【課題】パターン密度に応じて発生する表示画質劣化や表示速度低下を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、階層化された描画データに含まれる第１階層の要素に対応する第２階層の要素群を順次読み込むデータ読込部と、第２階層の要素数を取得する要素数取得部３１と、第２階層の要素数に応じて区画サイズを調整し第１階層の要素を複数の区画に分割し、区画ごとにフラグを有する区画マップを形成するマップ形成部３２と、読み込まれた第２階層の要素の位置に対応する区画のフラグが、その区画を表示する表示処理を許可する許可状態又は禁止する禁止状態であるかを判断するフラグ判断部３３と、区画のフラグが許可状態であると判断された場合に表示処理を許可し、区画のフラグが禁止状態であると判断された場合に表示処理を禁止する処理制限部３４と、表示された区画のフラグを許可状態から禁止状態に切り替えるフラグ切替部３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターンを撮像した画像から、フォトマスクのＯＰＣパターンの寸法を精度良く且つ容易に測定することができるパターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、フォトマスクのＯＰＣパターンのうち、所望の範囲のパターンを包含する一回り大きい測定対象領域を設定し、測定対象領域のパターンの寸法を微小な領域毎に測定し、寸法の測定値を統計的に処理したものを曲線で近似し、近似曲線で表れるデータ群のうち、所望の範囲のパターン寸法に相当するデータ群の平均値を、所望の範囲のパターン寸法として推定する。 （もっと読む）

【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置２００は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ（１）に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＢを作成するＷＰフィルタ処理部５６と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップＣを作成するＬＰフィルタ処理部５８と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ（２）に対し、ＬＰフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＣを作成するＬＰフィルタ処理部６４と、位置ずれマップＡと位置ずれマップＢの差分に位置ずれマップＣを加算することによって合成して位置ずれマップＤを作成する合成部６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】差分図形の確認負荷を減らし、その結果、異常データの検出精度向上を図ることが可能なフォトマスク描画データの検証方法及びその検証装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクパターンの設計データと、該設計データに基づきフォトマスクパターン描画に適用される描画データから行なわれるフォトマスク描画データを検証する方法であって、前記差分データを前記設計データと比較参照し、前記設計データと合致している前記差分データのうち、斜め線部分とそれ以外の部分について、データ削除対象を描画装置の描画精度及び描画条件と、フォトマスクの製品仕様と、に基づいて変化させて、前記描画データにおけるデータ異常検出を行うことを特徴とするフォトマスク描画データの検証方法。 （もっと読む）

【課題】マスクデータに対して精度良く容易にマスク検査を行うことができるマスク検査方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスク検査方法では、基板上に形成する半導体集積回路パターンに対応する原版データを作成する。その後、原版製造プロセスを模擬した原版製造シミュレーションを実施して、前記原版データに対応する原版パターンを原版上に形成した場合の原版パターン形状に関する原版製造パターン情報を導出し、前記原版製造パターン情報が、前記原版製造プロセスに基づいて決められた所定値を満足するか否かを判定する。その後、前記原版の検査に用いる原版検査装置の光学系を模擬した原版検査シミュレーションを実施して、前記原版検査装置が前記原版を検査する際に検出する原版パターン形状に関する原版測定パターン情報を導出し、原版の検査結果が、許容範囲内であるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】製造したテンプレートの形状と、そのテンプレートによって形成された被処理膜を形成するためのパターンが、テンプレートの描画データに基づいて正しく製造されているかを調べるために使用するパターン検査データの作成方法を提供する。
【解決手段】隣接する一対のライン部を形成するパターンの端部間が接続された閉ループ構造のデバイスパターン形成用パターンを有するテンプレートを形成するための描画データのパターンの外周を、外向き／内向きに所定の量だけ移動させたバイアスデータを作成し、ついで、パターンの外周を外向きと内向きの両方に所定の量だけ移動させて２つのバイアスデータを作成した場合には、２つのバイアスデータの差分を取り、パターンの外周を外向きまたは内向きの一方に所定量だけ移動させて１つのバイアスデータを作成した場合には、バイアスデータとパターンの描画データとの差分を取ってパターン検査データを作成する。 （もっと読む）

