【課題】マスク上に描画されたマスクパターンをより高い精度でかつ容易に評価可能な画像評価方法及び画像評価プログラムを提供する。また、所望の図形を描画可能な描画条件を算出する描画条件選択方法及び描画条件選択プログラムを提供する。
【解決手段】画像評価方法及び画像評価プログラムは、基準図形と描画図形の面積が同一又は略同一であるか否かを判定し、両図形の輪郭線から算出された点列を主成分分析して得られる第１主成分及び第２主成分との長さの比である基準図形長短比と描画図形長短比を用いて両図形の概形が類似であるか否かを判定し、基準図形及び描画図形の概形が類似であり、かつ、その面積が同一であると判定した場合に、基準図形及び描画図形が一致すると判定するものとした。 （もっと読む）

【課題】回折光や散乱光等の外乱による影響を受けにくく、パターンの微細化に十分対応できる基板検査装置及びマスク検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による基板検査装置は、検査データの取得と対物レンズ（８）の焦点データ信号の取得を並行して行う。検査中に対物レンズの光軸方向の位置を制御するオートフォーカス装置は、焦点誤差信号を出力する焦点誤差検出手段（４０）と、対物レンズ位置信号又は焦点誤差信号が加算された対物レンズ位置信号により構成される焦点データ信号を用いて対物レンズの光軸方向の位置を制御する焦点制御信号を走査ラインごとに生成する焦点制御信号生成手段（６０）とを有する。ｉを正の整数とした場合に、ｉ番目の走査ラインの走査により取得した焦点データ信号を用いて生成された焦点制御信号は、（ｉ＋２ｍ）番目の走査ラインを走査するときの焦点制御信号として用いられる。 （もっと読む）

【課題】検査時間および労力を低減できるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、マスク検査方法は、半導体露光用マスクに任意波長の光を入射させ撮像部にて像を取得する光学系を用いて、前記マスクの欠陥の有無を検査する方法であって、予め前記光学系による点像を、前記撮像部の読み出し方向に伸長される制御条件を取得する第１ステップ（Ｓ２０３）と、前記制御条件により、マスクの所望の領域の像を取得する第２ステップ（Ｓ２０５）と、取得した前記所望の領域の像において、信号強度が予め定めておいた第１閾値以上であり、前記信号強度の前記読み出し方向における差分が予め定めておいた第２閾値以下であるピーク信号が存在する場合、前記ピーク信号の座標を欠陥として判定する第３ステップ（Ｓ２０６）とを具備する。 （もっと読む）

【目的】経時的な、光量変化やセンサの各受光素子自体の感度変化に起因するセンサの出力レベル変化を補正する。
【構成】センサ出力データの補正装置は次回路を備える。オフセット回路は試料を照明して、透過或いは反射して得られる光を受光して画像データを出力するセンサからの出力データを入力し、オフセット補正を行う。ゲイン補正回路はゲイン補正係数を入力し、入力されたゲイン補正係数でゲイン補正を行う。平均値算出回路はオフセット補正とゲイン補正が行われたセンサの出力データのうち、透過の場合はパターンから光が透過する位置で、反射の場合はパターンから光が反射する位置で取得したセンサの出力データを用いて、各画素値の平均値を演算する。ゲイン補正係数算出回路は設定された基準値からの平均値の変化率を用いてゲイン補正に用いるゲイン補正係数を補正し前記ゲイン補正回路にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】異なるパラメータを使用して試験片の検査を行う方法とシステムを提供する。
【解決手段】コンピュータによって実施される方法は、選択された欠陥に基づいて検査のための最適パラメータを決定することを含む。また該方法は、検査に先行して、検査システムのパラメータを最適パラメータに設定する。別の該方法は、約３５０ｎｍより下の波長を有する光と、約３５０ｎｍより上の波長を有する光を用いて試験片を照明する。また該方法は、試験片から収集された光を表す信号を処理し、試験片上の欠陥または工程の変動を検出する。試験片を検査する１つのシステムは、広帯域光源５０４に結合された第１の光学サブシステムと、レーザ５０３に結合された第２の光学サブシステムを含む。またこのシステムは第１と第２の光学サブシステムから、光を試験片上に集束させる対物鏡５０７に光を結合するように構成された第３の光学サブシステムも含む。 （もっと読む）

