境形成用気体供給部７１から噴射された清掃用媒体及び環境形成用気体は、図８（ｂ）に示すように、回収部７２を介して回収される。このとき、清掃用媒体とレチクルＲとの衝突によって該レチクルＲから異物が剥離された場合、該異物は、清掃用媒体及び環境形成用気体と共に回収部７２を介して回収される。
【００５４】
ちなみに、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに衝突した清掃用媒体は、レチクルＲから熱を受けたり、環境形成部材６１から熱を受けたりして気化する。そして、気化後の清掃用媒体（即ち、炭酸ガス）が、回収部７２を介して回収される。したがって、本実施形態では、ステップＳ１４が、清掃工程に相当する。
【００５５】
図７に戻り、レチクルＲの清掃が完了すると共に、ウエハＷのショット領域の変更が完了すると、制御装置ＣＯＮＴは、各ポンプ７５，８０を停止させた後に、回収ポンプ８３を停止させ、その後、環境形成部材６１を退避位置に移動させるべく清掃用移動装置６２を制御する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、レチクルＲの第１領域Ｒ１の一部（Ｙ軸方向における一端側）を露光光ＥＬで照明できるようにレチクル移動装置２５を駆動させ、その後、その処理を前述したステップＳ１０に移行する。すなわち、本実施形態では、ウエハＷのうち露光処理が行われるショット領域が変更される際に、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。
【００５６】
一方、ステップＳ１１の判定結果が肯定判定（ＹＥＳ）である場合、即ち全てのショット領域に対して露光処理が完了した場合、制御装置ＣＯＮＴは、交換工程を行う。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ウエハ移動装置３８に保持させるウエハＷの交換を開始させる（ステップＳ１５）。そして、ウエハＷの交換が行われている間に、制御装置ＣＯＮＴは、上記ステップＳ１３の処理と同じように、清掃準備処理を行う（ステップＳ１６）。したがって、本実施形態では、ステップＳ１６もまた、環境形成工程に相当する。
【００５７】
続いて、制御装置ＣＯＮＴは、上記ステップＳ１４と同じように、清掃処理を行う（ステップＳ１７）。したがって、本実施形態では、ステップＳ１７もまた、清掃工程に相当する。
【００５８】
その後、レチクルＲの清掃が完了すると共に、ウエハＷの交換が完了すると、制御装置ＣＯＮＴは、各ポンプ７５，８０を停止させた後に、回収ポンプ８３を停止させ、その後、環境形成部材６１を退避位置に移動させるべく清掃用移動装置６２を制御する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、レチクルＲの第１領域Ｒ１の一部（Ｙ軸方向における一端側）を露光光ＥＬで照明できるようにレチクル移動装置２５を駆動させ、その後、その処理を前述したステップＳ１０に移行する。すなわち、本実施形態では、露光処理が行われるウエハＷが交換される際に、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。つまり、ウエハＷを交換する交換工程の間に、レチクルＲが清掃される。
【００５９】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃時では、該パターン形成面Ｒａ側にチャンバ１３内の環境から分離された清掃用空間Ｓｐが形成される。この清掃用空間Ｓｐで清掃用媒体がパターン形成面Ｒａの一部に向けて噴射される。そして、噴射された清掃用媒体及びパターン形成面Ｒａの一部から除去された異物は、回収部７２を介して回収される。したがって、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに清掃用媒体を衝突させることにより、該パターン形成面Ｒａから異物を除去することができる。
【００６０】
（２）回収部７２は、清掃用媒体噴射部７０の周辺に配置されている。そのため、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃すべく清掃用媒体噴射部７０から噴射された清掃用媒体を、回収部７２を介して効率良く回収できる。したがって、清掃用媒体が清掃用空間Ｓｐ外に漏れ出ることを抑制でき、ひいてレチクルＲの清掃に伴うチャンバ１３内の真空度の低下を抑制できる。
【００６１】
（３）回収部７２の回収口７２ａは、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように環状に形成されている。しかも、回収口７２ａは、環境形成部材６１の筒状部６１ｂにおいてレチクルＲに対向する側の端部に形成されている。そのため、清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物が清掃用空間Ｓｐ外に流出することを抑制でき、ひいては清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物を、効率良く回収できる。
【００６２】
（４）さらに、環境形成部材６１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａとの間に、ほんの僅かな隙間Ｈ６（例えば、５μｍ程度）を介在させた状態で配置される。そのため、隙間Ｈ６が、清掃用空間Ｓｐ内から外部に漏出しようとする気体（使用済みとなった清掃用媒体及び環境形成用気体）に対して流動抵抗として作用し、結果として、上記気体は、回収部７２を介してチャンバ１３外に排出される。そのため、清掃用媒体が清掃用空間Ｓｐ外に漏出することを抑制できる。
【００６３】
（５）第１タンク６３から第１供給管路７６を介して清掃用媒体噴射部７０に供給される清掃用媒体は、温度の上昇によって状態を変化させる。そのため、第１タンク６３から第１供給管路７６を介して清掃用媒体噴射部７０に供給される過程で、清掃用媒体の温度が上昇し過ぎてしまうと、清掃用媒体は、清掃用媒体噴射部７０内に流入した時点で気化している可能性がある。この点、本実施形態では、第１供給装置６４の筒部材７８によって、第１供給管路７６の環境（特に温度）を、第１タンク６３内の環境（特に温度）に接近させることができる。そのため、第１タンク６３から供給される液状の清掃用媒体のうち、第１供給管路７６内で気化する清掃用媒体の量を少なくできる。したがって、レチクルＲに清掃用媒体を確実に衝突させることができ、レチクルＲを好適に清掃できる。
