【課題】高速に検査することができる検査装置、及び検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、照明光が入射する偏光ビームスプリッタ１１と、偏光ビームスプリッタ１１からの照明光を集光して、ＥＵＶマスク４０に照射する対物レンズ１３と、ＥＵＶマスク４０で反射して対物レンズ１３を通過した反射光の一部の光路を変化させて、反射光の光軸と垂直な面における位置に応じて反射光を分割する分割ミラー１５と、一方の光ビームを受光して、対物レンズ１３の視野における第１の領域を撮像する検出器１６と、偏光ビームスプリッタからの光学距離が検出器１７の偏光ビームスプリッタ１１からの光学距離と異なる位置に配置され、他方の光ビームを受光して対物レンズ１３の視野における第２の領域を撮像する検出器１７と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】微細パターンのマスクを高感度で検査できるマスク検査装置及びマスク検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、減圧容器１０と、保持部１５と、光照射部２０と、検出部５０と、電極３０と、制御部６０と、を備えマスク検査装置１１０が提供される。前記保持部１５は、前記減圧容器１０の中に設けられ、マスク７０を保持する。前記光照射部２０は、前記保持部１５に保持された前記マスク７０の主面に光を照射する。前記検出部５０は、前記減圧容器１０の中に設けられ、前記マスク７０の前記主面に前記光が照射されて発生した電子を検出する。前記電極３０は、前記保持部１５と前記検出部５０との間に設けられ、前記保持部１５から前記検出部５０に向かう方向に前記電子を導く。前記制御部６０は、前記検出部５０で検出された前記電子の検出結果を基準となる値と比較する。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネス（roughness）が変化している領域においても、安定して欠陥を検出することができるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体露光用マスクの欠陥を検出する方法は、マスクの表面高さ分布からバックグラウンド強度を取得し、前記バックグラウンド強度から基準バックグラウンド強度分布を取得し、前記マスクに任意波長の光を入射させ、前記マスクの注目位置の像を取得し、前記取得された像の注目位置の信号強度と、前記注目位置の周辺領域における信号強度の平均値によって信号強度を取得し、前記基準バックグラウンド強度分布に対する、前記信号強度の比によって、前記信号強度の補正係数を求め、前記注目位置の信号強度に前記補正係数を乗じることによって、前記信号強度を補正し、前記補正された信号強度が予め定めておいたしきい値以上か否かを判定する。 （もっと読む）

【目的】マスク面上のパターン領域と非パターン領域の間に段差があるマスクであっても、効率的に検査可能なマスク欠陥検査装置およびこれを用いたマスク欠陥検査方法を提供する。
【構成】マスク面に対するフォーカス合わせを行うフォーカス合わせ機構と、パターン画像の取り込み時の検査視野走査方向上の検査視野を挟む第１箇所と第２箇所のマスク面におけるフォーカスを、それぞれ検出する第１のフォーカス検出部および第２のフォーカス検出部と、第１および第２の箇所が、パターン領域と非パターン領域とのいずれに位置するかを判定する判定部と、判定部の判定結果に基づき、フォーカス合わせ機構に対しフォーカス合わせ方法を指示するフォーカス合わせ方法指示部と、を有することを特徴とするマスク欠陥検査装置およびこれを用いたマスク欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源３０と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系４０と、検出器５０と、画像形成／信号処理回路６０とを備えている。写像光学系は、３つのレンズ系４１〜４３と、アパーチャ４４とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】補正パターンを有するフォトマスクの欠陥検査において、補正パターンに由来する欠陥を除外すること。
【解決手段】本発明に係る検査装置１０は、結像面に転写される主パターンと、主パターンに対して光学近接効果補正を行う補正パターンとを有するフォトマスクを検査する。検査装置１０は、照明光源１１１と、照明光源１１１からの光を集光して前記フォトマスクに照射する光学系と、フォトマスク２０の透過像を取得する検出器１４２と、検出器１４２により得られた透過像と補正パターンのみに対応する検索画像とを用いて補正パターンに対応する除外領域を決定し、当該除外領域を欠陥検出から除外するためのフィルタを生成する処理部３０と、フィルタを用い、除外領域を除外して欠陥検査を行う欠陥判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光機内のマスクステージにマスクを装着した状態でフォトマスク上の異物の有無を検査することができるフォトマスク及び露光装置を提供する。
【解決手段】フォトマスク１のマスク基板１０の表面に、マスク基板１０の表面上を伝搬する弾性表面波を発生させる弾性表面波素子２０Ａと、弾性表面波を受信する弾性表面波素子２０Ｂとを設け、当該弾性表面波によって半導体回路パターン４１の異物の有無を検出する。このとき、フォトマスク１を露光機１００のマスクステージ１０３に載置した状態で異物検査を行う。また、弾性表面波素子２０Ａ，２０Ｂをマスク基板１０上に複数組設ければ、半導体回路パターン４１の異物の位置を特定できる。 （もっと読む）

