【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置２００は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ（１）に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＢを作成するＷＰフィルタ処理部５６と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップＣを作成するＬＰフィルタ処理部５８と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ（２）に対し、ＬＰフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＣを作成するＬＰフィルタ処理部６４と、位置ずれマップＡと位置ずれマップＢの差分に位置ずれマップＣを加算することによって合成して位置ずれマップＤを作成する合成部６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】差分図形の確認負荷を減らし、その結果、異常データの検出精度向上を図ることが可能なフォトマスク描画データの検証方法及びその検証装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクパターンの設計データと、該設計データに基づきフォトマスクパターン描画に適用される描画データから行なわれるフォトマスク描画データを検証する方法であって、前記差分データを前記設計データと比較参照し、前記設計データと合致している前記差分データのうち、斜め線部分とそれ以外の部分について、データ削除対象を描画装置の描画精度及び描画条件と、フォトマスクの製品仕様と、に基づいて変化させて、前記描画データにおけるデータ異常検出を行うことを特徴とするフォトマスク描画データの検証方法。 （もっと読む）

【課題】ステージ上で大きく撓むようなマスク基板の欠陥を高精度に検出できるようにする。
【解決手段】マスク基板の対向する二辺を検査テーブル手段の基板支持部となる傾斜面に載置すると共にマスク基板の下面にエア浮上ステージ手段からエア噴流を吹き付けることによってマスク基板が撓まないようにする。さらに、マスク基板の対向する二辺の上面側からエア噴流を吹き付けてマスク基板の下側辺を傾斜面に押し付け、マスク基板の二辺を検査テーブル手段に固定的にエア挟持させる。マスク基板の下面にエア噴流を吹き付けることでマスク基板の撓みを矯正することができ、基板検査装置は撓みの矯正されたほぼ平面状のマスク基板の欠陥を高精度に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】出力光の吸収による位相不整合を低減して波長変換効率を向上可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様のレーザ装置は、第１のレーザ光Ｌ₁₀を出力する第１レーザ光出力部１０と、第１のレーザ光を波長変換して変換光Ｌ₃₀を出力する波長変換光学素子３０と、第１のレーザ光と異なる波長の第２のレーザ光Ｌ₂₀を出力する第２レーザ光出力部２０と、第２のレーザ光Ｌ₂₀を第１のレーザ光Ｌ₁₀と重ね合わせて波長変換光学素子３０に入射させる合成光学素子３１とを備える。第２のレーザ光Ｌ₂₀は、波長変換光学素子３０における第２のレーザ光Ｌ₂₀の吸収によって発生する熱量が、波長変換光学素子における変換光Ｌ₃₀の吸収によって発生する熱量と略等しくなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】高速に検査することができる検査装置、及び検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、照明光が入射する偏光ビームスプリッタ１１と、偏光ビームスプリッタ１１からの照明光を集光して、ＥＵＶマスク４０に照射する対物レンズ１３と、ＥＵＶマスク４０で反射して対物レンズ１３を通過した反射光の一部の光路を変化させて、反射光の光軸と垂直な面における位置に応じて反射光を分割する分割ミラー１５と、一方の光ビームを受光して、対物レンズ１３の視野における第１の領域を撮像する検出器１６と、偏光ビームスプリッタからの光学距離が検出器１７の偏光ビームスプリッタ１１からの光学距離と異なる位置に配置され、他方の光ビームを受光して対物レンズ１３の視野における第２の領域を撮像する検出器１７と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 マスク基板の欠陥検査を的確に行うことが可能なマスク基板の欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るマスク基板の欠陥検査方法は、マスク基板を載置したステージの走査とマスク基板の像を取得するＴＤＩカメラの電荷転送とを同期させない非同期状態で、マスク基板の非同期像を取得する工程Ｓ１２と、非同期像に基づいて、ある値以上の像強度を有する箇所の数を取得する工程Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５と、箇所の数に基づいて像強度の閾値を決定する工程Ｓ１６と、マスク基板を載置したステージの走査とマスク基板の像を取得するＴＤＩカメラの電荷転送とを同期させた同期状態で、マスク基板の同期像を取得する工程Ｓ１７と、同期像に基づいて、閾値以上の像強度を有する箇所を欠陥と判定する工程Ｓ１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マスクデータに対して精度良く容易にマスク検査を行うことができるマスク検査方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスク検査方法では、基板上に形成する半導体集積回路パターンに対応する原版データを作成する。その後、原版製造プロセスを模擬した原版製造シミュレーションを実施して、前記原版データに対応する原版パターンを原版上に形成した場合の原版パターン形状に関する原版製造パターン情報を導出し、前記原版製造パターン情報が、前記原版製造プロセスに基づいて決められた所定値を満足するか否かを判定する。その後、前記原版の検査に用いる原版検査装置の光学系を模擬した原版検査シミュレーションを実施して、前記原版検査装置が前記原版を検査する際に検出する原版パターン形状に関する原版測定パターン情報を導出し、原版の検査結果が、許容範囲内であるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】マスクの製造後にマスクへの補正を行うことができる改良された方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、例えば、透過率、特定の偏光状態に対する透過率、複屈折性、および／またはジオメトリといったマスクの特性を制御可能にかつ局所的に変更するように構成されたマスク補正システムを含む。マスク補正システムは、一実施形態では、放射ビームをマスクのスポット上に誘導し、マスクは、マスク補正システムに対してスキャンされる。マスク補正システムは、マスク上の複数のスポットに実質的に同時に照射する配置を含みうる。 （もっと読む）