【００６４】
（６）また、清掃用空間Ｓｐは、レチクルＲと環境形成部材６１とによって、チャンバ１３内の環境と分離される。そのため、清掃時では、清掃用空間Ｓｐ内の環境は、チャンバ１３内の環境と大きく異なる。具体的には、清掃用空間Ｓｐ内の温度は、チャンバ１３内の温度よりも低い。そのため、清掃用空間Ｓｐを形成しないで清掃用媒体をレチクルＲに噴射する場合と比較して、レチクルＲに衝突する清掃用媒体の量を増大させることができる。例えば、清掃用媒体として二酸化炭素を用いる場合、レチクルＲに衝突するドライアイスの量を増大させることができる。したがって、レチクルＲの清掃効率を向上させることができる。
【００６５】
（７）さらに、清掃用媒体は、レチクルＲよりも低温である。そのため、レチクルＲを清掃する目的で清掃用媒体をレチクルＲに噴射することにより、レチクルＲを冷却することができる。したがって、レチクルＲの熱膨張に起因したパターンの像の乱れを抑制でき、ウエハＷに対して適切なパターンを形成させることができる。
【００６６】
（８）また、レチクルＲの清掃時には、レチクルＲに向けて清掃用媒体及び環境形成用気体が噴射されるため、レチクルＲを効率良く冷却できる。したがって、レチクルＲに露光光ＥＬを照明する露光処理中のレチクルＲの温度を、所望の温度範囲内に抑えることができる。また、その温度範囲内で、レチクル基板の温度膨張係数を最小に設定することで、レチクルＲの熱膨張に起因したパターンの像のディストーション、重ね誤差を抑制でき、ウエハＷに対して適切なパターンを形成させることができる。
【００６７】
（９）レチクル基板としては、例えば、低熱膨張素材のガラスが用いられる。低熱膨張素材のガラスは、設計温度付近での温度変化に対して素材の膨張が少なく、それ以外の温度では、温度変化に対する素材の膨張が大きくなる。そのため、レチクルＲの実使用時の温度範囲をなるべく狭くし、平均温度を、温度変化に対する素材の膨張が最も少ない温度に設定することが望ましい。この点、本実施形態では、レチクルＲに露光光ＥＬが照射されない非露光処理中（例えば、ウエハ交換中やスキャンブランキング動作中等）に、環境形成用気体と清掃用気体とを用いて、レチクルＲが冷却される。そのため、レチクルＲに露光光ＥＬを照射する露光処理中の温度範囲を、所望の温度範囲まで狭くすることができる。すなわち、レチクルＲを、該レチクルＲが最も膨張しにくい温度範囲で使用することができる。
【００６８】
（１０）もし仮に露光処理を行うショット領域の変更時にレチクルＲを清掃しないとすると、パターン形成面Ｒａに異物が付着した状態で露光処理が開始されるおそれがある。この場合、パターン形成面Ｒａに付着した異物の影響によって、一つのウエハＷが全て不良となるおそれがある。この点、本実施形態では、ウエハＷにパターンを形成するショット領域を変更すべくウエハＷが移動している間に、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。そのため、一つのウエハＷの全ての部分が不良となる可能性を低くすることができる。
【００６９】
（１１）また、このように短い間隔でレチクルＲが清掃されることにより、パターン形成面Ｒａに異物が付着したとしても、該異物を速やかに該パターン形成面Ｒａから取り除くことができる。
【００７０】
（１２）また、本実施形態では、ウエハＷの交換時にも、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。そのため、パターン形成面Ｒａに異物が付着した状態で、ウエハＷへの露光処理が開始される可能性を低くできる。また、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに異物が付着することによるウエハＷのロット不良を防止することができる。１ロットは少なくともウエハ２５枚程度なので、半導体メーカにとって大きなロスとなる。
【００７１】
（１３）一般的に、レチクル保持装置１５としては、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂに密接する吸着面を有する静電吸着保持装置を備える装置が広く知られている。こうした静電吸着保持装置では、パターン形成面Ｒａの平面度を向上させるためには吸着面の平面度を限りなく高くさせる必要がある。しかも、吸着面の平面度は、静電吸着保持装置の個体毎に僅かに変わってしまう。すなわち、上記静電吸着保持装置を用いてレチクルＲを保持する方法では、パターン形成面Ｒａの平面度は、静電吸着保持装置の吸着面の平面度に依存するため、個体毎に値が異なる可能性が高い。この点、本実施形態のレチクル保持装置１５は、レチクルＲの端部を各把持部４０Ａ，４０Ｂによって把持する構成である。そのため、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの平面度が、レチクル保持装置１５の個体毎に変わってしまうことを抑制できる。
【００７２】
（１４）また、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの平面度がレチクル保持装置１５の個体毎に変わることが抑制されるため、露光処理時に、レチクルＲにおいて露光光ＥＬで照明される位置、即ち照明領域の高さを容易に補正できる。したがって、ウエハＷに適切な形状のパターンを形成することができる。
【００７３】
また、レチクルＲの縁部を把持しつつ、ウエハＷの交換中にレチクルＲの冷却と清掃とを行うことができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図９及び図１０に基づき説明する。なお、第２の実施形態は、環境形成部材の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００７４】
図９及び図１０（ａ）に示すように、本実施形態の清掃装置６０は、平面視略正方形状の底部９０ａ及び四角筒状の筒状部９０ｂを有する環境形成部材９０を備えている。この環境形成部材９０において＋Ｚ方向側に開口する開口部９０ｃは、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの第１領域Ｒ１と同一形状、又は第１領域Ｒ１よりも僅かに大きな形状とされている。底部９０ａには、複数個（図９では８１個）の清掃用媒体噴射部７０が形成されている。本実施形態では、各清掃用媒体噴射部７０は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って等間隔にそれぞれ配置されている。また、底部９０ａの端部（図９では右上の端部）には、環境形成用気体供給部７１が形成されている。
