【課題】パターン形成用薄膜の際、どのプロセスで欠陥が発生したのかを正確に特定することができるマスクブランクの欠陥分析方法を得る。
【解決手段】基板上に成膜された薄膜に対する検査によって異物の存在が確認されたマスクブランクの欠陥分析方法であって、前記薄膜の表面が露出した状態で、走査型電子顕微鏡を用いて前記異物の形状を観察する工程と、前記異物を除去する工程と、前記異物を除去することによって前記薄膜の表面に形成された凹部の深さを、走査型プローブ顕微鏡を用いて測定する工程と、前記異物の形状及び前記凹部の深さから、前記薄膜を成膜する工程における前記異物が付着した時期を特定する工程とを含むことを特徴とする、マスクブランクの欠陥分析方法である。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】マスク検査装置及びマスク検査方法を提供する。
【解決手段】所望のパターンに蒸着するために、所定の開口を有するマスクを検査するためのマスク検査装置１００であって、マスクの開口の境界線を検出する表示部１１１と、マスクを利用して蒸着する被蒸着材の情報を保存した保存部１１２と、保存部１１２に保存された被蒸着材の情報に基づいて、蒸着領域の外郭線を形成する第１境界線、第１境界線周囲を取り囲むように形成される第２境界線、第１境界線と第２境界線との間に形成される安全領域を設定する設定部１１４と、表示部１１１が検出したマスクの境界線が、第１境界線及び第２境界線と接触せず、安全領域内に存在するか否かを判断する制御部１１３と、を備えるマスク検査装置１００である。 （もっと読む）

【課題】光吸収層上にハードマスク層を形成することにより、光吸収層の形状変化を生じさせないようなエッチング条件であるために反射コントラストの低下を防止し、微細な光吸収層パターンを形成でき、歩留まりの向上が図れる反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に形成された多層反射層と、多層反射層上に形成された保護層と、保護層上に形成された光吸収層と、保護層と光吸収層との間に形成された緩衝層と、光吸収層上に形成されたハードマスク層と、を有し、ハードマスク層は、光吸収層のエッチング条件に対して耐性を有することを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】大型のフォトマスクの性能評価及び欠陥検査を良好に行うことができるフォトマスクの検査装置及びフォトマスクの検査方法を提供し、これらフォトマスクの検査装置及びフォトマスクの検査方法を用いた液晶装置製造用フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク３を保持し、光源１からの所定波長の光束を照明光学系２を介して照射し、対物レンズ系４を介して、撮像手段５によりフォトマスク３の像を撮像する。光源１より発せられた光束は、少なくとも、ｇ線、ｈ線、または、ｉ線のいずれかを含み、あるいは、これらのうち任意の二以上を混合した光束を含み、波長選択フィルタ６を介して、フォトマスク３に照射される。 （もっと読む）

【課題】 マスクの評価すべきパターンを評価するための効率的な方法、システム及びコンピュータプログラム製品を提供する。
【解決手段】 本方法は、評価すべきパターンの画像を表す複数のモーメントを受け取ることを含み、上記複数のモーメントを表すのに必要とされる情報のサイズは、上記評価すべきパターンの画像を形成するピクセル情報のサイズより実質的に小さいものであり、更に、上記評価すべきパターンの少なくとも１つの形状パラメータを決定するため上記複数のモーメントを処理することを含む。 （もっと読む）

【課題】 被検査体の透明基板上に形成された繰り返しパターンにおける欠陥を良好に検出できること。
【解決手段】 透明基板５２上に、単位パターンを周期的に配列した繰り返しパターン５１が形成されたフォトマスク５０の、上記繰り返しパターン５１に発生した欠陥を検査するパターン欠陥検査方法において、照明装置１２によって、上記繰り返しパターン５１に所定の入射角で光を照射し、上記繰り返しパターン５１上の所定の観察領域５８において、照射光によって生じる回折光を観察装置１３によって観察することにより、上記繰り返しパターン５１の欠陥の有無を検査し、フォトマスク５０の上記観察領域５８以外の少なくとも一部分を遮光して、透明基板５２内を通過する迷光が観察領域５８内へ入射されないようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】多層膜マスクブランクの欠陥の欠陥検出感度を高くして多種多様な微細欠陥まで高速に検査することが可能な技術を提供する。また、その欠陥が凸欠陥か凹欠陥か判別することが可能な技術を提供する。
【解決手段】ドット状パターン１１０からの信号強度が最大となるフォーカス位置の設定と、ホール状パターン１１１からの信号強度が最大となるフォーカス位置の設定の２つの設定で欠陥検出を行う。また、予め設定した一定のフォーカス位置で欠陥検出を行い、検出された欠陥に対し、その位置でフォーカスを振って信号強度が極大となるフォーカス位置を調べ、そのフォーカス位置が信号受光系から離れる方向の場合はその欠陥の形状はドット状、近づく場合はホール状、中間の場合は細長状と判別する。 （もっと読む）

