【課題】マスク上に描画されたマスクパターンをより高い精度でかつ容易に評価可能な画像評価方法及び画像評価プログラムを提供する。また、所望の図形を描画可能な描画条件を算出する描画条件選択方法及び描画条件選択プログラムを提供する。
【解決手段】画像評価方法及び画像評価プログラムは、基準図形と描画図形の面積が同一又は略同一であるか否かを判定し、両図形の輪郭線から算出された点列を主成分分析して得られる第１主成分及び第２主成分との長さの比である基準図形長短比と描画図形長短比を用いて両図形の概形が類似であるか否かを判定し、基準図形及び描画図形の概形が類似であり、かつ、その面積が同一であると判定した場合に、基準図形及び描画図形が一致すると判定するものとした。 （もっと読む）

【目的】マスクに形成されたパターン自体の位置精度の均質性を検査可能な検査装置を提供する。
【構成】検査装置１００は、離散的な領域を撮像した際に取得されたそれぞれの光学画像中の図形の寸法と、対応する参照画像中の図形の寸法との間での第１の位置ずれ量を用いて、被検査領域全体における第１の位置ずれ量マップを作成するマップ作成回路１３１と、検査領域全体を撮像した際に取得されたそれぞれの光学画像中の図形の寸法と、それぞれ対応する参照画像中の図形の寸法との間での第２の位置ずれ量を用いて、被検査領域全体における第２の位置ずれ量マップを作成するマップ作成回路１３２と、第２の位置ずれ量マップを、第１の位置ずれ量マップと第２の位置ずれ量マップとの第１の差分マップで補正した第３の位置ずれ量マップに定義される各値のうち、許容値を超える値の有無を判定する判定回路１５６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光リソグラフィ用マスクの位相欠陥を簡便に救済する技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの製造に用いるマスクブランクの位相欠陥検査工程で位相欠陥が検出された場合、前記位相欠陥が凹欠陥か凸欠陥かを判定し、前記位相欠陥の凹凸に応じて、前記ＥＵＶリソグラフィ用マスクの前記位相欠陥を含む部位を局所的にデフォーカスさせて露光を行うことにより、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの位相欠陥を修正することなく、半導体ウエハへの回路パターンの異常転写を抑制する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターンの輪郭を的確に抽出することが可能な輪郭抽出方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、フォトマスク上に形成された披測定パターンの２次電子強度又は反射電子強度の２次元分布情報を走査型電子顕微鏡によって取得する工程Ｓ２と、２次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第１の方法によってエッジ位置を抽出する工程Ｓ３と、２次元分布情報に基づき、補正値取得用エッジについて第２の方法によってエッジ位置を抽出する工程Ｓ４と、第１の方法によって抽出されたエッジ位置と第２の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する工程とＳ５、２次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を第２の方法によって抽出する工程Ｓ６と、所望エッジのエッジ位置を補正値に基づいて補正する工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネス（roughness）が変化している領域においても、安定して欠陥を検出することができるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体露光用マスクの欠陥を検出する方法は、マスクの表面高さ分布からバックグラウンド強度を取得し、前記バックグラウンド強度から基準バックグラウンド強度分布を取得し、前記マスクに任意波長の光を入射させ、前記マスクの注目位置の像を取得し、前記取得された像の注目位置の信号強度と、前記注目位置の周辺領域における信号強度の平均値によって信号強度を取得し、前記基準バックグラウンド強度分布に対する、前記信号強度の比によって、前記信号強度の補正係数を求め、前記注目位置の信号強度に前記補正係数を乗じることによって、前記信号強度を補正し、前記補正された信号強度が予め定めておいたしきい値以上か否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】過度の欠陥検出を抑制することにより、不必要な欠陥修正を低減することのできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】センサ１０６からマスク１０１の光学画像を取得するし、光学画像におけるパターンの寸法と、判定の基準となる基準画像におけるパターンの寸法とを測定し、これらから第１の誤差を求める。マスク１０１上の光学画像と基準画像について各転写像を推定し、これらの転写像におけるパターンの寸法を測定して第２の誤差を求める。各転写像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する。欠陥と判定された箇所における第２の誤差を第１の誤差で補正する。 （もっと読む）

