【課題】パターン密度に応じて発生する表示画質劣化や表示速度低下を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、階層化された描画データに含まれる第１階層の要素に対応する第２階層の要素群を順次読み込むデータ読込部と、第２階層の要素数を取得する要素数取得部３１と、第２階層の要素数に応じて区画サイズを調整し第１階層の要素を複数の区画に分割し、区画ごとにフラグを有する区画マップを形成するマップ形成部３２と、読み込まれた第２階層の要素の位置に対応する区画のフラグが、その区画を表示する表示処理を許可する許可状態又は禁止する禁止状態であるかを判断するフラグ判断部３３と、区画のフラグが許可状態であると判断された場合に表示処理を許可し、区画のフラグが禁止状態であると判断された場合に表示処理を禁止する処理制限部３４と、表示された区画のフラグを許可状態から禁止状態に切り替えるフラグ切替部３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工方法及びレーザ加工装置において、ハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥を修正する。
【解決手段】レーザ加工方法は、基板上の欠陥の画像を取得する画像取得工程（Ｓ２）と、前記画像と予め格納されている参照情報とに基づいて欠陥情報を抽出する欠陥抽出工程（Ｓ３）と、前記欠陥情報から前記欠陥がハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥であるか否かを判定する判定工程（Ｓ４）と、前記判定工程（Ｓ４）にて前記欠陥がハーフトーン欠陥であると判定された場合に前記ハーフトーン部の高さを測定する高さ測定工程（Ｓ９，Ｓ１２）と、この高さ測定工程で高さを測定したハーフトーン部にレーザ光を照射するレーザ光照射工程（Ｓ１０）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】位相欠陥と表面異物とを識別できるＥＵＶマスク検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＥＵＶマスク検査装置は、ＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源１００ａと、ＥＵＶ光を伝播する第１多層膜楕円面鏡１０３ａ、第２多層膜楕円面鏡１０３ｂ、落とし込みＥＵＶミラー１０５を含む光学系と、ＥＵＶ光の光軸と同軸に導入され、光学系で伝播される紫外光を出射するＡｒＦエキシマレーザ１００ｄとを備える。紫外光は、ＥＵＶ光の光軸上に挿入された振り込みミラー１１３により反射され、ＥＵＶ光と同軸に導入される。 （もっと読む）

【課題】レチクルの変形を最小限に抑えることができるレチクル支持機構を提供し、レチクルの検査装置を提供する。
【解決手段】レチクル１０４を支持するレチクル支持機構１を、レチクル支持台１０２とレチクル支持台１０２上に載置された中間部材１０３とを有して構成し、レチクル支持台１０２が中間部材１０３を介してレチクル１０４支持するように構成する。レチクル支持台１０２は、レチクル１０４の隣接する２隅を使用して２点でレチクル１０４を支持し、中間部材１０３を１点で支持する。中間部材１０３は、レチクル１０４の上述の２隅とは異なる２つの隅を使用してレチクル１０４を支持する。このレチクル支持機構１を使用して検査装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム又はイオンビーム撮像機器による極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスク検査の技術を提供する。
【解決手段】結合モジュールは、開口を定める上側部分と、マスク接触要素と、チャック接触要素と、マスク接触要素と上側部分の間に接続された中間要素とを含むことができる。開口の形状及びサイズは、極端紫外線（ＥＵＶＬ）マスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応することができる。結合モジュールは、マスク接触要素がＥＵＶＬマスクの上側部分に接触した状態でチャック接触要素がＥＵＶＬマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズとすることができる。結合モジュールは、ＥＵＶＬマスクがチャック上に位置決めされた時にＥＵＶＬマスクの上側部分とチャックの間に少なくとも１つの導電経路を更に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置２００は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ（１）に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＢを作成するＷＰフィルタ処理部５６と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップＣを作成するＬＰフィルタ処理部５８と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ（２）に対し、ＬＰフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＣを作成するＬＰフィルタ処理部６４と、位置ずれマップＡと位置ずれマップＢの差分に位置ずれマップＣを加算することによって合成して位置ずれマップＤを作成する合成部６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】互いに多層膜の周期長の異なる複数のマスクブランクに対しても、検出感度の高い検査を実現する。
【解決手段】マスクブランクＭＢに関する情報に基づいてマスクブランクＭＢの表面に照射するＥＵＶ光ＢＭの入射角度を調整し、照明光学系を介して取り込まれたＥＵＶ光ＢＭをマスクブランクＭＢの被検査領域に照射する。ＥＵＶ光ＢＭの入射角度は、ミラー姿勢制御手段２３を用いて多層膜ミラーＰＭ１,ＰＭ２の位置および角度を制御することにより調整する。 （もっと読む）

