【課題】マスク上に描画されたマスクパターンをより高い精度でかつ容易に評価可能な画像評価方法及び画像評価プログラムを提供する。また、所望の図形を描画可能な描画条件を算出する描画条件選択方法及び描画条件選択プログラムを提供する。
【解決手段】画像評価方法及び画像評価プログラムは、基準図形と描画図形の面積が同一又は略同一であるか否かを判定し、両図形の輪郭線から算出された点列を主成分分析して得られる第１主成分及び第２主成分との長さの比である基準図形長短比と描画図形長短比を用いて両図形の概形が類似であるか否かを判定し、基準図形及び描画図形の概形が類似であり、かつ、その面積が同一であると判定した場合に、基準図形及び描画図形が一致すると判定するものとした。 （もっと読む）

【目的】マスクに形成されたパターン自体の位置精度の均質性を検査可能な検査装置を提供する。
【構成】検査装置１００は、離散的な領域を撮像した際に取得されたそれぞれの光学画像中の図形の寸法と、対応する参照画像中の図形の寸法との間での第１の位置ずれ量を用いて、被検査領域全体における第１の位置ずれ量マップを作成するマップ作成回路１３１と、検査領域全体を撮像した際に取得されたそれぞれの光学画像中の図形の寸法と、それぞれ対応する参照画像中の図形の寸法との間での第２の位置ずれ量を用いて、被検査領域全体における第２の位置ずれ量マップを作成するマップ作成回路１３２と、第２の位置ずれ量マップを、第１の位置ずれ量マップと第２の位置ずれ量マップとの第１の差分マップで補正した第３の位置ずれ量マップに定義される各値のうち、許容値を超える値の有無を判定する判定回路１５６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 マスク基板の欠陥検査を的確に行うことが可能なマスク基板の欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るマスク基板の欠陥検査方法は、マスク基板を載置したステージの走査とマスク基板の像を取得するＴＤＩカメラの電荷転送とを同期させない非同期状態で、マスク基板の非同期像を取得する工程Ｓ１２と、非同期像に基づいて、ある値以上の像強度を有する箇所の数を取得する工程Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５と、箇所の数に基づいて像強度の閾値を決定する工程Ｓ１６と、マスク基板を載置したステージの走査とマスク基板の像を取得するＴＤＩカメラの電荷転送とを同期させた同期状態で、マスク基板の同期像を取得する工程Ｓ１７と、同期像に基づいて、閾値以上の像強度を有する箇所を欠陥と判定する工程Ｓ１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】検査装置の透過光量分布のデータを用いて転写用マスクの内部欠陥等を検出する。
【解決手段】Ｄｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ比較検査法を適用し、薄膜の第１領域に対して検査光を照射して第１の透過光量分布を取得し、第２領域に対しても、検査光を照射して第２の透過光量分布を取得し、第１の透過光量分布と第２の透過光量分布との比較から算出される差分光量値が第１しきい値以上であり、かつ第２しきい値未満である座標をプロットした所定範囲差分分布を生成し、所定範囲差分分布でプロットの密度が高い領域が検出されない転写用マスクを選定する。 （もっと読む）

【目的】光量センサ出力と画像取得用のセンサ出力の応答速度のずれによる補正誤差を低減する。
【構成】パターン検査装置１００は、光源１０３と、被検査試料にレーザ光を照明する照明光学系１７０と、レーザ光の光量を測定する光量センサ１４４と、パターンの光学画像を撮像するＴＤＩセンサ１０５と、ＴＤＩセンサ１０５の出力タイミングが早い場合に、出力タイミングとの時間差分の期間、ＴＤＩセンサ１０５の出力データを一時的に記憶する記憶装置１４０と、光量センサ１４４の出力タイミングが早い場合に、出力タイミングとの時間差分の期間、光量センサ１４４の出力データを一時的に記憶する記憶装置１４２と、光学画像の階調値を時間差分ずらした時刻に出力された光量値を用いて補正する補正回路１４８と、比較対照となる参照画像を入力し、階調値が補正された光学画像と参照画像とを画素単位で比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像化の際に誤差が空間的に分散しやすい要素と、誤差があってもそれが局所にとどまる要素とが被検査対象領域内に混在する場合にも、位置合わせ精度を高くできる技術を提供する。
【解決手段】検査装置１は対象画像及び基準画像を複数のブロック領域に分割する。この対象画像及び基準画像のブロック領域がずらされつつ画素毎に比較されて、類似度マップＭＢが作成される。類似度が高くなるずらせ位置Ｐ（Δｘ，Δｙ）を表す各マップ点ＵＲが包含されることで最小矩形領域Ｓminが類似度マップＭＢにおいて設定される。最小矩形領域ＳminのＸ方向及びＹ方向の幅として特定される分布指標値Ｄx，Ｄyが閾値Ｄx0，Ｄy0と比較され、当該最小矩形領域Ｓminを有する対象ブロック領域が有効ブロックであるか否かが判定される。位置合わせのための確定ずらせ位置の算出には有効ブロックのみが使用される。 （もっと読む）