【課題】ヘイズのような微小な段差の異物を簡素な構成の装置により正確に検出する。
【解決手段】レチクル検査装置１００は、レチクル３に照射される照射光１０を発光する光源（例えばレーザ１）を有する。レチクル検査装置１００は、レチクル３の表面３ａにおける照射光１０の照射位置Ｐを調整し、該照射光１０をレチクル３上で走査させる照射位置調整部と、レチクル３の表面３ａからの正反射光１１を受光する受光部（例えばフォトマル８）とを有する。レチクル検査装置１００は、受光部により受光される正反射光１１の光量の変動に基づいてレチクル３の表面３ａの異物（例えばヘイズ）の有無を判定する判定部（制御部９）を有する。 （もっと読む）

【課題】マスク上に形成されたパターンと設計パターンとの線幅の差の分布、または、これらのパターンの位置ずれ量の分布を正確に求める。
【解決手段】検査対象を撮像して光学画像を得る。また、パターンの設計データから参照画像を作成する。１つ以上のテンプレートと、検査に必要なパラメータセットとを備えた検査レシピを用意する。パターンとテンプレートを照合して、テンプレートに対応する参照画像を選択する。選択した参照画像について、任意の座標を基準としてパラメータセットにしたがい第１のエッジと第２のエッジを検出する。選択した参照画像に対応する光学画像について、第１のエッジに対応するエッジと、第２のエッジに対応するエッジとを検出する。光学画像と参照画像との差または光学画像で検出したエッジ間の線幅を測定することにより、光学画像と参照画像との線幅の差から検査値を求める。 （もっと読む）

【課題】高精度のパターン検査を行うことが可能なパターン検査方法等を提供する。
【解決手段】披検査パターンの設計データを、披検査パターンの検査に用いる照明の照明条件に依存した情報に基づいて加工する工程（Ｓ１２）と、加工された設計データから披検査パターンの参照データを生成する工程（Ｓ１４）と、実際に形成された披検査パターンのデータと参照データとを比較する工程と（Ｓ１５）、を備える。 （もっと読む）