【課題】検査装置の透過光量分布のデータを用いて転写用マスクの内部欠陥等を検出する。
【解決手段】Ｄｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ比較検査法を適用し、薄膜の第１領域に対して検査光を照射して第１の透過光量分布を取得し、第２領域に対しても、検査光を照射して第２の透過光量分布を取得し、第１の透過光量分布と第２の透過光量分布との比較から算出される差分光量値が第１しきい値以上であり、かつ第２しきい値未満である座標をプロットした所定範囲差分分布を生成し、所定範囲差分分布でプロットの密度が高い領域が検出されない転写用マスクを選定する。 （もっと読む）

【目的】光量センサ出力と画像取得用のセンサ出力の応答速度のずれによる補正誤差を低減する。
【構成】パターン検査装置１００は、光源１０３と、被検査試料にレーザ光を照明する照明光学系１７０と、レーザ光の光量を測定する光量センサ１４４と、パターンの光学画像を撮像するＴＤＩセンサ１０５と、ＴＤＩセンサ１０５の出力タイミングが早い場合に、出力タイミングとの時間差分の期間、ＴＤＩセンサ１０５の出力データを一時的に記憶する記憶装置１４０と、光量センサ１４４の出力タイミングが早い場合に、出力タイミングとの時間差分の期間、光量センサ１４４の出力データを一時的に記憶する記憶装置１４２と、光学画像の階調値を時間差分ずらした時刻に出力された光量値を用いて補正する補正回路１４８と、比較対照となる参照画像を入力し、階調値が補正された光学画像と参照画像とを画素単位で比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像化の際に誤差が空間的に分散しやすい要素と、誤差があってもそれが局所にとどまる要素とが被検査対象領域内に混在する場合にも、位置合わせ精度を高くできる技術を提供する。
【解決手段】検査装置１は対象画像及び基準画像を複数のブロック領域に分割する。この対象画像及び基準画像のブロック領域がずらされつつ画素毎に比較されて、類似度マップＭＢが作成される。類似度が高くなるずらせ位置Ｐ（Δｘ，Δｙ）を表す各マップ点ＵＲが包含されることで最小矩形領域Ｓminが類似度マップＭＢにおいて設定される。最小矩形領域ＳminのＸ方向及びＹ方向の幅として特定される分布指標値Ｄx，Ｄyが閾値Ｄx0，Ｄy0と比較され、当該最小矩形領域Ｓminを有する対象ブロック領域が有効ブロックであるか否かが判定される。位置合わせのための確定ずらせ位置の算出には有効ブロックのみが使用される。 （もっと読む）

【課題】パターン形成用薄膜の際、どのプロセスで欠陥が発生したのかを正確に特定することができるマスクブランクの欠陥分析方法を得る。
【解決手段】基板上に成膜された薄膜に対する検査によって異物の存在が確認されたマスクブランクの欠陥分析方法であって、前記薄膜の表面が露出した状態で、走査型電子顕微鏡を用いて前記異物の形状を観察する工程と、前記異物を除去する工程と、前記異物を除去することによって前記薄膜の表面に形成された凹部の深さを、走査型プローブ顕微鏡を用いて測定する工程と、前記異物の形状及び前記凹部の深さから、前記薄膜を成膜する工程における前記異物が付着した時期を特定する工程とを含むことを特徴とする、マスクブランクの欠陥分析方法である。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターンの輪郭を的確に抽出することが可能な輪郭抽出方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、フォトマスク上に形成された披測定パターンの２次電子強度又は反射電子強度の２次元分布情報を走査型電子顕微鏡によって取得する工程Ｓ２と、２次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第１の方法によってエッジ位置を抽出する工程Ｓ３と、２次元分布情報に基づき、補正値取得用エッジについて第２の方法によってエッジ位置を抽出する工程Ｓ４と、第１の方法によって抽出されたエッジ位置と第２の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する工程とＳ５、２次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を第２の方法によって抽出する工程Ｓ６と、所望エッジのエッジ位置を補正値に基づいて補正する工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査時間および労力を低減できるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、マスク検査方法は、半導体露光用マスクに任意波長の光を入射させ撮像部にて像を取得する光学系を用いて、前記マスクの欠陥の有無を検査する方法であって、予め前記光学系による点像を、前記撮像部の読み出し方向に伸長される制御条件を取得する第１ステップ（Ｓ２０３）と、前記制御条件により、マスクの所望の領域の像を取得する第２ステップ（Ｓ２０５）と、取得した前記所望の領域の像において、信号強度が予め定めておいた第１閾値以上であり、前記信号強度の前記読み出し方向における差分が予め定めておいた第２閾値以下であるピーク信号が存在する場合、前記ピーク信号の座標を欠陥として判定する第３ステップ（Ｓ２０６）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】測定対象領域の透過率を内部反射光による誤差を抑えて精度良く測定するのに好適な透過率測定装置を提供すること。
【解決手段】透過率測定装置を、被検光を射出する光源装置と、該被検光を集光して測定対象上にスポットを形成する第一光学系と、測定対象を透過した被検光を集光してスポットの共役像を形成する第二光学系と、共役像の形成位置近傍に配置された絞りと、絞りを透過した被検光を検出する光検出手段と、から構成する。 （もっと読む）