本発明は、マスク検査装置の照明系及び投影対物系に関する。本発明の態様により、マスク検査装置の作動中の照明系（６１０）は、重心光線を有する照明光線束（６１５）を用いてマスク（６３０）を照明し、この重心光線は、マスク（６３０）上の照明光線束（６１５）の入射場所に依存する方向を有する。 （もっと読む）

【課題】周期性のあるパターンの被検査体に対し、回折光によるコントラストから正常部と変動部とを精度良く識別でき、かつ、モアレのような外乱要素を含まない被検査画像を取得すること。
【解決手段】本発明の実施の形態１に係るむら検査装置は、透過照明部１０、Ｘ−Ｙ−θステージ部２０、アライメント用撮像部３０、回折光強度測定部兼撮像部４０及び処理・制御部１００を具備している。Ｘ−Ｙ−θステージ部２０は、被検査基板６０の位置決め動作及び基板搬送動作が可能である。アライメント用撮像部３０は、被検査基板６０の位置決めを実施する。回折光強度測定部兼撮像部４０は、被検査基板６０からの回折光強度を取得し、また、被検査画像取得を実施する。処理・制御部１００の情報処理手段１０１は、透過照明部１０、Ｘ−Ｙ−θステージ部２０、アライメント用撮像部３０及び回折光強度測定部兼撮像部４０の動作管理及び制御を行う。 （もっと読む）

【課題】
微少ミラーを２次元配列したミラーデバイスを用いたパターン描画装置において、感光剤の塗布された基体上への投影像をイメージセンサで観察・測定する際に、正確かつ精細に画像データを取得する。
【解決手段】
ミラーデバイス１０３で生成された画像パターンを感光剤の塗布された基体１０７上に投影し、この投影像を撮像光学系１０９とハーフミラー１０５と投影光学系１０６によってイメージセンサ１１０に結像させる。このとき、イメージセンサ１１０の撮像面に結像した微少ミラー像のピッチとイメージセンサ１１０の撮像画素ピッチとが整数比となるような撮像光学系１０９とする。 （もっと読む）

【課題】部品数の増加及び装置の大型化を伴うことなく、短時間でビーム照射位置の調整が可能なビーム調整装置を実現する。
【解決手段】調整用ミラー１９ａ、１９ｂはチルト機構１０１により回転され、シフト機構１０２により直線的に移動される。光１８はビーム調整機構１０で調整後、集光レンズ移動機構１２１でレンズ１２を移動させレンズ１２通過後の光及びレンズ１２を通過しない光がＣＣＤカメラ１３に照射される。レンズ１２とＣＣＤカメラ１３の受光面との距離は焦点距離でありレンズ１２中心とＣＣＤカメラ中心との位置を合せておく。チルト調整量を算出しビーム調整機構１０で平行光となるように補正し、その後にレンズ１２を通過させずにＣＣＤカメラ１３に光を入射させビームのシフト調整量を算出しビーム調整機構１０でＣＣＤカメラ１３の中心に光が収束するようにビームのシフト、チルトを補正する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを有する製品のパターン計測を含めた検査のために照明光によるパターン画像を撮像する方式の検査装置において、簡便に検査領域外からの光の外乱影響を除去する検査装置を提供すること。
【解決手段】平面基板２ａを載置するステージ１と、このステージに載置された平面基板の被検査物２ｂを照明する光源７と、被検査物を撮像する撮像装置８とを備えるパターン検査装置であって、平面基板に略平行に近接して設けられた液晶シャッター４を備え、この液晶シャッターが、被検査物の検査対象領域３に応じて、遮光領域５と透光領域６とを可変分割形成できるものである。 （もっと読む）

【目的】対象物のパターンに依存することなくビームスプリッタの反射率を安定させることが可能な高さ検出装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の高さ検出装置１００は、対象物１０１面に照明光を照明する照明光学系２００と、対象物１０１面から反射された反射光を入射するλ／４板２７０と、λ／４板２７０を通過した反射光を分岐するビームスプリッタ２２２と、ビームスプリッタ２２２によって分岐された反射光の一方を前記反射光の結像点の前側で受光して、光量を検出する光量センサ２５２と、結像点の後側で受光して、光量を検出する光量センサ２５４と、光量センサ２５２，２５４の出力に基づいて対象物１０１面の高さを演算する演算回路２６０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