【００７５】
環境形成部材９０の筒状部９０ｂにおいて＋Ｚ方向側の端面側には、回収部７２が形成されている。本実施形態の回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０及び環境形成用気体供給部７１を包囲するように配置される複数（本実施形態では４つ）の回収口９１を備えている。各回収口９１は、筒状部９０ｂの＋Ｚ方向側の端面の長手方向に沿って延びるように形成されている。そして、各回収口９１は、回収通路７３を介して回収用管路８４に連通されている。
【００７６】
また、筒状部９０ｂの＋Ｚ方向側の端面において各回収口９１の外周側には、弾性を有する材料（例えば、合成樹脂）で構成される四角環状の緩衝部材９２が設けられている。この緩衝部材９２は、環境形成部材９０をレチクルＲのパターン形成面Ｒａに対向して配置した場合に、該パターン形成面Ｒａの第２領域Ｒ２に当接される。すなわち、本実施形態では、図１０（ｂ）に示すように、環境形成部材９０とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとの間に、隙間が形成されない。
【００７７】
本実施形態では、清掃装置６０を用いてレチクルＲを清掃する場合、環境形成部材９０は、清掃用移動装置６２の駆動によって、退避位置から清掃位置に移動する。このとき、環境形成部材９０の開口部９０ｃは、パターン形成面Ｒａのうち第１領域Ｒ１に対向している。そのため、第１領域Ｒ１の清掃時には、レチクルＲに対して環境形成部材９０を相対的に移動させなくてもよい。
【００７８】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）（２）（５）〜（１４）と同等の効果に加え、以下に示す効果を得ることができる。
（１５）回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように配置される複数の回収口９１を備えている。そのため、清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物が清掃用空間Ｓｐ外に流出することを抑制でき、ひいては清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物を、効率良く回収できる。
【００７９】
（１６）また、本実施形態の環境形成部材９０には、緩衝部材９２が設けられている。そのため、本実施形態では、環境形成部材９０を清掃位置に配置させることにより、チャンバ１３内の環境とは分離された清掃用空間Ｓｐが形成される。したがって、清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物が清掃用空間Ｓｐ外に流出することを抑制でき、ひいては清掃後にチャンバ１３内の真空度が低くなることを抑制できる。
【００８０】
（１７）本実施形態では、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃時に、該レチクルＲに対して環境形成部材９０を相対的に移動させなくてもよい。そのため、上記第１の実施形態の場合と比較して、レチクルＲの第１領域Ｒ１の各位置に清掃用媒体を噴射できる時間を長くできる。したがって、ウエハＷの交換時やショット領域の変更時などのように限られた時間の中で、レチクルＲの第１領域Ｒ１を清掃する時間を長く確保でき、ひいては第１領域Ｒ１に異物が付着した状態で露光処理が行われる可能性を低くできる。
【００８１】
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・各実施形態において、各把持部４０Ａ，４０Ｂは、レチクルＲを把持するために静電吸着力を利用する構成であってもよい。この場合、第１把持部４０Ａ及び第２把持部４０Ｂの各当接部４１，４２は、誘電性材料で形成されると共に、各当接部４１，４２内には、電極が設けられる。そして、電極に電圧が印加されることにより、各当接部４１，４２の当接面４１ａ，４２ａが吸着面として機能する。その結果、レチクルＲは、各把持部４０Ａ，４０Ｂによって保持される。なお、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂには、導電層を形成すると共に、パターン形成面Ｒａの第２領域Ｒ２にも、導電層を形成することが好ましい。
【００８２】
・各実施形態において、各把持部４０Ａ，４０Ｂは、電磁力でもって、レチクルＲを把持する構成であってもよい。例えば、第１当接部４１を鉄などの磁石で吸引可能な部材とし、第２当接部４２を電磁石としてもよい。
【００８３】
・各実施形態において、レチクル保持装置１５は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂに対向する吸着面を有する静電吸着保持装置を備えた構成でもよい。この静電吸着保持装置は、ウエハＷを保持する静電吸着保持装置３６と略同一構成でもよい。
【００８４】
・各実施形態において、レチクル保持装置１５の第２当接部４２は、レチクル移動装置２５に支持されてもよい。これによって、レチクル移動装置２５と第２当接部４２とを一体的に接合することができる。また、支点部４８又はアクチュエータ４９の少なくとも一方を、レチクル移動装置２５に支持させてもよい。この場合、アクチュエータ４９の駆動によって、第１当接部４１が、第２当接部４２に接離する方向に回動することになる。
【００８５】
・第１の実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃する場合には、清掃用移動装置６２の駆動によって、環境形成部材９０をパターン形成面Ｒａに沿う方向に移動させてもよい。また、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃する場合には、レチクル移動装置２５及び清掃用移動装置６２を協働させることにより、環境形成部材９０をレチクルＲに対して相対移動させてもよい。
【００８６】
・各実施形態において、環境形成部材６１，９０の設置位置をレチクルＲのＹ軸方向において異なる位置に設置するのであれば、清掃用移動装置６２を設けなくてもよい。この場合、レチクルＲの清掃時において該レチクルＲを、レチクル移動装置２５の駆動によって、環境形成部材６１，９０の設置位置まで移動させてもよい。