【課題】発生頻度が低くフォトマスクの寸法不具合起因のパターン系統的な欠陥の検出精度を向上させる。
【解決手段】パターングルーピング部１６ｂは、レイアウトパターン間の類似性に基づいてレイアウトパターンをグルーピングし、重み値設定部１６ｃは、パターングルーピング部１６ｂにてグルーピングされたグループに属するレイアウトパターンの形成困難性に基づいて、グループの重み値を設定し、グループ順位算出部１６ｅは、グループに属するレイアウトパターンの個数およびグループの重み値に基づいて、グループの順位を算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、輪郭線が周期性を有する描画パターンのパターン幅を、精度よく測定できるパターン幅測定プログラム、パターン幅測定装置を提供する。
【解決手段】測定プログラム５５ａは、複数の単位形状３が一定の配列ピッチＰで配置された段付データ２に基づいて描画され、周期性を持つ輪郭線５ａを有する段付パターン５を測定する測定装置５０を、段付パターン５の測定領域ＡでのボックスＢ１〜Ｂ３のボックス長さＬ１を、単位形状３の配列ピッチＰに対応した長さに設定するボックス設定部５６ｃと、ボックス設定部５６ｃが設定したボックスＢ１〜Ｂ３の段付パターン５の幅を、一定の間隔毎に測定してパターン幅測定データを取得する電子顕微鏡５４と、電子顕微鏡５４が取得したパターン幅測定データに基づいて、ボックスＢ１〜Ｂ３内で平坦化したパターン幅を算出するパターン幅算出部５６ｆと、して機能させる。 （もっと読む）

【課題】レティクルの設計パターンにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装された方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィック変数の異なる値に対する該レティクルの画像を取得する工程において、画像は、ノミナル値で得られた二つまたはそれ以上の参照画像および一つまたはそれ以上の変調された画像を含む、該取得する工程と、該二つまたはそれ以上の参照画像から複合参照画像を生成する工程と、を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】低い検査頻度で高精度のパターン検査を実現する。
【解決手段】実施形態によれば、経時的に変化するパターンを検査する方法が提供される。該方法は、同一の検査対象パターンについて任意の時期における輪郭形状を予測する工程と、上記検査対象パターンの要求仕様に応じた閾値を設定する工程と、上記予測された輪郭形状と上記閾値とから上記検査対象パターンが上記要求仕様を満たさなくなる時期を予測する工程と、を備える。上記検査方法は、上記同一の検査対象パターンについて異なる時期に撮像して画像を得る工程と、得られた複数の画像の輪郭をそれぞれ検出する工程と、検出された、異なる撮像時期の輪郭同士でマッチングを実行する工程と、該マッチング後に、対応する輪郭同士の差を求めて差分ベクトルを生成する工程とをさらに備え、上記輪郭形状は、生成された該差分ベクトルと上記撮像時期の間隔とに基づいて予測される。 （もっと読む）

【目的】予め歪ませたパターンが形成された被検査対象試料をダイーダイ検査する際に、高精度な検査が可能なパターン検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、複数の同一パターンが形成位置にそれぞれ歪みをもって形成された被検査試料の光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、前記光学画像データを複数の部分光学画像データに切り出す切り出し部７２と、前記被検査試料に形成されたパターンの歪み量を取得可能な歪情報を用いて、前記複数の部分光学画像データの位置を補正する補正部７４と、補正された前記複数の部分光学画像データ同士を画素毎に比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インプリント法を用いて所望のパターンを形成するためのパターン検証方法等を
提供する。
【解決課題】テンプレートパターンを有するテンプレートを基板上のレジストに転写して
レジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクに前記基板を加工して被加工
パターンを形成するパターン形成方法における、前記被加工パターンの設計パターン、前
記レジストパターンのターゲットパターン及び前記テンプレートパターンのターゲットパ
ターン、のいずれかを被検証パターンとして抽出する工程と、前記被検証パターンの特徴
量と予め用意した危険パターンの特徴量とを照らし合わせて、前記被検証パターンが危険
パターンであるか否かを検証する工程と、を有することを特徴とするパターン検証方法。 （もっと読む）

【課題】位相シフトマスクの検査方法において露光光の位相差の計測精度を向上させること。
【解決手段】第１及び第２のレーザ光２１、２２の間を通る基準線Lを、遮光膜２０２の第１の開口２０２ａの第１の辺２０２ｘに合わせ、遮光膜２０２で反射した第１のレーザ光２１と、第１の開口２０２ａに重なるように透明基板２０１に形成された第１の凹部２０１ａの底面で反射した第２のレーザ光２２との第１の位相差φ₁(x)を求め、第１の開口２０２ａから斜めの位置に形成された第２の開口２０２ｂの第２の辺２０２ｙに基準線Lを合わせ、遮光膜２０２で反射した第２のレーザ光２２と、第２の開口２０２ｂに重なるように透明基板２０１に形成された第２の凹部２０１ｂの底面で反射した第１のレーザ光２１との第２の位相差φ₂(x)を求め、各位相差φ₁(x)、φ₂(x)に基づき、露光光の位相差を算出する位相シフトマスクの検査方法による。 （もっと読む）