マスク検査中に、ウェーハ露光中に同じく発生する欠陥を識別する必要がある。従って、レジスト内に生成される空間像と検出器上に生成される空間像とは、できる限り同じでなければならない。同等の像生成を提供するために、マスク検査中に照明及び物体側の開口数は、使用されるスキャナに適合される。本発明は、照明を可変的に設定するためのマスク検査顕微鏡に関する。マスク検査顕微鏡は、物体平面に配置されたレチクル（１４５）の構造（１５０）の像をマスク検査顕微鏡の視野平面に生成するように機能する。マスク検査顕微鏡は、投影光を放出する光源（５）と、少なくとも１つの照明ビーム経路（３，８７，８８）と、物体平面に対して光学的に共役な照明ビーム経路（３，８７，８８）の瞳平面（１３５）内に投影光の結果的強度分布を生成するための絞りとを含む。本発明により、絞りは、投影光の結果的強度分布が、最小強度値と最大強度値の間に少なくとも１つの更に別の強度値を有するような方法で具現化される。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクなどの試料についての望まれない粒子や、パターンきず等の検査するためのデザインを提供する。
【解決手段】このシステムは、開口（絞り）およびフーリエフィルタリングのための外部瞳がなく、比較的緩い製造公差を提供し、ブロードバンド明視野やおよびレーザ暗視野イメージングおよび波長３６５ｎｍ以下における検査に適する。使用されるレンズは単一の材料を用いて形成または構成される。少なくとも１つの小さな折り返しミラー（３０４）およびマンジャンミラー（３０６）を含んでいる。第２の戻りイメージが第１のイメージから横方向にずれるように軸をはずして構成される。これによって、受光を許容する横方向分離および各イメージを別々に操作することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの微細化に対して、プロセスマージンが狭小な場合でも半導体パターンの形状計測を高精度で行うことができるパターン形状計測方法を提供する。
【解決手段】パターン形状計測方法において、ベストマッチとなる計算波形が選出不可能な場合は、形状パラメータの内、少なくとも１つのパラメータを、パターン形状計測に依らない計測方法を用いる他計測装置にて得られた情報に基づいて固定値とし、再度、ライブラリと検出波形のマッチングを行い、ベストマッチとなる計算波形を選出するステップと、ベストマッチした計算波形より対象パターンの形状情報を求める。 （もっと読む）

オブジェクト検査のための、特に、リソグラフィプロセスで使用されるレチクルの検査のためのシステムおよび方法が開示される。当該方法は、基準放射ビームをプローブ放射ビームと干渉法により合成することと、それらの合成視野像を記憶することと、を含む。そして、１つのオブジェクトの合成視野像を、基準オブジェクトの合成視野像と比較して差を求める。これらのシステムおよび方法は、欠陥に関するレチクルの検査において特定の有用性を有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスク用空間映像測定装置及び方法を提供する。
【解決手段】露光器を使用してスキャニングすることで形成された半導体パターンと相応するパターンの空間映像を測定するための空間映像測定装置は、パターンを有するＥＵＶマスクの第１側上に配置され、ＥＵＶ光をＥＵＶマスクの法線に対して露光器が配置される角度と同じ角度でＥＵＶマスクの一部分上に集束させるように調節されたゾーンプレートレンズ、及びＥＵＶマスクの第２側上に配置され、ＥＵＶマスクからＥＵＶ光のエネルギーを感知するように調節された検出部を備え、ゾーンプレートレンズ、検出部、及び露光器それぞれの開口数ＮＡ_{ｚｏｎｅｐｌａｔｅ}、ＮＡ_{ｄｅｔｅｃｔｏｒ}、及びＮＡ_{ｓｃａｎｎｅｒ}と、露光器の斜入射度（σ）とは、ＮＡ_{ｚｏｎｅｐｌａｔｅ}＝ＮＡ_{ｓｃａｎｎｅｒ}／ｎ、及びＮＡ_{ｄｅｔｅｃｔｏｒ}＝ＮＡ_{ｓｃａｎｎｅｒ}／ｎ×σの関係を満たし、ｎは露光器の縮小倍率である。 （もっと読む）

【課題】実際の転写条件を用いて、多階調フォトマスクが被転写体上に形成するレジストパターンを正確に反映した画像データで多階調フォトマスクを評価することができる多階調フォトマスクの評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクの評価方法は、透明基板上に形成された少なくとも遮光膜がパターニングされていることによって、透光領域、遮光領域、及び半透光領域を含む転写パターンを備え、評価対象とする前記転写パターンについて、露光条件下における前記転写パターンの空間像データを取得し、前記空間像データに対して、所定の実効透過率のしきい値を決定し、前記しきい値を用いて、前記空間像データを二値化し、前記二値化した空間像データを用いて、前記転写パターンを評価することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反射型フォトマスクのパターン検査の精度が向上するとともに、検査に要する時間を短縮することのできる反射型フォトマスクブランクス、反射型フォトマスク、反射型フォトマスクの検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に照射される露光光を反射する反射膜と、露光光を吸収し、反射膜上にパターニングされて形成された吸収体と、吸収体上にパターニングされて形成された偏光子と、を備えることを特徴とする反射型フォトマスク及び検光子を備える検査装置。 （もっと読む）