【００８７】
・第２の実施形態において、緩衝部材９２は、環状をなす構成でなくてもよい。例えば、リブ状をなす複数の緩衝部材を、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように配置してもよい。
【００８８】
・第２の実施形態において、緩衝部材９２を省略してもよい。
・各実施形態において、環境形成用気体は、ヘリウム以外の他の気体（例えば、窒素や空気）であってもよい。また、環境形成用気体は、ヘリウム、窒素及び空気のうち少なくとも二つを含んだ気体であってもよい。
【００８９】
・各実施形態において、環境形成用気体によって、レチクルＲを冷却させてもよい。この場合、環境形成用気体の温度は、レチクルＲの温度に対して厳密に制御する必要があるので、環境形成部材６１の金属部分とレチクルＲのパターン形成面Ｒａの温度、清掃用気体と環境形成用気体の温度及び圧力等を正確にモニタし、該モニタ結果に基づき調整される。
【００９０】
・各実施形態において、環境形成用気体を供給しなくてもよい。この場合、環境形成部材６１，９０には環境形成用気体供給部７１を設けなくてもよいし、第２供給装置６６を設けなくてもよい。このように構成しても、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに清掃用媒体を噴射することにより、レチクルＲを冷却することができる。
【００９１】
・各実施形態において、清掃用媒体は、常温で気体であって、且つ冷却すると固化する媒体であれば二酸化炭素以外の他の任意の媒体（例えば、アルゴン）であってもよい。また、清掃用媒体は、二酸化炭素とアルゴンとを共に含んでもよい。
【００９２】
・各実施形態において、清掃用媒体は、温度の変化によって液体から気体に気化する媒体（一例として、液体窒素）であってもよい。この場合、清掃用媒体噴射部７０からは、液体窒素が噴射される。すると、レチクルＲのパターン形成面Ｒａには、液状の窒素と気体状の窒素とが入り混じった状態で衝突することになる。このように構成することにより、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃することができると共に、レチクルＲを冷却することができる。
【００９３】
・各実施形態において、第１供給装置は、液状の二酸化炭素を環境形成部材６１，９０に供給可能な構成であれば任意の構成であってもよい。例えば、図１１に示すように、第１供給装置６４Ａは、第１供給管路７６を包囲する筒状の保護用管路１００を設け、第１供給管路７６の外周面と保護用管路１００の内周面との間の隙間１０１で冷媒（例えば、液体窒素）を流通させてもよい。
【００９４】
・各実施形態において、第１供給装置は、第１供給管路７６内の環境を第１タンク６３内の環境に接近させるための構成を設けなくてもよい。
・各実施形態において、回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０を包囲して配置される構成であれば、筒状部６１ｂ，９０ｂよりも内側に配置してもよい。
【００９５】
・第２の実施形態において、回収部７２は、環状の回収口を備えた構成であってもよい。
・第１の実施形態において、回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように配置される複数の回収口を備えた構成であってもよい。
【００９６】
・各実施形態において、清掃用媒体噴射部７０は、環境形成部材６１，９０とは別体に設けたものであってもよい。同様に、環境形成用気体供給部７１は、環境形成部材６１，９０とは別体に設けたものであってもよい。さらに、回収部７２は、環境形成部材６１，９０とは別体に設けたものであってもよい。
【００９７】
・各実施形態において、清掃用媒体噴射部７０を、千鳥配置してもよい。
・各実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃を、ウエハＷの交換時に行わなくてもよい。この場合であっても、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃は、露光処理を行うショット領域の変更時に行われる。
【００９８】
・各実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃を、露光処理を行うショット領域の変更時に行わなくてもよい。この場合であっても、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃は、ウエハＷの交換時に行われる。
【００９９】
・第１の実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃と、レチクルＲの反射面のカーボンコンタミ除去とを並行して行ってもよい。例えば、環境形成部材６１内にカーボンコンタミ除去用の光源を設け、カーボンコンタミ除去用の光源からの光をレチクルＲのパターン形成面Ｒａに照射させてもよい。この場合、清掃用空間Ｓｐ内には酸素が供給される。
【０１００】
また、カーボンコンタミ除去用の光源及び酸素の供給装置を環境形成部材６１外に設け、レチクルＲのパターン形成面Ｒａにおいて清掃用媒体による清掃が行われていない部分をカーボンコンタミ除去用の光源から光で照射してもよい。
【０１０１】
・第２の実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃と、レチクルＲの反射面のカーボンコンタミの除去とを並行して行ってもよい。例えば、環境形成部材９０内にカーボンコンタミ除去用の光源を設け、カーボンコンタミ除去用の光源からの光をレチクルＲのパターン形成面Ｒａに照射させてもよい。この場合、清掃用空間Ｓｐ内には酸素が供給される。
【０１０２】
・各実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃を、非露光処理時に、メンテナンス処理の一環として行ってもよい。
・各実施形態において、チャンバ１３内に該チャンバ１３内の環境とは隔離（分離）された清掃用室を設け、該清掃用室内に清掃用媒体噴射部７０及び回収部７２を設置してもよい。この場合、レチクルＲの清掃時には、レチクルＲを清掃用室内に移動させる。
【０１０３】