【課題】過度の欠陥検出を抑制することにより、不必要な欠陥修正を低減することのできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】センサ１０６からマスク１０１の光学画像を取得するし、光学画像におけるパターンの寸法と、判定の基準となる基準画像におけるパターンの寸法とを測定し、これらから第１の誤差を求める。マスク１０１上の光学画像と基準画像について各転写像を推定し、これらの転写像におけるパターンの寸法を測定して第２の誤差を求める。各転写像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する。欠陥と判定された箇所における第２の誤差を第１の誤差で補正する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の内部欠陥による蛍光部画像がモヤ状画像でもそのエッジを検出して内部欠陥の検出精度を高める。
【解決手段】マスクブランク用ガラス基板の製造時に、２つの主表面と４つの端面を有するガラス基板を準備する基板準備工程と、いずれかの面から波長２００ｎｍ以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程とを有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、欠陥検査工程は、いずれかの面から前記ガラス基板を撮影し、当該撮影画像に対して遠隔差分により光量差を求める処理を含む画像処理を行うことで、検査光によって、ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を判定し、蛍光が無いと判定されたガラス基板を選定する。 （もっと読む）

【課題】露光用マスクの製造において、クロスコンタミネーションの影響を生じさせずに、洗浄後のマスク1枚毎の表面に残留するイオン濃度をモニターする方法およびモニターシステム、並びに１枚毎にイオン濃度値を保証した露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光用マスクの洗浄後に、マスク表面に残留するイオン濃度のモニター方法であって、マスク洗浄装置内で、マスクを洗浄後に、マスク表面に純水または温純水を給水して盛り、表面張力で純水または温純水を一定時間保持後、マスク１枚毎にマスク表面から純水または温純水を回収し、回収した純水または温純水を順にイオン分析装置へ圧送し、マスク１枚毎に回収した純水または温純水のイオン濃度の分析を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検査対象であるフォトマスクに所定波長の光束を照射し、フォトマスクを経た光束を撮像手段によって撮像して光強度データを求めるフォトマスクの検査方法において、実際の露光を行う露光装置との条件整合を良好に行う。
【解決手段】エッチング加工がなされる被加工層上に形成されたレジスト膜に対してフォトマスクを用いてｇ線、ｈ線及びi線の波長成分を含む露光光の露光を行い、レジスト膜をエッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすためのフォトマスクの検査に用いるテストマスクであり、露光光を透過させる透過部、遮光する遮光部、及び、一部を低減させて透過させるグレートーン部とを有するテストパターンを形成したテストマスクにおいて、テストパターンが一定の規則に基づいてパターン形状が逐次変化された複数の単位パターンが配列された部分を含み、パターン形状の逐次変化により、各単位パターンにおけるグレートーン部の幅をそれぞれ異ならせる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源を用いた、高感度な検査を行うことができるＥＵＶマスク検査装置を提供すること。
【解決手段】ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）マスク検査装置１００は、ＥＵＶ光源１０１、照明光学系、シュバルツシルト光学系１０８及びＴＤＩカメラ１０９を有する。照明光学系はＥＵＶ光源１０１からのＥＵＶ光ＥＵＶ１１によりＥＵＶマスクブランクス１１０を照明する。シュバルツシルト光学系１０８はＥＵＶ光ＥＵＶ１１がＥＵＶマスクブランクス１１０上の欠陥に照射されることにより生じる散乱光Ｓ１及びＳ２を集光する。ＴＤＩカメラ１０９は集光された散乱光Ｓ１及びＳ２を検出して、ＥＵＶマスクブランクス１１０上の欠陥の暗視野像を取得する。なお、ＥＵＶ光ＥＵＶ１１は１０．５ｎｍ以上１３．１ｎｍ以下の波長範囲のＥＵＶ光を含む。ＥＵＶ光ＥＵＶ１１のＥＵＶマスクブランクス１１０に対する入射角は１５．２°以上３９．３°以下である。 （もっと読む）