【課題】検査対象に形成されたパターンの寸法や位置の変動を正確に求めることが可能な検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された試料に光を照明し、試料の像を画像センサに結像して光学画像を取得し、光学画像を基準画像と比較してこれらの画像におけるパターンの寸法差が所定の範囲を超えたときに欠陥と判定する検査方法において、光の強度および画像センサの感度の内で少なくとも一方の時間的変動を取得し、この時間的変動とパターンの寸法差の時間的変動との関係を求めてパターンの寸法差を補正する。画像センサを試料に対し相対的に移動させることにより、試料全体の光学画像を取得しながら、所定時間毎に試料内に設けた別のパターンに画像センサを移動させて、画像センサの感度の時間的変動を求めることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】設定された精度の検査結果を得るのに要する時間の点で有利な検査装置を提供する。
【解決手段】異物または欠陥としての不具合に関して物体を検査する検査装置は、光を照射された物体からの光を検出し、当該光の強度が閾値を超えた前記物体上の位置を示す信号を出力する検出部と、前記物体上の位置に異物または欠陥としての不具合が存在することを示す情報を出力する制御部と、前記物体上の位置に前記不具合が存在する確率を示す情報を記憶する記憶部と、前記不具合の検査漏れの数に対する上限値を示す情報を入力する操作部と、を備える。前記制御部は、前記検出部に既定回数（少なくとも１回）前記検出を行わせ、推定された総数と前記記憶部に記憶された情報が示す前記確率とに基づいて、決定された全回数から前記既定回数を減じた残り回数の前記検出を前記検出部に行わせる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬにおいて用いるＥＵＶマスクの信頼性を向上させる。
【解決手段】多層膜と吸収体パターンとを有するＥＵＶマスク上の基準パターンを基点にして、吸収体パターンのレイアウトデータをメッシュに区分する（ステップＳ０１）。その後、ＥＵＶマスク上に欠陥が無い場合におけるＥＵＶ光に対する散乱光の補正信号強度を、メッシュごとに算出する（ステップＳ０３）。それに並列して、ＥＵＶマスクにＥＵＶ光を照射し、その散乱光の測定信号強度を計測する（ステップＳ０４）。続いて、メッシュごとに、測定信号強度から補正信号強度を差し引くことでメッシュ信号強度を算出する（ステップＳ０５）。そして、メッシュ信号強度の値から位相欠陥の有無を判定する（ステップＳ０６）。ここでは、メッシュ信号強度が所定の閾値を超える場合に、そのメッシュのＥＵＶマスク上に位相欠陥が有ると判定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥判定処理を容易にすることができ、また、汎用性の高いシミュレータと連動して欠陥判定処理を行うことのできる検査装置を提供する。
【解決手段】制御計算機１１０の動作設定画面でリソグラフィ・シミュレータの情報を設定して検査装置１００の校正を行った後、フォトマスク１０１の全面を検査する。検査で欠陥とされた箇所の座標は、ＸＭＬファイルに変換される。検査モードがダイ−トゥ−データベースのときには、検査装置１００で参照データの生成に利用しているデータベースのパターンデータを制御計算機１１０で読み込み、汎用性の高いＯＡＳＩＳフォーマットデータに変換する。検査装置１００で撮像された光学画像はビットマップに変換される。これらのデータは、検査装置１００の校正に使用した画像のデータやシミュレーションの動作条件とともに、リソグラフィ・シミュレータに転送される。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査の目的や欠陥の特性等に応じて、最適なカラー表示を行うことができる欠陥検査装置及び画像表示方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクの画像を種々の照明条件のもとで撮像し、Ａ／Ｄ変換器からの出力信号を用いてフォトマスクの欠陥を検出し、検出された欠陥を含むフォトマスクのカラー画像を出力する信号処理装置とを具える。信号処理装置は、輝度／カラーに関する変換テーブル作成手段２３と、フォトマスクの輝度／カラー変換手段２４とを有する。変換テーブル作成手段２３は、２種類のマスクパターンにそれぞれ割り当てた第１及び第２の２つの階調値、及び、前記第１の階調値と第２の階調値との間の輝度階調中に割り当てられるＲＧＢのカラー数又は階調スパンを含むパラメータに基づいて変換テーブルを作成する。 （もっと読む）

【解決手段】対象の検査方法およびシステムは、対象表面上の望まれないパーティクルを検出するための分光技術の使用を含む。この技術は、望まれないパーティクルと検査対象とが異なる材料により形成されることによる、検査対象と比較したときの望まれないパーティクルの異なる応答に基づく。対象の表面からの二次光子放出の時間分解分光法および／またはエネルギ分解分光法を使用することにより、ラマンおよび光ルミネッセンススペクトルを得ることができる。検査対象は例えばリソグラフィプロセスで使用されるパターニングデバイス、例えばレチクルであってもよい。その場合、例えば金属、金属酸化物、または有機物のパーティクルの存在が検出されうる。この方法および装置は高感度であり、例えばＥＵＶレチクルのパターン形成された側の小さなパーティクル（１００ｎｍ弱、特に５０ｎｍ弱）を検出することができる。 （もっと読む）