・本発明の清掃装置６０を用いて、照明光学系１４及び投影光学系１６が備えるミラー１９，２１〜２４，３０〜３５の光学面（反射面）を清掃してもよい。例えば、図１２に示すように、ミラーＭの反射面Ｍａは、凹状をなしていたり、凸状をなしていたりする。そのため、環境形成部材１１０は、ミラーＭの反射面Ｍａに対向する側の部位が反射面Ｍａの形状に対応した形状となるように構成される。このとき、環境形成部材１１０は、反射面Ｍａ全体に対向配置可能な形状であってもよいし、反射面Ｍａの一部に対向配置可能な形状であってもよい。また、本発明の清掃装置６０を用いた照明光学系１４及び投影光学系１６が備えるミラー１９，２１〜２４，３０〜３５の光学面（反射面）の清掃と、これらのミラーの光学面のカーボンコンタミの除去とを並行して行ってもよい。例えば、環境形成部材６１，９０の少なくとも一部にカーボンコンタミ除去用の光源を設け、カーボンコンタミ除去用の光をミラーの光学面に照射してもよい。さらに、ミラー１９，２１〜２４，３０〜３５の光学面（反射面）の清掃と、これらのミラーの光学面のカーボンコンタミの除去とが行われている間に、レチクルＲの清掃を行ってもよい。
【０１０４】
・各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
・各実施形態において、光源装置１２で用いられるＥＵＶ光発生物質は、気体状の錫（Ｓｎ）でもよいし、液体状又は固体状の錫でもよい。また、ＥＵＶ光発生物質として、キセノン（Ｘｅ）を用いてもよい。
【０１０５】
・各実施形態において、光源装置１２は、放電型プラズマ光源を有する装置でもよい。
・各実施形態において、光源装置１２は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
【０１０６】
この場合、照明光学系や投影光学系は、光学部材としてレンズを備えることになる。こうしたレンズの光学面を、本発明の清掃装置で清掃してもよい。
・各実施形態において、露光装置１１を、ステップ・アンド・リピート方式の装置に具体化してもよい。
【０１０７】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１３は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【０１０８】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【０１０９】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【０１１０】
図１４は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）においては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０１１１】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【符号の説明】
【０１１２】
１１…露光装置、１３…チャンバ、１４…照明光学系、１５…マスク保持装置としてのレチクル保持装置、１６…投影光学系、１９，２１〜２４…第１光学部材としてのミラー、２５…移動装置としてのレチクル移動装置、３０〜３５…第２光学部材としてのミラー、４０Ａ…第１把持部、４０Ｂ…第２把持部、４１…第１当接部、４２…第２当接部、６０…清掃装置、６１，９０，１１０…環境形成部材、６１ｃ，９０ｃ…開口部、６３…貯留部としての第１タンク、６４，６４Ａ…第１供給装置、７０…噴射部としての清掃用媒体噴射部、７１…供給部としての環境形成用気体供給部、７２…回収部、７２ａ，９１…回収口、７６…供給流路としての第１供給管路、７８…環境調整部材としての筒部材、９２…緩衝部材、１００…環境調整部材としての保護用管路、ＥＬ…放射ビームとしての露光光、Ｍ…光学部材としてのミラー、Ｍａ…光学面としての反射面、Ｒ…光学部材、マスクとしてのレチクル、Ｒ１…第１領域、Ｒ２…第２領域、Ｒａ…光学面としてのパターン形成面、Ｒｂ…反対側の面、Ｓｐ…清掃用環境としての清掃用空間、Ｗ…物体としてのウエハ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内に設けられる光学部材の光学面を清掃する清掃装置において、
前記光学面の少なくとも一部に対向して配置されることにより、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成する環境形成部材と、
前記清掃用環境内で前記光学面の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射する噴射部と、
前記光学面の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体及び前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物を回収する回収部と、を備えることを特徴とする清掃装置。
【請求項２】
前記回収部は、前記噴射部の周辺に設けられることを特徴とする請求項１に記載の清掃装置。
【請求項３】
前記回収部は、複数の回収口を有しており、
前記複数の回収口は、前記噴射部を囲むようにそれぞれ配置されることを特徴とする請求項２に記載の清掃装置。
【請求項４】
前記回収部は、環状の回収口を有することを特徴とする請求項２に記載の清掃装置。
【請求項５】
前記回収口は、前記環境形成部材において前記光学面に対向する側の端部に形成されることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の清掃装置。
【請求項６】
前記清掃用媒体を貯留する貯留部から前記噴射部に前記清掃用媒体を供給する供給流路と、該供給流路内の環境を前記貯留部内の環境に接近させる環境調整部とを有する供給装置をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項７】
前記清掃用媒体は、環境の変化によって固体から気体に変化する性質を有し、
前記噴射部は、前記清掃用媒体の固体及び気体のうち少なくとも固体を前記光学面の少なくとも一部に噴射し、
前記回収部は、気化後の前記清掃用媒体を回収することを特徴とする請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項８】
前記環境形成部材は、環境形成用気体を供給する供給部をさらに備え、
前記清掃用環境は、前記供給部から供給された前記環境形成用気体によって形成されることを特徴とする請求項１〜請求項７のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項９】