【課題】原版の合否判定の精度を維持しつつ、合否判定に要する時間を短縮できる原版評価方法を提供すること。
【解決手段】Ｎ個のパターンからＮ１個（Ｎ１＜Ｎ）のパターンを選択する際に、予め定めた第１の選択基準に基づいて選択する（Ｓ３）。Ｎ１個のパターンの測定結果に基づいて、Ｎ１個のパターンのそれぞれについて測定値を取得する（Ｓ４）。前記取得した測定値が許容できる値か否かを判断する（Ｓ５）。Ｎ個のパターンのうちＮ１個のパターンを除いた、Ｎ２個（Ｎ１＋Ｎ２≦Ｎ）のパターンを選択する際に、第２の選択基準に基づいて選択する（Ｓ６）。Ｎ２個のパターンに係る画像を取得し、その画像に基づいて、被転写基板上に転写されるＮ２個のパターンに対応する転写パターンの形状を予測する（Ｓ７）。予測した転写パターンの形状が許容できる形状であるか否かを判断する（Ｓ８）。Ｓ５およびＳ８の判断結果に基づいて前記原版を評価する。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクに存在する位相欠陥とＥＵＶＬ用マスクを製造した後に残存する位相欠陥との両方を感度良く検出する方法を提供する。
【解決手段】マスクブランクを検査する場合は、中心遮蔽ＮＡ以内で大きい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射し、ＥＵＶＬ用マスクを検査する場合は、ＥＵＶ光を遮蔽する中心遮蔽部と、中心遮蔽部の直径よりも小さい幅を有し、ＥＵＶ光を遮断する線状遮蔽部とをその瞳面に有する暗視野結像光学系を用いて、線状遮蔽部の幅と同じ照明ＮＡまたは線状遮蔽部の幅よりも小さい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光リソグラフィ用マスクの位相欠陥を簡便に救済する技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの製造に用いるマスクブランクの位相欠陥検査工程で位相欠陥が検出された場合、前記位相欠陥が凹欠陥か凸欠陥かを判定し、前記位相欠陥の凹凸に応じて、前記ＥＵＶリソグラフィ用マスクの前記位相欠陥を含む部位を局所的にデフォーカスさせて露光を行うことにより、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの位相欠陥を修正することなく、半導体ウエハへの回路パターンの異常転写を抑制する。 （もっと読む）

【課題】吸収体パターンを局所的にレイアウト変更することにより、実質的に位相欠陥の無いＥＵＶＬ用マスクを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】マスクパターンをウェハの主面上にパターン転写した際に、許容値より大きな転写誤差を与える位相欠陥ＰＤを検出し、この位相欠陥ＰＤの周囲の吸収体パターンＡＢＳ−３，ＡＢＳ−４の局所的なレイアウト変更が可能であるか否かを判断する。レイアウト変更が可能であると判断した場合は、位相欠陥ＰＤに近接する吸収体パターンＡＢＳ−３の形状を局所的に修正し、さらに、修正された吸収体パターンＡＢＳ−３の形状に合わせて、これに隣接する他の吸収体パターンＡＢＳ−４のレイアウトを局所的に変更する。 （もっと読む）

【課題】マスクデータに対して精度良く容易にマスク検査を行うことができるマスク検査方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスク検査方法では、基板上に形成する半導体集積回路パターンに対応する原版データを作成する。その後、原版製造プロセスを模擬した原版製造シミュレーションを実施して、前記原版データに対応する原版パターンを原版上に形成した場合の原版パターン形状に関する原版製造パターン情報を導出し、前記原版製造パターン情報が、前記原版製造プロセスに基づいて決められた所定値を満足するか否かを判定する。その後、前記原版の検査に用いる原版検査装置の光学系を模擬した原版検査シミュレーションを実施して、前記原版検査装置が前記原版を検査する際に検出する原版パターン形状に関する原版測定パターン情報を導出し、原版の検査結果が、許容範囲内であるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】光学的検査で検出された欠陥を、高精度で電子顕微鏡の観察視野に収めることができるパターン検査方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン検査方法によれば、チップ領域に形成されたデバイスパターンと、チップ外領域に形成された第１のパターンと、チップ外領域に形成され第１のパターンとは異なる第２のパターンとをそれぞれ含む複数の領域が形成されたウェーハの光学的検査により、デバイスパターンの欠陥をウェーハ上での位置座標と対応づけて検出すると共に、第１のパターンとの比較から第２のパターンをウェーハ上での位置座標と対応づけて検出する。また、検出した第２のパターンの位置座標に電子顕微鏡の観察視野を合わせたときの観察結果に基づいて、デバイスパターンの欠陥の位置座標を補正する。 （もっと読む）

【課題】 位相欠陥修正時における欠陥位置を正確に検出することができ、位相欠陥の修正精度の向上をはかる。
【解決手段】 マスク上の欠陥を検出する機構及び欠陥を修正する機構を備えたマスク欠陥修正装置を用い、マスク上の欠陥を修正する反射型マスクの欠陥修正方法であって、マスクの欠陥を、ウェハ転写光学像を模擬することにより欠陥合否判定を行うＡＩＭＳにて検出した後、マスクの検出された欠陥２０の近傍位置にマスク欠陥修正装置で検出可能なマーカ３０を形成する。次いで、マスク欠陥修正装置でマーカ３０を検出すると共に、該マーカ３０の位置を基準にして欠陥２０を修正する。そして、欠陥２０が修正されたマスクからマーカ３０を除去する。 （もっと読む）