【課題】微細パターンのマスクを高感度で検査できるマスク検査装置及びマスク検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、減圧容器１０と、保持部１５と、光照射部２０と、検出部５０と、電極３０と、制御部６０と、を備えマスク検査装置１１０が提供される。前記保持部１５は、前記減圧容器１０の中に設けられ、マスク７０を保持する。前記光照射部２０は、前記保持部１５に保持された前記マスク７０の主面に光を照射する。前記検出部５０は、前記減圧容器１０の中に設けられ、前記マスク７０の前記主面に前記光が照射されて発生した電子を検出する。前記電極３０は、前記保持部１５と前記検出部５０との間に設けられ、前記保持部１５から前記検出部５０に向かう方向に前記電子を導く。前記制御部６０は、前記検出部５０で検出された前記電子の検出結果を基準となる値と比較する。 （もっと読む）

【課題】検査時間および労力を低減できるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、マスク検査方法は、半導体露光用マスクに任意波長の光を入射させ撮像部にて像を取得する光学系を用いて、前記マスクの欠陥の有無を検査する方法であって、予め前記光学系による点像を、前記撮像部の読み出し方向に伸長される制御条件を取得する第１ステップ（Ｓ２０３）と、前記制御条件により、マスクの所望の領域の像を取得する第２ステップ（Ｓ２０５）と、取得した前記所望の領域の像において、信号強度が予め定めておいた第１閾値以上であり、前記信号強度の前記読み出し方向における差分が予め定めておいた第２閾値以下であるピーク信号が存在する場合、前記ピーク信号の座標を欠陥として判定する第３ステップ（Ｓ２０６）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネス（roughness）が変化している領域においても、安定して欠陥を検出することができるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体露光用マスクの欠陥を検出する方法は、マスクの表面高さ分布からバックグラウンド強度を取得し、前記バックグラウンド強度から基準バックグラウンド強度分布を取得し、前記マスクに任意波長の光を入射させ、前記マスクの注目位置の像を取得し、前記取得された像の注目位置の信号強度と、前記注目位置の周辺領域における信号強度の平均値によって信号強度を取得し、前記基準バックグラウンド強度分布に対する、前記信号強度の比によって、前記信号強度の補正係数を求め、前記注目位置の信号強度に前記補正係数を乗じることによって、前記信号強度を補正し、前記補正された信号強度が予め定めておいたしきい値以上か否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】過度の欠陥検出を抑制することにより、不必要な欠陥修正を低減することのできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】センサ１０６からマスク１０１の光学画像を取得するし、光学画像におけるパターンの寸法と、判定の基準となる基準画像におけるパターンの寸法とを測定し、これらから第１の誤差を求める。マスク１０１上の光学画像と基準画像について各転写像を推定し、これらの転写像におけるパターンの寸法を測定して第２の誤差を求める。各転写像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する。欠陥と判定された箇所における第２の誤差を第１の誤差で補正する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査と位置精度測定を同時に行い、位置精度測定は、マスク上に位置精度測定用のモニターマークを必要とすることなく、任意のパターンで任意の測定点密度で測定する手法を提供する。
【解決手段】参照画像上の任意の場所に位置精度測定用のモニターパターンを生成し、マスク検査時に取り込まれるマスク画像と参照画像を比較することで、モニターパターンを欠陥として検出し、モニターパターンと対象のマスクパターンの相対位置ずれ量を算出することでパターンの位置精度測定を行う。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度を高める。
【解決手段】実施形態のアライメント方法は、局所領域設定ステップと、局所アライメントステップと、シフトステップとを、含む。局所領域設定ステップでは、局所領域設定部が、アライメント対象領域の中から、アライメント要求精度以上の精度で行われる局所アライメントの実行対象領域である局所領域を設定する。局所アライメントステップでは、局所アライメント部が、前記局所領域において、検査対象のパターン画像と検査基準の基準パターン画像との前記局所アライメントを行い、局所アライメント結果であるシフト量を得る。シフトステップでは、シフト部が、前記シフト量を用いて前記基準パターン画像全体をシフトする。 （もっと読む）

【課題】量産装置としての完成度が高く、かつ、大気中でのレンズを使用した検査光学系を使用できるＤＵＶ光を使用したマスクブランクの検査方法において、わずか数ｎｍの微細な凹凸欠陥（位相欠陥）を高感度に検出できる技術を提供する。
【解決手段】第１画像検出器ＳＥ１をレンズＬ３の結像面１６よりも光路長がＸＬ１だけ短い位置に配置することにより、マスクブランクＭＢ上の検査光照射領域１２の拡大検査像を負のデフォーカス状態で収集する。これに対し、第２画像検出器ＳＥ２をレンズＬ４の結像面１７よりも光路長がＸＬ２だけ長い位置に配置することにより、マスクブランクＭＢ上の検査光照射領域１１の拡大検査像を正のデフォーカス状態で収集する。 （もっと読む）