前記回収部は、前記光学面の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体、環境形成用気体及び前記光学面の少なくとも一部から除去された異物を回収することを特徴とする請求項８に記載の清掃装置。
【請求項１０】
前記清掃用媒体は、温度の上昇によって、固体から気体に昇華する媒体を含むことを特徴とする請求項１〜請求項９のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項１１】
前記清掃用媒体は、ドライアイスを含むことを特徴とする請求項１０に記載の清掃装置。
【請求項１２】
前記清掃用媒体は、温度の上昇によって、液体から気体に気化する媒体を含むことを特徴とする請求項１〜請求項９のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項１３】
前記清掃用媒体は、液体窒素を含むことを特徴とする請求項１２に記載の清掃装置。
【請求項１４】
前記環境形成用気体は、ヘリウム、窒素及び空気のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の清掃装置。
【請求項１５】
前記環境形成部材において前記光学面に対向する側の端部に設けられ、前記光学面に当接する緩衝部材をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項１４のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項１６】
前記緩衝部材は、前記噴射部及び前記回収部を包囲するように形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の清掃装置。
【請求項１７】
前記環境形成部材は、前記光学面の一部に対向して配置されることにより、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成するように構成されており、
前記環境形成部材を、前記光学部材に対して前記光学面に沿う方向に相対移動させる移動装置をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項１６のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項１８】
前記光学部材は、所定のパターンが形成される反射型のマスクであり、
前記光学面は、前記マスクにおいて所定のパターンが形成されたパターン形成面であることを特徴とする請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項１９】
前記光学部材は、反射型の光学部材であり、
前記光学面は、入射した放射ビームを反射する反射面であることを特徴とする請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項２０】
少なくとも一つの第１光学部材を有し、該第１光学部材を介した放射ビームを所定のパターンが形成されたマスクに導く照明光学系と、
少なくとも一つの第２光学部材を有し、前記マスクを介した放射ビームを、前記第２光学部材を介して物体に導く投影光学系と、
請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置と、を備え、
前記清掃装置は、前記第１光学部材及び第２光学部材の少なくとも一方を清掃することを特徴とする露光装置。
【請求項２１】
光学部材の光学面に形成された所定のパターンを物体に露光する露光装置において、
請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置を用いて、前記光学部材の光学面を清掃することを特徴とする露光装置。
【請求項２２】
前記光学部材は、反射型のマスクであることを特徴とする請求項２１に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記マスクを保持するマスク保持装置をさらに備えることを特徴とする請求項２２に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記マスクのパターン形成面は、前記所定のパターンが形成される第１領域と、該第１領域の外周側に位置する第２領域とを有しており、
前記環境形成部材は、前記第１領域に対向して配置されることにより、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成することを特徴とする請求項２２又は請求項２３に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記環境形成部材は、前記マスクのパターン形成面の一部に対向して配置されることにより、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成するようになっており、
前記清掃装置を、前記パターン形成面に沿って前記マスクに対して相対的に移動させる移動装置をさらに備えることを特徴とする請求項２２又は請求項２３に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記マスクのパターン形成面は、前記所定のパターンが形成される第１領域と、該第１領域の外周側に位置する第２領域とを有しており、
前記マスク保持装置は、前記マスクにおいて前記第２領域の少なくとも一部を把持する把持部を有することを特徴とする請求項２３に記載の露光装置。
【請求項２７】
前記把持部は、前記マスクにおいて前記パターン形成面に沿う第１の方向における一方側を把持する第１把持部と、前記マスクにおいて前記第１の方向における他方側を把持する第２把持部とを有する請求項２６に記載の露光装置。
【請求項２８】
前記第１把持部及び前記第２把持部は、前記マスクのうち前記所定のパターンが形成された側のパターン形成面に当接する第１当接部と、前記マスクの前記パターン形成面とは反対側の面に当接する第２当接部とを有することを特徴とする請求項２７に記載の露光装置。
【請求項２９】
前記第１当接部及び第２当接部は、前記パターン形成面内において前記第１の方向と交差する第２の方向に延びるようにそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項２８に記載の露光装置。
【請求項３０】
チャンバ内に設けられる光学部材の光学面を清掃する清掃方法であって、
