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Fターム[2H095BD01]の内容

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【課題】 平坦度の違いによる位置ずれを抑制し、ブランクス状態における位相欠陥をマスク段階で吸収体により隠すことができ、製造歩留まりの向上に寄与する。
【解決手段】 実施形態の露光用マスクの製造方法は、マスクブランクスの欠陥検査段階での欠陥座標と基板保持の平坦度情報、及びマスクブランクスのフリースタンディング状態における平坦度情報を求めておき、検査段階での平坦度情報とフリースタンディング状態での平坦度情報を基に、検査段階の欠陥座標をフリースタンディング状態の欠陥座標に座標変換する。そして、マスクブランクスにパターンを描画する際に、座標変換された欠陥座標を用い、欠陥を避けるためにブランクスの回転・XYシフト量を決定する。 (もっと読む)


【課題】マスク基板のレジストパターンを短波長、高出力光源を使用する検査装置を用いて検査するとアウトガスが発生し、検査装置の光学系の性能を劣化させる要因となるため、検査装置の性能を劣化させることなくレジストパターン検査を行う装置を提供する。
【解決手段】レジスト検査装置のマスク固定ホルダー19にマスク基板7を固定する事によりレジスト7a面、支持体21、透光性保護部材22により密閉空間31を作り、さらに透光性保護部材22の支持体21に設けた通気穴23、24を通して不活性ガス27を密閉空間31に供給、排気する。これにより、レジスト7aへの光29の照射により発生するアウトガス28を密閉空間31外に強制的に排出させ検査装置の劣化を防ぐと共に、マスク製造途中工程でのレジスト欠陥検査を可能とする。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の内部欠陥による蛍光部画像が黄色・橙色系の画像でもそのエッジを検出して内部欠陥の検出精度を高める。
【解決手段】マスクブランク用ガラス基板の製造時に、2つの主表面と4つの端面を有するガラス基板を準備する基板準備工程と、いずれかの面から波長200nm以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程とを有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、欠陥検査工程は、いずれかの面から前記ガラス基板をカラー撮影し、当該カラー撮影画像の赤センサからの画像データのみを2倍にして微分法により光量差を求める処理を含む画像処理を行うことで、検査光によって、ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を判定し、蛍光が無いと判定されたガラス基板を選定する。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の内部欠陥による蛍光部画像がモヤ状画像でもそのエッジを検出して内部欠陥の検出精度を高める。
【解決手段】マスクブランク用ガラス基板の製造時に、2つの主表面と4つの端面を有するガラス基板を準備する基板準備工程と、いずれかの面から波長200nm以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程とを有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、欠陥検査工程は、いずれかの面から前記ガラス基板を撮影し、当該撮影画像に対して遠隔差分により光量差を求める処理を含む画像処理を行うことで、検査光によって、ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を判定し、蛍光が無いと判定されたガラス基板を選定する。 (もっと読む)


【課題】EUV光源を用いた、高感度な検査を行うことができるEUVマスク検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるEUV(Extreme Ultra Violet)マスク検査装置100は、EUV光源101、照明光学系、シュバルツシルト光学系108及びTDIセンサー109を有する。照明光学系は、シュバルツシルト光学系108を含む検査光学系内に配置された多層膜凹面鏡102を有する。多層膜凹面鏡102は、EUV光源101からのEUV光EUV11をEUVマスク110へ向けて反射する。シュバルツシルト光学系108は、正反射光S1を集光する。TDIセンサー109は、シュバルツシルト光学系108が集光した正反射光S1を検出することにより、EUVマスク110の明視野像を取得する。多層膜凹面鏡102は、シュバルツシルト光学系108への正反射光S1の入射を遮らない位置に配置される。 (もっと読む)


【目的】パターン領域と非パターン領域の間に段差がある被検査試料であっても、効率的に検査可能なパターン検査装置を提供する。
【構成】パターン領域内に指定される被検査領域を記憶する被検査領域記憶部と、被検査試料上のパターン面高さ測定位置に対するパターン面高さ信号を検出するパターン面高さ検出部と、パターン面高さ検出部で検出されるパターン面高さ信号を用いて、被検査試料に対するフォーカスを合わせるオートフォーカス機構と、パターン面高さ測定位置が被検査領域内に位置するか否かを判定する判定部と、判定部が、パターン面高さ測定位置が被検査領域内に位置すると判定する場合にはオートフォーカス機構を駆動し、パターン面高さ測定位置が被検査領域内に位置しないと判定する場合にはオートフォーカス機構を停止するオートフォーカス機構制御部と、を有することを特徴とするパターン検査装置 (もっと読む)