【課題】、マスク上の欠陥とそれがウェハに及ぼす影響、修正による改善の程度まで推定可能な欠陥推定装置と欠陥推定方法を提供する。欠陥判定処理を容易にし、マスク上の欠陥とウェハ像への波及を推定可能な検査装置と検査方法を提供する。
【解決手段】マスク検査結果２０５のうち、欠陥箇所のマスク採取データは、模擬修正回路３００に送られて模擬修正が行われる。模擬修正されたマスク採取データは、マスク検査結果２０５に戻された後、対応する箇所の参照画像とともにウェハ転写シミュレータ４００に送られる。ウェハ転写シミュレータ４００で推定されたウェハ転写像は比較回路３０１に送られ、比較回路３０１で欠陥と判定されると、その座標と、欠陥判定の根拠となったウェハ転写像とが、転写像検査結果２０６として保存される。マスク検査結果２０５と転写像検査結果２０６はレビュー装置５００に送られる。 （もっと読む）

【課題】 マスクに対して早期の欠陥発見を可能とし、スループットの向上に寄与する。
【解決手段】 パターン描画装置とパターン検査装置とを接続してなるパターン描画システムであって、パターン描画装置１００は、描画時に基板から放出される２次電子を電子検出器１２０で検出し、得られた描画結果データを基に欠陥予報データを作成し、この欠陥予報データをＬＡＮ１３０を介してパターン検査装置２００に送出し、パターン検査装置２００は、パターン描画装置１００から出力された欠陥予報データを取り込み、欠陥予報データに基づいて検査の優先順位を決定する。 （もっと読む）

【課題】マスク上に形成されたパターンと設計パターンとの線幅の差の分布、または、これらのパターンの位置ずれ量の分布を正確に求める。
【解決手段】検査対象を撮像して光学画像を得る。また、パターンの設計データから参照画像を作成する。１つ以上のテンプレートと、検査に必要なパラメータセットとを備えた検査レシピを用意する。パターンとテンプレートを照合して、テンプレートに対応する参照画像を選択する。選択した参照画像について、任意の座標を基準としてパラメータセットにしたがい第１のエッジと第２のエッジを検出する。選択した参照画像に対応する光学画像について、第１のエッジに対応するエッジと、第２のエッジに対応するエッジとを検出する。光学画像と参照画像との差または光学画像で検出したエッジ間の線幅を測定することにより、光学画像と参照画像との線幅の差から検査値を求める。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板の製造と共にマスク欠陥検査装置自体の検査を実行可能なフォトマスクを製造するフォトマスク製造方法、そのフォトマスクを用いたフォトマスク欠陥検査装置判定方法、及びフォトマスク欠陥検査装置判定装置を提供する。
【解決手段】電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記電子回路基板における電子回路領域を避けて配置したマスクパターンを示すマスクパターンデータを作成する作成段階と、前記作成段階により作成されたマスクパターンデータが示すマスクパターンを、フォトマスクに転写する転写段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高精度のパターン検査を行うことが可能なパターン検査方法等を提供する。
【解決手段】披検査パターンの設計データを、披検査パターンの検査に用いる照明の照明条件に依存した情報に基づいて加工する工程（Ｓ１２）と、加工された設計データから披検査パターンの参照データを生成する工程（Ｓ１４）と、実際に形成された披検査パターンのデータと参照データとを比較する工程と（Ｓ１５）、を備える。 （もっと読む）