フーリエフィルタリングおよびイメージ比較を用いるマスク検査システムは、第１ディテクタと、動的フーリエフィルタと、コントローラと、第２ディテクタとを含んでよい。第１ディテクタは、検査システムのフーリエ面に配置され、かつマスクの領域によって生成されるパターン付き光の第１部分を検出することができる。動的フーリエフィルタは、パターン付き光の検出された第１部分に基づいてコントローラによって制御されてよい。第２ディテクタは、マスクの一部によって生成され、かつ動的フーリエフィルタを透過したパターン付き光の第２部分を検出することができる。さらに、マスク検査システムは、パターン付き光を別のパターン付き光と比較するためにデータ解析デバイスを含むことができる。結果的に、マスク検査システムは、マスクの領域上のあらゆる可能な欠陥をより正確にかつより高い解像度で検出することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像等の画像中に含まれる欠陥パターンを基準パターンを利用して効率的かつ高精度に検出することを可能にするパターン検査装置を提供する。
【解決手段】比較基準となるリファレンスパターン画像１３１における所定の特徴点の位置情報を登録するリファレンスパターン登録処理Ｓ１と、検査対象画像１３２から抽出された輪郭線の位置情報と特徴点の位置情報とに基づいて検査対象画像１３２に含まれる欠陥候補パターンを探索する欠陥候補パターン探索処理Ｓ２と、リファレンスパターン画像１３１における特徴点に対応した輝度分布情報と欠陥候補パターンにおける特徴点に対応した輝度分布情報とに基づいて、欠陥パターンを検出する欠陥パターン検出処理Ｓ３とを行うパターン検査装置である。 （もっと読む）

【課題】マスク検査装置及びマスク検査方法を提供する。
【解決手段】所望のパターンに蒸着するために、所定の開口を有するマスクを検査するためのマスク検査装置１００であって、マスクの開口の境界線を検出する表示部１１１と、マスクを利用して蒸着する被蒸着材の情報を保存した保存部１１２と、保存部１１２に保存された被蒸着材の情報に基づいて、蒸着領域の外郭線を形成する第１境界線、第１境界線周囲を取り囲むように形成される第２境界線、第１境界線と第２境界線との間に形成される安全領域を設定する設定部１１４と、表示部１１１が検出したマスクの境界線が、第１境界線及び第２境界線と接触せず、安全領域内に存在するか否かを判断する制御部１１３と、を備えるマスク検査装置１００である。 （もっと読む）

【課題】パターン形状に起因するパターンの加工不良を正確かつ容易に検証できるパターン検証方法を提供すること。
【解決手段】基板上に生成されるパターン形状４３からパターン形状４３の輪郭４４を抽出する輪郭抽出ステップと、輪郭４４上にパターン形状４３の検証位置となる評価点ｐ１〜ｐ７を所定の間隔で設定する評価点設定ステップと、評価点ｐ１〜ｐ７における輪郭４４上の曲率を算出する曲率算出ステップと、曲率が予め設定された所定の閾値を満たすか否かに基づいて、パターン形状４３を検証する検証ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
パターン検査装置において、膜厚の違いやパターン幅のばらつきなどから生じるパター
ンの明るさむらの影響を低減して、高感度なパターン検査を実現する。また、多種多様な
欠陥を顕在化でき，広範囲な工程への適用が可能なパターン検査装置を実現する
【解決手段】
同一パターンとなるように形成されたパターンの対応する領域の画像を比較して画像の
不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置を、切替え可能な複数の異なる検出系と異な
る検出系の像を同時に取得可能な複数台のセンサとそれに応じた画像比較部とを備えて構
成した。
また，画像の特徴量から統計的なはずれ値を欠陥候補として検出する手段を備えて構成
し，ウェハ内の膜厚の違いに起因して画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている
場合であっても、正しく欠陥を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】非破壊で微細構造パターンの側壁形状を測定することにより、所望する寸法パターンの転写結果が得られるかを判定することができるマスク検査方法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭ写真撮影時の電子ビームの電流値と、ＳＥＭ画像のホワイトバンド幅から微細構造パターンの傾斜角度を算出し、ＳＥＭ画像の微分プロファイルから微細構造パターンのボトム部の裾引き度合いを算出する。そして、ＣＤ−ＳＥＭを用いることにより、非破壊でパターンの傾斜角度と裾引き度合いを測定でき、転写シミュレータを利用することで、所望する寸法パターンの転写結果が得られるかを精度良く判定することができる。 （もっと読む）

【課題】適切に光近接効果補正されたパターンの検証を行う。
【解決手段】光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法であって，コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターン，ノッチパターン，凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも１つを抽出する工程と，コンピュータが，パターンデータを解析して，近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，検証工程において，抽出されたパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外する。 （もっと読む）