オブジェクト検査のための、特に、リソグラフィプロセスで使用されるレチクルの検査のためのシステムおよび方法が開示される。当該方法は、基準放射ビームをプローブ放射ビームと干渉法により合成することと、それらの合成視野像を記憶することと、を含む。そして、１つのオブジェクトの合成視野像を、基準オブジェクトの合成視野像と比較して差を求める。これらのシステムおよび方法は、欠陥に関するレチクルの検査において特定の有用性を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造に用いるパターンの補正処理で、高速でしかも高精度に補正処理を行うことができるパターン補正装置を提供する。
【解決手段】透過率または反射率を変化させることが可能なドット状のセルが複数配列して形成されるパターン形状可変マスク１２と、光を検出するドット状の光センサセルが複数配列して形成され、パターン形状可変マスク１２のセルによって形成されるマスクパターンの光学像を検出する受光素子部１４と、パターン形状可変マスク１４に照明部１１から照射された光を受光素子部１４に結像させる投影光学系１３と、設計レイアウトの形状に対応してパターン形状可変マスク１２のセルを制御してマスクパターンを形成し、マスクパターンに照射された光によって受光素子部１４で得られる光学像と設計レイアウトとの差分が所定の範囲内となるようにマスクパターンの補正量を決定する制御部２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ホトリソグラフィ・マスクに関連したエラー源を評価するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】 マスクに関連したエラー源の評価は、（ｉ）異なる露光条件で得られたマスクの複数の画像を表すデータを受け取り、（ii）マスクの各画像の複数のサブフレームに対し、各サブフレームのピクセルの強度の関数の値を計算して、複数の計算値を与え、（iii）それらの計算値に応答し且つ各エラー源に対する関数の感受性に応答してエラー源を検出する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】同パターンが繰り返し描かれた複数のチップパターン毎に付与される互いに異なるフレア補正図形の差を考慮し、ダイ−ダイ比較方式によりマスクパターン検査を行う。
【解決手段】多層膜マスクにおいて最初の検査ストライプを指定した後、多層膜マスクを走査させて検査画像の取り込みを開始し、１つ目のチップの検査画像データを取り込み、フレアマップ格納部２６から対応するフレア補正量のデータを読み込む。次に、２つ目のチップの検査画像データの取り込み、フレアマップ格納部２６からフレア補正量データをパターン輪郭の辺のシフト量として取り込む。これらフレア補正量データは、補正データ生成回路２２がパターンの形状補正量に変換する。比較回路２３では、取り込んだ２つのチップのパターン形状を、補正データ生成回路２２が生成したパターンの形状補正量に基づいて補正し、２つのチップのパターンを画像比較して欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】実際の露光条件を適用したときに、多階調フォトマスクが形成する空間像を推測し、多階調フォトマスクを評価することができる多階調フォトマスクの検査方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクの検査方法は、透明基板上に透光領域、遮光領域、及び半透光領域を含む転写パターンを備えた多階調フォトマスクの検査方法において、前記転写パターンの解像画像を取得し、前記解像画像に処理を施すことによって、前記転写パターンに所定の露光条件を適用したときに形成される空間像を得て、前記空間像により、前記転写パターンの実効透過率分布を得、実効透過率分布に基づいて評価することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクの製造過程で発生する欠陥を容易かつ確実に検出することができるマスクブランク用基板の製造方法、およびマスクブランクの製造方法を提供すること。
【解決手段】マスクブランクの製造工程では、検査対象品に検査光を照射した際の反射光を光電変換装置５９で受光して電気信号に変換し、電気信号を検査対象品表面における位置情報と対応付けてデータ記憶部に記憶する信号取得工程を行う。次に、第１基準値以上の欠陥の有無を判定して検査対象品の良品判定を行う第１判定工程を行い、良品と判定された検査対象品に対して、第１基準値よりも小さい第２基準値以上の微小欠陥の有無を判定する第２判定工程を行う。最後に、検出された微小欠陥同士の距離関係や位置関係から近接する微小欠陥集合体の有無を判定し、微小欠陥集合体として判定されたものが第１基準値以上であるかを基準に検査対象品の良品判定を行う第３判定工程を行う。 （もっと読む）