【課題】フォトマスクのパターンの輪郭を的確に抽出することが可能な輪郭抽出方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、フォトマスク上に形成された披測定パターンの２次電子強度又は反射電子強度の２次元分布情報を走査型電子顕微鏡によって取得する工程Ｓ２と、２次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第１の方法によってエッジ位置を抽出する工程Ｓ３と、２次元分布情報に基づき、補正値取得用エッジについて第２の方法によってエッジ位置を抽出する工程Ｓ４と、第１の方法によって抽出されたエッジ位置と第２の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する工程とＳ５、２次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を第２の方法によって抽出する工程Ｓ６と、所望エッジのエッジ位置を補正値に基づいて補正する工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】周期性のあるパターン、特に、ＬＣＤ製造用フォトマスクのような基板において、回折光量差によるコントラストからパターン変動発生箇所を精度良く識別し、かつ、その変動発生周期を簡便に導出することによって、むら検査を実施することができるむら検査装置、むら検査方法およびむら判定方法を提供することを課題とする。
【解決手段】回折光量差によるコントラストからパターン変動発生箇所を精度良く識別し、かつ、その変動発生周期を簡便に導出することによってむら検査を実施することができる検査装置およびむら検査方法。 （もっと読む）

【目的】信号振幅が低下したパターンが形成されたマスクを検査する場合であっても、検査で必要な十分なコントラストを得ることが可能な装置を提供することを目的とする。
【構成】実施形態によれば、パターン検査装置は、センサと、記憶装置と、階調変換部と、比較部と、を備えている。かかるセンサは、パターン形成された被検査マスクの光学画像を撮像する。記憶装置は、マスク種に応じて作成された複数の階調変換テーブルを記憶する。階調変換部は、前記記憶装置に記憶された複数の階調変換テーブルの中から前記被検査マスクの種類に対応する階調変換テーブルを選択し、選択された階調変換テーブルに沿って前記センサにより撮像された光学画像データの画素値を階調変換する。比較部は、階調変換された光学画像データの比較対象となる参照画像データを入力し、前記階調変換された光学画像データと前記参照画像データとを画素毎に比較する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不要な輪郭線処理を抑制、或いは必要な部分の選択的な輪郭線化を目的とする輪郭線抽出方法、及び輪郭線抽出装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、試料から放出される荷電粒子に基づいて形成される画像上のパターンエッジの輪郭線を抽出する輪郭線抽出方法、及び装置において、複数の撮像領域の画像を接続して合成画像を形成するときに設けられる重畳領域に位置するパターンの輪郭線化を実施するときに、当該パターンの前記複数の撮像領域における面積、或いは予め設定された測定部位を求め、当該面積の大きい側、或いは当該パターンについて測定部位が位置する側の撮像領域の画像に対し、前記パターンの選択的な輪郭線抽出を行う輪郭線抽出方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】微細構造体パターンのボトム部の裾引きをＣＤ−ＳＥＭを用いて、微細構造体パターンのボトム部の裾引きを精度良く測定することができる微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置を提供すること。
【解決手段】フォトマスクの微細パターンの画像を取得し、画像を処理して信号プロファイルを生成し、信号プロファイルを処理して微分プロファイルを生成し、微分プロファイルから微細パターンの微分ピーク値を算出して、微細パターンのボトム部の裾引きを算出することを特徴とする微細パターン測定方法。 （もっと読む）

【目的】フォトマスク上のゴミ等の異物を高感度で検出するフォトマスク検査方法を提供する。
【構成】表面に第１の領域と第１の領域より検査光に対して高い反射率を有する第２の領域を備えるフォトマスクの検査方法であって、フォトマスクの反射画像を取得し、この反射画像について、第１の領域の反射強度以上の画素値を有する画素の画素値を前記第１の領域の画素値に書き換える処理を行ったアンダーシュート画像を作成し、このアンダーシュート画像と底上げした凹型カーネルとの差の二乗和から成るＳＳＤ（Ｓｕｍ ｏｆ Ｓｑｕａｒｅｄ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ）画像を作成し、このＳＳＤ画像にスムージング処理を行った局所暗部強調画像を作成し、この局所暗部強調画像と所定の閾値との比較により異物を検出することを特徴とするフォトマスク検査方法。 （もっと読む）