【課題】的確に吸収体パターンの修正を行うことにより、EUVL用マスクの製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】マスクブランクに対して露光波長暗視野検査を行い、検出された信号強度からマスクブランクに存在する位相欠陥の位置を特定し、位置座標として登録する。次に、AFMにより欠陥位置のマスクブランクの表面形状の1回目の計測を行った後、マスクブランクの表面に吸収体パターンを形成し、さらにAFMにより欠陥位置のマスクブランクの表面形状の2回目の計測を行う。次に、吸収体パターンの位置と位相欠陥の位置との関係を特定した後、吸収体パターンと位相欠陥との位置関係および位相欠陥の形状から、吸収体パターンの加工形状および加工量を決定して、吸収体パターンを加工する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、設計欠陥の深さ、若しくは高さの種類の数に応じて複数回のパターン形成とエッチングの工程を行うという複雑な工程を必要とせずに、同一の基板に、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥と数種の異なる高さの凸状の設計欠陥を形成することができる擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ポジ型レジストの工程とネガ型レジストの工程を交互に1回ずつ用いて、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥と数種の異なる高さの凸状の設計欠陥のパターン全てを、基板上に形成したハードマスクに一括してパターン形成し、その後、前記ハードマスクパターンをマスキングしながら順次基板をエッチング加工することで、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、高価な高精細の電子線描画機を設計欠陥の深さの種類の数に応じて複数回使用することを要せずに、同一の基板に、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥を、寸法精度や位置精度を向上させて形成することができる擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 数種の異なる深さの凹状の設計欠陥のパターン全てを、基板上に形成したハードマスクに一括してパターン形成し、その後、前記ハードマスクパターンをマスキングしながら順次基板をエッチング加工することで、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【目的】 透光性物品における光学的な不均一性の有無を正確に検査できる透光性物品の
検査方法を提供する。
【構成】 透光性物品に200nm以下の波長を有する検査光を導入した場合に、該透光
性物品内部で前記検査光が伝播する光路に前記局所又は局部的に光学特性が変化する部位
がある場合にこの部位から発せられる光であって前記検査光の波長よりも長い光を感知す
ることにより、前記透光性物品における光学的な不均一性の有無を検査する。 (もっと読む)


【課題】EUVLにおいて用いるEUVマスクの信頼性を向上させる。
【解決手段】多層膜と吸収体パターンとを有するEUVマスクをマスクステージに載置し、基準マークの位置を検出する(ステップS101)。続いて、EUVマスク上の被検査領域にEUV光を照射し、その反射光を画像検出器により捕集して、画素信号として取得する(ステップS103)。次に、吸収体パターンの設計データから画素信号の計算値を数値計算により求める(ステップS105)。そして、取得した画素信号と、数値計算により求めた画素信号の計算値とを比較することで、EUVマスク上の被検査領域の欠陥の有無を判定する(ステップS106)。欠陥が検出された場合、その位置を基準マークからの相対位置として記録する(ステップS107)。その後、マスクステージを移動して、EUVマスク上の他の被検査領域に対して上記の工程を繰り返して施す。 (もっと読む)


【課題】シミュレーション精度が悪い部分についての検証精度の低下を抑制する。
【解決手段】検証装置は、シミュレーションにより第1及び第2のパターンを算出して、第1及び第2のパターンのシミュレーションデータを作成する手段と、製造プロセスにより製造された半導体装置が有する第1のパターンの寸法と、シミュレーションデータにおける第1のパターンの寸法との差分値を記憶する記憶手段と、差分値からシミュレーションデータにおける第2のパターンの移動量を算出する手段と、シミュレーションデータにおける第2のパターンの位置を、所定方向に移動量の値に応じて移動させて、第1のパターンと第2のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定する手段と、所定基準を満たしていないと判定された場合、エラー情報を出力する手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】
微少ミラーを2次元配列したミラーデバイスを用いたパターン描画装置において、感光剤の塗布された基体上への投影像をイメージセンサで観察・測定する際に、正確かつ精細に画像データを取得する。
【解決手段】
ミラーデバイス103で生成された画像パターンを感光剤の塗布された基体107上に投影し、この投影像を撮像光学系109とハーフミラー105と投影光学系106によってイメージセンサ110に結像させる。このとき、イメージセンサ110の撮像面に結像した微少ミラー像のピッチとイメージセンサ110の撮像画素ピッチとが整数比となるような撮像光学系109とする。 (もっと読む)


【課題】露光用マスク上に存在する位相欠陥の表面形状を効率的に測定することができ、露光用マスクの生産効率向上に寄与する。
【解決手段】露光用マスク上に存在する位相欠陥の形状を測定する方法であって、マスクに検査光を入射し、位相欠陥上における散乱領域の幅を予測可能な角度範囲に散乱する光の強度を測定する第1ステップ(S2)と、測定された散乱光強度から位相欠陥の径を算出する第2ステップ(S3)と、測定する散乱光の角度範囲を変更し、散乱光強度を測定する第3ステップ(S4,S5)と、得られた散乱光強度から散乱断面積を算出する第4ステップと、第3及び第4ステップを散乱光強度が飽和するまで繰り返す第5ステップ(S6,S7)と、第2ステップで得られた位相欠陥の径と第4ステップで得られた各散乱断面積を用いて位相欠陥の形状を決定する第6ステップ(S8)とを含む。 (もっと読む)