前記光学面の少なくとも一部に対向する位置に、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成する環境形成工程と、
前記清掃用環境内で前記光学面の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射し、前記光学面の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体と前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物とを回収する清掃工程と、を有することを特徴とする清掃方法。
【請求項３１】
物体の複数の領域に所定のパターンをそれぞれ形成する露光方法であって、
前記物体のうち、前記所定のパターンが形成される領域を変更する変更工程を有し、
前記変更工程を行う際に、請求項３０に記載の清掃方法を用いて、前記光学部材の光学面を清掃することを特徴とする露光方法。
【請求項３２】
物体に所定のパターンをそれぞれ形成する露光方法であって、
前記物体を交換する交換工程を有し、
前記交換工程を行う際に、請求項３０に記載の清掃方法を用いて、前記光学部材の光学面を清掃することを特徴とする露光方法。
【請求項３３】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項２０〜請求項２９のうち何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１】
チャンバ内に設けられる光学部材の光学面を清掃する清掃装置において、
前記光学面の少なくとも一部に対向して配置されることにより、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成する環境形成部材と、
前記清掃用環境内で前記光学面の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射する噴射部と、
前記光学面の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体及び前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物を回収する回収部と、を備えることを特徴とする清掃装置。
【請求項２】
前記回収部は、前記噴射部の周辺に設けられることを特徴とする請求項１に記載の清掃装置。
【請求項３】
前記回収部は、複数の回収口を有しており、
前記複数の回収口は、前記噴射部を囲むようにそれぞれ配置されることを特徴とする請求項２に記載の清掃装置。
【請求項４】
前記回収部は、環状の回収口を有することを特徴とする請求項２に記載の清掃装置。
【請求項５】
前記回収口は、前記環境形成部材において前記光学面に対向する側の端部に形成されることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の清掃装置。
【請求項６】
前記清掃用媒体を貯留する貯留部から前記噴射部に前記清掃用媒体を供給する供給流路と、該供給流路内の環境を前記貯留部内の環境に接近させる環境調整部とを有する供給装置をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項７】
前記清掃用媒体は、環境の変化によって固体から気体に変化する性質を有し、
前記噴射部は、前記清掃用媒体の固体及び気体のうち少なくとも固体を前記光学面の少なくとも一部に噴射し、
前記回収部は、気化後の前記清掃用媒体を回収することを特徴とする請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項８】
前記環境形成部材は、環境形成用気体を供給する供給部をさらに備え、
前記清掃用環境は、前記供給部から供給された前記環境形成用気体によって形成されることを特徴とする請求項１〜請求項７のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項９】
前記回収部は、前記光学面の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体、環境形成用気体及び前記光学面の少なくとも一部から除去された異物を回収することを特徴とする請求項８に記載の清掃装置。
【請求項１０】
前記清掃用媒体は、温度の上昇によって、固体から気体に昇華する媒体を含むことを特徴とする請求項１〜請求項９のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項１１】
前記清掃用媒体は、ドライアイスを含むことを特徴とする請求項１０に記載の清掃装置。
【請求項１２】
前記清掃用媒体は、温度の上昇によって、液体から気体に気化する媒体を含むことを特徴とする請求項１〜請求項９のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項１３】
前記清掃用媒体は、液体窒素を含むことを特徴とする請求項１２に記載の清掃装置。
【請求項１４】
前記環境形成用気体は、ヘリウム、窒素及び空気のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の清掃装置。
【請求項１５】
前記環境形成部材において前記光学面に対向する側の端部に設けられ、前記光学面に当接する緩衝部材をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項１４のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項１６】
前記緩衝部材は、前記噴射部及び前記回収部を包囲するように形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の清掃装置。
【請求項１７】
前記環境形成部材は、前記光学面の一部に対向して配置されることにより、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成するように構成されており、
前記環境形成部材を、前記光学部材に対して前記光学面に沿う方向に相対移動させる移動装置をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項１６のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項１８】
前記光学部材は、所定のパターンが形成される反射型のマスクであり、