【課題】ウエハとマスクのように同等の回路パターンが形成されているが形状が異なる試料を一つの装置で検査することができる検査装置または検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置が、形状が異なる複数の試料に対応した複数の搬送ホルダを備えることにより、同一試料室で異なる試料の検査を可能とする。更に、双方の試料に対する検査結果を照合する機能を備えることにより、欠陥と欠陥が生じる原因との関係を容易に解析できるようにする。 （もっと読む）

【課題】回折光や散乱光等の外乱による影響を受けにくく、パターンの微細化に十分対応できる基板検査装置及びマスク検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による基板検査装置は、検査データの取得と対物レンズ（８）の焦点データ信号の取得を並行して行う。検査中に対物レンズの光軸方向の位置を制御するオートフォーカス装置は、焦点誤差信号を出力する焦点誤差検出手段（４０）と、対物レンズ位置信号又は焦点誤差信号が加算された対物レンズ位置信号により構成される焦点データ信号を用いて対物レンズの光軸方向の位置を制御する焦点制御信号を走査ラインごとに生成する焦点制御信号生成手段（６０）とを有する。ｉを正の整数とした場合に、ｉ番目の走査ラインの走査により取得した焦点データ信号を用いて生成された焦点制御信号は、（ｉ＋２ｍ）番目の走査ラインを走査するときの焦点制御信号として用いられる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源を用いたＥＵＶマスク検査装置において、ＥＵＶ光の利用効率を高めること。
【解決手段】本発明のＥＵＶマスク検査装置は、光源ガスを用いてＥＵＶ光を発生するＥＵＶ光発生手段と、ＥＵＶ光発生手段に光源ガスを供給する光源ガス供給手段と、を備える光源チャンバーと、ＥＵＶ光発生手段で発生したＥＵＶ光を選択的に透過させるフィルタと、第１排気手段と、を備える補助チャンバーと、フィルタを透過したＥＵＶ光を検査対象に導く検査光学系と、第２排気手段と、を備える検査光学系チャンバーと、を具備する。ここで、本発明のＥＵＶマスク検査装置は、光源チャンバーと補助チャンバーと検査光学系チャンバーは空間的に接続されており、第１排気手段及び第２排気手段により補助チャンバーと検査光学系チャンバーとの間で差動排気を行う。 （もっと読む）

【課題】マスクの微小黒欠陥の発生要因となる潜在化したマスクブランク欠陥の発生を抑制できる、最適な処理液を選定する方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングが可能な材料からなる転写パターンとなる薄膜を有するマスクブランクを複数枚準備する工程１と、エッチング阻害物質の濃度が異なる複数種の処理液を準備する工程２と、前記処理液を用いて表面処理する工程３と、前記表面処理をしたマスクブランクに対して、ドライエッチングして除去した後、該エッチング後の前記基板表面の表面形態情報を取得する工程４と、前記エッチング阻害物質の濃度と、前記基板表面の表面形態情報との対応関係を作成した対応関係の中から所望の仕様又は品質を満足する表面形態情報を選択して、対応するエッチング阻害物質の濃度を特定する工程５と、該特定した濃度を有する処理液をマスクブランクの表面処理に使用する処理液として選定工程６から成る。 （もっと読む）

【課題】マスクの微小黒欠陥の発生要因となるマスクブランクの潜在化した欠陥の発生を抑制する最適な処理液を選定する方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングが可能な材料からなる転写パターンとなる薄膜を有するマスクブランクを複数枚準備する工程１と、エッチング阻害物質の濃度が異なる複数種の処理液を準備する工程２と、前記処理液を用いて表面処理する工程３と、前記表面処理したマスクブランクの被処理面に対してレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行って薄膜パターンを形成してマスクを作製し、該マスク表面の欠陥情報を取得する工程４と、エッチング阻害物質の濃度と前記マスク表面の欠陥情報との対応関係から所望の仕様又は品質を満足する欠陥情報を選択して、対応する処理液のエッチング阻害物質の濃度を特定する工程５、該特定した濃度を有する処理液を選定する工程６から成る。 （もっと読む）

【課題】検査装置の透過光量分布のデータを用いて転写用マスクの内部欠陥等を検出する。
【解決手段】Ｄｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ比較検査法を適用し、薄膜の第１領域に対して検査光を照射して第１の透過光量分布を取得し、第２領域に対しても、検査光を照射して第２の透過光量分布を取得し、第１の透過光量分布と第２の透過光量分布との比較から算出される差分光量値が第１しきい値以上であり、かつ第２しきい値未満である座標をプロットした所定範囲差分分布を生成し、所定範囲差分分布でプロットの密度が高い領域が検出されない転写用マスクを選定する。 （もっと読む）