【課題】吸収体パターンを被着させる前のマスクブランクの段階で位相欠陥を検出することが可能な装置を提供する。
【解決手段】マスク検査装置１００は、ＥＵＶ光を反射する多層膜が形成されたマスクブランクの表面に照明光を照明する照明光学系と、マスクブランク表面から反射された同じ位置の像について、異なるデフォーカス量でデフォーカスさせた位置で撮像するセンサ１０５，３０５と、異なるデフォーカス量で撮像されたマスクブランク表面の同じ位置での第１と第２の光学画像を用いて、マスクブランクの欠陥の有無を判定する判定部１７６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】検査感度を向上させることができるパターン検査装置を提供する。
【解決手段】第１の検出データと前記第１の遅延データとから解像限界以下のパターンのデータを抽出する第１の抽出部３３と、前記抽出された第１の検出データに係るデータの注目画素に対する周辺領域の出力レベルの平均値を演算し、前記抽出された第１の検出データに係るデータの出力レベルと前記平均値との差を演算する第１の出力変位演算部３４ａと、前記抽出された第１の遅延データに係るデータの注目画素に対する周辺領域の出力レベルの平均値を演算し、前記抽出された第１の遅延データに係るデータの出力レベルと前記平均値との差を演算する第２の出力変位演算部３４ｂと、前記第１及び第２の出力変位演算部による演算結果に基づいて、パターン欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】レティクルの設計パターンにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装された方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィック変数の異なる値に対する該レティクルの画像を取得する工程において、画像は、ノミナル値で得られた二つまたはそれ以上の参照画像および一つまたはそれ以上の変調された画像を含む、該取得する工程と、該二つまたはそれ以上の参照画像から複合参照画像を生成する工程と、を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【目的】信号振幅が低下したパターンが形成されたマスクを検査する場合であっても、検査で必要な十分なコントラストを得ることが可能な装置を提供することを目的とする。
【構成】実施形態によれば、パターン検査装置は、センサと、記憶装置と、階調変換部と、比較部と、を備えている。かかるセンサは、パターン形成された被検査マスクの光学画像を撮像する。記憶装置は、マスク種に応じて作成された複数の階調変換テーブルを記憶する。階調変換部は、前記記憶装置に記憶された複数の階調変換テーブルの中から前記被検査マスクの種類に対応する階調変換テーブルを選択し、選択された階調変換テーブルに沿って前記センサにより撮像された光学画像データの画素値を階調変換する。比較部は、階調変換された光学画像データの比較対象となる参照画像データを入力し、前記階調変換された光学画像データと前記参照画像データとを画素毎に比較する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ露光用マスクの洗浄時期を適切に判定することができ、パターン転写精度の向上及び露光装置のスループット向上に寄与する。
【解決手段】 露光装置にセットされたＥＵＶ露光用マスクの洗浄時期を管理するためのＥＵＶ露光用マスクの管理方法であって、マスクに設けられたアライメントマーク２１に対しＥＵＶ光を照射し、マスクからの反射光を検出することにより、マーク２１の異なる２方向にそれぞれ対応するマークプロファイル信号を得るステップＳ３と、得られた各マークプロファイル信号から、マークの異なる２方向の寸法をそれぞれ測定するステップＳ４と、測定された異なる２方向の寸法の差分を算出するステップＳ５と、算出された差分の大きさに基づいてマスクの洗浄時期を判定するステップＳ６とを含む。 （もっと読む）

【課題】検査対象に形成されたパターンの寸法や位置の変動を正確に求めることが可能な検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された試料に光を照明し、試料の像を画像センサに結像して光学画像を取得し、光学画像を基準画像と比較してこれらの画像におけるパターンの寸法差が所定の範囲を超えたときに欠陥と判定する検査方法において、光の強度および画像センサの感度の内で少なくとも一方の時間的変動を取得し、この時間的変動とパターンの寸法差の時間的変動との関係を求めてパターンの寸法差を補正する。画像センサを試料に対し相対的に移動させることにより、試料全体の光学画像を取得しながら、所定時間毎に試料内に設けた別のパターンに画像センサを移動させて、画像センサの感度の時間的変動を求めることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡で得られる画像から微細パターンの側壁角度を精度良く測定することができる微細パターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の微細パターン測定方法は、微細パターンを電子線で走査し得られた走査画像から信号プロファイルを生成する。前記信号プロファイルから微細パターン中のパターン平坦部に相当する輝度値を抽出する。走査画像の各画素の輝度値は、画像中の最大輝度値を基準とした圧縮比による規格化処理を施したものである。したがって、パターン平坦部の輝度値は、微細パターンの側壁角度に依存した値となる。そのため、前記輝度値を側壁角度の指標値として、微細パターンの側壁角度を算出することで、走査型電子顕微鏡のビーム径よりも狭い幅に相当する急峻な側壁角度も精度良く測定することが出来る。 （もっと読む）