【課題】検査対象に形成されたパターンの寸法や位置の変動を正確に求めることが可能な検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された試料に光を照明し、試料の像を画像センサに結像して光学画像を取得し、光学画像を基準画像と比較してこれらの画像におけるパターンの寸法差が所定の範囲を超えたときに欠陥と判定する検査方法において、光の強度および画像センサの感度の内で少なくとも一方の時間的変動を取得し、この時間的変動とパターンの寸法差の時間的変動との関係を求めてパターンの寸法差を補正する。画像センサを試料に対し相対的に移動させることにより、試料全体の光学画像を取得しながら、所定時間毎に試料内に設けた別のパターンに画像センサを移動させて、画像センサの感度の時間的変動を求めることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光学画像のパターンと基準画像のパターンとの位置合わせを高い精度で行いつつ、且つ、高速で欠陥検出のできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】画像センサから試料の光学画像を取得する工程と、光学画像および判定の基準となる基準画像のいずれか一方について、そのＸ方向とＹ方向の移動量をそれぞれα（０≦α＜１）とβ（０≦β＜１）として、αおよびβと光学画像と基準画像の差分の２乗和との関係を表す方程式を求める工程と、この方程式から得られる差分の２乗和が最小となる（α，β）の組から、位置合わせに最適な移動量を求める工程とを有する。この方程式についてαおよびβの偏微分を解くことにより、位置合わせに最適な移動量を求めてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【目的】予め歪ませたパターンが形成された被検査対象試料をダイーダイ検査する際に、高精度な検査が可能なパターン検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、複数の同一パターンが形成位置にそれぞれ歪みをもって形成された被検査試料の光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、前記光学画像データを複数の部分光学画像データに切り出す切り出し部７２と、前記被検査試料に形成されたパターンの歪み量を取得可能な歪情報を用いて、前記複数の部分光学画像データの位置を補正する補正部７４と、補正された前記複数の部分光学画像データ同士を画素毎に比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】位相欠陥と、パターン欠陥または異物とを、同時に検出可能な検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置１００は、透過照明光学系３０１によってマスク１０１の一方の面に光を照射し、マスク１０１を透過した透過光を透過結像光学系３０３を介して第１のフォトダイオードアレイ１０４に結像する。また、反射照明光学系３０２によってマスク１０１の他方の面に光を照射し、マスク１０１で反射した反射光を反射結像光学系３０４を介して第２のフォトダイオードアレイ１０５に結像する。透過照明光学系３０１の瞳面には第１の開口絞り２０３が配置され、透過結像光学系３０３の瞳面には、第１の開口絞り２０３と共役な形状であって位相差フィルタを備えた第２の開口絞り２０８が配置されている。 （もっと読む）

【課題】擬似欠陥を低減する一方で、転写後に欠陥を生じさせるおそれのあるパターンを予め拾い出して検査する検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成されたマスクの光学画像データを得る。設計パターンデータから光学画像に対応する参照画像データを作成する。設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する。領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の閾値または複数の欠陥判定処理方法の１つを用いて、領域画像データが示す領域内の光学画像データと参照画像データとを比較して画素毎に欠陥判定する。設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦが所定値以上の箇所の画像データを作成する。 （もっと読む）

【課題】
レビューＳＥＭを用いて回路パターンを定点観察する場合に、観察する回路パターンのばらつきが大きい場合でも、虚報の発生を抑えて安定した検査を行えるようにする。
【解決手段】
レビューＳＥＭを用いて所定の回路パターンを順次撮像してえたＳＥＭ画像を記憶手段に記憶し、この記憶したＳＥＭ画像の中から設定した条件に適合する画像を選択し平均化して平均画像(ＧＰ画像)を作成し、このＧＰ画像を用いたＧＰ比較によりパターン検査を行うことにより、回路パターンのばらつきが大きい場合でも虚報の発生をおさえた検査を可能にした。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬにおいて用いるＥＵＶマスクの信頼性を向上させる。
【解決手段】多層膜と吸収体パターンとを有するＥＵＶマスクをマスクステージに載置し、基準マークの位置を検出する（ステップＳ１０１）。続いて、ＥＵＶマスク上の被検査領域にＥＵＶ光を照射し、その反射光を画像検出器により捕集して、画素信号として取得する（ステップＳ１０３）。次に、吸収体パターンの設計データから画素信号の計算値を数値計算により求める（ステップＳ１０５）。そして、取得した画素信号と、数値計算により求めた画素信号の計算値とを比較することで、ＥＵＶマスク上の被検査領域の欠陥の有無を判定する（ステップＳ１０６）。欠陥が検出された場合、その位置を基準マークからの相対位置として記録する（ステップＳ１０７）。その後、マスクステージを移動して、ＥＵＶマスク上の他の被検査領域に対して上記の工程を繰り返して施す。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬにおいて用いるＥＵＶマスクの信頼性を向上させる。
【解決手段】多層膜と吸収体パターンとを有するＥＵＶマスク上の基準パターンを基点にして、吸収体パターンのレイアウトデータをメッシュに区分する（ステップＳ０１）。その後、ＥＵＶマスク上に欠陥が無い場合におけるＥＵＶ光に対する散乱光の補正信号強度を、メッシュごとに算出する（ステップＳ０３）。それに並列して、ＥＵＶマスクにＥＵＶ光を照射し、その散乱光の測定信号強度を計測する（ステップＳ０４）。続いて、メッシュごとに、測定信号強度から補正信号強度を差し引くことでメッシュ信号強度を算出する（ステップＳ０５）。そして、メッシュ信号強度の値から位相欠陥の有無を判定する（ステップＳ０６）。ここでは、メッシュ信号強度が所定の閾値を超える場合に、そのメッシュのＥＵＶマスク上に位相欠陥が有ると判定する。 （もっと読む）