【課題】欠陥検査の目的や欠陥の特性等に応じて、最適なカラー表示を行うことができる欠陥検査装置及び画像表示方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクの画像を種々の照明条件のもとで撮像し、A/D変換器からの出力信号を用いてフォトマスクの欠陥を検出し、検出された欠陥を含むフォトマスクのカラー画像を出力する信号処理装置とを具える。信号処理装置は、輝度/カラーに関する変換テーブル作成手段23と、フォトマスクの輝度/カラー変換手段24とを有する。変換テーブル作成手段23は、2種類のマスクパターンにそれぞれ割り当てた第1及び第2の2つの階調値、及び、前記第1の階調値と第2の階調値との間の輝度階調中に割り当てられるRGBのカラー数又は階調スパンを含むパラメータに基づいて変換テーブルを作成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高精度且つ高効率にテンプレートマッチングのためのテンプレートの作成を行うことを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、基本回路を構成するパターン単位で、半導体デバイスの複数のレイヤのパターン情報を、ライブラリとして記憶し、位置の指定に基づいて、当該ライブラリよりパターン情報を抽出して、当該パターン情報に基づいて、テンプレートマッチングのためのテンプレートを作成する方法、及びコンピュータプログラムを提案する。更に、他の態様として、上記ライブラリが記憶された記憶媒体を備えたテンプレート作成装置を提案する。 (もっと読む)


【目的】検査時間の増大を抑制しつつ、検査精度を向上させるパターン検査装置を提供する。
【構成】被検査試料のパターン面に形成されたパターンを検査するパターン検査装置であって、光源と、パターン面のフーリエ変換面に設けられ光源から射出された光線を異なる形状および方向を有する第1および第2の照明光に分割する機能を備える光学素子を有し、第1および第2の照明光によりパターン面の第1および第2のパターン領域をそれぞれ異なる照明条件で照明する照明光学系と、第1および第2のパターン領域を照明した第1および第2の照明光を透過する対物レンズと、第1および第2の検出センサと、対物レンズを透過した第1および第2の照明光をそれぞれ第1および第2の検出センサに結像する第1および第2の結像光学系とを備えることを特徴とするパターン検査装置。 (もっと読む)


【課題】検査対象試料に形成されるパターンの依存性が低減される自動焦点調節機構及びこの自動焦点調節機構を備える光学画像取得装置を提供する。
【解決手段】自動焦点調節機構においては、パターンが形成された検査対象試料10が載置部12に載置され、検査対象試料10のパターン形成面に視野絞り16に形成されたスリット20を通過した観察用光ビームが照射される。反射して生じた反射光ビームが分岐される。分岐された反射光ビームの夫々の光路上には、略菱形状の開口26が形成された焦点調整用開口絞り24A,24Bが配置されている。略菱形状の開口26を通過した夫々の反射光ビームの光量が焦点調整用受光器28A,28Bで検出される。検出された検出光量の差に基づいて載置部12の位置が焦点調節装置36によって制御される。 (もっと読む)


【課題】 マスクブランクからマスクを作製する際、マスクブランク起因によるパターン不良を抑制する。
【解決手段】 付与装置は基板を収納した第1の流通カセットの記録媒体に対し基板の管理番号を書き込み、処理条件に対応するレシピ番号を含む工程フローと管理番号とをホストコンピュータに送信する。ホストコンピュータは工程フローと管理番号とを互いに対応付けて蓄積する。成膜装置は第1の流通カセットから取り出した基板に対し、その記録媒体内の管理番号に対応するスパッタ条件で薄膜を成膜後、その基板を第2の流通カセットに収納してその記録媒体に管理番号を書き込む。欠陥検査装置は第2の流通カセットから取り出した基板に対し、その記録媒体内の管理番号に対応する検査条件で薄膜の欠陥検査をし、欠陥検査情報を管理番号と対応付けてホストコンピュータに送信し、検査後の基板を第3の流通カセットに収納してその記録媒体に管理番号を書き込む。 (もっと読む)


【課題】階層化されたデータD1を高速にレイアウト表示する。
【解決手段】荷電粒子ビーム10a1bによってパターンを描画するための階層化されたデータD1をレイアウト表示するモニタ10d5を具備する荷電粒子ビーム描画装置10において、概略格子状に配列された複数の区画SC00,・・,SC45にフラグを有するマップMPCL1を作成し、第2階層FGの第2要素FG2を読み込み、第2階層FGの第2要素FG2の位置に対応する区画SC22のフラグが「第2階層FGの要素のレイアウト表示不可」の状態(「1」)になっているか否かを判定し、第2階層FGの第2要素FG2の位置に対応する区画SC22のフラグが「第2階層FGの要素のレイアウト表示不可」の状態(「1」)になっている場合には、第2階層FGの第2要素FG2をモニタ10d5上にレイアウト表示する処理を行わない。 (もっと読む)


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