前記光学面は、前記マスクにおいて所定のパターンが形成されたパターン形成面であることを特徴とする請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項１９】
前記光学部材は、反射型の光学部材であり、
前記光学面は、入射した放射ビームを反射する反射面であることを特徴とする請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置。
【請求項２０】
少なくとも一つの第１光学部材を有し、該第１光学部材を介した放射ビームを所定のパターンが形成されたマスクに導く照明光学系と、
少なくとも一つの第２光学部材を有し、前記マスクを介した放射ビームを、前記第２光学部材を介して物体に導く投影光学系と、
請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置と、を備え、
前記清掃装置は、前記第１光学部材及び第２光学部材の少なくとも一方を清掃することを特徴とする露光装置。
【請求項２１】
光学部材の光学面に形成された所定のパターンを物体に露光する露光装置において、
請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置を用いて、前記光学部材の光学面を清掃することを特徴とする露光装置。
【請求項２２】
前記光学部材は、反射型のマスクであることを特徴とする請求項２１に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記マスクを保持するマスク保持装置をさらに備えることを特徴とする請求項２２に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記マスクのパターン形成面は、前記所定のパターンが形成される第１領域と、該第１領域の外周側に位置する第２領域とを有しており、
前記環境形成部材は、前記第１領域に対向して配置されることにより、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成することを特徴とする請求項２２又は請求項２３に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記環境形成部材は、前記マスクのパターン形成面の一部に対向して配置されることにより、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成するようになっており、
前記清掃装置を、前記パターン形成面に沿って前記マスクに対して相対的に移動させる移動装置をさらに備えることを特徴とする請求項２２又は請求項２３に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記マスクのパターン形成面は、前記所定のパターンが形成される第１領域と、該第１領域の外周側に位置する第２領域とを有しており、
前記マスク保持装置は、前記マスクにおいて前記第２領域の少なくとも一部を把持する把持部を有することを特徴とする請求項２３に記載の露光装置。
【請求項２７】
前記把持部は、前記マスクにおいて前記パターン形成面に沿う第１の方向における一方側を把持する第１把持部と、前記マスクにおいて前記第１の方向における他方側を把持する第２把持部とを有する請求項２６に記載の露光装置。
【請求項２８】
前記第１把持部及び前記第２把持部は、前記マスクのうち前記所定のパターンが形成された側のパターン形成面に当接する第１当接部と、前記マスクの前記パターン形成面とは反対側の面に当接する第２当接部とを有することを特徴とする請求項２７に記載の露光装置。
【請求項２９】
前記第１当接部及び第２当接部は、前記パターン形成面内において前記第１の方向と交差する第２の方向に延びるようにそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項２８に記載の露光装置。
【請求項３０】
チャンバ内に設けられる光学部材の光学面を清掃する清掃方法であって、
前記光学面の少なくとも一部に対向する位置に、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成する環境形成工程と、
前記清掃用環境内で前記光学面の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射し、前記光学面の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体と前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物とを回収する清掃工程と、を有することを特徴とする清掃方法。
【請求項３１】
物体の複数の領域に所定のパターンをそれぞれ形成する露光方法であって、
前記物体のうち、前記所定のパターンが形成される領域を変更する変更工程を有し、
前記変更工程を行う際に、請求項３０に記載の清掃方法を用いて、前記光学部材の光学面を清掃することを特徴とする露光方法。
【請求項３２】
物体に所定のパターンをそれぞれ形成する露光方法であって、
前記物体を交換する交換工程を有し、
前記交換工程を行う際に、請求項３０に記載の清掃方法を用いて、前記光学部材の光学面を清掃することを特徴とする露光方法。
【請求項３３】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項２０〜請求項２９のうち何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
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【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−４３９９２（Ｐ２０１２−４３９９２Ａ）
【公開日】平成２４年３月１日（２０１２．３．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１８４０７７（Ｐ２０１０−１８４０７７）
【出願日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１日（２０１２．３．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
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