【課題】マスク検査装置及びマスク検査方法を提供する。
【解決手段】所望のパターンに蒸着するために、所定の開口を有するマスクを検査するためのマスク検査装置１００であって、マスクの開口の境界線を検出する表示部１１１と、マスクを利用して蒸着する被蒸着材の情報を保存した保存部１１２と、保存部１１２に保存された被蒸着材の情報に基づいて、蒸着領域の外郭線を形成する第１境界線、第１境界線周囲を取り囲むように形成される第２境界線、第１境界線と第２境界線との間に形成される安全領域を設定する設定部１１４と、表示部１１１が検出したマスクの境界線が、第１境界線及び第２境界線と接触せず、安全領域内に存在するか否かを判断する制御部１１３と、を備えるマスク検査装置１００である。 （もっと読む）

【課題】パターン形状に起因するパターンの加工不良を正確かつ容易に検証できるパターン検証方法を提供すること。
【解決手段】基板上に生成されるパターン形状４３からパターン形状４３の輪郭４４を抽出する輪郭抽出ステップと、輪郭４４上にパターン形状４３の検証位置となる評価点ｐ１〜ｐ７を所定の間隔で設定する評価点設定ステップと、評価点ｐ１〜ｐ７における輪郭４４上の曲率を算出する曲率算出ステップと、曲率が予め設定された所定の閾値を満たすか否かに基づいて、パターン形状４３を検証する検証ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】目視検査によらず自動的に高精度に検査して、検査性能の低下やバラツキをなくし、マスク製造の歩留りを向上することができる荷電粒子線露光用マスクの異物検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線露光用マスクをステージ上に搭載し、ステージ上の荷電粒子線露光用マスクの所定の検査ポイントを順次移動して、検査画像を取得するように制御し、荷電粒子線露光用マスクの所定領域の検査画像を光学顕微鏡により取得し、取得した検査画像を２値化処理することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの異物検査方法。 （もっと読む）

【課題】 基板上へと転写されるマスクパターンからの欠陥の最小限化または除去の支持するために改善されたマスク検査システムを提供すること。
【解決手段】 ＥＵＶマスク検査のための装置、方法およびリソグラフィシステムを開示する。ＥＵＶマスク検査システムはＥＵＶ照明源、光学システムおよびイメージセンサを含んでもよい。ＥＵＶ照明源はスタンドアロン照明システムであるか、またはリソグラフィシステムに組み入れられてもよく、ＥＵＶ照明源はＥＵＶ放射ビームをマスクのターゲット部分上に照明するように構成されてもよい。光学システムは、マスクのターゲット部分から反射したＥＵＶ放射ビームの少なくとも一部を受けるように構成されてもよい。さらに、イメージセンサは、反射したＥＵＶ放射ビームの一部に対応する空間像を検出するように構成されてもよい。ＥＵＶマスク検査システムは、マスク欠陥について空間像を分析するように構成されたデータ分析デバイスを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】マスク上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、マスクの検査時間を短縮することができるパターン描画装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン描画装置１は、マスク中に含まれる複数のサブ領域を優先順位に従って検査しつつ、その検査結果に基づいて各サブ領域の検査の優先順位（パラメータｉ）を変更する。このため、検査結果を考慮した適正な順序で複数のサブ領域を検査することができる。これにより、マスク上の緊急性の高い汚れを早期に発見することができるとともに、マスクの検査時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【目的】検査対象試料の被検査パターン画像を適切に検査するために、検査基準パターンの画像を適切に補正した補正画像を生成する装置及びその方法を提供する。
【構成】被検査パターン画像と検査基準パターン画像の位置合わせを行い、サブ画素単位の相対シフト量を算出し、検査基準パターン画像を、この相対シフト量に基づいて垂直または水平方向のいずれか一方のシフト方向にシフトさせ、第１の線形予測モデルを用い検査基準パターン画像を上記シフト方向と垂直方向に補正して第１の補正パターン画像を生成し、第２の線形予測モデルを用い第１の補正パターン画像を、上記シフト方向と同一方向に補正して、第２の補正パターン画像を生成する補正パターン画像生成装置および補正パターン画像生成方法。 （もっと読む）