【課題】波長が２００ｎｍ以下の短波長光を露光光とするパターン転写の際に影響の大きな合成石英ガラス基板の内部欠陥を良好に検出でき、且つ検査用の光による上記ガラス基板の表面のダメージを防止できること。
【解決手段】波長が２００ｎｍ以下の短波長光(ＡｒＦエキシマレーザー光２５)を、レーザー照射装置２１の照射口２８から光ファイバーバンドル４１を経て合成石英ガラス基板４の端面２の面取り面４９へ導入し、当該ガラス基板の内部欠陥１６が発する上記短波長光よりも長い波長の光１５を受光して内部欠陥を検出し、内部欠陥のない上記ガラス基板からマスクブランク用ガラス基板を製造し、光ファイバーバンドルは、照射口２８から短波長光を入射する入射側端面４２が照射口の形状に対応し、短波長光を出射する出射側端面４３が面取り面４９の形状に対応してそれぞれ形成され、これらの入射側端面と出射側端面が略同一面積に設定されたものである。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー法によって得られるパターンや製品を、高い歩留まりで生産可能なディスプレイ部材の製造方法、およびディスプレイを提供することを目的とする。
【解決手段】感光性ペーストを塗布、乾燥する工程、得られた塗膜を露光する工程、露光した塗膜を現像する工程によって基板上にパターンを形成するディスプレイ部材の製造方法であって、該露光工程の直後に、活性光線により着色する感光層が形成された基板をフォトマスクを介して該活性光線を用いて露光し、該基板上の感光層にフォトマスク上の欠陥をパターンとして転写してフォトマスク上の欠陥を検査する工程を有することを特徴とするディスプレイ部材の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、投影露光装置の焦点面（６）中の強度分布を決定する方法であって、大口径結像システム（７、８）がエミュレートされ、試料からの光が、エミュレーション結像システムによって局所分解検出器上に表される方法に関する。前記方法を実行する装置およびエミュレートされる装置も開示される。前記発明は、システムのアポダイゼーションを考慮に入れるので再現の質を改善することが可能になる。本発明の方法は、出力瞳中の積分された振幅分布を決定する工程と、前記積分された振幅分布と予め定められたアポダイゼーション補正を合成する工程と、変更された振幅分布によって補正されたアポダイゼーション像を計算する工程とで構成される。
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【課題】撮像装置により撮像された周期性パターンのムラの検査をする検査装置において外乱光および光源の散乱光の影響を除去した周期パターンムラ検査装置を提供する。
【解決手段】撮像側平行光学系３１を備え画像を撮像する手段を具備する撮像部３０と、検査対象基板５０を載置し、Ｘ軸及びＹ軸方向に駆動する手段を具備するＸＹステージ２０と、先端に固定した照明側平行光学系１１が設けられ照明側平行光学系を、ＸＹステージに載置した検査対象基板に対し上下方向角度及び平行方向に駆動が可能でありかつ載置した検査対象基板に対して照明の照射位置が一定である様に制御可能な照明光源を備えた照明駆動部１２を具備する斜め透過照明部２０と、照射側平行光学系とＸＹステージの間に配された偏光フィルター３５’及び反射防止膜３６’と、ＸＹステージと撮像側平行光学系の間に配された偏光フィルタ３５ー及び反射防止膜３６とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被転写体へのパターン転写に影響の大きな主表面近傍の内部欠陥を含む、ガラス基板の実質的に全ての領域の内部欠陥を良好に検出して、パターン転写の転写精度を向上できること。
【解決手段】 波長が２００ｎｍ以下の短波長光を導入する端面２を有する合成石英ガラス基板４を準備する準備工程と、端面２から短波長光を導入し、当該ガラス基板の内部欠陥が発する上記短波長光よりも長い波長の光を他の端面から受光し、この受光した光に基づき内部欠陥を検出する検出工程を有し、この検出工程で内部欠陥が検出されない合成石英ガラス基板からマスクブランク用ガラス基板を製造する際に、上記準備工程において、端面２における面取り面５１の幅ｔが、この端面に対向する端面１８における面取り面５３、５７の幅Ｔよりも小さく設定された合成石英ガラス基板４を準備し、上記検出工程において、端面２の側面５９に上記短波長光を導入するものである。 （もっと読む）

【課題】高い検出精度を有する周期性パターンのムラ検査方法を提供する。
【解決手段】塗工層または描画面を撮像した画像データに対して、注目画素（Ｘ，Ｙ）について、αを１からｎ１、βを１からｎ２までの自然数とし、注目画素の周辺画素（Ｘ＋α，Ｙ＋β）の輝度情報の階調値を輝度値としたときに、該周辺画素（Ｘ＋α，Ｙ＋β）の輝度値をそれぞれ足し合わせた加算値から注目画素の周辺画素（Ｘ−α，Ｙ−β）の輝度値をそれぞれ足し合わせた加算値をそれぞれ引いた減算値を注目画素の値と置き換えた構成の周辺強調フィルタを用いてコンボリューション演算を行い、画像データを修正画像データとする工程（ａ）と、修正画像データにある一定値を加算し、該加算値を注目画素の新たな画像データとする工程（ｂ）と、工程（ａ），（ｂ）で撮像した画像データの画素全てに対して順次行う工程（ｃ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路のパターン密度に起因する寸法変動を検査可能なパターン抽出システムを提供する。
【解決手段】 リソグラフィ許容度を基に、回路パターンから複数の検査候補パターンを抽出する抽出部301と、複数の検査候補パターンのそれぞれを、隣接するパターンとのスペース距離を基に複数のスペース距離群に分類するスペース分類部303と、複数の検査候補パターンのそれぞれを、周辺のパターン密度を基に複数のパターン密度群に分類する密度分類部305と、複数のスペース距離群及び複数のパターン密度群のそれぞれに分類された複数の検査候補パターンのサンプル数を示すテーブルを作成するテーブル作成部306とを備える。 （もっと読む）

【課題】 マスク検査装置において、２つの検出画像を比較してマスクの欠陥有無を検出可能とする。
【解決手段】 光源１から出射された深紫外線領域のレーザ光を照明光として、所定のパターンが形成されたマスク２００に照射する照明光学系２と、２つのＴＤＩセンサ１１，１２と、照明光が照射されたマスク２００の照明領域のうち、互いに異なる検出対象領域からの光を同時に、かつ各別に２つのＴＤＩセンサ１１，１２に結像させる２つの結像光学系と、２つのＴＤＩセンサ１１，１２によりそれぞれ検出して得られた２つの像のサイズを一致させる像倍率補正手段と、像倍率補正手段によりサイズが一致された２つの像に基づいて、マスク２００の欠陥を検出する信号処理系２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィールールチェック及びＯＰＣ問題箇所のチェックを短時間で行い、ランダム不良対策とシステマティック不良対策とを高速且つ高精度に行い、歩留まりの向上が可能な半導体集積回路の設計方法、半導体集積回路の設計システム及び半導体集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】 マーク手段２６１が複数のパターンの輪郭上に複数のマークを配置するステップ、グループ化手段２６２が隣接するマークを複数のグループに分類しグループの情報を検証情報記憶部１６に記憶させるステップ、危険箇所判定手段２６３が検証情報記憶部１６からグループの情報を読み出して、グループに含まれるマークの数に基づいてパターンの危険箇所を判定し、危険箇所の判定結果を検証情報記憶部１６に記憶させるステップ、及び危険箇所修正手段３６４が検証情報記憶部から判定結果を読み出して、パターンを修正するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】
透過像と反射像とに基づいて正確に異物検査を行うことができる検査装置及び検査方法ならびにパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる検査装置は、落射照明光源２１と、落射照明光源２１からの光を集光してフォトマスク３３に出射するレンズ３２と、レンズ３２から出射した光のうち、フォトマスク３３で反射した反射光をレンズ３２を介して検出する反射側センサ４４と、透過照明光源１１と、透過照明光源１１からの光を集光してフォトマスク３３に出射するレンズ１６と、レンズ１６からフォトマスク３３に出射した光のうち、フォトマスク３３を透過した透過光をレンズ３２を介して検出する透過側センサ４３とを備え、落射照明光源からの光と透過照明光源からの光とがレンズ３２の視野の一部の異なる位置を通過するものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明はフォトマスク欠陥検査装置の異物検査のアルゴリズム開発ならびに検査機の機能の確認や調整を行うための異物検査に用いるマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、異物評価のマスクとしては使い易くした、新規な異物欠陥検査用マスク及びその製造方法であって、具体的には、フォトマスク上に、所望の大きさのパーティクルを凝集させずに分散させて配置したたこを特徴とする。 （もっと読む）

集積回路（「ＩＣ」）製造における超解像技術（「ＲＥＴ」）及びプリントプロセスのモデルを生成及び／又は適用するシステム及び方法を含むウェーハイメージモデリング及び予測システム（「ＷＩＭＡＰＳ」）を説明する。ＷＩＭＡＰＳは、ＲＥＴ及びウェーハプリントプロセスの予測において設計者が使用するために効率的なプロセスを提供し、ＲＥＴ及びプリントプロセスを回路設計に適用する前に、設計者が予測プリントシリコン外形をフィルタリングできるようにする。 （もっと読む）