【目的】より実画像に近い参照画像を生成可能なパターン検査を行う装置を提供することを目的とする。
【構成】パターン検査装置１００は、サンプル光学画像データをＮ倍の解像度に変換する倍率変換部５０と、サンプル光学画像データのＮ倍の解像度で対応する階調値を定義した設計画像データと所定の低域ろ過関数とを畳み込み積分するＬＰＦ５４と、この設計画像データと所定の光学モデル関数とを畳み込み積分するＰＳＦ５６と、これらの画像データを用いて光学モデル関数の係数を取得する係数取得部１４２と、パターン形成された被検査試料の実光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、係数を用いて、前記被検査試料の実光学画像データに対応する参照画像データを作成する参照回路１１２と、実光学画像データと参照画像データを比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一レイヤーへのダブルパターニング技術において、ウエハ等の試料への露光時に欠陥となりうるパターンについてパターン間の位置関係の評価を可能にするレチクル検査技術を提供する。
【解決手段】ダブルパターニング技術で用いられる二枚のレチクルを検査するレチクル検査装置において、測定対象のパターンの座標情報を入力する座標情報入力機能１０２と、得られた座標情報をもとに前記二枚のレチクルパターンの画像データを取得する画像入力機能１０３、１０５と、前記二枚のレチクルの前記画像データを同一座標について重ね合わせる画像重畳機能１０６と、前記二枚のレチクルのパターン間の位置関係を求める位置関係算出機能１０７と、前記位置関係に基づく前記重ね合わせ精度の指標を割り当て、前記二枚のレチクルの修正の要否を評価する評価機能１０８と、評価した結果を出力する評価結果出力機能１０９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】従来、製造プロセスの不良対策は、該検査装置で検出された欠陥を分析することにより行われている。一方、光散乱方式の欠陥検査装置の検出結果として総検出個数や欠陥の検出座標、欠陥の寸法などの情報を出力している。光散乱方式の欠陥検査においては、散乱光を用いて欠陥の寸法を測定しているが、寸法が適切に算出できない場合があった。
【解決手段】光学的系により検査する欠陥検査装置において、欠陥検出とほぼ同時に欠陥の寸法を測定する。欠陥寸法の測定を高精度化するために、標準粒子などの標準試料を用いて欠陥寸法を校正する手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの製造歩留まりを向上し、検査コストを抑制することができるフォトマスク欠陥判定方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれる回路のデータが記録された回路データ１を準備し、これに基づいたレイアウトデータ２を準備する。さらにレイアウトデータ２を、ＲＥＴを用いて補償済みレイアウトデータ３に変換する。マスク製造用データ４中のそれぞれのパターンには、フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれるときに、電気的にアクティブな領域を形成するアクティブ領域対応パターンであるのか、又は、電気的にノンアクティブな領域を形成するノンアクティブ領域対応パターンであるのかに係る属性情報が付与されている。検査工程６において、フォトマスク上に形成されたパターンが欠陥を有するか否かを判定するときにはこの属性情報に応じて欠陥判定基準が変更される。 （もっと読む）

【課題】 適切なパターン情報を生成することが可能なパターン情報生成方法を提供する。
【解決手段】 マスクパターンの画像を取得する工程Ｓ１１と、マスクパターンの画像と参照パターンとをマッチングさせる工程Ｓ１３と、参照パターンの頂点からの距離に応じた設定間隔で参照パターンの輪郭に参照点を設定する工程Ｓ１４と、参照点によって規定される位置にマスクパターンの画像の輪郭点を出力する工程Ｓ１５とを備える。 （もっと読む）

【目的】クロストークによる偽像を補正するパターン検査を行う装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、パターン形成されたフォトマスク１０１の光学画像中の複数の画素情報を同時期に検出する複数のフォトダイオードを有するラインセンサ１０５と、同時期に検出された複数の画素情報の各画素情報から複数の画素情報のその他の画素情報に基づく補正量を減ずる補正を行なう偽像補正部３４０と、補正された各画素情報と所定の参照画素情報とを比較する比較部３６０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】よりパラメータ数を抑えた演算により高精度な位置合わせを行う検査装置を提供する。
【解決手段】一態様の試料検査装置は、パターンが形成された被検査試料の光学画像を取得する光学画像取得部１５０と、光学画像と比較する参照画像を作成する参照回路１１２と、光学画像と参照画像との画素単位で疎アライメントされた位置からの平行移動量と伸縮誤差係数と回転誤差係数と階調値の定数と像強度変動率とを各パラメータとしたモデル式を用いて、最小二乗法により前記各パラメータを演算する最小二乗法パラメータ演算部３７０と、各パラメータに基づいて、画素単位で疎アライメントされた位置からの位置ずれ量分参照画像の位置をずらした補正画像を生成する補正画像生成回路３９０と、補正画像と光学画像とを比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面スペックル形成に対するフィルタを提供する一方、コヒーレント光を保持すること。
【解決手段】物体からの放射を検出デバイスに結像する方法。方法は、コヒーレント放射ビームを物体に誘導することと、物体に対する入射面の内側または外側の角度に渡って放射ビームをスキャンすることと、物体からの散乱線を検出デバイスに結像することとを含む。 （もっと読む）